專利名稱：半導(dǎo)體器件、其制造方法、電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件制造方法的改善、使用該半導(dǎo)體器件的電光裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)制作有機(jī)半導(dǎo)體晶體管等半導(dǎo)體器件的技術(shù)，已被提出。例如，在2005-215616號(hào)公報(bào)中記述了下述例子，該例子為，以1個(gè)光刻加工過(guò)程制作像素、數(shù)據(jù)布線及周邊部的布線，其后通過(guò)以使用液體材料的液相加工過(guò)程對(duì)各種功能膜成膜，來(lái)制作有源矩陣基板。例如，在利用液體材料的成膜過(guò)程中采用噴墨法等的印刷法，將PEDOT(聚乙烯二氧噻吩)等的導(dǎo)電性有機(jī)物涂敷于基板上，使之干燥來(lái)形成電路布線。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2005-215616號(hào)公報(bào)但是，以在印刷法中使用的PEDOT等為代表的導(dǎo)電性有機(jī)物其電阻率較高。另外，在印刷金屬分散液并使之干燥后的布線中，因?yàn)椴牧媳旧淼膶?dǎo)電率或由有機(jī)半導(dǎo)體退火而產(chǎn)生的特性劣化或者塑料基板的?；瘻囟鹊偷南拗疲詿o(wú)法提高涂敷并干燥后的金屬層的退火溫度，而不能得到較高的電導(dǎo)率。因此，例如若采用印刷法形成了高清晰、大畫面的有源矩陣方式顯示面板的柵布線組，則使像素驅(qū)動(dòng)晶體管進(jìn)行工作的驅(qū)動(dòng)信號(hào)因柵布線電阻而產(chǎn)生的延遲時(shí)間增大。
另外，在有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵絕緣膜制造工序中，在采用旋轉(zhuǎn)涂敷法等將柵絕緣膜形成到基板整面上時(shí)，如果想要在其后通過(guò)印刷法形成柵電極、柵布線等，則為了使柵布線和周邊部的布線導(dǎo)通，需要在柵絕緣膜形成接觸孔。在基板上形成有機(jī)半導(dǎo)體層之后形成接觸孔的情況下，若使用了下述光致蝕刻加工，則易于給有機(jī)半導(dǎo)體帶來(lái)?yè)p傷，該光致蝕刻加工使用與有機(jī)半導(dǎo)體相同的有機(jī)物的抗蝕劑。作為避免損傷的手段，雖然也能夠在柵絕緣層以利用針等的物理性方法開(kāi)出接觸孔，但是需要人工和時(shí)間，不適合批量生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明所涉及的一個(gè)方式其目的為，提供能夠使要使用的下述柵線(柵布線)電阻值降低的半導(dǎo)體器件、電光裝置及電子設(shè)備，該柵線用來(lái)在有源矩陣方式顯示器所使用的有機(jī)半導(dǎo)體器件中傳輸柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
另外，本發(fā)明所涉及的另一個(gè)方式其目的為，提供不用開(kāi)出接觸孔使柵線的電阻值下降、改善了響應(yīng)特性的半導(dǎo)體器件、電光裝置及電子設(shè)備。
另外，本發(fā)明所涉及的再一個(gè)方式其目的為，提供能夠使更使用的下述有機(jī)半導(dǎo)體器件的柵線(柵布線)電阻值降低的半導(dǎo)體器件的制造方法，該有機(jī)半導(dǎo)體器件用于有源矩陣方式的顯示器中。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體器件其特征為，具備有機(jī)半導(dǎo)體晶體管，形成于基板上；數(shù)據(jù)線，與上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的源或漏電極進(jìn)行連接；以及柵線，其配置為與上述數(shù)據(jù)線交叉，并且連接于上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵電極；上述柵線包括上述柵電極；第1柵線，用來(lái)對(duì)該柵電極傳輸信號(hào)；以及第2柵線，通過(guò)層間絕緣層與上述數(shù)據(jù)線交叉；上述柵電極、上述第1及第2柵線相互串聯(lián)連接，并且上述第1柵線的導(dǎo)電率比上述柵電極及上述第2柵線的導(dǎo)電率高。
通過(guò)采用此構(gòu)成，使柵線(柵信號(hào)線)中的信號(hào)延遲得以減少。
優(yōu)選的是，上述第2柵線及上述柵電極是與上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體層相比存在于上層的同一膜。另外，優(yōu)選的是，上述第2柵線及上述柵電極被一體形成。另外，優(yōu)選的是，上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵絕緣層及上述層間絕緣膜是與上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體層相比存在于上層的同一膜。
