專利名稱：記憶卡及其制法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體封裝技術，特別是涉及一種記憶卡及其制法。
背景技術：
隨著數碼相機、行動電話、個人數字助理器、影音播放器等數字 產品的不斷推陳出新，產品技術日漸成熟，使得消費者對于快閃記憶卡需求量只增不減。常見的快閃記憶卡產品大致分為CF(Compact Flash)卡、SMC (Smart Media Card) 、MMC (Mult i Media Card) 、 SD (Secure Digital)卡、MS(Memory Stick)卡等。由于內存容量不斷地提升，所 能存取的數據量也提升數倍，相對地一旦破裂損壞，也代表使用者珍 貴的眾多數據立即消失殆盡，因此廠商在研發(fā)擴充記憶卡容量的同時， 亦不斷改進結構，使之雖薄但不易破損，并具有適當的防水效果。傳統的記憶卡結構通常為二片式，即利用上下兩片結構將電路板 夾設其中，再利用高周波熔接技術將上下兩片接合在一起，形成一記 憶卡結構，但缺點是長時間多次抽取于電子產品時，容易使接合處破 裂而損壞，或是接合處容易產生極小的空隙。有關于記憶卡結構相關 技術已公開于例如美國專利第5， 677， 524號、第6,040,622號、第 6， 624， 005號以及日本專利62-239554號等。中國臺灣專利公告第570294號公開了一種記憶卡的制造方法，是 在具有多個電路板單元的陣列式電路板中，對應各該電路板單元進行 芯片接置與電性連接，再于該整片電路板上形成一封裝膠體，接著利 用鉆石砂輪(Grinding wheel cutter)沿各該電路板單元進行切割，從 而通過成批方式制作出多個呈矩形方正的封裝件，再將該封裝件嵌入 至一外殼體之中。但是此需在芯片完成封裝后，再額外封蓋一外殼體， 如此，不僅將造成額外提供該外殼體及將該外殼體黏附于封裝件上所 導致的成本及制程步驟的增加，而不符經濟效益。為配合各式電子裝置的輕、薄、短、小化發(fā)展，記憶卡的設計亦從畫C演變至RS-麗C(Reduced Size Multi Media Card)及固C-Micro;以及由SD演變至mini SD及Micro-SD等 的發(fā)展應用，Sony公司更是推出Memory Stick Mirco (M2)，是以， 伴隨著制程變化及產品的多樣化，這些記憶卡的需求樣式已非如前述 傳統由直線所構成的方正矩形，而轉變成具不規(guī)則的形狀。然而，前 述制程中采用鉆石砂輪的切割方式，僅可形成直線切割路徑，實已無 法應付不規(guī)則形狀如Micro-SD、醒C-Micro、 M2等記憶卡的卡式封裝 件需求。美國專利第6,548,911號雖然公開一種不需使用外殼體的多媒體 電路卡制程技術，但是僅可提供應用于制造外型的記憶卡，仍舊 無法無法提供應用于制造諸如薩OMicro、以及Micro-SD等不規(guī)則外 型的記憶卡。美國專利公開US 2004/0259291則公開另一種不需使用外殼體且 可處理不規(guī)則記憶卡封裝件的制程技術，其主要是在一具有多個電路 板單元的電路板上對應各電路板單元進行置晶及打線作業(yè)，再全面于 該電路板上進行封裝膠體制程，接著再利用磨削、水刀或激光方式對 應所欲形成記憶卡的封裝件外型進行切割，以形成多個具不規(guī)則形狀 如Micro-SD、麗C-Micro、 M2等記憶卡的的卡式封裝件。但是于前述制程中，對應切割不規(guī)則封裝件所使用的水刀，是將 水經過超高壓增壓器，以將水增壓至55000psi,然后通過直徑僅0. 004 英吋的噴嘴噴出，藉以產生3000英呎/秒(約三倍音速)的高速水流， 同時另可添加高硬度細砂，以增強其切割能力，而可切割金屬及硬質 材料。然而，該水刀制程的成本高，且于水刀的水柱內需加入細砂的 研磨材料(abrasive)，該細砂所產生的粉塵及渣料不僅會造成環(huán)境污 染，同時該研磨材料為拋棄式，于使用過一次后即需丟棄而無法重復 使用，相對提高制造成本。