專利名稱：電感結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種電感結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種能夠改善Q值的電感結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般而言，由于電感是經(jīng)由電磁的互相轉(zhuǎn)換，擁有儲存和釋放能量的功能，因此電感可作為穩(wěn)定電流的元件。此外，電感的應(yīng)用范圍相當(dāng)?shù)貜V泛，例如電感就常被應(yīng)用于無線射頻(radio frequency，RF)電路。在集成電路中，電感為十分重要但是卻極具挑戰(zhàn)性的無源元件。就電感的效能而言，電感的品質(zhì)越高，即代表電感具有較高的品質(zhì)因子(quality factor)，以Q值表示。Q值的定義如下Q＝ω×L/R其中，ω為角頻率(angular frequency)，L為線圈的電感值(inductance)，而R為在特定頻率下將電感損失列入考慮的電阻(resistance)。
就現(xiàn)今發(fā)展來說，將電感與集成電路工藝相結(jié)合，已有各種方法及技術(shù)。然而，在集成電路中，電感金屬厚度的限制以及硅基底對電感的干擾都會導(dǎo)致電感的品質(zhì)不佳。已知技術(shù)通過將較厚的金屬配置在電感的最上層，來降低導(dǎo)體損耗(conductor loss)，以提高電感的Q值。然而，當(dāng)金屬厚度增加到一定的程度之后，Q值的改善就變得不明顯。由于電感配置的位置大都很接近硅基底，因此硅基底跟電感之間產(chǎn)生的寄生電容(parasitic capacitance)會增加，造成電感的電阻值增加，因而導(dǎo)致消耗大量的能量，使得電感的品質(zhì)降低。所以，如何解決上述工藝中會遭遇的種種問題，并提升電感的Q值及降低導(dǎo)體損耗，是目前業(yè)界積極發(fā)展的重點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電感結(jié)構(gòu)，能夠降低基底與電感之間所產(chǎn)生的寄生電容，并提升電感的品質(zhì)。
本發(fā)明提出一種電感結(jié)構(gòu)，其配置于基底上。此電感結(jié)構(gòu)包括第一螺旋狀導(dǎo)線、第二螺旋狀導(dǎo)線以及遮蔽結(jié)構(gòu)。第一螺旋狀導(dǎo)線至少包括第一外導(dǎo)線與第一內(nèi)導(dǎo)線，其中第一外導(dǎo)線與第一內(nèi)導(dǎo)線串聯(lián)。第一內(nèi)導(dǎo)線旋入第一螺旋狀導(dǎo)線的內(nèi)側(cè)。第二螺旋狀導(dǎo)線對應(yīng)于一個(gè)對稱平面與第一螺旋狀導(dǎo)線相互纏繞。第二螺旋狀導(dǎo)線至少包括第二外導(dǎo)線與第二內(nèi)導(dǎo)線，其中第二外導(dǎo)線與第二內(nèi)導(dǎo)線串聯(lián)。第二內(nèi)導(dǎo)線旋入第二螺旋狀導(dǎo)線之內(nèi)側(cè)并與第一內(nèi)導(dǎo)線相連接。第一遮蔽層對應(yīng)于第一外導(dǎo)線的投影，配置于第一外導(dǎo)線與基底之間。第二遮蔽層則對應(yīng)于第二外導(dǎo)線的投影，配置于第二外導(dǎo)線與基底之間。其中，第一遮蔽層與第二遮蔽層分別接地，且相互對稱于對稱平面。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖1B是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖1C為沿著圖1A中的I-I’剖面線的剖面示意圖。
圖2A是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2B是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2C為沿著圖2A中的I-I’剖面線的剖面示意圖。
圖2D是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2E是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2F是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2G是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2H是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖2I是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖3為本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)與已知的電感結(jié)構(gòu)應(yīng)用于對稱式差動(dòng)電感所得的Q值比較曲線圖。