由此，可以采用噴墨法等的印刷法來(lái)完成該成膜、圖形形成，能夠避免對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層因腐蝕、熱加工而產(chǎn)生的損傷。
優(yōu)選的是，上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵絕緣層和存在于上述數(shù)據(jù)線及上述第2柵線間的層間絕緣膜被一體形成。由此，能夠減少印刷法中的涂敷(排出)次數(shù)。
優(yōu)選的是，上述第1柵線的線寬比上述柵電極及上述第2柵線的線寬小。由此，能夠提高有源矩陣方式的顯示器中像素的開(kāi)口效率。
優(yōu)選的是，上述第2柵線及上述柵電極采用印刷法來(lái)形成。優(yōu)選的是，上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵絕緣層及上述層間絕緣膜采用印刷法來(lái)形成。由此，能夠避免對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層的因腐蝕、熱加工而產(chǎn)生的損傷。另外，由于直接進(jìn)行圖形形成，因而能夠減少制造過(guò)程中的工序數(shù)。
上述的半導(dǎo)體器件通過(guò)用于有機(jī)EL裝置、液晶顯示裝置、電泳顯示裝置等的電光裝置、電子設(shè)備中，而能夠改善該裝置的性能。
另外，本發(fā)明的電光裝置其特征為，具備像素電極基板，該像素電極基板包括多條數(shù)據(jù)線，按一個(gè)方向延伸；多條柵線，其配置為與上述多條數(shù)據(jù)線交叉；多個(gè)像素電極，配置于由上述多條數(shù)據(jù)線和上述多條柵線劃定的區(qū)域內(nèi)；以及多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體晶體管，配置于上述數(shù)據(jù)線和上述柵線之間的交叉點(diǎn)旁邊；上述柵線包括上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵電極；第1柵線，用來(lái)給該柵電極傳輸信號(hào)；以及第2柵線，通過(guò)層間絕緣層與上述數(shù)據(jù)線交叉；上述柵電極、上述第1及第2柵線相互串聯(lián)連接，上述第1柵線的導(dǎo)電率比上述柵電極及上述第2柵線的導(dǎo)電率高。
通過(guò)采用此構(gòu)成，與采用印刷法來(lái)形成柵線整體的情形相比，電阻值得以減低，柵線中的信號(hào)延遲得以減少。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括第1工序，在絕緣基板上形成第1柵線、至少2個(gè)源、漏電極及數(shù)據(jù)線；第2工序，在上述源、漏電極間使有機(jī)半導(dǎo)體成膜；第3工序，在上述有機(jī)半導(dǎo)體層及上述數(shù)據(jù)線上分別采用印刷法形成柵絕緣膜及層間絕緣膜；以及第4工序，在上述柵絕緣膜及上述層間絕緣膜上分別采用印刷法形成與上述第1柵線連接的柵電極及第2柵線。
通過(guò)采用此構(gòu)成，能夠減少柵線(柵信號(hào)線)中的信號(hào)延遲。另外，還能夠避免對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層因腐蝕、熱加工而產(chǎn)生的損傷。
優(yōu)選的是，上述第1工序采用非印刷法，或者在比上述有機(jī)半導(dǎo)體出現(xiàn)劣化的溫度高的溫度的狀況下進(jìn)行導(dǎo)電材料的熱處理，使上述第1柵線低電阻化。由此，能夠使第1柵線的電阻低電阻化。作為非印刷法，例如優(yōu)選的是采用蒸鍍法或?yàn)R射法使金屬材料成膜來(lái)形成柵線的工序。由此，能夠得到低電阻的柵線(柵電極)。
優(yōu)選的是，上述第3工序?qū)⑸鲜鰱沤^緣膜及層間絕緣膜一體形成。并且優(yōu)選的是，將上述第4柵電極及第2柵線一體形成。據(jù)此，使加工過(guò)程簡(jiǎn)單化。
優(yōu)選的是，上述第1柵線的寬度形成得比上述柵電極及上述第2柵線的寬度小。由此，柵線的面積得以減少，能夠相對(duì)擴(kuò)大像素電極的面積，使有源矩陣方式的像素基板的像素的開(kāi)孔效率得到提高。


圖1是說(shuō)明第1實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管(半導(dǎo)體器件)制造工序的工序圖。
