專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種可以使氧和潮氣的滲入最小化的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
因?yàn)樵谄桨屣@示器中使用有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的技術(shù)提供了驅(qū)動(dòng)電壓低、質(zhì)輕且薄、視角寬、響應(yīng)速度高的平板顯示器，所以最近有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)在平板顯示器中的應(yīng)用已備受關(guān)注。OLED裝置包括薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；像素電極，連接到薄膜晶體管；壁，分隔像素電極；發(fā)光層，在壁之間設(shè)置在像素電極上；共電極，設(shè)置在發(fā)光層上。
發(fā)光層是可由有機(jī)材料制成的自發(fā)射元件。潮氣和氧對(duì)有機(jī)發(fā)光層的性能和耐久性具有大的影響。即，發(fā)光層易受由潮氣和氧導(dǎo)致的劣化的影響。為了防止發(fā)光層的這種劣化，可將其上設(shè)置有發(fā)光層的絕緣基底結(jié)合到覆蓋基底上。這可防止潮氣和氧的引入，并被稱(chēng)作密封工藝。另外，當(dāng)將基底結(jié)合在一起時(shí)，將密封樹(shù)脂例如密封劑置于絕緣基底和覆蓋基底之間，從而防止潮氣和氧的引入。
然而，密封樹(shù)脂仍會(huì)使較大量的潮氣和氧滲入，因此，會(huì)難以有效地防止潮氣和氧被引入絕緣基底和覆蓋基底之間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可使氧和潮氣的滲入最小化的顯示裝置。
本發(fā)明還提供一種制造這種顯示裝置的方法。
將在下面的描述中說(shuō)明本發(fā)明另外的特點(diǎn)，這些另外的特點(diǎn)從描述中將變得清楚，或者通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而得知。
本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示裝置，該顯示裝置包括絕緣基底；顯示元件，在所述絕緣基底上；樹(shù)脂層，設(shè)置在所述顯示元件上，并具有沿著所述絕緣基底的邊緣設(shè)置的凹陷部分；密封層，設(shè)置在所述樹(shù)脂層上，其中，所述密封層的一部分延伸到所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分中。
所述顯示元件可包括有機(jī)發(fā)光層，所述樹(shù)脂層可包括密封劑或由帶工藝形成的半可固化粘合性樹(shù)脂。
所述半可固化粘合性樹(shù)脂可被部分地固化，所述密封劑可被完全固化。
多個(gè)凹陷部分可以以預(yù)定的間隔形成在所述樹(shù)脂層中。
所述密封層可包括金屬和無(wú)機(jī)材料中的至少一種。
所述密封層可通過(guò)所述樹(shù)脂層中的所述凹陷部分接觸所述絕緣基底。
所述密封層可包括多個(gè)密封層。
所述樹(shù)脂層可包括所述半可固化粘合性樹(shù)脂，所述密封層包括從包含鋁箔、銅箔、青銅箔、銀箔、黃銅(Cu/Zn)箔、不銹鋼箔和鈦箔的組中選擇的至少一種。
所述顯示裝置還可包括設(shè)置在所述樹(shù)脂層和絕緣基底之間的無(wú)機(jī)絕緣層，其中，所述密封層可通過(guò)所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分接觸所述無(wú)機(jī)絕緣層。
所述無(wú)機(jī)絕緣層可覆蓋所述顯示元件。
所述樹(shù)脂層可包括所述密封劑，所述密封層可包括從由鋁、銅、青銅、銀、黃銅(Cu/Zn)、不銹鋼、鈦、SiOx、SiNx、SiONx、AlOx、AlONx和AlNx組成的組中選擇的至少一種。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種制造顯示裝置的方法，該包括在絕緣基底上形成顯示元件；在所述顯示元件上形成樹(shù)脂層；部分地固化所述樹(shù)脂層；在所述樹(shù)脂層上設(shè)置密封層。該方法還包括通過(guò)采用施壓構(gòu)件將所述密封層壓向所述絕緣基底來(lái)使所述密封層的一部分延伸到所述樹(shù)脂層的凹陷部分中，所述施壓構(gòu)件設(shè)置有沿著所述絕緣基底的邊緣突出的至少一個(gè)突出；將所述施壓構(gòu)件與所述密封層分離。