再者，該水刀的切割寬度及路徑受限于水 刀壓力及研磨材的顆粒大小，因此極易于不規(guī)則封裝件切割時，造成 切割路徑不穩(wěn)定現象而影響制程良率，且該水刀的噴口常為研磨材料 所阻塞，相對亦提高制程的不穩(wěn)定性；另外由于其切割面常為細砂沖 刷，因而造成封裝件切割面不平整問題。雖有業(yè)者嘗試改以激光方式進行切割，但是于激光切割時亦會產生封裝膠體及電路板邊緣燒焦等問題，造成切割面不平整問題，同時切口亦會有毛邊問題及粉塵污染等情況；另外，受限于激光照射角度 的影響，造成部分封裝件的切割面有歪斜現象；再者該激光切割成本 (如激光切割設備、燈管耗材成本)亦過高，而不符經濟效益。此外， 不論水刀或激光切割方式，由于其是利用細砂或具能量的光束自封裝 膠體的上緣向下沖切，易造成封裝膠體的崩缺(chip-out)或膠體裂損 (crack)等切割面不平順問題，嚴重影響記憶卡封裝件的外觀及質量。 因此，如何有效解決前述現有技術所存在的問題，以提供一種可 簡化制程、不需進行外型切割、縮短制程時間、提升制程良率、降低 制造成本的記憶卡其制法及結構，乃成目前業(yè)界所亟待解決的問題。發(fā)明內容鑒于以上所述背景技術的缺點，本發(fā)明的一目的是提供一種不需進行外型切割的記憶卡及其制法。本發(fā)明的另一目的是提供一種記憶卡及其制法，以簡化制程。 本發(fā)明的次一 目的是提供一種記憶卡及其制法，以縮短制程時間。 本發(fā)明的再一目的是提供一種記憶卡及其制法，以提升制程良率與降低制造成本。為達成上述及其它目的，本發(fā)明提供一種記憶卡的制法，包括 提供具有間隔排列多個電路板單元的電路板，各該電路板單元呈記憶 卡預定形狀且以連接部連接至該電路板，并接置與電性連接至少一芯 片；貼覆一薄膜于該電路板對應各該電路板單元未接置芯片的相對表 面；以模具罩覆該電路板與該薄膜而構成相同形狀且尺寸大于該電路 板單元的模腔，經填充封裝材料于該模腔而形成包覆該芯片及該電路 板單元外側的封裝膠體；以及移除該薄膜與切除該連接部，從而制得 預定形狀的記憶卡。本發(fā)明復提供一種記憶卡，包括電路板單元，呈記憶卡預定形 狀；至少一芯片，電性連接至該電路板單元；以及封裝膠體，經轉注 成型(Transfer Molding)具有相同于該電路板單元的形狀及大于該電路板單元的尺寸，并包覆該芯片及該電路板單元的外側。前述記憶卡的制法中，復可包括于各該電路板單元一側形成倒角的步驟，從而制成預定形狀且具倒角的記憶卡，所述形成倒角的步驟 因應記憶卡的型式而定，并非絕對必要，倒角型式或位置亦無特定限 制。于一實施例中，形成倒角的步驟是于形成封裝膠體之后進行；于 另一實施例中，形成倒角的步驟是于移除該薄膜與切除該連接部之前 進行。該記憶卡的預定形狀可為不規(guī)則形狀，而所述不規(guī)則形狀例如符 合Micro-SD、應C-Micro、或Memory Stick Mirco (M2)的形狀，亦即 所述該記憶卡可為選自Micro-SD、麗C-Micro、及Memory Stick Mirco (M2)的其中一種卡式封裝件。前述該電路板可具有多道開孔以隔開各 該電路板單元，該開孔的形狀搭配該電路板單元的形狀而無特定限制； 該芯片可通過覆晶、打線或其它方式電性連接至該電路板單元，亦無 特定限制；該薄膜的材料可為耐熱材料。于一實施例中，該電路板的多個電路板單元可呈單排的排列結構， 各該電路板單元是以連接部連接至該電路板，并以開孔彼此間隔。于 另一實施例中，該電路板的多個電路板單元可呈多排的排列結構，同 一排的各該電路板單元是以開孔彼此間隔，非同一排的各該電路板單 元是以連接部彼此連接。較佳地，該連接部為連接桿(Connecting Bar)。各該電路板單元可具有用以接置該芯片的第一表面、相對于該第 一表面的第二表面、及貫穿該第一及第二表面的導電通孔。另外，該 電路板單元的第一表面可具有連接各該導電通孔的電路圖案以供電性 連接該芯片，該第二表面可具有分別連接至各該導電通孔的電性端子 以供電性連接外部裝置。所述的模具可包括一用以托抵該薄膜的下模、及一用以罩覆該電 路板與該薄膜的上模，通過該上模與該薄膜構成用以限制封裝材料填 充空間的模腔，以防止封裝材料向外溢漏。