圖2是說(shuō)明第1實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3是說(shuō)明第2實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管制造過(guò)程的工序圖。
圖4是說(shuō)明第2實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5是說(shuō)明第3實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管制造工序的工序圖。
圖6是說(shuō)明第3實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖7是說(shuō)明第4實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管制造過(guò)程的工序圖。
圖8是說(shuō)明第4實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖9是說(shuō)明使用本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的有源矩陣基板例的平面圖。
圖10是說(shuō)明第5實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的平面圖。
圖11是說(shuō)明使用本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的電子設(shè)備例的說(shuō)明圖。
符號(hào)說(shuō)明101基板，102第1柵線，104接觸孔，105源、漏電極，106像素電極，107數(shù)據(jù)線，108有機(jī)半導(dǎo)體區(qū)域，109柵絕緣層，109a柵絕緣層，109b層間絕緣層，110a柵電極，110b第2柵線，110c柵電極布線具體實(shí)施方式
下面，對(duì)于本發(fā)明最佳的多個(gè)實(shí)施例，參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。在各附圖中，在對(duì)應(yīng)的部分上附上相同的符號(hào)。
(第1實(shí)施例)圖1至圖4表示出將本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管用于顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路的例子。圖1是說(shuō)明作為半導(dǎo)體器件的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管制造工序的工序圖，圖2是像素驅(qū)動(dòng)電路的平面圖。
在該實(shí)施例中，已在基板上形成低電阻的柵線(布線)，并通過(guò)由印刷法進(jìn)行的同一工序進(jìn)行柵線之間的連接、柵電極的形成。
首先，如圖1(A)所示，在絕緣基板101上一并形成第1柵線102、數(shù)據(jù)線107、源、漏電極105、像素電極106(參見(jiàn)圖2)、用來(lái)和外部驅(qū)動(dòng)裝置連接的端子以及外部的連接布線等(未圖示)。
作為絕緣基板101，例如可以使用PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)等的塑料基板、玻璃基板。作為其他的基板材料，除了由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚酰亞胺(PI)等構(gòu)成的塑料基板(樹(shù)脂基板)之外，只要是具有柔性的基板，還可以采用玻璃基板、硅基板、金屬基板及砷化鎵基板等。
第1柵線102、數(shù)據(jù)線107、源、漏電極105及像素電極106等可以采用蒸鍍法、濺射法來(lái)堆積鋁、鎳、銅、鈦、銀、金及鉑等的金屬，并使用光刻加工對(duì)所堆積的金屬膜進(jìn)行圖形形成。
另外，也可以采用以噴墨(液滴排出)法為代表的印刷法，將包括金屬微粒的溶液排出(或者涂敷)，并進(jìn)行干燥加熱來(lái)形成。在溶液涂敷后將溶劑去除，并且在使用金屬微粒時(shí)，也可以以使金屬微粒間的電接觸得到提高為目的，進(jìn)行熱處理。熱處理通常在空氣中進(jìn)行，但是也可以根據(jù)需要，在氮、氬、氦等惰性氣體氣氛中來(lái)進(jìn)行。作為金屬微粒，例如能舉出銀、鋁及金等。
還有，在實(shí)施例中，雖然使用了有非接觸優(yōu)點(diǎn)的噴墨法，但是也可以使用絲網(wǎng)印刷法、柔性印刷法、膠版印刷法、噴墨(液滴排出)法及微觸印刷法等其他的印刷法。
該階段中的熱處理因?yàn)椴恍枰紤]下述有機(jī)半導(dǎo)體材料的耐熱溫度，所以可以在考慮到基板耐熱的比較高的溫度下進(jìn)行。由此，能得到低電阻(高導(dǎo)電率)的柵線102等。
