專利名稱：像素陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件基板，且特別涉及一種像素陣列基板。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代視訊技術(shù)的進(jìn)步，各式顯示器已被大量地使用于手機(jī)、筆記型電腦、數(shù)字相機(jī)及個人數(shù)字助理(PDA)等消費性電子產(chǎn)品的顯示熒幕上。在這些顯示器中，由于液晶顯示器(LCD)及有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)具有重量輕、體積小及耗電量低等優(yōu)點，使得其成為市場上的主流。無論是液晶顯示器或是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，其制作過程均包括以半導(dǎo)體工藝形成像素陣列基板。對應(yīng)調(diào)整像素陣列基板中各個像素所顯示的顏色，顯示器即可產(chǎn)生圖像。
圖1為已知的一種像素陣列基板的局部俯視圖。請參考圖1，已知的像素陣列基板100包括基板(未繪示)以及配置于基板上的多條掃描線110、多條數(shù)據(jù)線120、多個薄膜晶體管130、多個像素電極140與修補(bǔ)線150(Repairline)，其中掃描線110與數(shù)據(jù)線120是以行列交錯排列，而定義出陣列的多個像素區(qū)域(未標(biāo)示)，且修補(bǔ)線150是環(huán)繞于這些像素區(qū)域的外圍。具體而言，掃描線110是以列方向排列，而數(shù)據(jù)線120是以行方向排列，且每一像素區(qū)域內(nèi)均具有薄膜晶體管130與像素電極140。
承接上述，薄膜晶體管130是鄰近于掃描線110與數(shù)據(jù)線120的交會處，而分別與掃描線110、數(shù)據(jù)線120與像素電極140電性連接。此外，薄膜晶體管130依據(jù)掃描線110傳遞來的掃描信號而決定是處于開啟或關(guān)閉的狀態(tài)。當(dāng)薄膜晶體管130處于開啟的狀態(tài)時，像素電極140即可經(jīng)由薄膜晶體管130而接收由數(shù)據(jù)線120傳遞來的數(shù)據(jù)信號，以使對應(yīng)的像素調(diào)整顯示的顏色。
在制作像素陣列基板100的過程中，當(dāng)某一條數(shù)據(jù)線120發(fā)生斷線122的情形時，可將斷線122的數(shù)據(jù)線120兩端與修補(bǔ)線150激光熔接(Welding)，以形成兩熔接點124。如此信號即可從外圍的修補(bǔ)線150傳送，以達(dá)到修補(bǔ)的效果。然而，由于修補(bǔ)線150的長度較長，使得這會造成阻容遲滯(RC delay)的問題。此外，一條修補(bǔ)線150僅能修補(bǔ)一條斷線122的數(shù)據(jù)線120，當(dāng)斷線122的數(shù)據(jù)線120數(shù)量超過修補(bǔ)線150的數(shù)量時，像素陣列基板100亦無法修復(fù)。
圖2A為已知的另一種像素陣列基板的局部俯視圖，而圖2B為圖2A的像素陣列基板的剖面圖，其中剖面線為圖2A的AA’連線。請參考圖2A與圖2B，已知的像素陣列基板200包括基板210與配置于基板210上的多條掃描線220、多條數(shù)據(jù)線230、多個薄膜晶體管240、多個像素電極250與多個圖案化浮置金屬(Floating Metal)260，其中圖案化浮置金屬260是位于數(shù)據(jù)線230下方，并與數(shù)據(jù)線230有部分重疊，此外，圖案化浮置金屬260與數(shù)據(jù)線230之間形成有第一絕緣層10，數(shù)據(jù)線230上方形成有第二絕緣層20，在薄膜晶體管240的掃描線220上方形成有半導(dǎo)體層50。
圖2C與圖2D分別為圖2A的像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的局部俯視圖與剖面圖。請參考圖2C與圖2D，當(dāng)數(shù)據(jù)線230發(fā)生斷線232的情形時，可將數(shù)據(jù)線230于斷線232處兩端與其下方的圖案化浮置金屬260激光熔接，以形成兩熔接點234。如此，數(shù)據(jù)線230可通過圖案化浮置金屬260的導(dǎo)通以達(dá)到修補(bǔ)斷路的效果。
然而，由于圖案化浮置金屬260與掃描線220為同層的結(jié)構(gòu)，如此圖案化浮置金屬260便無法配置于數(shù)據(jù)線230與掃描線220的交錯處。當(dāng)數(shù)據(jù)線230發(fā)生斷線的情形是位于其與掃描線220的交錯處時，此像素陣列基板200便無法修復(fù)。
圖2E為圖2A的像素陣列基板的薄膜晶體管發(fā)生損壞時的局部俯視圖；圖2F為圖2E的像素陣列基板的剖面圖，其中剖面線為圖2E的ZZ’連線。請參考圖2E與圖2F，當(dāng)薄膜晶體管240a發(fā)生損壞時，例如薄膜晶體管240a的柵極242a、源極244a與漏極246a之間發(fā)生短路，一般均是利用激光切割(Laser Cut)將薄膜晶體管240a的漏極246a與像素電極250之間的導(dǎo)線切斷以形成開路248a。這樣一來，由于像素電極250無法接收到數(shù)據(jù)線230傳遞而來的數(shù)據(jù)，如此便可將此像素修補(bǔ)成暗狀態(tài)。
