專(zhuān)利名稱(chēng)：氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)，其對(duì)靜電放電(ESD)具有較高的抵抗力。
背景技術(shù)：
由于諸如GaN的III-V族氮化物半導(dǎo)體具有極好的物理和化學(xué)特性，所以它們被認(rèn)為是發(fā)光器件(例如，發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))的基本材料。由III-V族氮化物半導(dǎo)體形成的LED或LD廣泛應(yīng)用于用來(lái)獲取藍(lán)光或綠光的發(fā)光器件中。這些發(fā)光器件適用于各種產(chǎn)品(諸如電子顯示板和照明裝置)的光源。
但是，使用氮化物半導(dǎo)體的LED具有如下缺陷它們對(duì)ESD的抵抗力比其它化合物半導(dǎo)體(諸如GaP和GaAlAs)低得多。例如，當(dāng)沿正向(forward direction)施加大約幾百伏(大于100V)的恒定電壓時(shí)，該氮化物半導(dǎo)體LED可能被破壞。而且，當(dāng)沿反向(backward direction)施加大約幾十伏(大于30V)的恒定電壓時(shí)，該氮化物半導(dǎo)體LED也可能被破壞。當(dāng)操控或使用諸如LED或LD的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件時(shí)，人體或產(chǎn)品中容易出現(xiàn)的靜電可以產(chǎn)生這種恒定電壓。
因此，為了防止由ESD造成的氮化物半導(dǎo)體LED的損壞，正在進(jìn)行各種研究。例如，提供穩(wěn)壓二極管(其中電流可以沿反向流動(dòng))，以補(bǔ)償?shù)锇雽?dǎo)體LED在ESD方面的缺點(diǎn)。就穩(wěn)壓二極管來(lái)說(shuō)，提供了齊納二極管，其與LED并聯(lián)，以便有效地處理靜電。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D1和圖2詳細(xì)描述傳統(tǒng)的氮化物基半導(dǎo)體LED。
圖1是傳統(tǒng)的氮化物基半導(dǎo)體LED的主視圖，而圖2是圖1所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的剖視圖。
如圖1和圖2所示，氮化物基半導(dǎo)體LED包括LED30和ESD保護(hù)元件40，它們并聯(lián)安裝在包括一對(duì)陽(yáng)極引線(xiàn)51和陰極引線(xiàn)52的引線(xiàn)框架50的同一表面上。LED30和ESD保護(hù)元件40通過(guò)由金(Au)形成的導(dǎo)線(xiàn)60連接，從而形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)。ESD保護(hù)元件40由齊納二極管構(gòu)成。
在圖1和圖2中，參考標(biāo)號(hào)10表示由透明或不透明合成樹(shù)脂形成的封裝件，而參考標(biāo)號(hào)20表示用于保護(hù)LED的模制材料。
用作ESD保護(hù)元件40的齊納二極管是所謂的穩(wěn)壓二極管。齊納二極管是半導(dǎo)體p-n結(jié)型二極管中的一種，并且制造成可以在p-n結(jié)的擊穿區(qū)中呈現(xiàn)出運(yùn)行特性。而且，齊納二極管通過(guò)利用齊納效應(yīng)獲得恒定電壓，并且在10mA的電流下在硅的p-n結(jié)中運(yùn)行。此外，齊納二極管根據(jù)其類(lèi)型可以獲得3V至12V的恒定電壓。
在傳統(tǒng)的氮化物基半導(dǎo)體LED中，這種齊納二極管通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)等與LED并聯(lián)。因此，即使由于靜電而施加反向電流，齊納二極管也可以防止LED被損壞。
然而，當(dāng)齊納二極管和LED并聯(lián)安裝在引線(xiàn)框架上時(shí)，從LED發(fā)射出的光可以被齊納二極管吸收或擴(kuò)散，從而降低了LED的亮度。
為了解決這類(lèi)問(wèn)題，已經(jīng)提出了在同一襯底(substrate)上形成LED和肖特基二極管的技術(shù)，如第6,593,597號(hào)美國(guó)專(zhuān)利的圖3B中所示。圖3是示出第6,593,597號(hào)美國(guó)專(zhuān)利的圖3B中所示的傳統(tǒng)氮化物半導(dǎo)體LED的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
在圖3所示的傳統(tǒng)氮化物半導(dǎo)體LED中，LED和肖特基二極管形成在同一襯底上，以便可以彼此并聯(lián)。因此，從LED發(fā)射出的光不會(huì)損失，并且可以保護(hù)LED不受ESD的影響，從而提高LED的亮度。
然而，在這種技術(shù)中，存在的問(wèn)題在于其制造工藝復(fù)雜。即，LED區(qū)域和肖特基二極管區(qū)域應(yīng)該彼此隔開(kāi)。而且，形成肖特基接觸的電極材料和形成歐姆接觸的電極材料應(yīng)該單獨(dú)地沉積在導(dǎo)電緩沖層上，以便形成肖特基結(jié)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供一種氮化物基半導(dǎo)體LED，其對(duì)于ESD具有較高的抵抗力，而無(wú)需單獨(dú)的元件來(lái)提高對(duì)于ESD的抵抗力。