相比于現有技術，本發(fā)明所提供的記憶卡及其制法，只需切斷各 該連接部11將各該電路板單元11相互分離，即可得到不規(guī)則形狀例 如為Micro-SD、腿C-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封裝件 的記憶卡，并無現有技術對應各電路板單元周圍所形成的不規(guī)則切割 路徑進行不規(guī)則膠體的切割工作，故而不需使用例如磨削、水刀、激 光等機具進行外型切割工作，相對可簡化制程、縮短制程時間，同時因為不需使用磨削、水刀、激光等機具而可降低設備成本、提升制程 良率、降低制造成本，并可避免因為使用水刀、激光所造成的膠體崩 缺或膠體裂損等問題，顯然克服現有技術的種種缺陷。


圖1至圖4是顯示本發(fā)明記憶卡的制法實施例圖，其中，圖1是 顯示電路板的俯視結構示意圖，圖2是顯示沿圖1中A-A剖線所繪制 的剖視圖并貼覆一薄膜，圖3是顯示通過模具進行轉注成型的示意圖， 圖4是顯示完成轉注成型之后的切割動作示意圖；以及圖5A及圖5B是顯示本發(fā)明記憶卡的結構實施例圖，其中，第5A 圖是顯示記憶卡的側剖示意圖，第5B圖是顯示記憶卡的仰視示意圖。 元件符號說明1電路板11電路板單元13連接部15開孔2心片3薄膜5模具50模腔51上模53下模6封裝膠體7切削刀具具體實施方式
以下茲配合

本發(fā)明的具體實施例，以使本領域技術人員 可輕易地了解本發(fā)明的技術特征與達成功效。請參閱圖1至圖5A，是顯示本發(fā)明所提供記憶卡的流程圖。 如圖1所示，首先提供一電路板1，該電路板1具有間隔排列的多 個電路板單元11，各該電路板單元11呈記憶卡預定形狀且以連接部 13連接至該電路板1，并接置與電性連接至少一芯片2。于本實施例中，該呈記憶卡預定形狀的電路板單元11具有相同于 預定形成諸如Micro-SD、畫C-Micro、或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封裝件的形狀，但尺寸略小的，且各該電路板單元ll已完成線路 布局，并于背面設置有多個電性端子(Terminals)(未圖示)以供與外 部裝置電性連接，而所述的連接部13可為連接桿(Connecting Bar)。同時，本實施例中所示電路板1的多個電路板單元11可呈多排的 排列結構，即陣列結構，同一排的各該電路板單元11是以開孔15彼此間隔，非同一排的各該電路板單元11是以連接部13彼此連接，但 于其它實施例中，各該電路板單元11亦可為例如單排的排列結構或其 它排數的多排的排列結構，以因應批次制造需求，絕非僅以本實施例 所示者為限。例如于其它實施例中，該電路板1的多個電路板單元11 可呈單排的排列結構，各該電路板單元11是以連接部13連接至該電路板l，并以開孔15彼此間隔，由于這些數量上的變化應為電路板(或 基板)所屬領域中技術人員所熟知，因此不予搭配另一實施例贅述的。各該電路板單元11可具有用以接置該芯片2的第一表面、相對于 該第一表面的第二表面、及貫穿該第一及第二表面的導電通孔(未圖 示)。另外，該電路板單元11的第一表面可具有連接各該導電通孔的 電路圖案(未圖標)以供電性連接該芯片2，該第二表面可具有分別連接 至各該導電通孔的電性端子(未圖示)以供電性連接外部裝置。于本實 施例中的芯片2是以打線方式電性連接至該電路板單元11，并使該芯 片2電性導接至該電路板單元ll背面的電性端子；但，于其它實施例 中亦可利用覆晶或其它適當方式電性連接該芯片2至該電路板單元 11，且該芯片2的設置數量與設置位置亦非以本實施例所示者為限。 此外，若該芯片2有需要搭配外接的被動元件，則于此同時將所需的 被動元件藕接至各個電路板單元11上。接著，如圖2所示，貼覆一薄膜3于該電路板1對應各該電路板 單元11未接置芯片2的相對表面，亦即于該電路板1底面貼覆一薄膜 3，以通過該薄膜3封閉各該開孔15的底端，并且保護各該電路板單 元ll第二表面(即底面)的電性接點，其中，該薄膜3的材料為耐熱材 料，并且具有可撓曲的彈性變形特性。