一般而言，像素陣列基板200相鄰兩像素區(qū)域所顯示的顏色會很相近，當(dāng)薄膜晶體管240a對應(yīng)的像素區(qū)域修補(bǔ)成暗狀態(tài)時，其會與相鄰的像素區(qū)域(例如薄膜晶體管240b所對應(yīng)的像素區(qū)域)在顯示上產(chǎn)生較大的落差。如此將使人眼能輕易地發(fā)現(xiàn)壞點區(qū)域，而造成顯示裝置的品質(zhì)降低。
圖2G為已知的再一種像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的局部俯視圖。請參考圖2G，圖2G的像素陣列基板200a與圖2C的像素陣列基板200相似，其差別在于像素陣列基板200a包括兩個遮光層(light-shieldinglayers)260a，分別位于數(shù)據(jù)線230的兩側(cè)，且數(shù)據(jù)線230更具有凸出部236，而凸出部236會與對應(yīng)的遮光層260a有部分重疊。
承接上述，當(dāng)數(shù)據(jù)線230發(fā)生斷線232的情形時，可將數(shù)據(jù)線230在斷線232處兩端的凸出部236與其下方的遮光層260a激光熔接，以形成多個熔接點234a。如此，數(shù)據(jù)線230可通過遮光層260a的導(dǎo)通以達(dá)到修補(bǔ)斷路的效果。然而，類似前述，由于遮光層260a與掃描線220為同層的結(jié)構(gòu)，若數(shù)據(jù)線230發(fā)生斷線的情形是位于其與掃描線220的交錯處時，此像素陣列基板200a便無法修復(fù)。
圖2H為已知的又一種像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的局部俯視圖。請參考圖2H，圖2H的像素陣列基板200b與圖2C的像素陣列基板200相似，其差別在于像素陣列基板200b的像素電極250b與數(shù)據(jù)線230有部分重疊。當(dāng)數(shù)據(jù)線230發(fā)生斷線232的情形時，可將數(shù)據(jù)線230在斷線232處兩端與其上方的像素電極250b激光熔接，以形成兩個熔接點234b。如此，數(shù)據(jù)線230可通過像素電極250b的導(dǎo)通以達(dá)到修補(bǔ)斷路的效果。
然而，當(dāng)通過像素電極250b以導(dǎo)通數(shù)據(jù)線230時，同時亦會犧牲此像素而造成點缺陷(point defect)，所以此亦不為良好的解決方式。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在提供一種像素陣列基板，其能解決數(shù)據(jù)線斷線的問題。
本發(fā)明的另一目的在提供一種像素陣列基板，其能解決損壞的像素區(qū)域其顯示落差過大的問題。
為達(dá)上述或是其他目的，本發(fā)明提出一種像素陣列基板，包括基板及配置于基板上的多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個有源元件、多個像素電極、多個第一圖案化浮置金屬以及多個第一圖案化連接導(dǎo)線。這些數(shù)據(jù)線與掃描線是以縱橫交錯的方式形成多個像素區(qū)域，而每個有源元件會與相對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線與像素電極電性連接。此外，每個第一圖案化浮置金屬會與其中一數(shù)據(jù)線有部分重疊，而每個第一圖案化連接導(dǎo)線會跨越其中一掃瞄線，并分別與此掃瞄線兩側(cè)的第一圖案化浮置金屬有部分重疊。
在本發(fā)明的一實施例中，像素陣列基板還可包括多個配置于基板上的接觸窗(contact window)，使得相對應(yīng)的第一圖案化浮置金屬經(jīng)由此接觸窗與相對應(yīng)的第一圖案化連接導(dǎo)線電性連接。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的有源元件可具有漏極，而每個第一圖案化浮置金屬具有第一凸出部與第二凸出部，其中每個第一凸出部會與任一漏極有部分重疊，且每個第二凸出部會與任一像素電極有部分重疊。
在本發(fā)明的一實施例中，像素陣列基板還可包括多個配置于該基板上的第二圖案化浮置金屬，而每個第二圖案化浮置金屬會與任一掃瞄線有部分重疊。此外，每個第一圖案化連接導(dǎo)線會跨越任一數(shù)據(jù)線，并分別與數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第二圖案化浮置金屬有部分重疊。另外，像素陣列基板還包括多個配置于基板上的接觸窗，每個接觸窗電性連接于任一第二圖案化浮置金屬與任一第一圖案化連接導(dǎo)線之間，其中此第二圖案化浮置金屬與此第一連接導(dǎo)線有部分重疊。