可通過(guò)帶工藝形成所述樹(shù)脂層，所述帶工藝包括將設(shè)置有半可固化粘合性樹(shù)脂的帶附著到所述絕緣基底。所述密封層可包括從由鋁箔、銅箔、青銅箔、銀箔、黃銅(Cu/Zn)箔、不銹鋼箔和鈦箔組成的組中選擇的至少一種。
該制造顯示裝置的方法還可包括在所述顯示元件上形成所述樹(shù)脂層之前，在所述絕緣基底上形成無(wú)機(jī)絕緣層，其中，所述密封層可通過(guò)所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分接觸所述無(wú)機(jī)絕緣層。
所述密封層可通過(guò)所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分接觸所述絕緣基底。
所述突出的長(zhǎng)度可等于或小于所述樹(shù)脂層的厚度。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種制造顯示裝置的方法，該方法包括在絕緣基底上形成顯示元件；在所述顯示元件上形成樹(shù)脂層；部分地固化所述樹(shù)脂層；通過(guò)采用施壓構(gòu)件將所述樹(shù)脂層壓向所述絕緣基底來(lái)在所述樹(shù)脂層中形成凹陷部分，所述施壓構(gòu)件設(shè)置有沿著所述絕緣基底的邊緣突出的至少一個(gè)突出。該方法還包括在所述樹(shù)脂層上設(shè)置密封層，所述密封層的一部分延伸到所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分中。
所述樹(shù)脂層可包括密封劑，所述密封層包括金屬和無(wú)機(jī)材料中的至少一種。
所述密封層可包括從由鋁、銅、青銅、銀、黃銅(Cu/Zn)、不銹鋼、鈦、SiOx、SiNx、SiONx、AlOx、AlONx和AlNx組成的組中選擇的至少一種。
該制造顯示裝置的方法還可包括完全固化所述樹(shù)脂層。
應(yīng)該理解，前面的總體描述和后面的詳細(xì)描述都是示例性的和說(shuō)明性的，并意在提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明更進(jìn)一步的理解，附圖包含在本說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并和描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。
圖2是圖1中示出的部分“A”的放大視圖。
圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E和圖3F是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的順序視圖。
圖4A、圖4B、圖4C、圖4D和圖4E是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的順序視圖。
圖5、圖6和圖7分別是示出根據(jù)本發(fā)明第三、第四和第五示例性實(shí)施例的顯示裝置的視圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將參照附圖來(lái)更加充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，并不應(yīng)該被解釋為局限于在這里闡釋的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開(kāi)是徹底的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。附圖中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。
將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)作在另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在該另一元件或?qū)由匣蛘咧苯舆B接到該另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)作“直接在”另一元件或?qū)由匣蛘摺爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)印?br> 圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖，圖2是圖1中示出的部分“A”的放大視圖。