然后如圖3所示，以模具5罩覆該電路板1與該薄膜3而構成相 同形狀且尺寸大于該電路板單元11的模腔50，經填充封裝材料于該模 腔50而形成包覆該芯片2及該電路板單元11外側的封裝膠體6，由于 該模腔50的形狀相同且尺寸大于該電路板單元11，因此經過填充封裝 材料而轉注成型(Transfer Molding)的封裝膠體6將直接形成記憶卡 的預定形狀。在本實施例中，所述的模具5包括一用以托抵該薄膜3的下模53、 及一用以罩覆電路板與該薄膜3的上模51，通過該上模51與該薄膜3 構成用以限制封裝材料填充空間的模腔50。由于運用該薄膜3封閉各 該開孔15(未圖示)的底端且保護各該電路板單元11第二表面(即底面) 的電性接點，并通過該薄膜3可彈性變形特性供該上模51與下模53 緊密壓合，因此可防止封裝材料向外溢漏。最后移除該薄膜3與切除各連接部13，而制得預定形狀的記憶卡。 如圖4所示，于各該電路板單元11完成轉注成型封裝膠體6之后，幾 乎已經制成所需的卡式封裝件，但是個別仍因為連接部13而連接于該 電路板3，同時因為利用開孔15隔開電路板單元11的設計，最后無需 進行縱向切割，只需延圖示的虛線所示利用諸如鋸片或切割刀的切削 刀具7橫向切斷各該連接部13，即可制得如圖5A及圖5B所示呈預定 形狀的記憶卡。當然，移除該薄膜3與切除各該連接部13的步驟可視 制程狀況而定，例如先移除該薄膜3之后再切除各該連接部13，亦可 先切除各該連接部13之后再個別移除該薄膜3，并無特定限制。相比于現有技術須對應各電路板單元周圍所形成的不規(guī)則切割路 徑進行不規(guī)則膠體的切割工作，本發(fā)明中只需切斷各該連接部13將各 該電路板單元11相互分離，即可得到不規(guī)則形狀例如為Micro-SD、 MMC-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封裝件的記憶卡。故而 不需使用例如磨削、水刀、激光等機具進行外型切割工作，故可簡化 制程、縮短制程時間，同時因為無需使用磨削、水刀、激光等機具而 可降低設備成本、提升制程良率、降低制造成本，并可避免因為使用 水刀、激光所造成的膠體崩缺或膠體裂損等問題。需特別說明的是，因應各式Micro-SD、麗C-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封裝件的外型設計，于前述記憶卡的制法中，復可 包括于各該電路板單元11 一側形成倒角的步驟，從而制成預定形狀且 具倒角的記憶卡，當然，所述形成倒角的步驟是因應記憶卡的型式而 定，并非絕對必要，倒角型式或位置亦無特定限制。同時，形成倒角 的步驟亦無特定限制，可在形成封裝膠體6之后進行，亦可在移除薄 膜3或切除連接部13之前進行。根據前述制法所制得的記憶卡，如圖5A及圖5B所示，該記憶卡包括呈記憶卡預定形狀的電路板單元11、電性連接至該電路板單元11的至少一芯片2、以及包覆該芯片2及該電路板單元11外側的封裝膠 體6，其中，封裝膠體6經轉注成型(Transfer Molding)具有相同于該 電路板單元11的形狀及大于該電路板單元11的尺寸。當然，該電路板單元11可具有接置該芯片2的第一表面、相對于 該第一表面的第二表面、及貫穿該第一及第二表面的導電通孔(未圖 示)。另外，該電路板單元11的第一表面可具有連接各該導電通孔的 電路圖案(未圖標)以供電性連接該芯片2，該第二表面可具有分別連接 至各該導電通孔的電性端子以供電性連接外部裝置，而所述封裝膠體6 包覆該芯片2、該電路板單元11的外側、及該第一表面，但未包覆該 第二表面。于本實施例中的芯片2是以打線方式電性連接至該電路板單元11，并使該芯片2電性導接至該電路板單元ll背面的電性端子；但，于其它實施例中亦可利用覆晶或其它適當方式電性連接該芯片2至該 電路板單元11，且該芯片2的設置數量與設置位置亦非以本實施例所 示者為限。此外，若該芯片2有需要搭配外接的被動元件，則于此同 時將所需的被動元件藕接至各個電路板單元11上。