專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法以及移動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法以及移動(dòng)裝置，更具 體地說，本發(fā)明涉及一種薄的有機(jī)發(fā)光顯示器，以及能夠制造薄的 有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法以及移動(dòng)裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示器是一種平板顯示器件，它能夠通過向熒光或磷 光有機(jī)化合物施加電流并使電子和空穴復(fù)合來產(chǎn)生自發(fā)光。有機(jī)發(fā) 光顯示器能夠通過電壓或者電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管，例如，nxm 矩陣的有機(jī)發(fā)光二極管來顯示圖像。如

圖1所示，有機(jī)發(fā)光二極管具有陽(yáng)極(ITO)、有機(jī)薄層和陰 極電極(金屬)。有機(jī)薄層可以包括發(fā)光層(EML)，它能夠通 過電子和空穴的耦合并產(chǎn)生激子來發(fā)光；電子傳輸層(ETL),它能 夠適當(dāng)?shù)乜刂齐娮拥倪\(yùn)動(dòng)速度；以及空穴傳輸層(HTL)，它能夠適 當(dāng)?shù)乜刂瓶昭ǖ倪\(yùn)動(dòng)速度。用于改善電子注入效率的電子注入層 (EIL)還可以形成在電子傳輸層上，以及用于改善空穴注入效率的 空穴注入層(HIL)還可以形成在空穴傳輸層上。有機(jī)發(fā)光顯示器可以廣泛地應(yīng)用于許多種運(yùn)動(dòng)圖像平板顯示器 件，因?yàn)樗哂袑捯暯?、高響?yīng)速度、自發(fā)光能力以及其它等等特 點(diǎn)。此外，有機(jī)發(fā)光顯示器還具有低功耗的特點(diǎn)，并且由于它不需 要背光而可以制造得更輕、更薄。另外，有機(jī)發(fā)光顯示器可以在低 溫下制造并且由于它的制造工藝十分簡(jiǎn)單而使得制造成本很低廉。除此之外，隨著電子設(shè)備，例如，手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、
筆記本電腦、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、電視機(jī)等等，變得越來越小，則平板 顯示器件(例如，有機(jī)發(fā)光顯示器)也應(yīng)該制造得更薄(或者更小)，例如，其厚度可以小于大約1mm。然而，在典型的有機(jī)發(fā)光顯示器 中，很難制造出其厚度小于1mm的有機(jī)發(fā)光顯示器，因?yàn)樾枰Ｗo(hù) 和/或封裝有機(jī)發(fā)光顯示器的元件層(例如，半導(dǎo)體層、有機(jī)發(fā)光二 極管，等等)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種薄的有機(jī)發(fā)光顯示器，制造該薄 的有機(jī)發(fā)光顯示器的方法以及移動(dòng)裝置。本發(fā)明的另一方面是通過減小制造工藝的時(shí)間來提高產(chǎn)量和降 低制造成本。本發(fā)明的另一方面是通過阻止(或防止)與襯底中心的物理接 觸來阻止(或防止)襯底在制造工藝中的變形現(xiàn)象以及阻止(或防 止)襯底的損壞和斷裂現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明 一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器包括具有第 一表面 和第二表面的襯底；設(shè)置在襯底第一表面上的有機(jī)發(fā)光二極管、絕 緣層和半導(dǎo)體層，該絕緣層放置在有機(jī)發(fā)光二極管和半導(dǎo)體層之間； 以及設(shè)置在襯底第二表面上的非透射層。這里，非透射層可用于阻 止UV射線。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示器還包括設(shè)置在襯底第一表 面上的緩沖層，設(shè)置在緩沖層上的半導(dǎo)體層；設(shè)置在半導(dǎo)體層上的 柵極絕緣層；設(shè)置在柵極絕緣層上的柵極電極；設(shè)置在柵極電極上 的層間介質(zhì)層；以及設(shè)置在層間介質(zhì)層上的源極/漏極電極，設(shè)置在 源極/漏極電極上的絕緣層和設(shè)置在絕緣層上的有機(jī)發(fā)光二極管。在另一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示器還包括設(shè)置在襯底第一 表面上的緩沖層，設(shè)置在緩沖層上的柵極電極；設(shè)置在柵極電極上 的柵極絕緣層；設(shè)置在柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層；設(shè)置在半導(dǎo)體層 上的層間介質(zhì)層；以及設(shè)置在層間介質(zhì)層上的源極/漏極電極，設(shè)置 在源極/漏極電極上的絕緣層和設(shè)置在絕緣層上的有機(jī)發(fā)光二極管。襯底的厚度可以從大約0.05mm到大約1mm。襯底可以包括選自玻璃、塑料、聚合體、鋼4失及其組合的材料。
非透射層的厚度可以從大約500A到大約3000A。非透射層可以包括uv射線保護(hù)劑。 非透射層可以包括選自不能夠透射uv射線的金屬、透明的uv 射線保護(hù)劑、不透明的uv射線保護(hù)劑，及其組合的材料。非透射層可以包括選自鉻(Cr)、三氧化二鉻(Cr2〇3)、鋁(Al)、 金(Au)、銀(Ag)、氧化鎂(MgO)、銀合金，及其組合的材料。 磁層還可以設(shè)置在非透射層的下表面上。 磁層的厚度可以從大約10|jm到大約100|jm。 防摩擦層還可以設(shè)置在磁層的下表面上。 防摩擦層還可以設(shè)置在非透射層的下表面上。 防摩擦層的厚度可以從大約10|jm到大約100|jm。 防摩擦層可以包括選自有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的材料。 密封劑可以設(shè)置在襯底第一表面的四周，并且將封裝襯底粘結(jié) 著密封劑。根據(jù)本發(fā)明 一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法包括提 供第一襯底和第二襯底；在第一襯底的下表面上形成第一非透射層； 在第二襯底的下表面上形成第二非透射層；將第一襯底和第二襯底 黏合在一起使得第一和第二非透射層相互面對(duì)面；在第一黏合襯底 的上表面上形成第一半導(dǎo)體層；在第二黏合襯底的上表面上形成第 二半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上形成第一有機(jī)發(fā)光二極管；在第二 半導(dǎo)體層上形成第二有機(jī)發(fā)光二極管；采用密封劑將封裝襯底粘結(jié) 在已形成各個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管的表面上；切割未形成第一和第二半 導(dǎo)體層以及第 一和第二有機(jī)發(fā)光二極管的第 一和第二襯底的邊緣部 分；以及將第一和第二黏合襯底分離成第一制成后的襯底和第二制 成后的^)"底。第一襯底或者第二襯底中至少一個(gè)襯底可以具有從大約0.05mm 到大約1mm的厚度。第 一襯底或者第二襯底中至少一個(gè)襯底可以包括選自由包含玻 璃、塑料、聚合體、鋼鐵及其組合的族中的材料。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層可以形成 具有從大約500A到大約3000A的厚度。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層可以通過 在第一襯底或第二襯底中至少一個(gè)襯底的下表面上涂覆uv射線保護(hù) 劑來形成。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)可以通過在第一襯 底或第二襯底中至少一個(gè)襯底的下表面上形成選自包含不能透射uv 射線的金屬、透明的uv射線保護(hù)劑、不透明的uv射線保護(hù)劑及其 組合材料的族中的材料來形成。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層可以通過 在第一村底或第二襯底中至少一個(gè)襯底的下表面上形成選自包含鉻(Cr)、三氧化二鉻(Cr203)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、 氧化鎂(MgO)、銀合金，及其組合材料的族中的材料來形成。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的形成可 以通過在第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的下 表面上還形成磁層來進(jìn)行。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的形成可 以通過在磁層的下表面上還形成防摩擦層來進(jìn)行。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的形成可 以通過在第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的下 表面上還形成具有從10nm到100Mm厚度范圍的磁層來進(jìn)行。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的形成可 以通過在第 一襯底或第二襯底中至少 一個(gè)襯底的下表面上還形成防 摩擦層來進(jìn)行。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的形成可 以通過在第一襯底或者第二襯底中至少一個(gè)村底的下表面上還形成 具有從10ijm到100ijm厚度范圍的防摩擦層來進(jìn)行。第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的形成可 以通過在第一非透射層或者第二非透射層中至少一個(gè)非透射層的下 表面上還形成選自包含有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的族中的材料的防摩擦 層來進(jìn)行。在第一和第二村底的l占合中，第一和第二襯底可以通過在第一和第二襯底之間插入黏合劑使之相互黏合在 一起。第 一和第二襯底的|占合可以通過使用環(huán)氧粘結(jié)劑作為黏合劑來進(jìn)行。