圖1中示出的OLED1包括由有機(jī)材料制成的自發(fā)射元件，當(dāng)將電信號(hào)施加到自發(fā)射元件時(shí)自發(fā)射元件發(fā)光。潮氣和氧對(duì)有機(jī)材料的性能和耐久性具有大的影響。因此，本發(fā)明提供了一種可有效地防止氧和潮氣滲入有機(jī)材料(有機(jī)發(fā)光層)的密封方法。
如圖1所示，OLED1包括絕緣基底100，用于顯示圖像的顯示元件110設(shè)置在絕緣基底100上；樹(shù)脂層120，設(shè)置在絕緣基底100上，從而覆蓋顯示元件110；密封層130，設(shè)置在樹(shù)脂層120上。預(yù)定深度的凹陷部分125沿著絕緣基底100的邊緣形成在樹(shù)脂層120中，使得密封層130的一部分延伸到樹(shù)脂層120的凹陷部分125中。
絕緣基底100可包括透明玻璃基底或透明塑料基底。雖然未示出，但是阻隔層(未示出)還可設(shè)置在顯示元件110和絕緣基底100之間。阻隔層阻隔可通過(guò)絕緣基底100滲入顯示元件110的氧或潮氣，并可由SiON、SiO2、SiNx、Al2O3等制成?？赏ㄟ^(guò)濺射法等來(lái)形成阻隔層。
如圖2所示，顯示元件110包括薄膜晶體管T，每個(gè)薄膜晶體管T包括柵電極111、源電極112和漏電極113；像素電極114，連接到薄膜晶體管T；壁115，分隔像素電極114；有機(jī)發(fā)光層116，在壁115之間設(shè)置在像素電極114上；共電極117，設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層116上。顯示元件110顯示與從信息處理設(shè)備輸入的圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)的圖像。
設(shè)置在絕緣基底100上以覆蓋顯示元件110的樹(shù)脂層120用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光層116不受潮氣和氧的影響，并與密封層130結(jié)合在一起，下面將對(duì)此進(jìn)行描述。樹(shù)脂層120沿著絕緣基底100的邊緣形成有凹陷部分125。
可將凹陷部分125設(shè)置成使得絕緣基底100的一部分被暴露，如圖1中的“a”所示，或者可選擇地，可將凹陷部分125設(shè)置成使得絕緣基底100的一部分不被暴露。當(dāng)導(dǎo)線(xiàn)(wire line)設(shè)置在凹陷部分125形成的區(qū)域中時(shí)，優(yōu)選的但不是必要的，凹陷部分125被形成為不暴露絕緣基底100的一部分。這可保護(hù)導(dǎo)線(xiàn)，并防止可由導(dǎo)電材料制成的密封層130和導(dǎo)線(xiàn)之間短路。另外，當(dāng)將凹陷部分125形成為使得絕緣基底100的一部分不被暴露時(shí)，優(yōu)選的但不是必要的，凹陷部分125和絕緣基底100之間的樹(shù)脂層120的厚度小，從而可使通過(guò)樹(shù)脂層120的側(cè)面滲入的氧和潮氣的量最小化。
樹(shù)脂層120可由粘合性聚合物制成，它可包括密封劑和由帶工藝(tapingprocess)形成的半可固化粘合性樹(shù)脂中的至少一種。如圖3B所示，帶工藝是指這樣的工藝，即，通過(guò)利用機(jī)械力將半可固化帶附著到其上形成有顯示元件110的絕緣基底100(其中，半可固化帶包括聚合物膜121(例如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET))和設(shè)置在聚合物膜121上的半可固化粘合性樹(shù)脂120a)，隨后將聚合物膜121與半可固化粘合性樹(shù)脂120a分離。設(shè)置在聚合物膜121上的半可固化粘合性樹(shù)脂120a的厚度D2可以為15μm至50μm，如下所述，壓制(pressing)工藝可減小通過(guò)帶工藝形成的樹(shù)脂層120的厚度D1(參見(jiàn)圖1)。
由于通過(guò)帶工藝形成的樹(shù)脂層120通常比包括密封劑的樹(shù)脂層薄，所以與包括密封劑的樹(shù)脂層相比，通過(guò)帶工藝形成的樹(shù)脂層120可更有效地減小會(huì)滲入樹(shù)脂層120的側(cè)面的氧和潮氣的量。通過(guò)帶工藝形成的樹(shù)脂層120當(dāng)經(jīng)受熱或光的作用時(shí)可達(dá)到半可固化狀態(tài)。半可固化狀態(tài)是指可向樹(shù)脂層120施壓從而形成隨后它將保持的期望形狀的部分固化的狀態(tài)。密封劑可由粘合性有機(jī)材料制成，并可包括丙烯酰(acryl)樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等?？赏ㄟ^(guò)控制光輻射程度、密封劑曝光時(shí)間以及施加到密封劑的熱的時(shí)間和強(qiáng)度來(lái)獲得半可固化狀態(tài)的密封劑。在成品中，可通過(guò)進(jìn)一步進(jìn)行光輻射和施加熱來(lái)使密封劑完全固化。