在本發(fā)明的一實施例中，像素陣列基板更可包括多個配置于該基板上的第二圖案化浮置金屬，而每個第二圖案化浮置金屬會與任一掃瞄線有部分重疊。此外，像素陣列基板，還包括多個配置于基板上的第二圖案化連接導(dǎo)線與接觸窗，其中每個第二圖案化連接導(dǎo)線會跨越任一數(shù)據(jù)線，并分別與此數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第二圖案化浮置金屬電極有部分重疊，而每個接觸窗電性連接于任一第二圖案化浮置金屬與任一第二圖案化連接導(dǎo)線之間，其中此第二圖案化浮置金屬與此第一圖案化連接導(dǎo)線有部分重疊。
在本發(fā)明的一實施例中，像素陣列基板更可包括多條配置于基板上的共用線(common line)與第三圖案化連接導(dǎo)線。這些共用線平行于掃描線，而與數(shù)據(jù)線垂直。每個第三圖案化連接導(dǎo)線跨越任一共用線，并分別與此共用線兩側(cè)的第一圖案化浮置金屬電極有部分重疊。此外，像素陣列基板還包括多個配置于基板上的接觸窗，每個接觸窗電性連接于任一第一圖案化浮置金屬與任一第三圖案化連接導(dǎo)線之間，其中第一圖案化浮置金屬與第一圖案化連接導(dǎo)線有部分重疊。
為達(dá)上述或是其他目的，本發(fā)明另提出一種像素陣列基板，包括基板與配置于基板上的多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個有源元件、多個像素電極、多個第二圖案化浮置金屬以及多個第二圖案化連接導(dǎo)線。這些數(shù)據(jù)線與掃描線是以縱橫交錯的方式形成多個像素區(qū)域，而每個有源元件會與相對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線與像素電極電性連接。此外，每個第二圖案化浮置金屬會與任一掃瞄線有部分重疊，而每個第二圖案化連接導(dǎo)線會跨越任一數(shù)據(jù)線，并分別與此數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第二圖案化浮置金屬有部分重疊。
在本發(fā)明的一實施例中，像素陣列基板更可包括多個配置于基板上的接觸窗，每個接觸窗電性連接于任一第二圖案化浮置金屬與任一第二圖案化連接導(dǎo)線之間，其中此第二圖案化浮置金屬與此第二圖案化連接導(dǎo)線有部分重疊。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的掃描線或數(shù)據(jù)線的材料可包括鋁(Al)、鉬(Mo)、氮化鉬(MoN)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)或其組合。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素電極的材料可包括氧化銦錫(IndiumTin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)。
綜合上述，在本發(fā)明的像素陣列基板中，當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時，特別是數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線的區(qū)域是位于其與掃描線交會處時，可利用第一浮置金屬圖案以及跨越過掃瞄線的第一圖案化連接導(dǎo)線，而將斷線的數(shù)據(jù)線連接以達(dá)到修補(bǔ)的功效。此外，在有源元件損壞時，對應(yīng)的像素電極可利用第一凸出部與第二凸出部傳遞信號，以使此像素區(qū)域與鄰近像素區(qū)域可達(dá)到相同的顯示效果(而非修補(bǔ)成暗狀態(tài))。如此，此損壞的像素區(qū)域即不易被人眼輕易識別出，進(jìn)而得以維持顯示裝置的品質(zhì)。
為讓本發(fā)明之上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1為已知的一種像素陣列基板的局部俯視圖。
圖2A為已知的另一種像素陣列基板的局部俯視圖。
圖2B為圖2A的像素陣列基板的剖面圖。
圖2C與圖2D分別為圖2A的像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的局部俯視圖與剖面圖。
圖2E與圖2F分別為圖2A的像素陣列基板的薄膜晶體管發(fā)生損壞時的局部俯視圖與剖面圖。
圖2G為已知的再一種像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的局部俯視圖。
圖2H為已知的又一種像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的局部俯視圖。
圖3A為依據(jù)本發(fā)明第一實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。
圖3B為圖3A的像素陣列基板的剖面圖。
圖3C為圖3A的像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的剖面圖。
圖4為依據(jù)本發(fā)明第二實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。