第 一和第二襯底的黏合可以通過在第 一襯底或第二襯底中至少一個(gè)襯底的邊緣部分上形成黏合劑來進(jìn)行。第一和第二襯底的翻合可以通過采用多個(gè)線條的方式在第一襯底或第二襯底中至少 一個(gè)襯底的內(nèi)部四周上形成黏合劑來進(jìn)行。在第 一襯底或第二襯底中至少 一個(gè)襯底的下表面上形成的防摩 擦層可以包括在第 一村底的下表面上形成第 一 防摩擦層和在第二襯 底的下表面上形成第二防摩擦層，以及第一和第二襯底的黏合可以 通過形成在第 一和第二襯底上的第 一和第二防摩擦層的相互接觸來 進(jìn)行。在粘結(jié)封裝襯底中所使用的封裝襯底所具有的面積可以小于第 一襯底或第二襯底中至少 一個(gè)襯底所具有的面積。在粘結(jié)封裝襯底中所使用的封裝襯底中至少兩個(gè)相對(duì)的邊緣可以在第 一襯底或第二襯底中至少 一個(gè)襯底的向內(nèi)方向上比其短3cm 到8cm。切割可以在對(duì)應(yīng)于第一半導(dǎo)體層或第二半導(dǎo)體層中至少一個(gè)半 導(dǎo)體層和第 一有機(jī)發(fā)光二極管或第二有機(jī)發(fā)光二極管中至少 一個(gè)有 機(jī)發(fā)光二極管的外圍四周的位置上切割第 一襯底或第二襯底中至少 一個(gè)襯底和封裝襯底來進(jìn)行。切割可以采用激光束來進(jìn)行。切割可以通過從第 一襯底或第二襯底中至少 一個(gè)襯底去除黏合 劑來進(jìn)行。制造方法可以還包括在分離第一和第二襯底之后去除防摩擦 層、^磁層和/或第一非透射層或第二非透射層中至少一個(gè)非透射層。制造方法還包括在分離第一和第二襯底之后去除第一非透射層 或第二非透射層中至少一個(gè)非透射層。制造方法還包括在將第一和第二襯底相互黏合在一起之后在第 一和第二襯底之間注入液體防摩擦層。適用于根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的移動(dòng)裝置包 括具有形成在其一側(cè)上的開孔的移動(dòng)主體，并且在該開孔的四周 上設(shè)置具有 一定深度的臺(tái)階，以便于可以容納由兩個(gè)黏合襯底所形 成的有機(jī)發(fā)光顯示器；以及至少一個(gè)振動(dòng)吸收部件，它從移動(dòng)主體 的臺(tái)階延伸出 一定距離并且適合于吸收振動(dòng)和阻止黏合后的有機(jī)發(fā)
光顯示器變形。移動(dòng)裝置還可以包括防滑動(dòng)墊片，它設(shè)置在移動(dòng)主體臺(tái)階上并 且適合于容納黏合后的有機(jī)發(fā)光顯示器和阻止黏合后的有機(jī)發(fā)光顯 示器的滑動(dòng)。防滑動(dòng)墊片可以包括選自包含橡膠、硅及其組合材料的族的材料。移動(dòng)裝置還包括粘結(jié)在面對(duì)著黏合后的有機(jī)發(fā)光顯示器的振動(dòng) 吸收部件的區(qū)域上的》茲條。移動(dòng)裝置還包括設(shè)置在振動(dòng)吸收部件與移動(dòng)主體的耦合區(qū)域上 的彈性部件。彈性部件可以是選自包含彈簧、空氣滾柱、振動(dòng)吸收墊片及其 組合的族的部件。同樣，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器，通過在從0.05mm到1mm厚度范圍內(nèi)的襯底上形成有機(jī)發(fā)光顯示器，就可以 迅速地應(yīng)用于各種不同的電子顯示設(shè)備中，例如，手機(jī)、PDA、筆 記本、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器以及薄的(或者小的)電視機(jī)。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示器可以通過在襯底上形 成非透射層來阻止(或防止)UV射線在使用過程中透過襯底影響半 導(dǎo)體層和/或有機(jī)發(fā)光二極管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法可以通過將兩個(gè) (或各自)具有從0.05mm到1mm厚度范圍的襯底黏合在一起以 及同時(shí)(或同步)進(jìn)行半導(dǎo)體形成工藝和有機(jī)薄膜層形成工藝(在 一個(gè)實(shí)施例中，各個(gè)工藝可包括清洗操作、刻蝕操作、曝光操作、 顯影操作、熱處理操作以及其它等等)，將整個(gè)加工工藝時(shí)間減小 大約50%。此外，制造方法可以通過在村底的下表面上形成非透射層來阻 止(或防止)在制造加工工藝期間由于曝光操作所引起的UV射線對(duì) 另一相對(duì)的有機(jī)發(fā)光顯示器的影響。此外，制造方法可以通過在襯底的下表面上形成非透射層和磁 層并利用在制造加工工藝過程中的磁層和移動(dòng)裝置的移動(dòng)磁層之間 的排斥力來阻止(或防止)由于重力所引起的有機(jī)發(fā)光顯示器的變 形或損壞。
此外，制造方法可以通過在襯底的下表面上形成非透射層、磁 層和防摩擦層或者非透射層和防摩擦層來阻止(或防止)在黏合兩 個(gè)襯底時(shí)襯底或者形成在襯底上的金屬的相互接觸，并因此可以阻 止(或防止)襯底的損壞。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的移動(dòng)裝置可以通過采用具 有較高彈性的防滑動(dòng)墊片支撐沒有形成半導(dǎo)體層和/或有機(jī)發(fā)光二極 管的襯底邊緣部分以及采用振動(dòng)吸收部件以非接觸的方式支撐已形 成半導(dǎo)體層和/或有機(jī)發(fā)光二極管的襯底中心區(qū)域的方法來阻止或防 止襯底的變形或損壞。此外，移動(dòng)裝置可以通過在振動(dòng)吸收部件上安裝磁條使之與在 兩個(gè)勦合襯底上所形成的磁層相互排斥的方法，來阻止或防止沒有 被防滑動(dòng)墊片所支撐的襯底中心區(qū)域與振動(dòng)吸收部件的接觸，和保 持在搬運(yùn)或者加工工藝過程中襯底中心區(qū)域的平整狀態(tài)。附圖簡(jiǎn)述用于圖示說明本發(fā)明示例性實(shí)施例的附圖與本發(fā)明說明書及其 詳細(xì)描述一起解釋本發(fā)明的原理。圖1示出了有機(jī)發(fā)光二極管的示意圖。圖2a、 2b、 2c、 2d和2e示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光 顯示器的剖面示意圖。圖3a、 3b、 3c、 3d和3e示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光 顯示器完成封裝操作后的剖面示意圖。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方 法的流程圖。圖5a、 5b、 5c、 5d、 5e、 5f、 5g、 5h和5i示出了根據(jù)本發(fā)明 一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造順序的剖面示意圖。圖6a和6b示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的 移動(dòng)裝置的頂部示意圖，以及圖6c是沿著圖6b的線A-A所截取 的剖面圖。圖7是顯示縣合襯底處于移動(dòng)裝置中的振動(dòng)吸收器支撐狀態(tài)下 的局部放大剖面示意圖。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一部分
的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
在以下的詳細(xì)描述中，以圖示說明的方式，僅僅只顯示和說明 了本發(fā)明的 一些示例性實(shí)施例。正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所能意識(shí)到 的那樣，本發(fā)明可以嵌入在許多不同的方式中，并且不應(yīng)該限制于 本文所闡述的實(shí)施例。同樣，在本發(fā)明的上下文中，當(dāng)一個(gè)元件被 稱之為"在另一元件之上"時(shí)，它可以是直接在另一元件之上或者 也可以是間接在另 一元件之上且在兩者之間插入一個(gè)或多個(gè)中間元 件。在全文中，相同的標(biāo)號(hào)指定相同的元件。圖2a至2e示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器101、 102、 103、 104和105的剖面示意圖。正如圖2a所示，有機(jī)發(fā)光顯示器101包括村底110;形成在 襯底110上的緩沖層120;形成在緩沖層120上的半導(dǎo)體層130; 形成在半導(dǎo)體層130上的柵極絕緣層140;形成在4冊(cè)極絕緣層140 上的柵極電極150;形成在柵極電極150上的層間介質(zhì)層160;形 成在層間介質(zhì)層160上的源極/漏極電極170;形成在源極/漏極電極 170上的絕緣層180;形成在絕緣層180上的有機(jī)發(fā)光二極管190; 以及形成在有機(jī)發(fā)光二極管190外圍四周上的絕緣層180上的象素 定義層200。襯底110的上下表面都是基本平整的，并且在上表面和下(下 方的)表面之間的厚度可以從大約0.05mm到大約1mm。在一個(gè)實(shí) 施例中，如果襯底110的厚度是小于大約0.05mm，則襯底110會(huì) 由于清洗、刻蝕和熱處理加工工藝而損壞，并且襯底110具有較低 的承受外力的強(qiáng)度。在另一實(shí)施例中，如果襯底110的厚度是大于 大約1mm,則就很難將該襯底應(yīng)用于各種較薄(或者較小)的顯示 設(shè)備中。此外，襯底110可以由選自玻璃、塑料、聚合體、鋼鐵及 其等效的材料所形成，但并不限制于此。緩沖層120可以形成在襯底110的上表面上。緩沖層120可用 于減小(或者防止)潮氣(H20)、氬氣(H2)或者氧氣(02)等 等通過襯底110滲入和滲透到半導(dǎo)體層130或有機(jī)發(fā)光二極管190。 為此目的，緩沖層120可以由選自在半導(dǎo)體工藝中容易形成的氧化