接著，如圖1(B)所示，對(duì)基板進(jìn)行氧等離子體處理，并進(jìn)行清洗處理。其后，采用噴墨法滴注作為有機(jī)半導(dǎo)體的F8T2(聚芴噻吩共聚物)，并進(jìn)行退火處理，覆蓋多個(gè)源、漏電極105相互間的晶體管的溝道部地將有機(jī)半導(dǎo)體層108形成為50nm左右的膜厚。
還有，作為有機(jī)半導(dǎo)體材料，也可以使用低分子類有機(jī)半導(dǎo)體材料、聚合物有機(jī)半導(dǎo)體材料的某一種。
作為聚合物有機(jī)半導(dǎo)體材料，能舉出3-烷基噻吩/3-己基噻吩共聚物(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)、聚-2，5-噻吩乙烯(PTV)、聚對(duì)苯乙烯(PPV)、9，9-二辛基芴/雙-N，N′-(4-甲氧基苯基)-雙-N，N′-1，4-苯二胺)共聚物(PFMO)、9，9-二辛基芴/苯并噻二唑共聚物(BT)、芴-三烯丙基胺共聚物、三烯丙基胺類聚合物及芴雙噻吩共聚物等。
作為低分子類有機(jī)半導(dǎo)體，例如能舉出C60或金屬酞菁或者它們的取代衍生物，或者蒽、并四苯、并五苯及并六苯等的并苯分子材料，或者α-噻吩低聚物類，具體是四聚噻吩(4T)、六聚噻吩(6T)、八聚噻吩(8T)、二己基四聚噻吩(DH4T)、二己基六聚噻吩(DH6T)等。
如同圖(C)所示，覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層108地形成柵絕緣層109。柵絕緣層109可以采用旋轉(zhuǎn)涂敷法、浸漬法或者噴墨法等的印刷法利用丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂、酯類樹(shù)脂來(lái)形成。在實(shí)施例中，已采用旋轉(zhuǎn)涂敷法形成于基板整面上。柵絕緣層在晶體管區(qū)域之外，作為層間絕緣膜來(lái)發(fā)揮作用。
還有，柵絕緣層109可以象下述的第2實(shí)施例那樣，采用印刷法只形成于必要的部分。
如同圖(D)所示，在柵絕緣層109的、晶體管區(qū)域兩側(cè)的柵線102上及數(shù)據(jù)線107兩側(cè)的柵線102上，分別形成接觸孔104。
接觸孔104的形成例如可以通過(guò)在柵絕緣層109上涂敷光致抗蝕劑，使用接觸孔104的掩模進(jìn)行曝光、顯影，形成抗蝕劑掩模，并使用該抗蝕劑掩模對(duì)柵絕緣層109加以腐蝕，來(lái)進(jìn)行(光刻法)。
還有，也可以作為柵絕緣層109使用感光性聚合物(光致抗蝕劑)，并使用接觸孔的掩模進(jìn)行曝光、顯影，在柵絕緣層109直接形成接觸孔(直接感光)。
另外，在由樹(shù)脂來(lái)形成柵絕緣層109時(shí)，也可以通過(guò)將聚合物為可溶的溶劑用噴墨法等向預(yù)期的部位排出(或者涂敷)，而把柵絕緣層109的一部分去除，形成具有接觸孔104的柵絕緣層109。
如同圖(E)所示，以下述方式在晶體管區(qū)域兩側(cè)的接觸孔104相互間形成柵電極110a，該方式為使得在柵絕緣層109之上覆蓋晶體管的溝道部，或者將其橫跨。另外，在數(shù)據(jù)線107兩側(cè)的接觸孔104相互間形成第2柵線110b。
柵電極110a及第2柵線110b例如是通過(guò)采用噴墨法、其他的印刷法排出或涂敷金屬粒子的分散液或PEDOT等的導(dǎo)電性高分子等并實(shí)施下述退火處理、干燥處理，來(lái)形成的，該處理采用不給有機(jī)半導(dǎo)體層帶來(lái)不良影響的適當(dāng)溫度。
其結(jié)果為，如圖所示，第1柵線102、第2柵線110b、第1柵線102、柵電極110a及第1柵線102相互串聯(lián)連接，形成將柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸給下一級(jí)晶體管的信號(hào)線(柵線)。
這樣所制作出的像素電極基板再適當(dāng)形成保護(hù)層等(未圖示)，如圖2或下述的圖9所示，作為液晶顯示器、電泳顯示裝置等的像素電極基板(有源矩陣基板)來(lái)使用。
(第2實(shí)施例)圖3及圖4表示出第2實(shí)施例。圖3是說(shuō)明作為半導(dǎo)體器件的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管制造工序的工序圖，圖4是像素驅(qū)動(dòng)電路的平面圖。在圖3及圖4中，在和圖1及圖2對(duì)應(yīng)的部分附上相同的符號(hào)，此部分的說(shuō)明予以省略。
首先，如圖3(A)所示，在絕緣基板101上一并形成第1柵線102、數(shù)據(jù)線107、源、漏電極105、像素電極106(參見(jiàn)圖4)、用來(lái)與外部驅(qū)動(dòng)裝置連接的端子以及外部的連接布線等(未圖示)。