本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將部分地在隨后的描述中闡述，并且部分地將通過(guò)描述而變得顯而易見(jiàn)，或者可以通過(guò)實(shí)施該總發(fā)明構(gòu)思而獲得。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，氮化物基半導(dǎo)體LED包括陽(yáng)極；第一p型包覆層(clad layer)，具有與陽(yáng)極相接觸的第二n型包覆層，該第一p型包覆層形成于陽(yáng)極下方，從而第一p型包覆層的一部分與陽(yáng)極相接觸；活性層(有源層，active layer)，形成在第一p型包覆層下方；第一n型包覆層，具有不與活性層相接觸的第二p型包覆層，該第一n型包覆層形成于活性層的整個(gè)下表面上；以及陰極，形成于第一n型包覆層和第二p型包覆層的下方，以便與第一n型包覆層的一部分和第二p型包覆層相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，氮化物基半導(dǎo)體LED包括陽(yáng)極；第一n型包覆層，具有與陽(yáng)極相接觸的第二p型包覆層，該第一n型包覆層形成于陽(yáng)極下方，從而第一n型包覆層的一部分與陽(yáng)極相接觸；活性層，形成于第一n型包覆層下方；第一p型包覆層，具有不與活性層相接觸的第二n型包覆層，該第一p型包覆層形成于活性層的整個(gè)下表面上；以及陰極，形成于第一p型包覆層和第二n型包覆層的下方，以便與第一p型包覆層的一部分和第二n型包覆層相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，氮化物基半導(dǎo)體LED包括襯底；第一n型包覆層，具有不與襯底相接觸的第二p型包覆層，該第一n型包覆層形成于襯底的整個(gè)上表面上；活性層，形成于第一n型包覆層的預(yù)定區(qū)域上；第一p型包覆層，具有不與活性層相接觸的第二n型包覆層，該第一p型包覆層形成于活性層的整個(gè)上表面上；陽(yáng)極，形成于第一p型包覆層的一部分和第二n型包覆層上；以及陰極，形成在未形成活性層的第一n型包覆層的一部分和第二p型包覆層上。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，氮化物基半導(dǎo)體LED包括襯底；第一p型包覆層，具有不與襯底相接觸的第二n型包覆層，該第一p型包覆層形成于襯底的整個(gè)上表面上；活性層，形成于第一p型包覆層的預(yù)定區(qū)域上；第一n型包覆層，具有不與活性層相接觸的第二p型包覆層，該第一n型包覆層形成于活性層的整個(gè)上表面上；陽(yáng)極，形成于第一n型包覆層的一部分和第二p型包覆層上；以及陰極，形成于未形成活性層的第一p型包覆層的一部分和第二n型包覆層上。


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)，并更容易理解，附圖中圖1是傳統(tǒng)的氮化物基半導(dǎo)體LED的主視圖；圖2是圖1所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的剖視圖；圖3是示出了第6,593,597號(hào)美國(guó)專(zhuān)利的圖3B中所示的傳統(tǒng)氮化物半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖5是圖4所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的電路圖；圖6和圖7是示出了圖4所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的正向和反向電流的剖視圖；圖8是示出了圖4所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的I-V曲線(xiàn)的曲線(xiàn)圖；
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖11和圖12是示出了圖10所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的正向和反向電流的剖視圖；以及圖13是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出，在附圖中，相同的參考標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。為了解釋本發(fā)明的總發(fā)明構(gòu)思，以下通過(guò)參照附圖來(lái)描述這些實(shí)施例。附圖中，為了清楚起見(jiàn)，層和區(qū)域的厚度被放大。
以下，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的氮化物基半導(dǎo)體LED。
第一實(shí)施例參照?qǐng)D4和圖5，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED的結(jié)構(gòu)。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)的剖視圖；而圖5是圖4所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的電路圖。