層(Si02)或者氮化層(Si3N4)及其等效物質(zhì)的任意層來形成，但 并不限制于此。在一個(gè)實(shí)施例中，緩沖層120可以省略。半導(dǎo)體層130可以形成在緩沖層120的上表面上。半導(dǎo)體層130 可以包括在半導(dǎo)體層130兩個(gè)相對(duì)側(cè)所形成的源極/漏極部分132和 在源極/漏極部分132間所形成的溝道部分134。在一個(gè)實(shí)施例中， 半導(dǎo)體層130可以是薄膜晶體管的一部分。薄膜晶體管可以由選自 非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、微硅樹 脂薄膜晶體管及其等效的任意晶體管所形成，但并不限制于此。此 外，在多晶硅薄膜晶體管的情況下，多晶硅薄膜晶體管可以采用在 低溫下使用激光的結(jié)晶方法、使用金屬的結(jié)晶方法、使用高壓的結(jié) 晶方法及其等效方法來結(jié)晶，但并不限制于此。使用激光的結(jié)晶方 法包括受激準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法、順序側(cè)向固化(SLS)方 法、薄的束定向結(jié)晶(TDX)方法，等等，但并不限制于此。此外， 使用金屬的結(jié)晶方法可以包括固相結(jié)晶(SPC)方法、金屬介入結(jié) 晶(MIC)方法、金屬介入側(cè)向結(jié)晶(MILC)方法，以及超晶粒硅 樹脂(SGS)方法，但并不限制于此。在一個(gè)實(shí)施例中，薄膜晶體 管可以是選自PMOS、 NMOS及其等效的任意MOS，但并不限制 于此。柵極絕緣層140可以形成在半導(dǎo)體層130的上表面上。在一個(gè) 實(shí)施例中，片冊(cè)極絕緣層140也可以形成在半導(dǎo)體層130外圍四周的 緩沖層120上。此外，柵極絕緣層140可以由選自在半導(dǎo)體工藝過 程中容易形成的氧化層、氮化層及其等效的任意層來形成，但并不 限制于此。柵極電極150可以形成在柵極絕緣層140的上表面上。更具體 地說，柵極電極150可以形成在對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層130的溝道部分134 的柵極絕緣層140上。柵極電極150可通過對(duì)柵極絕緣層140下層 部分中的溝道部分134施加電場(chǎng)從而在溝道部分134中形成空穴或 者電子溝道。此外，柵極電極150可以由選自金屬(例如，MoW、 Ti、 Cu、 AINd、 Al、 Cr、 Mo合金、Cu合金、Al合金等等)、摻雜 多晶硅及其等效的任意材料來形成，但并不限制于此。層間介質(zhì)層160可以形成在柵極電極150的上表面上。在一個(gè) 實(shí)施例中，層間介質(zhì)層160也可以形成在柵極電極150外圍四周上
的柵極絕緣層140上。此外，層間介質(zhì)層160可以由選自基于聚合 體的絕緣材料、基于塑料的絕緣材料、基于玻璃的絕緣材料及其等 效的任意材料來形成，但并不限制于此。源極/漏極電極170可以形成在層間介質(zhì)層160的上表面上。在 一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電的觸點(diǎn)176可以貫穿層間介質(zhì)層160且形成在 半導(dǎo)體層130和源極/漏極電極170之間。也就是說，半導(dǎo)體層130 可以通過(或者借助于)導(dǎo)電的觸點(diǎn)176與源極/漏極電極170電耦 合。此外，源極/漏極電極170可以由金屬材料形成，該金屬材料與 柵極電極150的材料基本相同，但并不限制于此。同樣，半導(dǎo)體層 130 (即，薄膜晶體管)可以具有常規(guī)的共面結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明所 討論的半導(dǎo)體層130并不限制于共面結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層可以具有任何 適用于薄膜晶體管的合適結(jié)構(gòu)，例如，可以選自反相的共面結(jié)構(gòu)、 交錯(cuò)的結(jié)構(gòu)、反相的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)及其等效的任意結(jié)構(gòu)，但并不限制于 此。作為一個(gè)實(shí)例，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反相共面結(jié)構(gòu)如圖8 所示。在圖8中，有機(jī)發(fā)光顯示器101'包括襯底110';形成在襯 底110'上的緩沖層120';形成在緩沖層120'上的柵極電極150';形 成在柵極電極150'上的柵極絕緣層140';形成在柵極絕緣層140'上 的半導(dǎo)體層130';形成在半導(dǎo)體層130'上的層間介質(zhì)層160';形成 在層間介質(zhì)層160'上的源極/漏極電極170';形成在源極/漏極電極 170'上的絕緣層(例如，層180);形成在絕緣層上的有機(jī)發(fā)光二極 管(例如，二極管190);以及形成在有機(jī)發(fā)光二極管外圍四周上的 絕緣層上的象素定義層(例如，層200)。半導(dǎo)體層130'可以包括 在半導(dǎo)體層130'的兩個(gè)相對(duì)側(cè)所形成的源極/漏極部分132'以及在源 極/漏極部分132'之間所形成的溝道部分134'。在一個(gè)實(shí)施例中，半 導(dǎo)體層130'可以是薄膜晶體管的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電的 觸點(diǎn)176'可以貫穿層間介質(zhì)層160'且形成在半導(dǎo)體層130'和源極/漏 極電極170'之間。也就是說，半導(dǎo)體層130'通過(或者借助于)導(dǎo) 電的觸點(diǎn)176'與源極/漏極電極170'電耦合。再參考圖2a,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的襯底110的上下表面都是基本 平整的，并且在上表面和下(下方的)表面之間的厚度可以從大約 0.05mm至大約1mm。在一個(gè)實(shí)施例中，如果襯底110的厚度是小
于大約0.05mm，則襯底110會(huì)因?yàn)榍逑?、刻蝕和熱處理加工工藝 而損壞，該襯底110只具有較低的承受外力的強(qiáng)度。在另一個(gè)實(shí)施 例中，如果襯底110的厚度是大于1mm，則就很難將襯底應(yīng)用于較 薄(或4艮小)的各種不同的顯示設(shè)備中。此外，襯底110可以選自 玻璃，塑料、聚合體、鋼鐵及其等效的任意材料所形成，但并不限 制于此。緩沖層120可以形成在襯底110的上表面上。緩沖層120可以 用于減小(或防止)潮氣(H20)、氫氣(H2)或氧氣(02)等滲 透襯底110和滲入半導(dǎo)體層130或有機(jī)發(fā)光二極管190。為此目的， 緩沖層120可以由選自在半導(dǎo)體工藝中容易形成的氧化層(Si02) 或者氮化層(Si3N4)及其等效的任意層來形成，但并不限制于此。 在一個(gè)實(shí)施例中，緩沖層120可以省略。半導(dǎo)體層130可以形成在緩沖層120的上表面上。半導(dǎo)體層130 可以包括在半導(dǎo)體層130兩個(gè)相對(duì)側(cè)所形成的源極/漏極部分132和 在源極/漏極部分132之間所形成的溝道部分134。在一個(gè)實(shí)施例中， 半導(dǎo)體層130可以是薄膜晶體管的一部分。薄膜晶體管可以由選自 非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、微硅樹 脂薄膜晶體管及其等效的任意晶體管所形成，但并不限制于此。此 外，在多晶硅薄膜晶體管的情況下，多晶硅薄膜晶體管可以采用在 低溫下使用激光的結(jié)晶方法、使用金屬的結(jié)晶方法、使用高壓的結(jié) 晶方法及其等效方法來結(jié)晶，但并不限制于此。使用激光的結(jié)晶方 法包括受激準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法、順序側(cè)向固化(SLS)方 法、薄的束定向結(jié)晶(TDX)方法，等等，但并不限制于此。此外， 使用金屬的結(jié)晶方法可以包括固相結(jié)晶(SPC)方法、金屬介入結(jié) 晶(MIC)方法、金屬介入側(cè)向結(jié)晶(MILC)方法，以及超晶粒硅 樹脂(SGS)方法，但并不限制于此。在一個(gè)實(shí)施例中，薄膜晶體 管可以是選自PMOS、 NMOS及其等效的任意MOS,但并不限制 于此。柵極絕緣層140可以形成在半導(dǎo)體層130的上表面上。在一個(gè) 實(shí)施例中，柵極絕緣層140也可以形成在半導(dǎo)體層130外圍四周的 緩沖層120上。此外，柵極絕緣層140可以由選自在半導(dǎo)體工藝過 程中容易形成的氧化層、氮化層及其等效的任意層來形成，但并不限制于此。柵極電極150可以形成在柵極絕緣層140的上表面上。更具體 地說，柵極電極150可以形成在對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層130的溝道部分134 的柵極絕緣層140上。柵極電極150可通過對(duì)柵極絕緣層140下層 部分中的溝道部分134施加電場(chǎng)從而在溝道部分134中形成空穴或 者電子溝道。此外，柵極電極150可以由選自金屬(例如，MoW、 Ti、 Cu、 AINd、 Al、 Cr、 Mo合金、Cu合金、Al合金等等)、摻雜 多晶硅及其等效的任意材料來形成，但并不限制于此。層間介質(zhì)層160可以形成在柵極電極150的上表面上。在一個(gè) 實(shí)施例中，層間介質(zhì)層160也可以形成在柵極電極150外圍四周上 的柵極絕緣層140上。此外，層間介質(zhì)層160可以由選自基于聚合 體的絕緣材料、基于塑料的絕緣材料、基于玻璃的絕緣材料及其等 效的任意材料來形成，但并不限制于此。源極/漏極電極170可以形成在層間介質(zhì)層160的上表面上。在 一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電的觸點(diǎn)176可以貫穿層間介質(zhì)層160且可以形 成在半導(dǎo)體層130和源極/漏極電極170之間。也就是說，半導(dǎo)體層 130可以通過(或者借助于)導(dǎo)電的觸點(diǎn)176與源極/漏極電極170 電耦合。此外，源極/漏極電極170可以由金屬材料形成，該金屬材 料與柵極電極150的材料相同，但并不限制于此。同樣，半導(dǎo)體層 130 (即，薄膜晶體管)可以具有常規(guī)的共面結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明所 討論的半導(dǎo)體層130并不限制于共面結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層可以具有任何 適用于薄膜晶體管的合適結(jié)構(gòu)，例如，可以選自反相的共面結(jié)構(gòu)、 交錯(cuò)的結(jié)構(gòu)、反相的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)及其等效的任意結(jié)構(gòu)，但并不限制于 此。絕緣層180可以形成在源極/漏極電極170的上表面上。絕緣層 180可以包括保護(hù)層182和形成在保護(hù)層182上表面上的平整層 184。保護(hù)層182可用于覆蓋源極/漏極電極170和層間介質(zhì)層160 并用于保護(hù)源極/漏極電極170和柵極電極150及其它等等。保護(hù)層 化2可以由選自無(wú)機(jī)層及其等效的任意層來形成，但并不限制于此。 平整層184覆蓋著保護(hù)層182。平整層184可用于使保護(hù)層182 (或 者在平整層184上方和/或下方的器件)的整個(gè)(或者基本上整個(gè))