圖5A為依據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種像素陣列基板的局部俯視圖。
圖5B為圖5A的像素陣列基板的有源元件發(fā)生損壞時的局部俯視圖。
圖5C為依據(jù)本發(fā)明第三實施例的另一種像素陣列基板的局部俯視圖。
圖6為依據(jù)本發(fā)明第四實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。
圖7為依據(jù)本發(fā)明第五實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。
圖8A及圖8B為依據(jù)本發(fā)明第六實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。
附圖標(biāo)記說明10、391第一絕緣層 20、392第二絕緣層50、393半導(dǎo)體層 100、200像素陣列基板110、220掃描線 120、230數(shù)據(jù)線122、232斷線124、234、234a、234b熔接點130、240、240a、240b薄膜晶體管140、250、250a像素電極 150修補(bǔ)線210基板 242a柵極244a源極246a漏極248a開路260圖案化浮置金屬260a遮光層300a、300b、300c、300d、300e、300f、300g像素陣列基板310基板 320掃描線322共用線 330數(shù)據(jù)線
340、340a、340b有源元件342柵極344源極346漏極348開路350、350a、350b像素電極351、352輔助電容360第一圖案化浮置金屬362a、362b、364a、364b熔接點366第一凸出部 368第二凸出部370第一圖案化連接導(dǎo)線 372、372a接觸窗374第三圖案化連接導(dǎo)線 380第二圖案化浮置金屬390第二圖案化連接導(dǎo)線AA’、BB’、ZZ’剖面線 S1、S2像素區(qū)域具體實施方式
第一實施例圖3A為依據(jù)本發(fā)明第一實施例的像素陣列基板的局部俯視圖，而圖3B為圖3A的像素陣列基板的剖面圖，其中剖面線為圖3A的BB’連線。請參考圖3A與圖3B，本發(fā)明的像素陣列基板300a包括基板310及配置于基板310上的多條掃描線320、多條數(shù)據(jù)線330、多個有源元件340、多個像素電極350、多個第一圖案化浮置金屬360以及多個第一圖案化連接導(dǎo)線370。其中，第一圖案化浮置金屬360與數(shù)據(jù)線330之間形成有第一絕緣層391，數(shù)據(jù)線330上方形成有第二絕緣層392，在有源元件340的掃描線220上方，形成半導(dǎo)體層393于該第一絕緣層391上。這些數(shù)據(jù)線330與掃描線320是以縱橫交錯的方式形成陣列的多個像素區(qū)域(例如像素區(qū)域S1、S2)，而每個像素區(qū)域內(nèi)具有對應(yīng)的有源元件340與像素電極350，其中每個有源元件340會與相對應(yīng)的掃描線320、數(shù)據(jù)線330與像素電極350電性連接。在本實施例中，像素電極350中有一部分與掃描線320相重疊，并形成輔助電容351。
承接上述，有源元件340會依據(jù)掃描線320傳遞來的掃描信號而決定是處于開啟或關(guān)閉的狀態(tài)。當(dāng)有源元件340處于開啟的狀態(tài)時，像素電極340即可經(jīng)由有源元件340而接收由數(shù)據(jù)線330傳遞來的數(shù)據(jù)信號，以使對應(yīng)的像素調(diào)整顯示的顏色。一般而言，鄰近像素區(qū)域(例如像素區(qū)域S1、S2)所顯示的顏色大多相近。
此外，每個第一圖案化浮置金屬360會與任一數(shù)據(jù)線330有部分重疊，而每個第一圖案化連接導(dǎo)線370會跨越任一掃瞄線320，并分別與此掃瞄線320兩側(cè)的第一圖案化浮置金屬360有部分重疊。具體而言，第一圖案化浮置金屬360是與掃瞄線320為同層的結(jié)構(gòu)，而第一圖案化連接導(dǎo)線370與像素電極350為同層的結(jié)構(gòu)。通過第一圖案化連接導(dǎo)線370跨越掃瞄線320的方式，可將各個獨立的(isolated)第一圖案化浮置金屬360利用激光熔接而導(dǎo)通，如此即可作為數(shù)據(jù)線330的修補(bǔ)線路。
圖3C為圖3A的像素陣列基板的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時的剖面圖。請參考圖3A及圖3C，特別當(dāng)數(shù)據(jù)線330發(fā)生斷線的區(qū)域是位在數(shù)據(jù)線330與掃描線320交會處時，便可將掃描線320兩側(cè)獨立的第一圖案化浮置金屬360導(dǎo)通，以修補(bǔ)發(fā)生斷線的數(shù)據(jù)線330。詳細(xì)而言，可將斷線區(qū)域兩側(cè)的數(shù)據(jù)線330分別與第一圖案化浮置金屬360激光熔接以形成兩熔接點362a，并將第一圖案化連接導(dǎo)線370同時與前述的位于掃描線320兩側(cè)獨立的第一圖案化浮置金屬360激光熔接以形成兩熔接點364a，如此即可將斷線的數(shù)據(jù)線330利用第一圖案化浮置金屬360及第一圖案化連接導(dǎo)線370串接以完成修補(bǔ)。