如圖4所示，氮化物基半導(dǎo)體LED具有形成于其最上部中的陽(yáng)極110，該陽(yáng)極110由Cr/Au等構(gòu)成。
在陽(yáng)極110下方，形成有第一p型包覆層120。第一p型包覆層120包括形成于其預(yù)定區(qū)域中的第二n型包覆層130，并且第二n型包覆層130形成為與陽(yáng)極110相接觸。優(yōu)選地，第一p型包覆層120和第二n型包覆層130由包含InXAlYGa(1-X-Y)N組分(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)的III-V族半導(dǎo)體、ZnO、II-IV化合物半導(dǎo)體、Si等形成。
即，陽(yáng)極110形成為同時(shí)與第一p型包覆層120和第二n型包覆層130相接觸。
在具有第二n型包覆層130的第一p型包覆層120的下方，形成有活性層140?；钚詫?40形成為具有包括InGaN/GaN層的多量子阱結(jié)構(gòu)。
活性層140可以形成有單量子阱結(jié)構(gòu)或雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
在活性層140下方，形成有第一n型包覆層150。類(lèi)似于第一p型包覆層120，第一n型包覆層150也具有形成于其預(yù)定區(qū)域中的第二p型包覆層160。第二p型包覆層160形成為不與活性層140相接觸。優(yōu)選地，第一n型包覆層150和第二p型包覆層160由包含InXAlYGa(1-X-Y)N組分(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)的III-V族半導(dǎo)體、ZnO、II-IV化合物半導(dǎo)體、Si等形成。
在第一n型包覆層150的一部分以及第二p型包覆層160的下方，形成有陰極170，以便同時(shí)與第一n型包覆層150和第二p型包覆層160相接觸。因此，與第6,593,597號(hào)美國(guó)專(zhuān)利的圖3B中所公開(kāi)的傳統(tǒng)氮化物基半導(dǎo)體LED(其中，LED和肖特基二極管形成在同一襯底上)相比，其可以減少待形成的電極的數(shù)量。因此，可以簡(jiǎn)化制造工藝。
當(dāng)上述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED被正向偏壓時(shí)，其用作p-n二極管，如同LED。而且，當(dāng)?shù)锘雽?dǎo)體LED被反向偏壓時(shí)，其用作具有p-n-p-n結(jié)構(gòu)的肖特基二極管。
即，氮化物基半導(dǎo)體LED具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中p-n二極管300和肖特基二極管400并聯(lián)，如圖5所示。
以下，將參照?qǐng)D6至圖8描述根據(jù)第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED的工作方法。
圖6和圖7是示出了圖4所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的正向和反向電流的剖視圖，而圖8是示出了圖4所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的I-V曲線(xiàn)的曲線(xiàn)圖。
首先，當(dāng)根據(jù)第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED被正向偏壓時(shí)，電流沿圖6的箭頭所指示的方向(p1→n1)流動(dòng)，從而氮化物基半導(dǎo)體LED用作p-n二極管。在圖8中，I-V曲線(xiàn)形成具有頂點(diǎn)a→e(p1→n1)的曲線(xiàn)，這意味著氮化物基半導(dǎo)體LED正常工作。
同時(shí)，當(dāng)根據(jù)第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED被反向偏壓時(shí)，電流沿圖7的箭頭所指示的方向(p2→n1→p1→n2)流動(dòng)，從而氮化物基半導(dǎo)體LED用作具有p-n-p-n結(jié)構(gòu)的肖特基二極管。因此，電流旁通(by-pass through)肖特基二極管，從而可以防止ESD造成的損壞。
具體地，當(dāng)根據(jù)第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED被反向偏壓時(shí)，I-V曲線(xiàn)形成具有頂點(diǎn)a→b→c→d(p2→n1→p1→n2)的曲線(xiàn)，如圖8所示。因此，即使當(dāng)?shù)锘雽?dǎo)體LED被反向偏壓時(shí)，以及當(dāng)?shù)锘雽?dǎo)體LED被正向偏壓時(shí)，其都可以正常工作。
換句話(huà)說(shuō)，即使在交流電模式下(即，既在正向偏壓下又在反向偏壓下)，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED也可以工作。
第二實(shí)施例現(xiàn)在，將參照?qǐng)D9描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED。但是，將省略與第一實(shí)施例相同的那些部件的描述。