綜前所述，本發(fā)明所提供的記憶卡及其制法，只需切斷各該連接 部11將各該電路板單元11相互分離，即可得到不規(guī)則形狀例如為 Micro-SD、醒C-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封裝件的記 憶卡，并無現有技術對應各電路板單元周圍所形成的不規(guī)則切割路徑 進行不規(guī)則膠體的切割工作，故而不需使用例如磨削、水刀、激光等 機具進行外型切割工作，相對可簡化制程、縮短制程時間，同時因為 不需使用磨削、水刀、激光等機具而可降低設備成本、提升制程良率、 降低制造成本，并可避免因為使用水刀、激光所造成的膠體崩缺或膠 體裂損等問題。是故，本發(fā)明所提供的記憶卡及其制法可解決現有技 術的缺陷上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制 本發(fā)明。任何本領域技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下， 對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發(fā)明的權利保護范圍，應以 權利要求書的范圍為依據。
權利要求
1.一種記憶卡的制法，包括提供具有間隔排列多個電路板單元的電路板，各該電路板單元呈記憶卡預定形狀且以連接部連接至該電路板，并接置與電性連接至少一芯片；貼覆一薄膜于該電路板對應各該電路板單元未接置芯片的相對表面；以模具罩覆該電路板與該薄膜而構成相同形狀且尺寸大于該電路板單元的模腔，經填充封裝材料于該模腔而形成包覆該芯片及該電路板單元外側的封裝膠體；以及移除該薄膜與切除該連接部，從而制得預定形狀的記憶卡。
2. 根據權利要求1所述的記憶卡的制法，其中，該薄膜的材料為 耐熱材料。
3. 根據權利要求1所述的記憶卡的制法，其中，該模具包括一用 以托抵該薄膜的下模、及一用以罩覆該電路板與該薄膜的上模，通過 該上模與該薄膜構成用以限制封裝材料填充空間的模腔，以防止封裝 材料向外溢漏。
4. 根據權利要求1所述的記憶卡的制法，其中，該記憶卡的預定 形狀為不規(guī)則形狀。
5. 根據權利要求1所述的記憶卡的制法，其中，該連接部為連接桿。
6. 根據權利要求1所述的記憶卡的制法，其中，該電路板的多個 電路板單元呈單排的排列結構，各該電路板單元是以連接部連接至該 電路板，并以開孔彼此間隔。
7. 根據權利要求1所述的記憶卡的制法，其中，該電路板的多個 電路板單元呈多排的排列結構，同一排的各該電路板單元是以開孔彼 此間隔，非同一排的各該電路板單元是以連接部彼此連接。
8. 根據權利要求1所述的記憶卡的制法，其中，該記憶卡為選自 Micro-SD、醒C-Micro、及Memory Stick Mirco (M2)的其中一種卡式 封裝件。
9. 一種記憶卡，包括 電路板單元，呈記憶卡預定形狀； 至少一芯片，電性連接至該電路板單元；以及封裝膠體，經轉注成型具有相同于該電路板單元的形狀及大于該 電路板單元的尺寸，并包覆該芯片及該電路板單元的外側。
10. 根據權利要求9所述的記憶卡，其中，該電路板單元具有接置 該芯片的第一表面、相對于該第一表面的第二表面、及貫穿該第一及 第二表面的導電通孔，而該封裝膠體包覆該芯片、該電路板單元的外 側、及該第一表面，但未包覆該第二表面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種記憶卡及其制法，是使用呈記憶卡預定形狀的電路板單元接置與電性連接至少一芯片，并于該電路板單元未接置芯片的相對表面貼覆一薄膜，再以模具罩覆該電路板單元與該薄膜而構成相同形狀且尺寸大于該電路板單元的模腔，復經填充封裝材料于該模腔而形成包覆該芯片及該電路板單元外側的封裝膠體，由此可一體制得預定形狀的記憶卡，不需現有技術于后續(xù)利用水刀或激光進行切割外型的作業(yè)，故可降低制造成本并提升制程良率。
文檔編號H01L23/31GK101325163SQ200710108989
公開日2008年12月17日 申請日期2007年6月11日 優(yōu)先權日2007年6月11日
發(fā)明者蔡銘松, 許謝蔚 申請人:聯測科技股份有限公司