專利名稱：熔絲結(jié)構(gòu)的操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電熔絲，更特別地涉及使用CNT(碳納米管)的電熔絲。
背景技術(shù)：
熔絲一般地用來(lái)記錄關(guān)于芯片的信息以及使存儲(chǔ)器查詢重新定向而遠(yuǎn)離有缺陷元件。在歷史上，激光器用于通過(guò)熔斷(熔化)金屬熔絲而對(duì)金屬熔絲編程。但是，熔斷的熔絲不能取消熔斷，因此由熔絲結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)的信息不能擦除。因此，需要可以多次對(duì)信息編程的熔絲結(jié)構(gòu)(以及操作熔絲結(jié)構(gòu)的方法)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)操作方法，包括提供一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括(a)導(dǎo)電層，(b)在導(dǎo)電層上面的第一電介質(zhì)區(qū)和第二電介質(zhì)區(qū)，(c)位于第一和第二電介質(zhì)區(qū)上的懸空而不接觸導(dǎo)電層的N個(gè)導(dǎo)電區(qū)，其中N是正整數(shù)且N大于1，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)電連接在一起，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段具有不同的長(zhǎng)度，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段與第一和第二電介質(zhì)區(qū)和導(dǎo)電層不直接物理接觸，并且使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段的第一導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層，而不使其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層，其中第一導(dǎo)電區(qū)段是N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段中的最長(zhǎng)導(dǎo)電區(qū)段。
本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)操作方法，包括提供一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括(a)導(dǎo)電層，(b)懸空而不接觸導(dǎo)電層的N個(gè)導(dǎo)電區(qū)，其中N是正整數(shù)且N大于1，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)電連接到一起，并且使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層，而不使其余N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體熔絲結(jié)構(gòu)(以及其操作方法)，其中熔絲結(jié)構(gòu)可以多次被擦除和編程。


圖1A-7D說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的，形成襯底結(jié)構(gòu)的制造工藝。
圖8-10描繪根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的，操作圖7C的結(jié)構(gòu)的方法。
具體實(shí)施例方式
圖1A-7D說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的，形成襯底結(jié)構(gòu)100的制造工藝。更特別地，參考圖1A，在一種實(shí)施方案中，以導(dǎo)電層110開始襯底結(jié)構(gòu)100的制造工藝。在一種實(shí)施方案中，導(dǎo)電層110可以在為了描述簡(jiǎn)單而省略的半導(dǎo)體(例如，硅，鍺，...)襯底(沒(méi)有顯示)上面形成。示范性地，導(dǎo)電層110可以包含銅、鋁、鎢，或者任意其他導(dǎo)電材料。
接下來(lái)，參考圖1B，在一種實(shí)施方案中，電介質(zhì)層120在導(dǎo)電層110上面形成。示范性地，電介質(zhì)層120包括二氧化硅。在一種實(shí)施方案中，電介質(zhì)層120可以通過(guò)CVD(化學(xué)汽相沉積)形成。
接下來(lái)，參考圖1C，在一種實(shí)施方案中，溝槽205在圖1B的結(jié)構(gòu)100的電介質(zhì)層120中以使得導(dǎo)電層110的上表面112不會(huì)通過(guò)溝槽205暴露于周圍環(huán)境的方式形成。示范性地，溝槽205可以通過(guò)照相平版印刷然后刻蝕而形成。
圖1D說(shuō)明沿著線1D所定義的平面的、圖1C的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖?？梢栽趫D1D中看到，導(dǎo)電層110不在溝槽205的底部205a處暴露。
接下來(lái)，參考圖2A，在一種實(shí)施方案中，催化劑區(qū)210在溝槽205中形成。示范性地，催化劑區(qū)210包括鐵或鎳。在一種實(shí)施方案中，可以通過(guò)鐵的CVD，然后是CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)步驟，直到電介質(zhì)層120的上表面122暴露于周圍環(huán)境而形成催化劑區(qū)210。
圖2B說(shuō)明沿著線2B所定義的平面的、圖2A的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖。