表面平整，并且可以由選自苯環(huán)丁烯(BCB)、丙烯(醛基)及其等效的任意材料來形成，但并不限制于此。有機(jī)發(fā)光二極管190可以形成在絕緣層180的上表面上。有機(jī) 發(fā)光二極管190可以包括陽(yáng)極192、形成在陽(yáng)極192上表面上的有 機(jī)發(fā)光薄層194和形成在有機(jī)發(fā)光薄層194上表面上的陰極196。 陽(yáng)極192可以由選自氧化銦錫(ITO) 、 ITO/Ag、 ITO/Ag/ITO及其 等效的任意材料來形成，但并不限制于此。ITO是一種工作特性(work function)穩(wěn)定以及注入有機(jī)發(fā)光薄層194的空穴注入勢(shì)壘較小的透 明導(dǎo)電材料(或?qū)?，而在頂部發(fā)射系統(tǒng)中，Ag是一層可以將由有 機(jī)發(fā)光薄層194發(fā)出的光反射到顯示器101的上表面的材料。另夕卜， 有機(jī)發(fā)光薄層194可以包括用于通過電子與空穴的結(jié)合并形成激子 而發(fā)出光的發(fā)射層(EML)，可適當(dāng)調(diào)節(jié)電子運(yùn)動(dòng)速度的電子傳輸 層(ETL)，以及可用于適當(dāng)調(diào)節(jié)空穴運(yùn)動(dòng)速度的空穴傳輸層(HTL)。 此外，用于提高電子的注入效率的電子注入層(EIL)可以形成在電 子傳輸層上，以及用于提高空穴注入效率的空穴注入層(HIL)也可 以形成在空穴傳輸層上。此外，陰極196可以由選自Al、 MGAg合 金、MgCa合金及其等效的任意材料來形成，但并不限制于此。如果 采用頂部發(fā)射系統(tǒng)，且陰極由AI形成，則陰極(或Al陰極)的厚度 應(yīng)該足夠薄。然而，在這種情況下，Al陰極的電阻是相當(dāng)高的，并 因此電子注入勢(shì)壘可以變得相當(dāng)大。MgAg合金具有比Al要小的電 子注入勢(shì)壘，而MgCa合金具有比MgAg更小的電子注入勢(shì)壘。然 而，MgAg合金和MgCa合金應(yīng)該與外界是完全隔離(封裝或者屏 蔽)起來的，因?yàn)樗鼈儗?duì)周圍環(huán)境十分敏感并且會(huì)氧化而形成一層 絕緣層。另夕卜，有機(jī)發(fā)光二極管190的陽(yáng)極192和源極/漏極電極170 可以通過貫穿絕緣層180 (保護(hù)層182和平整層184)的導(dǎo)電通孔 電耦合。另外，盡管已經(jīng)討論了圖2a所示的實(shí)施例，該實(shí)施例是基 于頂部發(fā)射系統(tǒng)的，在該頂部發(fā)射系統(tǒng)中，光是以從襯底110的下 半部分向上半部分的方向發(fā)射的；但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于底部發(fā) 射系統(tǒng)，在底部發(fā)射系統(tǒng)中，光是以從襯底110的上半部分向下半
部分發(fā)射的；本發(fā)明也可以應(yīng)用于雙發(fā)射系統(tǒng)，在雙發(fā)射系統(tǒng)中， 光是以從襯底110的下半部分向上半部分和從上半部分向下半部分 同時(shí)發(fā)射的。象素定義層200可以形成在有機(jī)發(fā)光二極管190外圍四周上的 絕緣層180的上表面上。象素定義層200定義在紅色有機(jī)發(fā)光二極 管、綠色有機(jī)發(fā)光二極管和藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管之間的邊界，并因 此定義在象素之間的發(fā)光邊界。此外，象素定義層200可以由選自 聚酰亞胺及其等效的任意材料來形成，但并不限制于此。接著，正如圖2b所示，有機(jī)發(fā)光顯示器102基本上相同于有機(jī) 發(fā)光顯示器101，但它還提供形成在襯底110下表面上的非透射層形成半導(dǎo)體層130和有機(jī)發(fā)光二極管190及其它(以下將作更加詳 細(xì)的討論，正如圖5h所示)時(shí)UV射線(紫外射線)透射(或大部 分透射)到與設(shè)置非透射層210的襯底110相對(duì)的另一襯底110。 在一個(gè)實(shí)施例中，在兩個(gè)襯底110相互分離之后，非透射層210也 可用于阻止(或防止)外界UV射線透射(或基本透射)到半導(dǎo)體層 130和/或有機(jī)發(fā)光二極管190。也就是說，在一個(gè)實(shí)施例中，非透 射層210可用于屏蔽另 一襯底110避免UV射線(紫外射線)和/或 屏蔽半導(dǎo)體層130和/或有機(jī)發(fā)光二極管190避免外界UV射線。非 透射層210可以基本上是由含有UV射線保護(hù)劑及其等效的任意適 當(dāng)材料來形成。此外，非透射層210也可以由含有不能透射UV射 線的金屬、透明的UV射線保護(hù)劑、不透明的UV射線保護(hù)劑和/或 等效的任意材料來形成。此外，如果非透射層210是金屬，它可以 由選自鉻(Cr)、氧化鉻(Cr203、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、 氧化鎂(MgO)、銀合金及其等效的任意材料來形成，但并不限制 于此。在一個(gè)實(shí)施例中，非透射層210的厚度是從500A至3000A。 在一個(gè)實(shí)施例中，如果非透射層210的厚度小于500A，則UV射線 的保護(hù)因子就低，因此在制造工藝的過程之中或之后，就會(huì)影響半 導(dǎo)體層130或有機(jī)發(fā)光二極管190。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果非透
射層的厚度大于3000A，則非透射層就會(huì)因?yàn)檫^分厚而沒有增加任 何有利于提高UV射線保護(hù)因子的條件。此外，正如圖2c所示，有機(jī)發(fā)光顯示器103基本上相同于有機(jī) 發(fā)光顯示器102，但它還提供形成在非透射層210的下表面上的磁 層220。該磁層220可用于阻止(或防止)襯底110在通過使用兩 個(gè)襯底110來形成半導(dǎo)體層130和有機(jī)發(fā)光二極管190 (以下將作 更加詳細(xì)的討論)時(shí)襯底110所出現(xiàn)的變形。也就是說，襯底110 可以通過定位磁條來阻止其變形(或阻止出現(xiàn)的扭曲)，所采用的 磁條具有與磁層220相同的磁極以排斥在襯底110下表面上的磁層 220。該磁層220可以由選自AINiCo磁鐵、鐵氧體磁鐵、稀土磁鐵、 橡膠磁鐵、塑料磁鐵及其等效磁鐵中的至少一種磁鐵來形成，但并 不限制于此。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，不是永久性磁 鐵的電磁鐵可以形成在非透射層210的下表面上或者可以在其表面 上形成電磁鐵的圖形，并因此來替代磁層。在一個(gè)實(shí)施例中，磁層220 的厚度是從10|jm至100pm。在一個(gè)實(shí)施例中，如果^f茲層220的厚 度小于10ijm,則就很難獲得足以阻止(或防止)襯底110在制造力口 工工藝過程中的變形(或扭曲)的磁力。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果 磁層220的厚度是大于100|jm,則磁層將過分厚。此外，正如圖2d所示，有機(jī)發(fā)光顯示器104基本上相同于有機(jī) 發(fā)光顯示器103,但是它還提供形成在磁層220下表面上的防摩擦 層230。防摩擦層230可用于阻止(或防止)兩個(gè)襯底110在通過 黏合兩個(gè)襯底110來形成半導(dǎo)體層130和有才幾發(fā)光二極管190及其 它(以下將作更加詳細(xì)的討論)時(shí)所出現(xiàn)的相互接觸。也就是說， 形成在兩個(gè)襯底110上的非透射層210或磁層220都不允許相互接 觸，從而阻止(或防止)對(duì)襯底110的損壞。防摩擦層230可以由 選自有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料及其等效的任意材料來形成，但并不限制 于此。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，防摩擦層230的厚度是從10|jm至 100|jm。在一個(gè)實(shí)施例中，如果防摩擦層230的厚度是小于10|jm， 則襯底110的非透射層210或磁層220就會(huì)接觸到另一襯底110的
非透射層210或磁層220。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果防摩擦層230 的厚度是大于lOOpm,則襯底110的總的厚度就變得過分大。此外，正如圖2e所示，有機(jī)發(fā)光顯示器105基本上相同于有機(jī) 發(fā)光顯示器104,但它還提供形成在襯底110下表面上的非透射層 210和防摩擦層230 (而沒有磁層220)。由于以上已經(jīng)討論了非透 射層210和防摩擦層230的材料和厚度，因此將不再提供有關(guān)它們 的解釋。這里，如果襯底110的面積是較小的且因此襯底110能夠 變形(或扭曲)的幾率幾乎沒有，則有可能不需要在非透射層210 和防摩擦層230之間設(shè)置磁層220。在一個(gè)實(shí)施例中，在所有的有 機(jī)發(fā)光顯示器中都可以省去磁層220。也就是說，如果在許可的范圍 內(nèi)形成的非透射層210和防摩擦層230可以相當(dāng)厚，則黏合襯底110 的粗糙度就會(huì)增加，并因此襯底就不會(huì)在各種制造工藝過程中出現(xiàn) 變形。圖3a至3e示出了根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的具有分別粘結(jié)封裝 襯底的有機(jī)發(fā)光顯示器的視圖。正如圖3a所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器101a 可以通過在襯底110的表面上形成半導(dǎo)體層130、有機(jī)發(fā)光二極管 190及其它并隨后將封裝襯底240與其粘結(jié)在一起來形成。在一個(gè) 實(shí)施例中，密封劑235可以設(shè)置在襯底110和封裝襯底240之間。 封裝襯底240可以由選自玻璃、塑料、聚合體及其等效的任意材料 來形成，但并不限制于此。此外，密封劑235可以是選自環(huán)氧粘結(jié) 劑、UV射線固化粘結(jié)劑、玻璃料及其等效粘結(jié)劑中的至少一種粘結(jié) 劑，但并不限制于此。如果使用玻璃料作為密封劑235的話，則就 需要以一定的溫度(這可以是預(yù)先確定的)來加熱玻璃料，并隨后 可使用激光束(即，提供熱量)來進(jìn)行密封的操作。也就是說，當(dāng) 玻璃料設(shè)置在襯底110和封裝襯底240之間并隨后在其一側(cè)使用激 光束進(jìn)行輻射時(shí)，則玻璃料就會(huì)熔化，并隨后將襯底110牢固地粘 結(jié)在封裝襯底240上。同樣，正如圖3b所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示