圖4為本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)與已知的電感結(jié)構(gòu)應(yīng)用于單端式電感所得的Q值比較曲線圖。
主要元件符號說明100、200電感結(jié)構(gòu)
102基底104介電層106、108螺旋狀導(dǎo)線106a、108a外導(dǎo)線106b、108b內(nèi)導(dǎo)線106c、108c連接導(dǎo)線107a、107b、109a、109b端點(diǎn)110遮蔽結(jié)構(gòu)111、112遮蔽層111a、112a遮蔽圖案114、116接地導(dǎo)線124a、124b、128a、128b接合導(dǎo)線120對稱平面122a、122b、126a、126b介層窗具體實(shí)施方式
圖1A是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖1B是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖1C為沿著圖1A中的I-I’剖面線的剖面示意圖。
請同時(shí)參照圖1A、圖1B與圖1C，電感結(jié)構(gòu)100配置于基底102上的介電層104中。電感結(jié)構(gòu)100包括螺旋狀導(dǎo)線106、螺旋狀導(dǎo)線108以及遮蔽結(jié)構(gòu)110。其中，電感結(jié)構(gòu)100可通過半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，基底102例如是硅基底。介電層104的材料例如是氧化硅或其他介電材料。螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108的材料可以是金屬，其例如是銅、鋁銅合金等材料。遮蔽結(jié)構(gòu)110的材料可以是導(dǎo)電材料，其例如是多晶硅或金屬等材料。此外，在第一實(shí)施例中，電感結(jié)構(gòu)100的配置為八邊形(如圖1A所示)，然而本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)并不局限于實(shí)施例中所繪示的配置方式。
承上述，螺旋狀導(dǎo)線106至少包括外導(dǎo)線106a與內(nèi)導(dǎo)線106b，其中外導(dǎo)線106a與內(nèi)導(dǎo)線106b串聯(lián)。螺旋狀導(dǎo)線106具有端點(diǎn)107a及端點(diǎn)107b。端點(diǎn)107a例如是外導(dǎo)線106a的末端，端點(diǎn)107b則例如是內(nèi)導(dǎo)線106b的末端。也就是說，端點(diǎn)107a配置于螺旋狀導(dǎo)線106的外側(cè)，而端點(diǎn)107b旋入螺旋狀導(dǎo)線106的內(nèi)側(cè)。
螺旋狀導(dǎo)線108例如是與螺旋狀導(dǎo)線106配置于相同的高度平面上。螺旋狀導(dǎo)線108與螺旋狀導(dǎo)線106于對稱平面120的兩側(cè)，呈鏡像配置而相互纏繞，以形成對稱的螺旋回圈結(jié)構(gòu)，其中對稱平面120的延伸方向例如是朝向頁面內(nèi)。螺旋狀導(dǎo)線108至少包括外導(dǎo)線108a與內(nèi)導(dǎo)線108b，且外導(dǎo)線108a與內(nèi)導(dǎo)線108b之間是以串聯(lián)的方式相連接。螺旋狀導(dǎo)線108具有端點(diǎn)109a與端點(diǎn)109b。端點(diǎn)109a例如是外導(dǎo)線108a的末端，而端點(diǎn)109b例如是內(nèi)導(dǎo)線108b的末端。端點(diǎn)109a例如是對稱于端點(diǎn)107a的位置，配置于螺旋狀導(dǎo)線108的外側(cè)。而端點(diǎn)109b例如是對稱于端點(diǎn)107b的位置，旋入螺旋狀導(dǎo)線108的內(nèi)側(cè)，且端點(diǎn)107b與端點(diǎn)109b會于對稱平面120上相連接。也就是說，螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108交會連接于對稱的螺旋回圈結(jié)構(gòu)的最內(nèi)圈。