如同圖(B)所示，對(duì)基板進(jìn)行氧等離子體處理，并進(jìn)行清洗處理。其后，采用噴墨法滴注作為有機(jī)半導(dǎo)體的F8T2，并進(jìn)行退火處理，覆蓋多個(gè)源、漏電極105相互間晶體管的溝道部地將有機(jī)半導(dǎo)體層108形成為50nm左右的膜厚。
如同圖(C)所示，分別覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層108及數(shù)據(jù)線107地形成柵絕緣層109a及層間絕緣層109b。柵絕緣層109a及層間絕緣層109b可以采用噴墨法等的印刷法利用丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂、酯類樹(shù)脂來(lái)形成。在實(shí)施例中，已采用噴墨法形成于基板的各部位。還有，上述的柵絕緣層109在晶體管區(qū)域之外，作為層間絕緣層來(lái)發(fā)揮作用。
如同圖(D)所示，以下述方式在晶體管區(qū)域兩側(cè)的接觸孔104相互間形成柵電極110a，該方式為使得在柵絕緣層109之上覆蓋晶體管的溝道部，或者將其橫跨。另外，在數(shù)據(jù)線107兩側(cè)的接觸孔104相互間通過(guò)層間絕緣層109b形成第2柵線110b。柵電極110a及層間絕緣層109b采用噴墨法等印刷法來(lái)形成。上述加工過(guò)程中材料等的參數(shù)和上述第1實(shí)施例的相對(duì)應(yīng)的部分相同。
在上述的第2實(shí)施例中，第1實(shí)施例中所形成的接觸孔104未被使用。因此，在第2實(shí)施例中，如圖3(C)所示，并不是將柵絕緣層109a形成于基板整面，而是采用噴墨法等的印刷法部分形成柵絕緣層109a、層間絕緣層109b(圖形形成)，使柵線102露出在表面。在實(shí)施例中，采用同一印刷法工序形成柵絕緣層109a及層間絕緣層109b。如上所述，作為柵絕緣層109a等，可以使用丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂、酯類樹(shù)脂。
還有，雖然也可以分別通過(guò)不同的工序來(lái)制作柵絕緣層109a、層間絕緣層109b，但是從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)來(lái)看優(yōu)選的是同時(shí)制作的工序。雖然柵絕緣層109a、層間絕緣層109b的形成也可以采用以往的光刻法，但是由于已經(jīng)形成有有機(jī)半導(dǎo)體層108，因而上述的印刷法是最佳的。
另外，如圖4所示，從確保與周圍之間的絕緣性方面來(lái)看，優(yōu)選的是，柵絕緣層109a的寬度比第1柵線102、第2柵線110b及柵電極110a的寬度寬。
(第3實(shí)施例)圖5及圖6表示出第3實(shí)施例。圖5是說(shuō)明作為半導(dǎo)體器件的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管制造工序的工序圖，圖6是像素驅(qū)動(dòng)電路的平面圖。在圖5及圖6中，在和圖1及圖2對(duì)應(yīng)的部分上附上相同的符號(hào)，此部分的說(shuō)明予以省略。
在第3實(shí)施例中，第1實(shí)施例(圖1(E))所示的第2柵線110b、第1柵線102及柵電極110a如圖5(E)所示，由1條柵電極布線110c來(lái)構(gòu)成。通過(guò)按上述方法來(lái)構(gòu)成，可以減少圖形的數(shù)量，并減少利用噴墨法的涂敷次數(shù)，比較方便。
(第4實(shí)施例)圖7至圖9表示出第4實(shí)施例。圖7是說(shuō)明作為半導(dǎo)體器件的有機(jī)半導(dǎo)體晶體管制造工序的工序圖，圖8是像素驅(qū)動(dòng)電路的平面圖，圖9是表示配置有多個(gè)(4個(gè))像素驅(qū)動(dòng)電路的有源矩陣基板的示例的平面圖。在圖7至圖9中，在和圖2及圖3對(duì)應(yīng)的部分上附上相同的符號(hào)，此部分的說(shuō)明予以省略。
該第4實(shí)施例是將不需要上述接觸孔的第2實(shí)施例和第3實(shí)施例組合起來(lái)的例子，該第3實(shí)施例通過(guò)采用將上述柵電極110a延長(zhǎng)的柵電極布線110c，不需要第1柵線102以及和數(shù)據(jù)線107交叉的第2柵線110b。
根據(jù)此構(gòu)成，除了上述的優(yōu)點(diǎn)之外，還有柵絕緣層109a及數(shù)據(jù)線107上的層間絕緣層109b連續(xù)地以同一層的柵絕緣層109c形成的優(yōu)點(diǎn)。這最適合于印刷法。
(第5實(shí)施例)圖10是表示第5實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的平面圖。在同圖中，在和圖8對(duì)應(yīng)的部分上附上相同的符號(hào)，此部分的說(shuō)明予以省略。