承接上述，由于第一圖案化浮置金屬360及第一圖案化連接導(dǎo)線370的長度較短，因此可以避免阻容遲滯的問題。此外，無論數(shù)據(jù)線330在何處發(fā)生斷線，本發(fā)明的像素陣列基板300a均可以修補(bǔ)，由此以提升像素陣列基板300a的制作成品率。
此外，掃描線320與數(shù)據(jù)線330的材料可包括鋁、鉬、氮化鉬、鈦、氮化鈦、鉻、氮化鉻、上述金屬的合金或其組合而成的多層結(jié)構(gòu)，而像素電極350的材料透明導(dǎo)電材料，可以包括氧化銦錫或氧化銦鋅。不過本發(fā)明對于掃描線320、數(shù)據(jù)線330與像素電極350并不加以限制。
第二實施例圖4為依據(jù)本發(fā)明第二實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。請參考圖4，本實施例的像素陣列基板300b與第一實施例的像素陣列基板300a(如圖3A所示)相似，為求說明方便，相同名稱的構(gòu)件仍沿用相同的標(biāo)號。在本實施例中，像素電極350中有一部分與掃描線320相重疊，并形成輔助電容351。其中，像素陣列基板300a還包括多個配置于基板310上的接觸窗372，而接觸窗372是電性連接于有部分重疊的第一圖案化浮置金屬360及第一圖案化連接導(dǎo)線370之間。換句話說，在同一行上的第一圖案化浮置金屬360及第一圖案化連接導(dǎo)線370在制作時，便已經(jīng)通過接觸窗372而形成類似平行數(shù)據(jù)線330的導(dǎo)線。
承接上述，當(dāng)數(shù)據(jù)線330發(fā)生斷線的區(qū)域是發(fā)生在數(shù)據(jù)線330與掃描線320交會處時，僅需將斷線區(qū)域兩側(cè)的數(shù)據(jù)線330分別與第一圖案化浮置金屬360激光熔接以形成兩熔接點362b即完成修補(bǔ)。當(dāng)然，為避免阻容遲滯的問題發(fā)生，可進(jìn)一步將接觸窗372a利用激光切割切斷。
再次強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明的精神是在于利用跨越掃瞄線320的第一圖案化連接導(dǎo)線370以將各個獨立的第一圖案化浮置金屬360給電性連接起來，以達(dá)到修補(bǔ)數(shù)據(jù)線330的目的。在本實施例中，是預(yù)先利用接觸窗372將第一圖案化連接導(dǎo)線370與第一圖案化浮置金屬360電性連接，而第一實施例是當(dāng)數(shù)據(jù)線330發(fā)生斷線時，才利用激光焊接的方式將第一圖案化連接導(dǎo)線370與第一圖案化浮置金屬360電性連接以進(jìn)行修補(bǔ)。
第三實施例圖5A為依據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種像素陣列基板的局部俯視圖。請參考圖5A，本實施例的像素陣列基板300c與第一實施例的像素陣列基板300a(如圖3A所示)相似，其差別在于本實施例的第一圖案化浮置金屬360更具有第一凸出部366。此外，有源元件340例如為薄膜晶體管，其中有源元件340的柵極342是與掃描線320電性連接(在本實施例中，有源元件340的柵極342例如是由部分掃描線320所形成)，而有源元件340的源極344是與數(shù)據(jù)線330電性連接，且有源元件340的漏極346是與像素電極350電性連接。另外，第一凸出部366與有源元件340的漏極346有部分重疊。
圖5B為圖5A的像素陣列基板的有源元件發(fā)生損壞時的局部俯視圖。請參考圖5A與圖5B，一般而言，相鄰的像素區(qū)域S1、S2的顯示內(nèi)容相近。當(dāng)有源元件340a因損毀而無法操作時，可使像素區(qū)域S1顯示像素區(qū)域S2的顯示內(nèi)容以作為修補(bǔ)的方式。具體而言，先將有源元件340a的漏極346切斷而形成開路348，以避免損壞的有源元件340a傳遞錯誤的信號至像素電極350a。接著，利用激光熔接的方式將第一凸出部366分別與有源元件340a的漏極346及有源元件340b的漏極346熔接而形成兩熔接點366a。之后，以前述類似修補(bǔ)數(shù)據(jù)線330的方式，將第一圖案化連接導(dǎo)線370同時與前述的位于掃描線320兩側(cè)獨立的第一圖案化浮置金屬360激光熔接以形成兩熔接點364b，如此即完成修補(bǔ)像素區(qū)域S1。