如圖1A所示，螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108例如是相互纏繞成三圈的繞線結(jié)構(gòu)。因此，螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108還可以分別包括連接導(dǎo)線106c與連接導(dǎo)線108c。連接導(dǎo)線106c例如是配置于外導(dǎo)線106a與內(nèi)導(dǎo)線106b之間。外導(dǎo)線106a與內(nèi)導(dǎo)線106b例如是通過連接導(dǎo)線106c進(jìn)行串聯(lián)。而連接導(dǎo)線108c例如是配置于外導(dǎo)線108a與內(nèi)導(dǎo)線108b之間。且外導(dǎo)線108a與內(nèi)導(dǎo)線108b例如是通過連接導(dǎo)線108c進(jìn)行串聯(lián)。
當(dāng)然，螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108相互纏繞所構(gòu)成的圈數(shù)并不局限于圖1A中所繪示的三圈。在其他實(shí)施例中，在螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108相互纏繞成兩圈繞線的情況下，外導(dǎo)線106a與內(nèi)導(dǎo)線106b可以直接進(jìn)行串聯(lián)，而外導(dǎo)線108a與內(nèi)導(dǎo)線108b亦是如此。此外，還可以于外導(dǎo)線106a與內(nèi)導(dǎo)線106b之間配置多圈的連接導(dǎo)線106c，且相對應(yīng)地于外導(dǎo)線108a與內(nèi)導(dǎo)線108b之間配置多圈的連接導(dǎo)線108c，使螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108纏繞成大于三圈繞線的螺旋回圈結(jié)構(gòu)，在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可視其需求進(jìn)行調(diào)整。
請繼續(xù)參照圖1A，螺旋狀導(dǎo)線106及螺旋狀導(dǎo)線108相互纏繞的方式例如是使螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108交錯(cuò)于對稱平面120上。螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108于交錯(cuò)位置互不接觸，以避免短路的情況發(fā)生。舉例來說，外導(dǎo)線108a例如是通過介層窗122a連接至下方的接合導(dǎo)線124a，再通過介層窗122b將接合導(dǎo)線124a連接至連接導(dǎo)線108c，使螺旋狀導(dǎo)線108可以在交錯(cuò)處從螺旋狀導(dǎo)線106的下方通過，避免螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108接觸。至于外導(dǎo)線106a與連接導(dǎo)線106c則由位于相同高度平面的接合導(dǎo)線124b進(jìn)行連接。另一方面，連接導(dǎo)線106c與內(nèi)導(dǎo)線106b之間例如是依序通過介層窗126a、接合導(dǎo)線128a與介層窗126b連接，使螺旋狀導(dǎo)線106在交錯(cuò)位置可以從螺旋狀導(dǎo)線108的下方通過。至于連接導(dǎo)線108c與內(nèi)導(dǎo)線108b則由位于相同高度平面的接合導(dǎo)線128b進(jìn)行連接。
另一方面，請繼續(xù)參照圖1A、圖1B以及圖1C，遮蔽結(jié)構(gòu)110包括遮蔽層111與遮蔽層112。遮蔽層112例如是與遮蔽層111配置于相同的高度平面上。遮蔽層111對應(yīng)于外導(dǎo)線106a的投影，配置于外導(dǎo)線106a與基底102之間。遮蔽層112則對應(yīng)外導(dǎo)線108a的投影，配置于外導(dǎo)線108a與基底102之間，且遮蔽層111與遮蔽層112分別接地。此外，遮蔽層111與遮蔽層112相互對稱于對稱平面120的兩側(cè)，且彼此分離而不會相互連接。也就是說，遮蔽層111與遮蔽層112例如是構(gòu)成一個(gè)具有兩個(gè)缺口的環(huán)狀結(jié)構(gòu)(如圖1B所示)。環(huán)狀結(jié)構(gòu)上的缺口例如是沿著對稱平面120配置，且缺口的位置例如是對應(yīng)于螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108的交錯(cuò)位置的投影。如此，在電感結(jié)構(gòu)100中，至少外導(dǎo)線106a與外導(dǎo)線108a的投影會落在遮蔽結(jié)構(gòu)110上。