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)的剖視圖。
如圖9所示，根據(jù)第二實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED具有與根據(jù)第一實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED大致相同的結(jié)構(gòu)。但是，在第二實(shí)施例中，包括第二p型包覆層160的第一n型包覆層150形成在陽(yáng)極110下方，并且包括第二n型包覆層130的第一p型包覆層120形成在活性層140下方，而在第一實(shí)施例中，包括第二n型包覆層130的第一p型包覆層120形成在陽(yáng)極110下方，并且包括第二p型包覆層160的第一n型包覆層150形成在活性層140下方。
即，第一實(shí)施例示出了具有p-n-p-n結(jié)構(gòu)的肖特基二極管，而第二實(shí)施例示出了具有n-p-n-p結(jié)構(gòu)的肖特基二極管。
因此，類(lèi)似于第一實(shí)施例，在第二實(shí)施例中，p-n二極管和肖特基二極管也并聯(lián)。所以，根據(jù)第二實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED對(duì)于ESD具有較高的抵抗力，并且同時(shí)，可以在正向偏壓和反向偏壓下工作。
第三實(shí)施例現(xiàn)在，將參照?qǐng)D10詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED。但是，將省略與第一實(shí)施例相同的那些部件的描述。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED的剖視圖。
如圖10所示，氮化物基半導(dǎo)體LED具有形成于其最下部中的襯底200。作為適于生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體單晶的襯底，襯底200可以是異質(zhì)襯底(諸如藍(lán)寶石襯底或碳化硅(SiC)襯底)或同質(zhì)襯底(諸如氮化物襯底)。
在襯底200上，形成有第一n型包覆層210，該第一n型包覆層210包括不與襯底200相接觸的第二p型包覆層220。
在第一n型包覆層210的預(yù)定區(qū)域上，形成有活性層230。
在活性層230的整個(gè)表面上，形成有第一p型包覆層240，該第一p型包覆層240包括不與活性層230相接觸的第二n型包覆層250。在第一p型包覆層240和第二n型包覆層250上，設(shè)置有陽(yáng)極260，以便同時(shí)與第一p型包覆層240的一部分和第二n型包覆層250相接觸。
在未形成活性層230的第一n型包覆層210上，即，在第一n型包覆層210的一部分和第二p型包覆層220(它們通過(guò)活性層230和第一p型包覆層240的臺(tái)面蝕刻部分而露出)上，形成有陰極270，以便同時(shí)與第一n型包覆層210和第二p型包覆層220相接觸。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D11和圖12描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED的工作方法。
圖11和圖12是示出了圖10所示的氮化物基半導(dǎo)體LED的正向和反向電流的剖視圖。
當(dāng)根據(jù)第三實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED被正向偏壓時(shí)，電流沿圖11的箭頭所指示的方向(p1→n1)流動(dòng)，從而氮化物基半導(dǎo)體LED用作p-n二極管。
同時(shí)，當(dāng)根據(jù)第三實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED被反向偏壓時(shí)，電流沿圖12的箭頭所指示的方向(p2→n1→p1→n2)流動(dòng)，從而氮化物基半導(dǎo)體LED用作具有p-n-p-n結(jié)構(gòu)的肖特基二極管。因此，電流旁通肖特基二極管，從而可以防止ESD造成的損壞。
即，第一實(shí)施例示例出豎向LED，其中不同電極豎向形成，而第三實(shí)施例示例出橫向LED，其中不同電極橫向形成。
因此，第三實(shí)施例具有與第一實(shí)施例相同的操作和效果。
第四實(shí)施例現(xiàn)在，將參照?qǐng)D13描述根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED。但是，將省略與第三實(shí)施例相同的那些部件的描述。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED的剖視圖。
如圖13所示，根據(jù)第四實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED具有與根據(jù)第三實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED大致相同的結(jié)構(gòu)。但是，在第四實(shí)施例中，包括第二n型包覆層250的第一p型包覆層240形成在襯底200上，并且包括第二p型包覆層220的第一n型包覆層210形成在活性層230上，而在第三實(shí)施例中，包括第二p型包覆層220的第一n型包覆層210形成在襯底200上，并且包括第二n型包覆層250的第一p型包覆層240形成在活性層230上。