當(dāng)數(shù)據(jù)信號透過有源元件340b的漏極346而傳遞至像素電極350b時，數(shù)據(jù)信號亦會經(jīng)由有源元件340b的漏極346而傳遞至第一凸出部366。再通過第一圖案化連接導(dǎo)線370與第一圖案化浮置金屬360的導(dǎo)通，數(shù)據(jù)信號即會傳遞至像素電極350a。上述的修補(bǔ)方式，不論是漏極346與源極344發(fā)生短路或是有源元件340a發(fā)生故障均可以修補(bǔ)。基本上是先將有源元件340a的漏極346斷開，使有源元件340a無法控制像素區(qū)域S1，再將像素區(qū)域S1的像素電極350a電性連接到像素區(qū)域S2的有源元件340b，所以是通過像素區(qū)域S2的的有源元件340b來控制進(jìn)入像素區(qū)域S1的信號。如此，像素區(qū)域S1即會同步顯示像素區(qū)域S2的顯示內(nèi)容。由于像素區(qū)域S1與像素區(qū)域S2的顯示內(nèi)容本就相近，因此損壞的像素區(qū)域S1即不易被人眼輕易識別出，故得以維持顯示裝置的品質(zhì)。
附帶一提的是，盡管本實施例是以相鄰兩像素區(qū)域為例說明修補(bǔ)的方式，然本發(fā)明并不限定非以相鄰兩像素區(qū)域進(jìn)行修補(bǔ)。舉例而言，本發(fā)明亦可以間隔的兩像素區(qū)域進(jìn)行修補(bǔ)，端看實際的產(chǎn)品而定。此外，本實施例亦可仿同第二實施例的像素陣列基板300b，以制作接觸窗的方式電性連接第一圖案化連接導(dǎo)線370與第一圖案化浮置金屬360，在此便不再贅述。
圖5C為依據(jù)本發(fā)明第三實施例的另一種像素陣列基板的局部俯視圖。請參考圖5A與圖5C，本實施例的像素陣列基板300d與前述的像素陣列基板300c(如圖5A所示)相似，其差別在于本實施例的第一圖案化浮置金屬360是具有第二凸出部368，而第二凸出部368與像素電極350有部分重疊。由于第二凸出部368的修補(bǔ)方式雷同前述第一凸出部366的修補(bǔ)方式，熟悉此技藝者當(dāng)可輕易推出，此處便不再贅述。
值得注意的是，本發(fā)明的像素陣列基板并不限定只能單獨以第一凸出部366或是第二凸出部368的方式修補(bǔ)像素，其亦可同時具有第一凸出部366及第二凸出部368以達(dá)到更佳的修補(bǔ)效果。
此外，僅管在前述的實施例中，是以修補(bǔ)數(shù)據(jù)線斷線為例，然本發(fā)明亦可以同時修補(bǔ)掃描線斷線的情形。以下將再另舉實施例并配合圖示說明。
第四實施例圖6為依據(jù)本發(fā)明第四實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。請參考圖6，本實施例的像素陣列基板300e與第一實施例的像素陣列基板300a(如圖3A所示)相似，其差別在于本實施例的像素陣列基板300e還包括多個配置于基板310上的第二圖案化浮置金屬380以及第二圖案化連接導(dǎo)線390。相對于前述第一圖案化浮置金屬360與第一圖案化連接導(dǎo)線370，每個第二圖案化浮置金屬380會與任一掃瞄線320有部分重疊，而每個第二圖案化連接導(dǎo)線390會跨越任一數(shù)據(jù)線330，并分別與此數(shù)據(jù)線320兩側(cè)的第二圖案化浮置金屬380有部分重疊。
具體而言，第二圖案化浮置金屬380是與數(shù)據(jù)線330為同層的結(jié)構(gòu)，而第二圖案化連接導(dǎo)線390與像素電極350為同層的結(jié)構(gòu)。通過第二圖案化連接導(dǎo)線390跨越數(shù)據(jù)線330的方式，可將各個獨立的第二圖案化浮置金屬380利用激光熔接而導(dǎo)通，如此即可作為掃描線320的修補(bǔ)線路。由于修補(bǔ)掃描線320斷線的精神與前述修補(bǔ)數(shù)據(jù)線330斷線的精神相同，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可自行推敲，在此便不再贅述。
值得注意的是，盡管本實施例像素陣列基板300e同時包括第一圖案化浮置金屬360、第二圖案化浮置金屬380、第一圖案化連接導(dǎo)線370以及第二圖案化連接導(dǎo)線390，以方便同時具有修補(bǔ)掃描線320與數(shù)據(jù)線330的功能。然本發(fā)明的像素陣列基板300e亦可只包括第二圖案化浮置金屬380及第二圖案化連接導(dǎo)線390，以作為修補(bǔ)掃描線320的功能。
附帶一提的是，類似前述的像素陣列基板300b(如圖4所示)，像素陣列基板300e亦可包括多個配置于基板310上的接觸窗(未繪示)，其中接觸窗是電性連接于有部分重疊的第二圖案化浮置金屬380及第二圖案化連接導(dǎo)線390之間。換句話說，在同一列上的第二圖案化浮置金屬380及第二圖案化連接導(dǎo)線390在制作時，便已經(jīng)通過接觸窗而形成類似平行掃描線320的導(dǎo)線。
此外，第一圖案化連接導(dǎo)線370與第二圖案化連接導(dǎo)線390的功能在于提供第一圖案化浮置金屬360與第二圖案化浮置金屬380能跨接過數(shù)據(jù)線330與掃描線320。由于第一圖案化連接導(dǎo)線370與第二圖案化連接導(dǎo)線390的功能相近，且其均與像素電極350為同層的結(jié)構(gòu)，因此可以再將其整合。以下將再另舉實施例并配合圖示說明。