接下來(lái)，參考圖3A，在一種實(shí)施方案中，電介質(zhì)層310在圖2A的結(jié)構(gòu)100的上面形成。示范性地，電介質(zhì)層310可以通過(guò)二氧化硅的CVD在圖2A的結(jié)構(gòu)100上面形成。應(yīng)當(dāng)注意，電介質(zhì)層310和電介質(zhì)層120可以整體地稱作電介質(zhì)層120+310。
圖3B說(shuō)明沿著線3B所定義的平面的、圖3A的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖。可以在圖3B中看到，催化劑區(qū)210埋置在電介質(zhì)層120+310內(nèi)部。
接下來(lái)，參考圖3C，在一種實(shí)施方案中，溝槽405在電介質(zhì)層120+310中形成，使得導(dǎo)電層110的上表面112通過(guò)溝槽405暴露于周圍環(huán)境。更特別地，在一種實(shí)施方案中，當(dāng)在方向420上前進(jìn)時(shí)，在方向421上的溝槽405的寬度增加(其中方向421基本上垂直于方向420)。例如，寬度412小于寬度414。在一種實(shí)施方案中，溝槽405可以通過(guò)照相平版印刷然后刻蝕而形成。作為刻蝕電介質(zhì)層120+310的結(jié)果，電介質(zhì)層120+310的剩余部分是圖3C中所示的電介質(zhì)區(qū)310a和310b。
接下來(lái)，參考圖4A，在一種實(shí)施方案中，犧牲層410在溝槽405中形成。示范性地，可以通過(guò)鍺的CVD，然后是CMP步驟，直到電介質(zhì)區(qū)310a和310b的上表面312暴露于周圍環(huán)境而形成犧牲層410。
圖4B說(shuō)明沿著線4B所定義的平面的、圖4A的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖。
圖4C說(shuō)明圖4A的結(jié)構(gòu)100的俯視圖。
接下來(lái)，參考圖5A，在一種實(shí)施方案中，孔洞510a-510i在電介質(zhì)區(qū)310a中形成。更特別地，在一種實(shí)施方案中，孔洞510a-510i被形成以使得催化劑區(qū)210通過(guò)孔洞510a-510i暴露于周圍環(huán)境。在一種實(shí)施方案中，孔洞510a-510i可以通過(guò)照相平板印刷然后刻蝕而形成。
圖5B說(shuō)明沿著線5B所定義的平面的、圖5A的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖?？梢栽趫D5B中看到，催化劑區(qū)210通過(guò)孔洞510a暴露于周圍環(huán)境。
接下來(lái)，參考圖6A，在一種實(shí)施方案中，CNT(碳納米管)610a-610i在圖5A的結(jié)構(gòu)100的上面形成。示范性地，CNT 610a-610i是碳的分子形式。在一種實(shí)施方案中，通過(guò)在適當(dāng)?shù)臏囟认?典型地600-900℃)，將圖5A的結(jié)構(gòu)100放置到包含化學(xué)物例如甲烷或乙醇的等離子體環(huán)境中(沒(méi)有顯示)而形成CNT 610a-610i。結(jié)果，CNT從孔洞510a-510i的底部處的催化劑區(qū)210中向孔洞510a-510i的頂部生長(zhǎng)并超出其頂部。同時(shí)，反應(yīng)物在從電介質(zhì)區(qū)310a到電介質(zhì)區(qū)310b的方向421上流動(dòng)。結(jié)果，CNT 610a-610i跨越犧牲層410的上表面412在從電介質(zhì)區(qū)310a到電介質(zhì)區(qū)310b的方向412上生長(zhǎng)。在一種實(shí)施方案中，CNT 610a-610i具有相同的長(zhǎng)度，雖然具有相同長(zhǎng)度不是必須的。
圖6B說(shuō)明沿著線6B所定義的平面的、圖6A的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖。
圖6C說(shuō)明圖6A的結(jié)構(gòu)100的俯視圖。在一種實(shí)施方案中，參考圖6C，CNT 610a-610i具有相同的長(zhǎng)度。應(yīng)當(dāng)明白，CNT 610a-610i的正好在犧牲層410上方的CNT段610a’-610i’具有不同長(zhǎng)度。在一種實(shí)施方案中，當(dāng)在方向630上前進(jìn)時(shí)，CNT段610a’-610i’的長(zhǎng)度增加。例如，CNT段610a’的長(zhǎng)度比CNT段610b’的長(zhǎng)度短。
接下來(lái)，參考圖7A，接觸孔710和720分別在電介質(zhì)區(qū)310a和310b中形成。更特別地，接觸孔710在電介質(zhì)區(qū)310a中形成以使得催化劑區(qū)210通過(guò)接觸孔710暴露于周圍環(huán)境。在一種實(shí)施方案中，接觸孔720在電介質(zhì)區(qū)310b中形成以使得導(dǎo)電層110通過(guò)接觸孔720暴露于周圍環(huán)境。示范性地，接觸孔710和720可以通過(guò)照相平版印刷然后刻蝕而同時(shí)形成。
接下來(lái)，在一種實(shí)施方案中，犧牲層410(圖6A)被去除以使導(dǎo)電層110的上表面112暴露于周圍環(huán)境。示范性地，可以通過(guò)濕法刻蝕而去除犧牲層410。應(yīng)該注意，在犧牲層410的去除之后，CNT 610a-610i懸空而不接觸導(dǎo)電層110。
圖7B說(shuō)明沿著線7B所定義的平面的、圖7A的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖?？梢栽趫D7B中看到，催化劑區(qū)210通過(guò)接觸孔710暴露于周圍環(huán)境，并且導(dǎo)電層110通過(guò)接觸孔720暴露于周圍環(huán)境。
接下來(lái)，參考圖7C，在一種實(shí)施方案中，接觸區(qū)712和722分別在接觸孔710和720中形成。示范性地，可以通過(guò)鎢的CVD，然后是RIE(反應(yīng)離子刻蝕)步驟，直到電介質(zhì)區(qū)310a和310b的上表面714和724分別暴露于周圍環(huán)境而形成接觸區(qū)712和714。在一種實(shí)施方案中，接觸孔712和714分別提供到催化劑區(qū)210和導(dǎo)電層110的電通路。