即，第三實(shí)施例示出了具有p-n-p-n結(jié)構(gòu)的肖特基二極管，而第二實(shí)施例示出了具有n-p-n-p結(jié)構(gòu)的肖特基二極管。
因此，類(lèi)似于第三實(shí)施例，在第四實(shí)施例中，p-n二極管和肖特基二極管也并聯(lián)。所以，根據(jù)第四實(shí)施例的氮化物基半導(dǎo)體LED對(duì)于ESD具有較高的抵抗力，并且同時(shí)，可以在正向偏壓和反向偏壓下工作。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)施加正向偏壓時(shí)，氮化物基半導(dǎo)體LED用作p-n二極管。而且，當(dāng)施加反向偏壓時(shí)，氮化物基半導(dǎo)體LED用作具有p-n-p-n結(jié)構(gòu)的肖特基二極管。這樣，在正向偏壓和反向偏壓下工作的氮化物基半導(dǎo)體LED對(duì)于ESD具有較高的抵抗力。
而且，在本發(fā)明中，不需設(shè)置用于提高對(duì)ESD的抵抗力的單獨(dú)元件，從而確保了空間容限(spatial margin)。因此，可以減小氮化物基半導(dǎo)體LED的尺寸，且同時(shí)增加了發(fā)光面積，從而提高了亮度特性。
而且，減少了電極的數(shù)量，從而可以簡(jiǎn)化整個(gè)制造工藝。因此，可以提高氮化物基半導(dǎo)體LED的產(chǎn)量。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的幾個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不背離總發(fā)明構(gòu)思(其范圍由權(quán)利要求及其等同物限定)的原則和精神的前提下，可以對(duì)這些實(shí)施例做出改變。
權(quán)利要求
1.一種氮化物基半導(dǎo)體LED，包括陽(yáng)極；第一p型包覆層，具有與所述陽(yáng)極相接觸的第二n型包覆層，所述第一p型包覆層形成于所述陽(yáng)極下方，從而所述第一p型包覆層的一部分與所述陽(yáng)極相接觸；活性層，形成于所述第一p型包覆層下方；第一n型包覆層，具有不與所述活性層相接觸的第二p型包覆層，所述第一n型包覆層形成于所述活性層的整個(gè)下表面上；以及陰極，形成于所述第一n型包覆層和所述第二p型包覆層的下方，以便與所述第一n型包覆層的一部分和所述第二p型包覆層相接觸。
2.一種氮化物基半導(dǎo)體LED，包括陽(yáng)極；第一n型包覆層，具有與所述陽(yáng)極相接觸的第二p型包覆層，所述第一n型包覆層形成于所述陽(yáng)極下方，從而所述第一n型包覆層的一部分與所述陽(yáng)極相接觸；活性層，形成于所述第一n型包覆層下方；第一p型包覆層，具有不與所述活性層相接觸的第二n型包覆層，所述第一p型包覆層形成于所述活性層的整個(gè)下表面上；以及陰極，形成于所述第一p型包覆層和所述第二n型包覆層的下方，以便與所述第一p型包覆層的一部分和所述第二n型包覆層相接觸。
3.一種氮化物基半導(dǎo)體LED，包括襯底；第一n型包覆層，具有不與所述襯底相接觸的第二p型包覆層，所述第一n型包覆層形成于所述襯底的整個(gè)上表面上；活性層，形成于所述第一n型包覆層的預(yù)定區(qū)域上；第一p型包覆層，具有不與所述活性層相接觸的第二n型包覆層，所述第一p型包覆層形成于所述活性層的整個(gè)上表面上；陽(yáng)極，形成于所述第一p型包覆層的一部分和所述第二n型包覆層上；以及陰極，形成在未形成有所述活性層的所述第一n型包覆層的一部分和所述第二p型包覆層上。
4.一種氮化物基半導(dǎo)體LED，包括襯底；第一p型包覆層，具有不與所述襯底相接觸的第二n型包覆層，所述第一p型包覆層形成于所述襯底的整個(gè)上表面上；活性層，形成在所述第一p型包覆層的預(yù)定區(qū)域上；第一n型包覆層，具有不與所述活性層相接觸的第二p型包覆層，所述第一n型包覆層形成于所述活性層的整個(gè)上表面上；陽(yáng)極，形成于所述第一n型包覆層的一部分和所述第二p型包覆層上；以及陰極，形成于未形成所述活性層的所述第一p型包覆層的一部分和所述第二n型包覆層上。
全文摘要
一種氮化物基半導(dǎo)體LED，包括陽(yáng)極；第一p型包覆層，具有與陽(yáng)極相接觸的第二n型包覆層，該第一p型包覆層形成于陽(yáng)極下方，從而第一p型包覆層的一部分與陽(yáng)極相接觸；活性層，形成在第一p型包覆層下方；第一n型包覆層，具有不與活性層相接觸的第二p型包覆層，該第一n型包覆層形成于活性層的整個(gè)下表面上；以及陰極，形成于第一n型包覆層和第二p型包覆層的下方，以便與第一n型包覆層的一部分和第二p型包覆層相接觸。
文檔編號(hào)H01L33/32GK101083291SQ20071010304
公開(kāi)日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2007年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月30日
發(fā)明者文元河, 崔昌煥, 黃永南 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社