特別說明的是，當(dāng)上述的電感結(jié)構(gòu)100應(yīng)用于對稱式差動(dòng)電感，亦即施加于端點(diǎn)107a上的電壓與施加于端點(diǎn)109a上的電壓為絕對值相等且電性相反的電壓時(shí)，在螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108構(gòu)成的繞線結(jié)構(gòu)中，越往繞線的內(nèi)部，其電壓的絕對值會遞減。也就是說，外導(dǎo)線106a與外導(dǎo)線108a具有較大的電場。由于遮蔽結(jié)構(gòu)110阻隔在電場較大的外導(dǎo)線106a、外導(dǎo)線108a與基底102之間，且遮蔽層111與遮蔽層112分別接地，如此一來，即可降低外導(dǎo)線106a、外導(dǎo)線108a與基底102之間產(chǎn)生寄生電容，而減少能量的損耗。此外，當(dāng)上述的電感結(jié)構(gòu)100應(yīng)用于單端式電感，亦即端點(diǎn)107a或端點(diǎn)109a其中一端施加電壓，而另一端接地時(shí)，遮蔽層111與遮蔽層112亦能提供相同的效果，進(jìn)而減少能量的損耗。
圖2A是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2B是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2C為沿著圖2A中的I-I’剖面線的剖面示意圖。在圖2A至圖2C中，與圖1A至圖1C相同的構(gòu)件則使用相同的標(biāo)號并省略其說明。
本發(fā)明另提出一種電感結(jié)構(gòu)，請同時(shí)參照圖2A、圖2B與圖2C，組成電感結(jié)構(gòu)200的構(gòu)件與組成電感結(jié)構(gòu)100的構(gòu)件相同，其中主要的差異在于在電感結(jié)構(gòu)200中，除了外導(dǎo)線106a與外導(dǎo)線108a外，連接導(dǎo)線106c、連接導(dǎo)線108c、內(nèi)導(dǎo)線106b與內(nèi)導(dǎo)線108b的投影皆會落在遮蔽結(jié)構(gòu)110上。亦即，遮蔽層111可以遮蔽外導(dǎo)線106a、連接導(dǎo)線108c以及內(nèi)導(dǎo)線106b。而遮蔽層112可以遮蔽外導(dǎo)線108a、連接導(dǎo)線106c以及內(nèi)導(dǎo)線108b。
值得一提的是，遮蔽結(jié)構(gòu)110只要能遮蔽電場強(qiáng)度較大的外導(dǎo)線106a與外導(dǎo)線108a，即可降低電感結(jié)構(gòu)100與基底102之間產(chǎn)生的寄生電容，降低電阻值，減少能量的損失(如圖1C所示)。另一方面，以圖2C為例，除了于交錯(cuò)處外，螺旋狀導(dǎo)線106與螺旋狀導(dǎo)線108的投影例如是全落在遮蔽結(jié)構(gòu)110上。在此種情況下，遮蔽結(jié)構(gòu)110能夠于電感結(jié)構(gòu)200以及基底102之間產(chǎn)生更佳的遮蔽效果，進(jìn)而達(dá)到提升電感結(jié)構(gòu)200的Q值的功效。此外，若僅有外導(dǎo)線106a、外導(dǎo)線108a、連接導(dǎo)線106c與連接導(dǎo)線108c的投影落在遮蔽結(jié)構(gòu)110上(未繪示)，在此實(shí)施例中亦能達(dá)到提升電感結(jié)構(gòu)的Q值的功效。
圖2D是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2E是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。在圖2D至圖2E中，與圖2A至圖2B相同的構(gòu)件則使用相同的標(biāo)號并省略其說明。
請同時(shí)參照圖2D與圖2E，遮蔽層111還可以是由兩個(gè)以上的遮蔽圖案111a所構(gòu)成，而遮蔽層112可以是由兩個(gè)以上的遮蔽圖案112a所構(gòu)成。遮蔽圖案111a與遮蔽圖案112a例如是于對稱平面120的兩側(cè)呈鏡像配置。換言之，構(gòu)成遮蔽層111的遮蔽圖案111a的數(shù)量例如是相等于構(gòu)成遮蔽層112的遮蔽圖案112a的數(shù)量。再者，當(dāng)遮蔽層111與遮蔽層112包含多個(gè)遮蔽圖案111a與112a時(shí)，遮蔽層111與遮蔽層112接地的方式例如是將各個(gè)遮蔽圖案111a與各個(gè)遮蔽圖案112a分別接地。
圖2F是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2G是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。在圖2F至圖2G中，與圖2D至圖2E相同的構(gòu)件則使用相同的標(biāo)號并省略其說明。