在該第5實(shí)施例中，作為低電阻的第1柵線102的線寬形成得比柵電極布線110c的線寬小。由此，可以減少柵線的布線面積，增加像素電極106的面積。能夠使顯示面板的開(kāi)孔效率得到提高。
另外，還使像素電極106的圖形對(duì)應(yīng)于與第1柵線102相比線寬較寬的柵電極布線110c(或者柵電極110a、第2柵線110b)，擴(kuò)大了柵線102和像素電極106之間的間隔。以此，來(lái)防止柵電極布線110c(或者柵電極110a、第2柵線110b)和像素電極106重疊而產(chǎn)生寄生電容。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)對(duì)第1柵線102使用電阻率較小的材料，來(lái)減小柵線整體的電阻，減少由柵布線而產(chǎn)生的延遲時(shí)間。另外，還能夠以更高精度制作第1柵線102。因?yàn)闁烹姌O110a、第2柵線110b及柵電極布線110c使用印刷法，所以還能夠以低成本制作高精度的基板。
另外，通過(guò)同一連續(xù)布線來(lái)形成柵電極110a、連接在晶體管溝道部的柵電極布線110c和用來(lái)連接存在于數(shù)據(jù)線107兩側(cè)的第1柵線102的第2柵線110b。由此，使加工過(guò)程簡(jiǎn)單化。
另外，通過(guò)采用相同的材料來(lái)形成圖形形成后的柵絕緣層109a、層間絕緣層109b，并在同一加工過(guò)程中形成，使制造過(guò)程簡(jiǎn)單化。
另外，通過(guò)使第1柵線102的線寬比柵電極110a、第2柵線110b及柵電極布線110c的線寬小，能夠制作更高精度的面板。
(電子設(shè)備)下面，對(duì)于具備通過(guò)上述制造方法制造的有機(jī)半導(dǎo)體TFT的電子設(shè)備的示例，進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)半導(dǎo)體TFT可以使用于在各種電子設(shè)備中構(gòu)成顯示部的液晶顯示面板、電致發(fā)光顯示面板、電泳顯示面板等的制造、電路部的制造等。
圖11是表示電子設(shè)備例的概略立體圖。同圖(A)是對(duì)便攜電話機(jī)的使用例，該便攜電話機(jī)530具備天線部531、聲音輸出部532、聲音輸入部533、操作部534及顯示部535。
同圖(B)是對(duì)攝像機(jī)的使用例，該攝像機(jī)540具備顯像部541、操作部542、聲音輸入部543及顯示部544。
同圖(C)是對(duì)電視機(jī)裝置的使用例，該電視機(jī)裝置550具備顯示部551。
同圖(D)是對(duì)可卷繞式電視機(jī)裝置的使用例，該可卷繞式電視機(jī)裝置560具備顯示部561。另外，本發(fā)明所涉及的有機(jī)半導(dǎo)體TFT不限于上述例子，而可以用于各種電子設(shè)備中。例如，除它們之外，還可以靈活應(yīng)用于帶顯示功能的傳真裝置、數(shù)字相機(jī)的取景器、便攜式TV、電子記事本、電光布告牌及宣傳公告用顯示器等中。
還有，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式的內(nèi)容，在本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形而實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征為，具備有機(jī)半導(dǎo)體晶體管，其形成于基板上；數(shù)據(jù)線，其與上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的源或漏電極進(jìn)行連接；以及柵線，其配置為與上述數(shù)據(jù)線交叉，連接于上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵電極；上述柵線包括上述柵電極；第1柵線，其對(duì)該柵電極傳輸信號(hào)；以及第2柵線，其通過(guò)層間絕緣層與上述數(shù)據(jù)線交叉；上述柵電極、上述第1及第2柵線相互串聯(lián)連接，上述第1柵線的導(dǎo)電率比上述柵電極及上述第2柵線的導(dǎo)電率高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征為上述第2柵線及上述柵電極是與上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體層相比、存在于上層的同一膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征為上述第2柵線及上述柵電極一體形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征為上