圖7D說(shuō)明沿著線7D所定義的平面的、圖7C的結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖。
概括地，CNT 610a-610i通過(guò)催化劑區(qū)210電連接到一起，并且CNT 610a-610i通過(guò)電介質(zhì)區(qū)310a和310b與導(dǎo)電層110電絕緣。應(yīng)當(dāng)注意，CNT段610a’-610i’的長(zhǎng)度是不同的。
在上述實(shí)施方案中，在形成CNT 610a-610i之后形成接觸區(qū)712和722。可選地，在形成孔洞510a-510i(隨后從中生長(zhǎng)CNT 610a-610i)之前形成接觸區(qū)712和722。
在一種實(shí)施方案中，圖7C的結(jié)構(gòu)100依賴于催化劑區(qū)210是否電連接到導(dǎo)電層110而處于第一狀態(tài)或第二狀態(tài)。更特別地，如果CNT610a-610i的至少一個(gè)將催化劑區(qū)210電耦接到導(dǎo)電層110，那么圖7C的結(jié)構(gòu)100處于第一狀態(tài)。相反地，如果CNT 610a-610i中沒(méi)有一個(gè)將催化劑區(qū)210電連接到導(dǎo)電層110，那么圖7C的結(jié)構(gòu)100處于第二狀態(tài)。
圖8-10描繪根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的，圖7C的結(jié)構(gòu)100的操作方法。
圖8說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的，使圖7C的結(jié)構(gòu)100從第二狀態(tài)進(jìn)入第一狀態(tài)的方法。更特別地，在一種實(shí)施方案中，通過(guò)電阻器810將電壓V1施加到催化劑210和導(dǎo)電層110之間。結(jié)果，在CNT610a-610i和導(dǎo)電層110之間出現(xiàn)電壓V1。這是因?yàn)镃NT 610a-610i電連接到催化劑區(qū)210。作為CNT 610a-610i和導(dǎo)電層110之間的電壓V1的結(jié)果，CNT 610a-610i被吸引向?qū)щ妼?10。因?yàn)镃NT段610i’是CNT段610a’-610i’之中最長(zhǎng)的，所以CNT段610i’是接觸導(dǎo)電層110的第一個(gè)。CNT段610i’一旦接觸導(dǎo)電層110，CNT 610a-610i和導(dǎo)電層110就具有相同的電壓。因此，CNT段610a’-610h’不再被拉向?qū)щ妼?10。在一種實(shí)施方案中，選擇這樣的電阻器810，其使得在CNT段610i’與導(dǎo)電層110發(fā)生直接物理接觸之后，從催化劑區(qū)210通過(guò)CNT610i流到導(dǎo)電層110的電流不夠高而無(wú)法熔斷(燒斷)CNT 610i。其后，在一種實(shí)施方案中，從催化劑區(qū)210和導(dǎo)電層110去除電壓V1。在一種實(shí)施方案中，在去除電壓V1之后，CNT 610i仍然與導(dǎo)電層110直接物理接觸。結(jié)果，CNT 610a-610i中的一個(gè)將催化劑區(qū)210電耦接到導(dǎo)電層110。換句話說(shuō)，結(jié)構(gòu)100處于第一狀態(tài)。
圖9說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的，使圖8的結(jié)構(gòu)100從第一狀態(tài)回到第二狀態(tài)的方法。更特別地，在一種實(shí)施方案中，將電壓V2施加到催化劑區(qū)210和導(dǎo)電層110之間。結(jié)果，有電流從催化劑區(qū)210通過(guò)CNT 610i流到導(dǎo)電層110。在一種實(shí)施方案中，電壓V2足夠高，使得其所導(dǎo)致的流過(guò)CNT 610i的電流足夠強(qiáng)以熔斷CNT 610i，但是電壓V2不足以使其余的CNT 610a-610h接觸導(dǎo)電層110(在熔斷CNT 610i之后，可以在圖9中看到)。在熔絲熔斷之后，在一種實(shí)施方案中，從催化劑區(qū)210和導(dǎo)電層110去除電壓V2。結(jié)果，CNT 610a-610i中沒(méi)有一個(gè)將催化劑區(qū)210電耦接到導(dǎo)電層110。換句話說(shuō)，結(jié)構(gòu)100從第一狀態(tài)轉(zhuǎn)換到第二狀態(tài)。
圖10說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的，在熔斷CNT 610i之后使圖9的結(jié)構(gòu)100從第二狀態(tài)到第一狀態(tài)的方法。更特別地，在一種實(shí)施方案中，通過(guò)電阻器810將電壓V1施加到催化劑區(qū)210和導(dǎo)電層110之間。結(jié)果，CNT 610a-610h被吸引向?qū)щ妼?10。在一種實(shí)施方案中，CNT段610h’以與上述CNT段610i’接觸導(dǎo)電層110的方式類似的方式接觸導(dǎo)電層110。在一種實(shí)施方案中，選擇這樣的電阻器810，其使得在CNT段610h’與導(dǎo)電層110發(fā)生直接物理接觸之后，流過(guò)CNT 610h的電流不夠高而無(wú)法熔斷CNT 610h。其后，在一種實(shí)施方案中，從催化劑區(qū)210和導(dǎo)電層110去除電壓V1。在一種實(shí)施方案中，在去除電壓V1之后，CNT 610h仍然與導(dǎo)電層110直接物理接觸。結(jié)果，CNT610a-610i中的一個(gè)將催化劑區(qū)210電耦接到導(dǎo)電層110。換句話說(shuō)，結(jié)構(gòu)100從第二狀態(tài)轉(zhuǎn)換到第一狀態(tài)。