器102a還提供形成在襯底110的下表面上的非透射層210。此外，正如圖3c所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示 器103a還繼續(xù)提供形成在襯底110下表面上的非透射層210和磁 層220。另外，正如圖3d所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示 器104a還繼續(xù)提供形成在襯底110下表面上的非透射層210、磁層 220和防摩擦層230。此外，正如圖3e所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示 器105a還繼續(xù)提供形成在襯底110下表面上的非透射層210和防 摩擦層230。由于形成在襯底110下表面上的非透射層210、磁層220和防 摩擦層230已經(jīng)進(jìn)行了上述討論，因此就不再提供有關(guān)它們的解釋。此外，封裝襯底240的下表面還可以提供透明的潮氣吸收層。 也就是說，由于有機(jī)發(fā)光二極管190非常容易受潮，因此可以在封 裝村底240的下表面上形成透明的潮氣吸收層，該潮氣吸收層不會(huì) 阻止光的透射但可以吸收潮氣。在一個(gè)實(shí)施例中，只要能夠確保封 裝村底240的透明性，透明的潮氣吸收層可以逐漸變(或者生長(zhǎng)) 得更厚(例如，隨著它吸收潮氣而改變)，并且在一個(gè)實(shí)施例中， 透明的潮氣吸收層的厚度是從0.1iJm至300iJm。在一個(gè)實(shí)施例中， 如果透明的潮氣吸收層的厚度小于0.1|jm，則透明的潮氣吸收層就 不能具有足夠的潮氣吸收能力。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果透明的潮 氣吸收層的厚度是大約300pm，則透明的潮氣吸收層就存在著接觸 到有機(jī)發(fā)光二極管190的危險(xiǎn)。此外，透明的潮氣吸收層可以由選 自，但并不限制于，堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、金屬卣化物、 金屬硫酸鹽和金屬高氯酸鹽、五氧化二磷(P205)及其等效材料中 至少一種材料來形成，且在一個(gè)實(shí)施例中，這些材料的平均顆粒直 徑小于100 nm，而在一個(gè)實(shí)施例中，其平均顆粒直徑是從20nm至 100nm。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，有可能采用選自層狀的無(wú)機(jī)物
質(zhì)、聚合體、硬化劑及其等效材料中的至少 一種材料來填充在襯底110和封裝襯底240之間空間的方法，替代在封裝襯底240上形成透明 的潮氣吸收層的方法，來吸收潮氣。在一個(gè)實(shí)施例中，在采用材料 填充了空間之后，進(jìn)行熱處理加工工藝，以便于固化這些材料。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，將偏振薄膜粘結(jié)在各個(gè)封裝襯 底240的表面上，以便于阻止(或防止)由于外界光線所引起的光 反射現(xiàn)象。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方 法的流程圖。正如圖4所示，該制造方法包括提供襯底的步驟S1;形成非 透射層的步驟S2;都合襯底(即，將第一襯底110與第二或者另一 襯底110教合在一起)的步驟S3;形成半導(dǎo)體層的步驟S4;形成 有機(jī)發(fā)光二極管的步驟S5;粘結(jié)封裝襯底的步驟S6;切割(或鋸開) 的步驟S7;分離襯底的步驟S8;以及去除非透射層(和/或防摩擦 層)的步驟S9。圖5a至5i示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示的制造 順序的示意圖。以下將依次討論根據(jù)本發(fā)明 一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光 顯示器的制造方法。正如圖5a所示，在襯底制備的步驟S1中，提供襯底110,它 具有基本平整的上下表面以及一定的厚度(這些都是預(yù)定的)。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底110的厚度是從大約0.05mm至大約 1mm。在一個(gè)實(shí)施例中，如果襯底110的厚度小于0.05mm，則襯 底110就會(huì)由于在制造加工工藝過程中因清洗、刻蝕和熱處理工藝 而損壞，該襯底110具有較低的承受外力的強(qiáng)度，因此處理襯底就 十分困難。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果村底110的厚度大于大約1mm， 則就很難將它應(yīng)用于各種很薄(或很小)的顯示設(shè)備。此外，襯底110 可以由選自常規(guī)的玻璃、塑料、聚合體、鋼鐵及其等效的任意材料 來形成，但并不限制于此。正如圖5b所示，在形成非透射層的步驟S2中，具有一定厚度(這是預(yù)先確定)的非透射層210形成在襯底110的下表面上。非透射層210可用于阻止(或防止)UV射線(紫外射線)在通 過黏合兩個(gè)襯底110來形成半導(dǎo)體層和有機(jī)發(fā)光二極管及其它時(shí)透 射(或基本透射)到與設(shè)置非透射層210的襯底110相對(duì)的另一襯 底110上。在一個(gè)實(shí)施例中，非透射層210也可用于阻止(或防止) 外界的UV射線在兩個(gè)襯底110相互分離之后透射(或基本透射) 到半導(dǎo)體層和/或有機(jī)發(fā)光二極管上。非透射層210可以基本通過在 襯底110的表面上涂覆含有UV射線保護(hù)劑及其等效材料中至少一 種材料來形成。此外，非透射層210也可以采用在襯底110的表面 上沉積或者涂覆含有不會(huì)透射UV射線的金屬、透明的UV射線保護(hù) 劑、不透明的UV射線保護(hù)劑和/或等效材料中至少一種材料來形成。 此外，如果非透射層210是金屬的，則它可以通過在襯底110的表 面上沉積或涂覆選自鉻(Cr)、氧化鉻(0203)、鋁(AI)、金(Au)、 銀(Ag)、氧化鎂(MgO)、銀合金及其等效材料中至少一種材料 來形成。在一個(gè)實(shí)施例中，非透射層210的厚度是從500A至3000A。 在一個(gè)實(shí)施例中，如果非透射層210的厚度是小于500A,則UV射 線的保護(hù)因子就較低，因此在制造加工工藝過程之中或之后就會(huì)影 響半導(dǎo)體層或有機(jī)發(fā)光二極管。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果非透射層210 的厚度是大于3000A，則非透射層就會(huì)過分厚，而沒有增加任何有 利于提高UV射線保護(hù)因子的條件(即，UV射線保護(hù)因子遠(yuǎn)小于 3000A)。此外，在形成非透射層的步驟S2中，磁層220可以形成在非 透射層210的下表面上，或者磁層220和防摩擦層230可依次形成 在非透射層210的下表面上，或者防摩擦層230還可以形成在非透 射層210的下表面上。這里，磁層220可用于阻止(或防止)襯底110在形成半導(dǎo)體 層130和有機(jī)發(fā)光二極管190及其它以及黏合兩個(gè)襯底110時(shí)所出 現(xiàn)的變形(或扭曲)。也就是說，通過設(shè)置磁條可以使襯底110阻 止變形(或阻止已出現(xiàn)的扭曲)，該^磁條可具有與》茲層220相同的
磁極，以便于在制造加工工藝過程中排斥在襯底110下表面上的磁層220的磁極。磁層220可以由選自AINiCo磁鐵、鐵氧體磁鐵、 稀土磁鐵、橡膠磁鐵、塑料磁鐵及其等效磁鐵中至少一種磁鐵來形 成，但并不限制于此。在一個(gè)實(shí)施例中，使用電磁鐵作為磁性層220。 在一個(gè)實(shí)施例中，磁層220的厚度是從10|jm至100|jm。在一個(gè)實(shí) 施例中，磁層220的厚度是小于10jjm,則它就很難獲得足以阻止(或 防止)在加工工藝過程中襯底110出現(xiàn)變形所需要的磁力。在另一 個(gè)實(shí)施例中，如果磁層220的厚度是大于100|jm,則磁層就會(huì)過分 厚。此外，防摩擦層230可用于阻止(或防止)兩個(gè)襯底110在通 過翁合兩個(gè)襯底110來形成半導(dǎo)體層和有機(jī)發(fā)光二極管及其它時(shí)的 相互接觸。也就是說，形成在兩個(gè)襯底110上的非透射層210或磁 層220不允許相互接觸，從而減小(或防止)對(duì)襯底110的損壞。 防摩擦層230可以由選自有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料及其等效材料中的至 少一種材料來形成，但并不限制于此。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，防 摩擦層230的厚度是從10|jm至100|jm。在一個(gè)實(shí)施例中，如果防 摩擦層230的厚度小于10|jm，則襯底110上的非透射層210或磁 層220就接觸到另一襯底110上的非透射層210或磁層220。在另 一個(gè)實(shí)施例中，如果防摩擦層230的厚度大于100ym，則襯底110 的整個(gè)厚度就變得過大。正如圖5c所示，在黏合襯底的步驟S3中，提供兩個(gè)相同的(或 基本相同的)襯底110并將兩者相互黏合在一起，在這兩個(gè)相同的 (或基本相同的)襯底110上已經(jīng)形成了非透射層210;非透射層210 和磁層220;非透射層210，磁層220和防摩擦層230;或者非透射 層210和防摩擦層230。