當(dāng)遮蔽層111與遮蔽層112包含多個(gè)遮蔽圖案111a與112a時(shí)，還可以利用其他的方式使遮蔽層111與遮蔽層112分別接地。請同時(shí)參照圖2F與圖2G，位于對稱平面120同一側(cè)的遮蔽圖案111a例如是通過接地導(dǎo)線114將遮蔽圖案111a一一串聯(lián)起來，再將接地導(dǎo)線114接地。而同樣地，位于對稱平面120另一側(cè)的各個(gè)遮蔽圖案112a例如是通過接地導(dǎo)線116串聯(lián)，再將接地導(dǎo)線116接地。如此，即可達(dá)到將遮蔽層111與遮蔽層112分別接地的效果。
圖2H是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的電感結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2I是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的遮蔽結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。在圖2H至圖2I中，與圖2D至圖2E相同的構(gòu)件則使用相同的標(biāo)號并省略其說明。
當(dāng)遮蔽層111與遮蔽層112包含多個(gè)遮蔽圖案111a與112a時(shí)，還可以利用其他的方式使遮蔽層111與遮蔽層112分別接地。請同時(shí)參照圖2H與圖2I，在此實(shí)施例中，遮蔽層111包含兩個(gè)遮蔽圖案111a，其中一個(gè)遮蔽圖案111a接地，而另一遮蔽圖案111a例如是通過接地導(dǎo)線114將兩個(gè)遮蔽圖案111a連接起來，再透過接地的遮蔽圖案111a，達(dá)到接地的效果。同樣地，遮蔽層112包含兩個(gè)遮蔽圖案112a，其中一個(gè)遮蔽圖案112a接地，而另一遮蔽圖案112a例如是通過接地導(dǎo)線116將兩個(gè)遮蔽圖案112a連接起來，再透過接地的遮蔽圖案112a，達(dá)到接地的效果。如此，即可達(dá)到將遮蔽層111與遮蔽層112分別接地的效果。此外，在另一實(shí)施例中，接地的遮蔽圖案相互對稱于對稱面上(未繪示)。以上以具有兩個(gè)遮蔽圖案的遮蔽層做說明，然而本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，每一遮蔽層可包含兩個(gè)以上的遮蔽圖案對稱配置。此外，每一遮蔽層的接地方式亦不限于上述的實(shí)施例，只要使各個(gè)遮蔽層分別接地即可。
圖3為本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)與已知的電感結(jié)構(gòu)應(yīng)用于對稱式差動(dòng)電感所得的Q值比較曲線圖。圖4為本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)與已知的電感結(jié)構(gòu)應(yīng)用于單端式電感所得的Q值比較曲線圖。
請參照圖3，由實(shí)際測試的結(jié)果可知在頻率從0至20GHz的范圍內(nèi)，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)100與200都比已知的電感結(jié)構(gòu)具有較高的Q值。因此，無論在低頻或者高頻的頻率范圍中，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)確實(shí)能夠顯著地提升電感品質(zhì)，且更進(jìn)一步地?cái)U(kuò)大電感結(jié)構(gòu)所使用的頻率范圍。
請參照圖4，同樣地，由實(shí)際測試的結(jié)果可知相較于已知的電感結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)100與200的Q值都具有顯著地提升。因此，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)可以有效地降低寄生電容的產(chǎn)生，改善電感品質(zhì)。
綜上所述，在本發(fā)明所提出的電感結(jié)構(gòu)中，利用對稱于對稱平面且具有缺口的環(huán)形遮蔽結(jié)構(gòu)，配置于螺旋狀導(dǎo)線與基底之間。由于遮蔽結(jié)構(gòu)至少可以遮蔽具有較高電場的外導(dǎo)線，且遮蔽結(jié)構(gòu)中的遮蔽層分別接地，因此，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)能夠降低基底與金屬之間產(chǎn)生的寄生電容，減少能量消耗，提高對稱式差動(dòng)電感與單端式電感的品質(zhì)。