第五實施例圖7為依據(jù)本發(fā)明第五實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。請參考圖7，本實施例的像素陣列基板300f與第四實施例的像素陣列基板300e(如圖6所示)相似，其差別在于本實施例的第一圖案化連接導(dǎo)線370會同時跨越交錯的掃瞄線320與數(shù)據(jù)線330，并分別與此掃描線320兩側(cè)的第一圖案化浮置金屬360有部分重疊，且同時分別與此數(shù)據(jù)線330兩側(cè)的第二圖案化浮置金屬380有部分重疊。
類似前述，當(dāng)掃描線320斷線時，即可利用第二圖案化浮置金屬380搭配第一圖案化連接導(dǎo)線370進(jìn)行修補(bǔ)，而當(dāng)數(shù)據(jù)線330斷線時，即可利用第一圖案化浮置金屬360搭配第一圖案化連接導(dǎo)線370進(jìn)行修補(bǔ)。
附帶一提的是，第四實施例與第五實施例的像素陣列基板300e、300e的第一圖案化浮置金屬360亦可還包括前述的第一凸出部366及第二凸出部368(如圖5A及圖5C所示)，以使能進(jìn)一步修補(bǔ)損壞的像素區(qū)域。
第六實施例圖8A為依據(jù)本發(fā)明第六實施例的像素陣列基板的局部俯視圖。請參考圖8A，本實施例的像素陣列基板300g與第一實施例的像素陣列基板300a(如圖3A所示)相似，其差別在于本實施例的像素陣列基板300g還包括多條配置于基板310上的共用線322與第三圖案化連接導(dǎo)線374。共用線322乃與掃描線320為同層的結(jié)構(gòu)，且共用線322平行于掃描線320，并與數(shù)據(jù)線330垂直交錯。在本實施例中，共用線322與像素電極350重疊的部分形成有一輔助電容352。類似前述的第一圖案化連接導(dǎo)線370，每個第三圖案化連接導(dǎo)線374會跨越共用線322，并分別與此共用線322兩側(cè)的第一圖案化浮置金屬電極360有部分重疊。
當(dāng)數(shù)據(jù)線330發(fā)生斷線的區(qū)域是位在數(shù)據(jù)線330與共用線322交會處時，便可利用第一圖案化浮置金屬360搭配第三圖案化連接導(dǎo)線374進(jìn)行修補(bǔ)數(shù)據(jù)線330。此外，類似前述的像素陣列基板300b(如圖4所示)，像素陣列基板300g亦可包括多個配置于基板310上的接觸窗，如圖8B所示，其中某些接觸窗是電性連接于有部分重疊的第一圖案化浮置金屬360與第一圖案化連接導(dǎo)線370之間，而某些接觸窗是電性連接于有部分重疊的第一圖案化浮置金屬360與第三圖案化連接導(dǎo)線374之間。換句話說，在同一行上的第一圖案化浮置金屬360、第一圖案化連接導(dǎo)線370以及第三圖案化連接導(dǎo)線374在制作時，便已經(jīng)通過接觸窗而形成類似平行數(shù)據(jù)線330的導(dǎo)線。
當(dāng)然，盡管前述的多個實施例并未特別強(qiáng)調(diào)當(dāng)像素陣列基板包括共用線時的情況，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可參造本實施例的說明而輕易推出。
綜合上述，本發(fā)明的像素陣列基板至少具有下列優(yōu)點
一、當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時，特別是數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線的區(qū)域是位于其與掃描線交會處時，可利用第一浮置金屬圖案以及跨越過掃瞄線的第一圖案化連接導(dǎo)線，而將斷線的數(shù)據(jù)線連接以達(dá)到修補(bǔ)的功效。由于第一圖案化浮置金屬及第一圖案化連接導(dǎo)線的長度較短，因此可以避免阻容遲滯的問題。此外，無論數(shù)據(jù)線在何處發(fā)生斷線，本發(fā)明的像素陣列基板均可以修補(bǔ)，故可以提升像素陣列基板制作成品率。
二、在有源元件損壞時，對應(yīng)的像素電極可利用第一凸出部與第二凸出部傳遞信號，以使此像素區(qū)域與鄰近像素區(qū)域可達(dá)到相同的顯示效果(而非修補(bǔ)成暗狀態(tài))。如此，此損壞的像素區(qū)域即不易被人眼輕易識別出，進(jìn)而得以維持顯示裝置的品質(zhì)。
三、當(dāng)掃描線發(fā)生斷線時，特別是掃描線發(fā)生斷線的區(qū)域是位于其與數(shù)據(jù)線交會處時，可利用第二浮置金屬圖案以及跨越過數(shù)據(jù)線的第二圖案化連接導(dǎo)線，而將斷線的掃描線連接以達(dá)到修補(bǔ)的功效。亦即，本發(fā)明的像素陣列基板的任何導(dǎo)線均可以修補(bǔ)，由此以提升像素陣列基板制作成品率。
上述實施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實施例。
權(quán)利要求