這里，圖5c顯示了非透射層210、磁層220 和防摩擦層230依次形成在襯底110的各層上。同樣，黏合劑260可以插入在兩個(gè)襯底110之間，使得在黏合 加工工藝過程中襯底110不會(huì)相互分離開。黏合劑260可以由選自 常規(guī)的環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑、UV射線固化粘結(jié)劑及其等效粘結(jié)劑中至少 一種粘結(jié)劑來形成，但并不限制于此。此外，黏合劑260可以只僅 僅形成在一個(gè)或者多個(gè)襯底110的邊緣部分(或邊緣)上，黏合劑 也可以多條線狀的方式形成在兩個(gè)襯底110各自的內(nèi)部四周上，以 便于將襯底110相互更加穩(wěn)定地黏合在一起。圖5c顯示了多種黏合 劑(例如，四種黏合劑)形成在兩個(gè)襯底110之間。此外，防摩擦層230可以不在形成非透射層210的步驟S2中 形成，而是在黏合襯底110的步驟S3中形成。也就是說，如果兩個(gè) 襯底110是通過插入在兩者之間的黏合劑260來相互黏合在一起并 隨后將液體防摩擦層230注入在兩個(gè)襯底110之間的話，則液體防 摩擦層就利用毛細(xì)管現(xiàn)象滲入到在兩個(gè)襯底110之間所形成的間隙 中。在一個(gè)實(shí)施例中，在形成液體防摩擦層230之后，可通過以一 定的預(yù)設(shè)溫度熱處理襯底110來固化液體防摩擦層230。此外，在 一個(gè)實(shí)施例中，在黏合村底110的步驟S3中，在兩個(gè)襯底110上 所形成的防摩擦層230相互黏合在一起。也就是說，在一個(gè)實(shí)施例 中，形成在兩個(gè)襯底110上的防摩擦層230是相互靠近接觸的，從 而阻止(或防止)襯底110在翻合村底110移動(dòng)過程中的變形或者 相互摩擦。正如圖5d所示，在形成半導(dǎo)體層的步驟S4中，半導(dǎo)體層130 形成在相互黏合后的兩個(gè)襯底110的表面上。也就是說，用于驅(qū)動(dòng) 有機(jī)發(fā)光顯示器的半導(dǎo)體層130分別形成在兩個(gè)襯底110面對(duì)著已 經(jīng)形成防摩擦層230表面的表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，緩沖層可以 在形成半導(dǎo)體層130之前形成在襯底110的表面上。此外，在形成 半導(dǎo)體層130之后，形成柵極絕緣層、柵極電極層、層間介質(zhì)層、 源極/漏極電極、絕緣層及其它等等。由于以上已經(jīng)討論了這些結(jié)構(gòu)， 因此就不再提供有關(guān)的解釋。半導(dǎo)體層130可以分別形成在一個(gè)襯底110上，并隨后形成在 另一個(gè)襯底110上。也就是說， 一個(gè)半導(dǎo)體層130可以形成在一個(gè) 襯底110上，而另一個(gè)半導(dǎo)體層130可以形成在另一個(gè)襯底110上， 或反之亦然。此外，半導(dǎo)體層130也可以同時(shí)(或同步)形成在兩 個(gè)襯底110上，只要工藝設(shè)備允許即可。
正如圖5e所示，在形成有機(jī)發(fā)光二極管的步驟S5中，有機(jī)發(fā) 光二極管190形成在各自半導(dǎo)體層130的上表面上。更加具體地說， 將一個(gè)陽(yáng)極、 一個(gè)有機(jī)薄層和一個(gè)陰極依次形成在絕緣層上，正如 以上說討論的那樣。在一個(gè)實(shí)施例中，在形成有機(jī)發(fā)光二極管190 之后，形成象素定義層200。這里，由于以上已經(jīng)討論了有機(jī)發(fā)光二 極管190的結(jié)構(gòu)和形成方法，因此將不再提供有關(guān)的解釋。有機(jī)發(fā)光二極管190可以分別形成在一個(gè)襯底110上并隨后形 成在另一個(gè)襯底110上。也就是說，將一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管190形 成在一個(gè)襯底110上，并隨后將另一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管190形成在 另一個(gè)襯底110上，或者反之亦然。此外，有機(jī)發(fā)光二極管190可 以同時(shí)(或同步)地形成在兩個(gè)襯底110上，只要工藝設(shè)備允許即 可。正如圖5f所示，在粘結(jié)封裝襯底的步驟S6中，采用密封劑235的表面上。這里，封裝襯底240可以由選自常規(guī)的玻璃、塑料、聚 合體及其等效材料的任意材料來形成，但并不限制于此。在一個(gè)實(shí)施例中，封裝襯底240所具有的面積基本小于村底110所具有的面 積。更具體地說，封裝襯底240的邊緣(例如，封裝襯底240的至 少兩個(gè)相對(duì)的邊緣)可以在向內(nèi)的方向上比襯底110的邊緣短3cm 至8cm,并因此在后續(xù)的切割(或者鋸開)的工藝過程中，可以更 快地鋸開襯底110的邊緣部分(或邊緣)。此外，密封劑235可以 由選自環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑、UV射線固化粘結(jié)劑、玻璃料及其等效粘結(jié) 劑中至少一種粘結(jié)劑來形成，但并不限制于此。另外，如果玻璃料 用作為密封劑235的話，這就需要以一定的溫度(這是預(yù)先確定的) 來加熱玻璃料，并因此要使用激光束來進(jìn)行密封操作。此外，盡管圖5f顯示了集成后的封裝襯底240,但是可以通過 密封由各個(gè)封裝襯底240所形成的各個(gè)半導(dǎo)體層130和有機(jī)發(fā)光二 極管190的各個(gè)區(qū)域來進(jìn)行密封加工工藝。在該實(shí)施例中，由于各 個(gè)封裝襯底240應(yīng)該是通過各個(gè)密封劑235來粘結(jié)的，所以就會(huì)增 加操作工藝的數(shù)量。同樣，封裝襯底240的下表面還可以提供透明的潮氣吸收層。 也就是說，由于有機(jī)發(fā)光二極管190非常容易受潮，所以透明的潮 氣吸收層可以形成在封裝村底240的下表面上，該透明的潮氣吸收 層不會(huì)阻擋光的透射且可以吸收潮氣。在一個(gè)實(shí)施例中，透明的潮 氣吸收層可以逐漸變(或生長(zhǎng))得更厚，只要確保封裝襯底240的 透明性即可，并且在一個(gè)實(shí)施例中，透明的潮氣吸收層的厚度是從 0.1|jm至300|jm。在一個(gè)實(shí)施例中，如果透明的潮氣吸收層的厚度 小于0.1pm ，則透明的潮氣吸收層就不能具有足夠的潮氣吸收能力。 在另一個(gè)實(shí)施例中，如果透明的潮氣吸收層的厚度大于300|jm，則 透明的潮氣吸收層就會(huì)出現(xiàn)接觸到有機(jī)發(fā)光二極管190的危險(xiǎn)。此 外，透明的潮氣吸收層可以由選自，但并不限制于，堿金屬氧化物、 堿土金屬氧化物、金屬卣化物、金屬硫酸鹽和金屬高氯酸鹽、五氧 化二磷(P205)及其等效材料中至少一種材料來形成，且在一個(gè)實(shí) 施例中，這些材料的平均顆粒直徑小于100nm,而在一個(gè)實(shí)施例中， 其平均顆粒直徑是從20nm至100nm。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，有可能采用選自層狀的無(wú)機(jī)物 質(zhì)、聚合體、硬化劑及其等效材料中的至少一種材料來填充在襯底110和封裝襯底240之間空間的方法，替代在封裝襯底240上形成透明 的潮氣吸收層的方法，來進(jìn)行封裝工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，在采用 材料填充了空間之后，進(jìn)行熱處理加工工藝，以便于固化這些材料。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，將平整的薄膜粘結(jié)在各個(gè)封裝 襯底240的表面上，以便于阻止(或防止)由于外界光所引起的光 反射現(xiàn)象。正如圖5g所示，在切割(或鋸開)的步驟S7中，鋸開襯底110, 以便于分離成有機(jī)發(fā)光顯示器的各個(gè)單元。也就是說，在切割的步 驟中，定位在半導(dǎo)體層130和有機(jī)發(fā)光二極管190外圍四周上的襯 底110和封裝襯底240 —起鋸開。正如以上所討論的那樣，在一個(gè) 實(shí)施例中，各個(gè)封裝襯底240可以只僅僅粘結(jié)在對(duì)應(yīng)于各個(gè)半導(dǎo)體 層130和各個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管190的區(qū)域，并且通過只切割對(duì)應(yīng)的 襯底110就可以獲得有機(jī)發(fā)光顯示器的各個(gè)單元。此外，由于切割步驟，要去除將襯底110相互黏合在一起的黏 合劑260。在一個(gè)實(shí)施例中，在切割工藝的過程中，有可能黏合劑260 自身也被切割(或鋸開來)，并且在被切割(或鋸開)的襯底110 上會(huì)保留部分黏合劑260。此外，這種切割操作可以采用選自金剛石 割刀、激光束及其等效機(jī)械裝置中的至少一種機(jī)械裝置來進(jìn)行，但 并不限制于此。在圖5g中，顯示了一個(gè)或多個(gè)激光束發(fā)射器270。正如圖5h所示，在分離襯底的步驟S8中，將已經(jīng)鋸開的兩個(gè) 襯底110相互分離開來。在一個(gè)實(shí)施例中，各個(gè)分離后的襯底110 具有非透射層210;非透射層210和磁層220;非透射層210、磁層 220和防摩擦層230;或者非透射層210和防摩擦層230。參照?qǐng)D5h， 襯底110的下表面上具有非透射層210、磁層220和防摩擦層230。這里，如果在黏合襯底的步驟之前將各個(gè)防摩擦層230形成在 各個(gè)村底110上，則襯底就可以更加容易地相互分離開來。然而，如果在黏合襯底110之后注入液體防摩擦層230，則襯 底就會(huì)不容易相互分離開來。因此，在這種情況下，可以采用能夠 溶解防摩擦層230的化學(xué)溶劑來去除防摩擦層230。為此目的，在 一個(gè)實(shí)施例中，防摩擦層230可以由容易被化學(xué)溶劑所溶解的有機(jī) 材料來形成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，分離襯底110的步驟是最后的步驟。 也就是說，在分離襯底110的步驟之后，就有可能提供能夠進(jìn)行單 元測(cè)試、FPC (柔性印刷電路)黏合、模塊測(cè)試以及可靠性測(cè)試的 產(chǎn)品。在一個(gè)實(shí)施例中，單元測(cè)試也可以通過在切割步驟之前分別 形成適用于單元測(cè)試的測(cè)試區(qū)域來進(jìn)行。同樣，如果采用分離襯底110的步驟作為最后的步驟，則最終 的有才幾發(fā)光顯示器(例如，有才幾發(fā)光顯示器101 )就可以具有非透射 層210;非透射層210和磁層220;非透射層210、磁層220和防 摩擦層230;或者非透射層210和防摩擦層230。