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵絕緣層及上述層間絕緣膜是與上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體層相比、存在于上層的同一膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征為上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵絕緣層和存在于上述數(shù)據(jù)線及上述第2柵線間的層間絕緣膜一體形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征為上述第1柵線的線寬比上述柵電極及上述第2柵線的線寬小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征為上述第2柵線及上述柵電極采用印刷法來(lái)形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征為上述有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵絕緣層及上述層間絕緣膜采用印刷法來(lái)形成。
9.一種電光裝置，其特征為包括權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。
10.一種電子設(shè)備，其特征為包括權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。
11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征為，包括第1工序，其中，在絕緣基板上形成低電阻的第1柵線、至少2個(gè)源、漏電極及數(shù)據(jù)線；第2工序，其中，在上述源、漏電極間使有機(jī)半導(dǎo)體成膜；第3工序，其中，在上述有機(jī)半導(dǎo)體層及上述數(shù)據(jù)線上分別采用印刷法來(lái)形成柵絕緣膜及層間絕緣膜；第4工序，其中，在上述柵絕緣膜及上述層間絕緣膜上分別采用印刷法來(lái)形成與上述第1柵線連接的柵電極及第2柵線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征為上述第1工序采用非印刷法，或者在比上述有機(jī)半導(dǎo)體出現(xiàn)劣化的溫度高溫的狀況下進(jìn)行導(dǎo)電材料的熱處理，使上述第1柵線低電阻化。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征為上述第3工序?qū)⑸鲜鰱沤^緣膜及層間絕緣膜一體形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征為將上述第4柵電極及第2柵線一體形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征為上述第1柵線的寬度形成得比上述柵電極及上述第2柵線的寬度小。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠使使用的柵線(柵信號(hào)線)電阻值降低的半導(dǎo)體器件、電光裝置及電子設(shè)備，該柵線在有源矩陣方式顯示器所使用的有機(jī)半導(dǎo)體器件中傳輸柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)，特征為，具備有機(jī)半導(dǎo)體晶體管，形成于基板(101)上；數(shù)據(jù)線(107)，與有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的源或漏電極(105)進(jìn)行連接；和柵線，配置為與數(shù)據(jù)線交叉，連接于有機(jī)半導(dǎo)體晶體管的柵電極(110)；柵線包括柵電極(110a)；第1柵線(102)，對(duì)柵電極傳輸信號(hào)；和第2柵線(110b)，通過(guò)層間絕緣層(109)與數(shù)據(jù)線交叉；上述柵電極、上述第1及第2柵線相互串聯(lián)連接，第1柵線(102)的導(dǎo)電率比柵電極(110a)及第2柵線(110b)的導(dǎo)電率高。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101086997SQ20071010859
公開(kāi)日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2007年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
發(fā)明者守谷壯一, 川瀨健夫 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社