另一方面，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)可應(yīng)用的頻率范圍可以保持在無線射頻電路所使用的范圍內(nèi)，并可以將電感結(jié)構(gòu)的制造過程整合于現(xiàn)行的工藝中，可有助于降低工藝所需的成本。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電感結(jié)構(gòu)，配置于基底上，包括一第一螺旋狀導(dǎo)線，該第一螺旋狀導(dǎo)線至少包括一第一外導(dǎo)線與一第一內(nèi)導(dǎo)線，其中該第一外導(dǎo)線與該第一內(nèi)導(dǎo)線串聯(lián)，該第一內(nèi)導(dǎo)線旋入該第一螺旋狀導(dǎo)線的內(nèi)側(cè)；一第二螺旋狀導(dǎo)線，對應(yīng)于一對稱平面與該第一螺旋狀導(dǎo)線相互纏繞，該第二螺旋狀導(dǎo)線至少包括一第二外導(dǎo)線與一第二內(nèi)導(dǎo)線，其中該第二外導(dǎo)線與該第二內(nèi)導(dǎo)線串聯(lián)，該第二內(nèi)導(dǎo)線旋入該第二螺旋狀導(dǎo)線的內(nèi)側(cè)且與該第一內(nèi)導(dǎo)線相連接；以及一遮蔽結(jié)構(gòu)，包括一第一遮蔽層，對應(yīng)于該第一外導(dǎo)線的投影，配置于該第一外導(dǎo)線與該基底之間；以及一第二遮蔽層，對應(yīng)于該第二外導(dǎo)線的投影，配置于該第二外導(dǎo)線與該基底之間，其中該第一遮蔽層與該第二遮蔽層分別接地，且相互對稱于該對稱平面。
2.如權(quán)利要求1所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第一遮蔽層與該第二遮蔽層彼此分離。
3.如權(quán)利要求1所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第一內(nèi)導(dǎo)線的投影落在該遮蔽結(jié)構(gòu)上。
4.如權(quán)利要求3所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第二內(nèi)導(dǎo)線的投影落在該遮蔽結(jié)構(gòu)上。
5.如權(quán)利要求1所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第一螺旋狀導(dǎo)線還包括至少一第一連接導(dǎo)線，該第一連接導(dǎo)線連接該第一外導(dǎo)線與該第一內(nèi)導(dǎo)線，該第二螺旋狀導(dǎo)線還包括至少一第二連接導(dǎo)線，該第二連接導(dǎo)線連接該第二外導(dǎo)線與該第二內(nèi)導(dǎo)線，其中該第一連接導(dǎo)線與該第二連接導(dǎo)線對稱于該對稱平面。
6.如權(quán)利要求5所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第一連接導(dǎo)線的投影落在該遮蔽結(jié)構(gòu)上。
7.如權(quán)利要求6所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第二連接導(dǎo)線的投影落在該遮蔽結(jié)構(gòu)上。
8.如權(quán)利要求1所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第一遮蔽層由至少一第一遮蔽圖案所構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求8所述的電感結(jié)構(gòu)，其中該第二遮蔽層由至少一第二遮蔽圖案所構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電感結(jié)構(gòu)，包括第一螺旋狀導(dǎo)線、第二螺旋狀導(dǎo)線及遮蔽結(jié)構(gòu)。第一螺旋狀導(dǎo)線包括第一外導(dǎo)線與第一內(nèi)導(dǎo)線串聯(lián)。第二螺旋狀導(dǎo)線對應(yīng)于一個(gè)對稱平面與第一螺旋狀導(dǎo)線相互纏繞。第二螺旋狀導(dǎo)線包括第二外導(dǎo)線與第二內(nèi)導(dǎo)線串聯(lián)。第二內(nèi)導(dǎo)線與第一內(nèi)導(dǎo)線相連接。遮蔽結(jié)構(gòu)包括第一遮蔽層與第二遮蔽層。第一遮蔽層對應(yīng)于第一外導(dǎo)線的投影，配置于第一外導(dǎo)線與基底之間。第二遮蔽層對應(yīng)于第二外導(dǎo)線的投影，配置于第二外導(dǎo)線與基底之間。第一遮蔽層與第二遮蔽層分別接地，且相互對稱于對稱平面。
文檔編號H01F41/00GK101090032SQ20071010398
公開日2007年12月19日 申請日期2007年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月17日
發(fā)明者李勝源 申請人:威盛電子股份有限公司