正如圖5i所示，在去除非透射層的步驟S9中，非透射層210 可以采用刻蝕或者研磨的操作方法來去除。更具體地說，如果只有 非透射層210是形成在襯底110的下表面上的話，則去除非透射層 210。此外，如果非透射層210和磁層220是形成在襯底110的下 表面上的話，則可以僅僅只將磁層220去除，或者將非透射層210 和磁層220 —起去除。此外，如果非透射層210、磁層220和防摩 擦層230是形成在襯底110的下表面上的話，則可以僅僅只去除防 摩擦層230，、或者將防摩擦層230和磁層220 —起去除，或者將 防摩擦層230、磁層220和非透射層210 —起去除。在一個(gè)實(shí)施例 中，如果非透射層210和防摩擦層230是形成在襯底110的下表面 上的話，則可以僅僅只去除防摩擦層230，或者將防摩擦層230和 非透射層210—起去除。圖6a和6b是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例適用于有機(jī)發(fā)光顯示器的 移動(dòng)裝置的頂部示意圖，而圖6c是沿著圖6b所示的A-A線所截 取的剖面示意圖。正如圖6a和6b所示，適用于有4幾發(fā)光顯示器的移動(dòng)裝置300 包括移動(dòng)主體310和振動(dòng)吸收部件320?，F(xiàn)在，也參照?qǐng)D6c, —個(gè)或多個(gè)開孔311形成在移動(dòng)主體310 的一側(cè)上，并且具有一定深度(這可以是預(yù)先確定的)的臺(tái)階312 沿著開孔311的四周形成，以便于容納兩個(gè)私合襯底110。此外， 防滑動(dòng)墊片314還可以形成在臺(tái)階312上，以便于容納黏合襯底110 和防止(或阻礙)襯底110在搬運(yùn)過程中的滑動(dòng)。防滑動(dòng)墊片314 可以由選自常規(guī)的橡膠、硅及其等效材料中的任意材料來形成，但 并不限制于此。此外，振動(dòng)吸收部件320從移動(dòng)主體310的臺(tái)階312延伸一定 的長(zhǎng)度(這可以是預(yù)先確定的)，以便于阻止(或防止)黏合襯底110 由于襯底110的重量而在向下的方向上變形。磁條322可以進(jìn)一步 粘結(jié)在面向著黏合襯底110的振動(dòng)吸收部件的區(qū)域內(nèi)。因此，如果 ^磁層220形成在黏合襯底110上的話，則它就會(huì)排斥振動(dòng)吸收部件320的磁條322。為此目的，形成在黏合襯底110上的磁層220和 安裝在振動(dòng)吸收部件320上的^f茲條322應(yīng)該具有相同的^f茲極。此外， 形成在振動(dòng)吸收部件320上的磁條322可以是永久磁鐵或者電磁鐵， 但并不限制于此。另外， 一個(gè)或者多個(gè)彈性部件324可以設(shè)置在振動(dòng)吸收部件320 和移動(dòng)主體310之間的邊界上，使得振動(dòng)吸收部件320自身也可以 移動(dòng)(例如，向上和向下的移動(dòng)) 一定的距離(這可以是預(yù)先確定 的)。也就是說，當(dāng)移動(dòng)裝置300進(jìn)行搬運(yùn)操作時(shí)，移動(dòng)裝置300 會(huì)因?yàn)橥饬蛞苿?dòng)裝置自身的振動(dòng)而振動(dòng)。因此。容納在移動(dòng)裝置300 中的襯底110也會(huì)振動(dòng)。這里，由于振動(dòng)吸收部件320的磁條322 排斥襯底110的磁層220,因此振動(dòng)吸收部件320也會(huì)由于彈性部 件324而移動(dòng)(例如，向上和向下移動(dòng)) 一定的距離(這可以是預(yù) 先確定的)。為此目的，彈性部件324可以由選自彈簧、空氣滾柱、 振動(dòng)吸收墊片及其等效機(jī)械裝置中的至少 一種裝置來形成，這些結(jié) 構(gòu)可以形成在移動(dòng)主體310的耦合區(qū)域上，但并不限制于此。圖7顯示了由根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的移動(dòng)裝置中的振動(dòng)吸收 部件所支撐的襯底的狀態(tài)。正如圖7所示，磁層220形成在襯底110相互面對(duì)面的表面上。 此外，振動(dòng)吸收部件320具有粘結(jié)著的磁條322，它定位在對(duì)應(yīng)于 磁層的下半?yún)^(qū)域中。因此，如果不發(fā)生振動(dòng)的話，則襯底110的磁 層220排斥振動(dòng)吸收部件320的磁條322，并因此振動(dòng)吸收部件320 阻止或防止襯底110的中心變形(例如，以非接觸的方式向下變形)。同樣，如果在搬運(yùn)操作的過程中出現(xiàn)振動(dòng)，則襯底110也會(huì)振 動(dòng)，并因此振動(dòng)吸收部件320也會(huì)振動(dòng)(例如，向上和向下的振動(dòng))。 也就是說，振動(dòng)吸收部件320也會(huì)由形成在振動(dòng)吸收部件320上的 彈性部件324以襯底110的振動(dòng)方向移動(dòng)。因此，振動(dòng)吸收部件320 就不會(huì)接觸到襯底110的表面，并因此可以阻止(或防止)襯底110 的損壞。通過在具有厚度從0.05mm至1mm的襯底上形成有機(jī)發(fā)光顯
示器，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器可以迅速地應(yīng)用于各種不同的電子顯示設(shè)備，例如，手機(jī)、PDA、筆記本、計(jì)算機(jī)監(jiān) 視器以及薄的(或小的)電視機(jī)。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，通過在襯底上形成非透射層，有機(jī)發(fā)光 顯示器可以阻止(或防止)UV射線在使用過程中通過襯底影響半導(dǎo) 體層和/或有機(jī)發(fā)光二極管。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，通過黏合 具有(或各自具有)厚度從0.05mm至1 mm的兩個(gè)襯底并且同時(shí)(或 同步)進(jìn)行半導(dǎo)體形成工藝和有機(jī)薄層形成工藝(在一個(gè)實(shí)施例中， 各個(gè)工藝包括清洗操作、刻蝕操作、曝光操作、顯影操作、熱處理 操作以及其它等等)，可以將整個(gè)加工工藝時(shí)間減小大約50%。此外，通過在襯底的下表面上形成非透射層，該制造方法可以阻 止(或防止)在制造加工工藝過程中由于曝光操作所引起的UV射線 影響另一個(gè)相對(duì)的有機(jī)發(fā)光顯示器。另外，通過在襯底的下表面上形成非透射層和一磁層，該制造方法 可以利用在磁層和移動(dòng)磁層的移動(dòng)裝置之間的排斥力來阻止(或防 止)有機(jī)發(fā)光顯示器在制造加工工藝過程中由于重力所引起的變形 或損壞。另外，通過在襯底的下表面上形成非透射層、磁層和防摩擦層或 者非透射層和防摩擦層，該制造方法可以阻止(或防止)襯底或形 成在襯底表面上的金屬在黏合兩個(gè)襯底時(shí)的相互接觸，并因此可以 阻止(或防止)襯底的損壞。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的移動(dòng)裝置，可通過利 用具有相當(dāng)高的彈性的防滑動(dòng)墊片來支撐沒有形成半導(dǎo)體層和/或有 機(jī)發(fā)光二極管的襯底邊緣部分，以及通過利用振動(dòng)吸收部件以非接 觸的方式來支撐已經(jīng)形成半導(dǎo)體層和/或有機(jī)發(fā)光二極管的襯底中心 區(qū)域，來阻止或防止襯底的變形或損壞。此外，通過在振動(dòng)吸收部件上安裝磁條，使之排斥形成在兩個(gè)黏 合村底上的磁層，移動(dòng)裝置就可以阻止或防止在搬運(yùn)或者加工工藝過程中沒有被防滑動(dòng)墊片所支撐的襯底中心區(qū)域接觸到振動(dòng)吸收部 件并且保持襯底中心區(qū)域的平整狀態(tài)。雖然已經(jīng)展現(xiàn)和討論了本發(fā)明的一些方面，但是本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該意識(shí)到可以在不背離本發(fā)明原理和精神的條件下對(duì)上述 方面進(jìn)行改變，因此本發(fā)明的范圍將由權(quán)利要求以及等同的內(nèi)容所 限定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，它包括具有第一表面和第二表面的襯底；設(shè)置在所述襯底的第一表面上的有機(jī)發(fā)光二極管、絕緣層和半導(dǎo)體層，所述絕緣層設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光二極管和所述半導(dǎo)體層之間；以及設(shè)置在所述襯底的第二表面上的非透射層；其中，所述非透射層適用于阻止UV射線。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，還包括 設(shè)置在所述襯底的第一表面上的緩沖層，所述半導(dǎo)體層設(shè)置在所述緩沖層上；設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；設(shè)置在所述柵極絕緣層上的柵極電極；設(shè)置在所述柵極電極上的層間介質(zhì)層；以及設(shè)置在所述層間介質(zhì)層上的源極/漏極電極，所述絕緣層設(shè)置在 所述源極/漏極電極上以及所述有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置在所述絕緣層 上。
3. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述襯 底具有從大約0.05mm至大約1mm的厚度范圍。
4. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述襯 底包括選自包含玻璃、塑料、聚合體、鋼鐵及其組合的族中的材料。
5. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述非 透射層具有從大約500A至大約3000A的厚度范圍。
6. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述非 透射層包括UV射線保護(hù)劑。
7. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述非 透射層包括選自包含不能透射UV射線的金屬、透明的UV射線保護(hù) 劑、不透明的UV射線保護(hù)劑及其組合的族中的材料。
8. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述非 透射層包括選自包含鉻(Cr)、氧化鉻(Cr203)、鋁(AI)、金(Au)、 銀(Ag)、氧化鎂(MgO)、銀合金、及其組合的族中的材料。
9. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，還包括 設(shè)置在所述非透射層的下表面上的^茲層。
10. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述 磁層的厚度具有從10pm至100|jm的厚度范圍。
11. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，防摩 擦層還可以形成在所述磁層的下表面上。
12. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，還包 括設(shè)置在所述非透射層的下表面上的防摩擦層。
13. 如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述 防摩擦層具有從大約10|jm至大約100|jm的厚度范圍。
14. 如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，所述 防摩擦層包括選自包含有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的族中的材料。
15. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，還包 括設(shè)置在所述襯底的第一表面的四周上的密封劑，以及粘結(jié)密封劑 的封裝襯底。
16. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，還包括設(shè)置在所述襯底的第一表面上的緩沖層，設(shè)置在所述緩沖層上的 柵極電極；設(shè)置在所述柵極電極上的柵極絕緣層；設(shè)置在所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層；設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的層間介質(zhì)層；以及設(shè)置在所述層間介質(zhì)層上的源極/漏極電極，設(shè)置在所述源極/漏 極電極上的絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的有機(jī)發(fā)光二極管。
17. —種有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，該方法包括 提供第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底的下表面上形成第一非透射層； 在所述第二襯底的下表面上形成第二非透射層； 將所述第一襯底與所述第二襯底黏合在一起，使得所述第一和第 二非透射層相互面對(duì)面；在所述第一黏合襯底的上表面上形成第一半導(dǎo)體層；在所述第二黏合襯底的上表面上形成第二半導(dǎo)體層；在所述第 一半導(dǎo)體層上形成第 一有機(jī)發(fā)光二極管；在所述第二半導(dǎo)體層上形成第二有機(jī)發(fā)光二極管；采用密封劑將封裝襯底粘結(jié)在形成各個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管的表面上；切割所述第一和第二襯底的邊緣部分，在所述邊緣部分上沒有形 成所述第一和第二半導(dǎo)體層以及所述第一和第二有機(jī)發(fā)光二極管； 以及將所述第一和第二黏合襯底分離成第一制成后的襯底和第二制成 后的襯底。
18. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射層或所述第二非透射層中的至少一個(gè)非透射層形成具有從大約 500A至3000A的厚度范圍。
19. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射層或所述第二非透射層中的至少一個(gè)非透射層可以通過在所述 第 一襯底或所述第二襯底中的至少 一個(gè)襯底的下表面上涂覆UV射線 保護(hù)劑來形成。
20. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射層或者所述第二非透射層中至少一個(gè)非透射層可以通過在所述 .第一襯底或者所述第二襯底中的至少一個(gè)襯底的下表面上形成選自包含不能透射UV射線的金屬、透明的UV射線保護(hù)劑、不透明的UV 射線保護(hù)劑及其組合的族中的材料來形成。
21. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射層或所述第二非透射層中的至少一個(gè)非透射層可以通過在所述4 第 一襯底或所述第二襯底中的至少 一個(gè)襯底的下表面上形成采用選自包含鉻(Cr)、氧化鉻(0203)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、 氧化鎂(MgO)、銀合金、及其組合的族中的材料來形成。
22. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射層或所述第二非透射層中的至少一個(gè)非透射層的形成還通過在 所述第一非透射層或所述第二非透射層中的至少一個(gè)非透射層的下 表面上形成,茲層來進(jìn)行。
23. 如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射層或所述第二非透射層中的至少一個(gè)非透射層的形成還通過在 所述磁層的下表面上形成防摩擦層來進(jìn)行。
24. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射層或所述第二非透射層中的至少一個(gè)非透射層的形成還通過在 所述第一襯底或所述第二襯底中的至少一個(gè)襯底的下表面上形成防 摩擦層來進(jìn)行。
25. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，在粘結(jié)所述 封裝村底中所使用的所述封裝襯底所具有的面積小于所述第一襯底 或者所述第二襯底中的至少 一個(gè)襯底所具有的面積。
26. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述切割是 通過在對(duì)應(yīng)于所述第 一半導(dǎo)體層或所述第二半導(dǎo)體層中的至少 一個(gè) 半導(dǎo)體層以及所述第一有機(jī)發(fā)光二極管或所述第二有機(jī)發(fā)光二極管中的至少 一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管的外圍四周的位置上來切割所述第一 襯底或所述第二襯底中的至少 一個(gè)襯底和封裝襯底來進(jìn)行的。
27. —種適用于有機(jī)發(fā)光顯示器的移動(dòng)裝置，它包括 移動(dòng)主體，它具有形成在其一側(cè)上的開孔且在開孔的四周上設(shè)置具有一定深度的臺(tái)階，以便于容納由兩個(gè)黏合后的襯底所形成的有 機(jī)發(fā)光顯示器；以及至少一個(gè)振動(dòng)吸收部件，它從所述移動(dòng)主體的臺(tái)階延伸出一定的 距離并且適用于吸收振動(dòng)和阻止翁合后的有機(jī)發(fā)光顯示器變形。
28. 如權(quán)利要求27所述的移動(dòng)裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述移動(dòng)主體上的臺(tái)階上且適用于容納黏合后的有機(jī)發(fā)光顯示器 和阻止黏合后的有機(jī)發(fā)光顯示器滑動(dòng)的防滑動(dòng)墊片。
29. 如權(quán)利要求27所述的移動(dòng)裝置，其特征在于，還包括粘結(jié) 上的》茲條。
30. 如權(quán)利要求27所述的移動(dòng)裝置，其特征在于，還包括設(shè)置 在所述振動(dòng)吸收部件和所述移動(dòng)裝置的耦合區(qū)域上的彈性墊片。
31. —種有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，該制造方法包括在第一襯底的第一表面上形成第一非透射層； 在第二襯底的第一表面上形成第二非透射層；將所述第一襯底和所述第二襯底黏合在一起，使得所述第一和第 二非透射層相互面對(duì)面；在所述第一黏合襯底的第二表面上形成第一半導(dǎo)體層和第一有機(jī) 發(fā)光二極管；在所述第二黏合襯底的第二表面上形成第二半導(dǎo)體層和第二有機(jī) 發(fā)光二極管；采用密封劑將第一封裝襯底粘結(jié)在已形成所述第一有機(jī)發(fā)光二極 管的表面上；采用密封劑將第二封裝襯底粘結(jié)在已形成所述第二有機(jī)發(fā)光二極 管的表面上；切割所述第一襯底的邊緣部分和所述第二襯底的邊緣部分，在該 邊緣部分上沒有形成所述第一和第二半導(dǎo)體層以及所述第一和第二 有機(jī)發(fā)光二極管；以及將所述第 一和第二黏合襯底分離成第 一制成后的襯底和第二制成 后的襯底。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光顯示器，它包括襯底；設(shè)置在襯底上表面上的緩沖層；設(shè)置在緩沖層上的半導(dǎo)體層；設(shè)置在半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；設(shè)置在柵極絕緣層上的柵極電極；設(shè)置在柵極電極上的層間介質(zhì)層；設(shè)置在層間介質(zhì)層上的源極/漏極電極；設(shè)置在源極/漏極電極上的絕緣層；設(shè)置在絕緣層上的有機(jī)發(fā)光二極管；以及設(shè)置在襯底下表面上的非透射層。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101154678SQ20071010137
公開日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
發(fā)明者金鐘允 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社