概括地，通過(guò)使CNT接觸導(dǎo)電層110，圖7C的結(jié)構(gòu)100的狀態(tài)可以從第二狀態(tài)改變到第一狀態(tài)。在一種實(shí)施方案中，通過(guò)熔斷將催化劑區(qū)210電耦接到導(dǎo)電層110的CNT，結(jié)構(gòu)100的狀態(tài)可以從第一狀態(tài)改變到第二狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)注意，結(jié)構(gòu)100的狀態(tài)可以從第二狀態(tài)改變到第一狀態(tài)N次，其中N是CNT的數(shù)量。在圖7A的結(jié)構(gòu)100的情況中，結(jié)構(gòu)100的狀態(tài)可以從第二狀態(tài)改變到第一狀態(tài)9次，因?yàn)樗哂?個(gè)CNT 610a-610i。結(jié)果，在一種實(shí)施方案中，圖7C的結(jié)構(gòu)100可以用作其內(nèi)容可以改變18次的存儲(chǔ)單元。
雖然在這里為了示范的目的描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方案，但是許多修改和改變對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯然的。因此，附加權(quán)利要求書應(yīng)包含所有這種落在本發(fā)明的真正本質(zhì)和范圍內(nèi)的修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種結(jié)構(gòu)操作方法，包括提供一種結(jié)構(gòu)，包括(a)導(dǎo)電層，(b)在導(dǎo)電層上面的第一電介質(zhì)區(qū)和第二電介質(zhì)區(qū)，(c)位于第一和第二電介質(zhì)區(qū)上的懸空而不接觸導(dǎo)電層的N個(gè)導(dǎo)電區(qū)，其中N是正整數(shù)且N大于1其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)電連接到一起，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段具有不同的長(zhǎng)度，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段不與第一和第二電介質(zhì)區(qū)以及導(dǎo)電層直接物理接觸；以及使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段的第一導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層，而不使其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層，其中第一導(dǎo)電區(qū)段是N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段中的最長(zhǎng)導(dǎo)電區(qū)段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)是N個(gè)CNT(碳納米管)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述的使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段的第一導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層包括在導(dǎo)電層和N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段之間施加第一電壓，其中第一電壓足夠高以使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段的第一導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中導(dǎo)電層包括選自包括銅、鋁和鎢的組的導(dǎo)電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二電介質(zhì)區(qū)包括二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述結(jié)構(gòu)還包括埋置在第一電介質(zhì)區(qū)內(nèi)的催化劑區(qū)，以及其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)電耦接到催化劑區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述結(jié)構(gòu)還包括(i)第一接觸區(qū)，其中第一接觸區(qū)在第一電介質(zhì)區(qū)中并且與催化劑區(qū)直接物理接觸；以及(ii)第二接觸區(qū)，其中第二接觸區(qū)在第二電介質(zhì)區(qū)中并且與導(dǎo)電層直接物理接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在所述使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段的第一導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層之后，使導(dǎo)電層從其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)電分離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述使導(dǎo)電層與其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)電分離包括熔斷第一導(dǎo)電區(qū)段。