1.一種像素陣列基板，包括基板；多條掃描線，彼此平行配置于該基板上；多個第一圖案化浮置金屬，配置于該基板上，并且位于這些掃描線之間；絕緣層，配置于該基板上，并且覆蓋這些掃描線及這些第一圖案化浮置金屬；多條數(shù)據(jù)線，彼此平行配置于該絕緣層上，其中每一數(shù)據(jù)線與這些掃描線相交，并且與這些第一圖案化浮置金屬的至少之一部分重疊，但不電性連接；多個有源元件，形成于該基板上，并與相對應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線電性連接；多個像素電極，形成于該基板上，每一像素電極與相對應(yīng)的有源元件電性連接；以及多個第一圖案化連接導(dǎo)線，每一這些第一圖案化連接導(dǎo)線跨越其中一掃瞄線，并且這些第一圖案化連接導(dǎo)線分別與該掃瞄線兩側(cè)的該第一圖案化浮置金屬部分重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，還包括多個接觸窗，配置于該基板上，其中，這些第一圖案化浮置金屬經(jīng)由這些接觸窗與這些第一圖案化連接導(dǎo)線電性連接。
3.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其中每一有源元件具有漏極，而每第一圖案化浮置金屬具有第一凸出部，且每第一凸出部會與其中一漏極有部分重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其中每第一圖案化浮置金屬具有第二凸出部，且每第二凸出部會與其中一像素電極有部分重疊。
5.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，還包括多個第二圖案化浮置金屬，配置于該基板上，每第二圖案化浮置金屬會與其中一掃瞄線有部分重疊。
6.如權(quán)利要求5所述的像素陣列基板，其中每第一圖案化連接導(dǎo)線會跨越其中一數(shù)據(jù)線，并分別與該數(shù)據(jù)線兩側(cè)的該第二圖案化浮置金屬有部分重疊。
7.如權(quán)利要求6所述的像素陣列基板，還包括多個配置于該基板上的接觸窗，其中，這些第二圖案化浮置金屬經(jīng)由這些接觸窗與這些第一圖案化連接導(dǎo)線電性連接。
8.如權(quán)利要求5所述的像素陣列基板，還包括多個配置于該基板上的第二圖案化連接導(dǎo)線，每第二圖案化連接導(dǎo)線跨越其中一數(shù)據(jù)線，并分別與該數(shù)據(jù)線兩側(cè)的該第二圖案化浮置金屬電極有部分重疊。
9.如權(quán)利要求8所述的像素陣列基板，還包括多個配置于該基板上的接觸窗，其中，這些第二圖案化浮置金屬經(jīng)由這些接觸窗與這些第二圖案化連接導(dǎo)線電性連接。
10.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，還包括多條配置于該基板上的共用線，而這些共用線平行于這些掃描線，并與這些數(shù)據(jù)線相交。
11.如權(quán)利要求10所述的像素陣列基板，還包括多個配置于該基板上的第三圖案化連接導(dǎo)線，每第三圖案化連接導(dǎo)線跨越其中一共用線，并分別與該共用線兩側(cè)的該第一圖案化浮置金屬電極有部分重疊。
12.如權(quán)利要求11所述的像素陣列基板，還包括配置于該基板上的多個接觸窗，其中這些第一圖案化浮置金屬經(jīng)由這些接觸窗與這些第三圖案化連接導(dǎo)線電性連接。
13.一種像素陣列基板，包括基板；多條掃描線，配置于該基板上；絕緣層，配置于該基板及這些掃描線上；多條數(shù)據(jù)線，配置于該絕緣層上，并與這些掃描線相交；多個第二圖案化浮置金屬，配置于該絕緣層上，這些第二圖案化浮置金屬與其中一掃瞄線有部分重疊；多個有源元件，與相對應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線電性連接；多個像素電極，與相對應(yīng)的有源元件電性連接；以及多個第二圖案化連接導(dǎo)線，每第二圖案化連接導(dǎo)線會跨越其中一數(shù)據(jù)線，并分別與該數(shù)據(jù)線兩側(cè)的該第二圖案化浮置金屬有部分重疊。
14.如權(quán)利要求13所述的像素陣列基板，還包括多個配置于該基板上的接觸窗，每一接觸窗電性連接于其中，這些第二圖案化浮置金屬經(jīng)由這些接觸窗與這些第二圖案化連接導(dǎo)線電性連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素陣列基板，其包括基板及配置于基板上的多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個有源元件、多個像素電極、多個第一圖案化浮置金屬以及多個第一圖案化連接導(dǎo)線。這些數(shù)據(jù)線與掃描線是以縱橫交錯的方式形成多個像素區(qū)域，而每個有源元件會與相對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線與像素電極電性連接。此外，每個第一圖案化浮置金屬會與任一數(shù)據(jù)線有部分重疊，而每個第一圖案化連接導(dǎo)線會跨越任一掃瞄線，并分別與此掃瞄線兩側(cè)的第一圖案化浮置金屬有部分重疊。
文檔編號H01L23/52GK101051645SQ20071010213
公開日2007年10月10日 申請日期2007年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月29日
發(fā)明者陳建州, 邱俊昌 申請人:友達(dá)光電股份有限公司