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述熔斷第一導(dǎo)電區(qū)段包括在導(dǎo)電層和N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段之間施加第二電壓，導(dǎo)致第一導(dǎo)電區(qū)段被熔斷，其中所述第二電壓不夠高而無(wú)法在第一導(dǎo)電區(qū)段被熔斷之后使其余N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)的任意一個(gè)接觸導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中包括在所述的熔斷第一導(dǎo)電區(qū)段之后，再次在導(dǎo)電層和N個(gè)導(dǎo)電區(qū)段之間施加第一電壓，以使其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)段的第二導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層，其中第二導(dǎo)電區(qū)段是其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)段中的最長(zhǎng)導(dǎo)電區(qū)段。
12.一種結(jié)構(gòu)操作方法，包括提供一種結(jié)構(gòu)，包括(a)導(dǎo)電層，(b)懸空而不接觸導(dǎo)電層的N個(gè)導(dǎo)電區(qū)，其中N是正整數(shù)且N大于1其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)電連接到一起；以及使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層，而不使其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)是N個(gè)CNT(碳納米管)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述的使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層包括在導(dǎo)電層和N個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間施加第一電壓，其中第一電壓足夠高以使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中所述施加第一電壓包括將電壓源的兩個(gè)電極經(jīng)由與電壓源串聯(lián)的電阻器施加到導(dǎo)電層和N個(gè)導(dǎo)電區(qū)，使得當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層時(shí)，流過(guò)第一導(dǎo)電區(qū)的產(chǎn)生電流不能熔斷第一導(dǎo)電區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述結(jié)構(gòu)還包括催化劑區(qū)，以及其中N個(gè)導(dǎo)電區(qū)電耦接到催化劑區(qū)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括在所述使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層之后，使導(dǎo)電層從其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)電分離。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述使導(dǎo)電層從其余的N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)電分離包括熔斷第一導(dǎo)電區(qū)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述熔斷第一導(dǎo)電區(qū)包括在導(dǎo)電層和N個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間施加第二電壓，導(dǎo)致第一導(dǎo)電區(qū)被熔斷，其中第二電壓不夠高而無(wú)法在第一導(dǎo)電區(qū)段被熔斷之后使其余N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，還包括在所述熔斷第一導(dǎo)電區(qū)段之后，再次在導(dǎo)電層和N個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間施加第一電壓，以使其余N-1個(gè)導(dǎo)電區(qū)的第二導(dǎo)電區(qū)段接觸導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種熔絲結(jié)構(gòu)及其操作方法。該熔絲結(jié)構(gòu)操作方法包括提供一種結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括(a)導(dǎo)電層，(b)懸空而不接觸導(dǎo)電層的N個(gè)導(dǎo)電區(qū)。N是正整數(shù)且N大于1。 N個(gè)導(dǎo)電區(qū)電連接在一起。該結(jié)構(gòu)操作方法還包括使N個(gè)導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層，而不使其余的N－1個(gè)導(dǎo)電區(qū)接觸導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H01L23/525GK101060111SQ20071010127
公開日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月21日
發(fā)明者查爾斯·W.克伯格三世, 斯蒂芬·J.·霍姆斯, 古川俊治, 戴維·V.·霍拉克, 馬克·C.·哈克 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司