密封層130設(shè)置在樹(shù)脂層120上，且密封層130的一部分延伸到樹(shù)脂層的凹陷部分125中。密封層130會(huì)允許非常少量的氧和潮氣滲入，因此有效地保護(hù)了有機(jī)發(fā)光層116。密封層130可由金屬和無(wú)機(jī)材料中的至少一種制成。
當(dāng)樹(shù)脂層120包括半可固化粘合性樹(shù)脂時(shí)，密封層130可包括柔性鋁箔、銅箔、青銅箔、銀箔、黃銅(Cu/Zn)箔、不銹鋼箔和鈦箔中的至少一種?？赏ㄟ^(guò)將薄膜金屬附于粘合性樹(shù)脂層120來(lái)制造密封層130。
當(dāng)密封層120包括密封劑時(shí)，密封層130可包括從由鋁、銅、青銅、銀、黃銅(Cu/Zn)、不銹鋼、鈦、SiOx、SiNx、SiONx、AlOx、AlONx和AlNx組成的組中選擇的至少一種?？赏ㄟ^(guò)濺射法或蒸發(fā)法在固化的密封劑上形成金屬膜或無(wú)機(jī)膜。
如圖1中的“a”所示，當(dāng)在密封層130下面沒(méi)有設(shè)置導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，密封層130可通過(guò)樹(shù)脂層的凹陷部分125接觸絕緣基底100。作為選擇性的實(shí)施例，如果在密封層130下面設(shè)置導(dǎo)線(xiàn)，則延伸到凹陷部分125中的密封層130可以以預(yù)定距離與絕緣基底100間隔開(kāi)。
根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例，OLED1具有密封層130圍繞顯示元件110的側(cè)面的結(jié)構(gòu)。這種構(gòu)造使得能夠防止氧和潮氣滲入顯示元件110。具體地講，由于滲入絕緣基底100和密封層130之間的氧和潮氣只能在通過(guò)多個(gè)層之后才可到達(dá)有機(jī)發(fā)光層116，所以可使?jié)B入顯示元件110的氧和潮氣的量最小化，從而提高了顯示裝置的性能和耐久性，其中，所述多個(gè)層包括樹(shù)脂層120和密封層130。
在下文中，將參照?qǐng)D3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E和圖3F來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造方法。在這個(gè)實(shí)施例中，將描述通過(guò)帶工藝來(lái)形成樹(shù)脂層。
首先，如圖3A所示，將顯示元件110形成在絕緣基底100上。顯示元件110包括有機(jī)發(fā)光層116(參見(jiàn)圖2)，有機(jī)發(fā)光層116包括自發(fā)射元件。然而，氧和潮氣會(huì)使得有機(jī)發(fā)光層116的耐久性和性能劣化。因此，可執(zhí)行密封工藝以保護(hù)有機(jī)發(fā)光層116不受氧和潮氣的影響。
接著，如圖3B所示，為了保護(hù)有機(jī)發(fā)光層116，可將樹(shù)脂層120設(shè)置在絕緣基底100上，使得樹(shù)脂層120覆蓋顯示元件110?？捎烧澈闲跃酆衔锊牧蟻?lái)制成樹(shù)脂層120，樹(shù)脂層120包括由帶工藝形成的半可固化粘合性樹(shù)脂120a。帶工藝是指這樣的工藝，即，通過(guò)利用機(jī)械力將半可固化帶附著到其上形成有顯示元件110的絕緣基底100(其中，半可固化帶包括聚合物膜121(例如PET)和設(shè)置在聚合物膜121上的半可固化粘合性樹(shù)脂120a)，隨后將聚合物膜121與半可固化粘合性樹(shù)脂120a分離。樹(shù)脂層120用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光層116不受潮氣和氧的影響，并與密封層130結(jié)合在一起，這將在下面進(jìn)行描述。
在下文中，如圖3C所示，通過(guò)熱和光中的至少一種來(lái)使形成的樹(shù)脂層120半固化。半固化狀態(tài)是指部分地固化的狀態(tài)。當(dāng)樹(shù)脂層120為半固化狀態(tài)時(shí)，可通過(guò)施壓使樹(shù)脂層120形成期望的形狀，樹(shù)脂層120隨后將保持所述期望的形狀。
如圖3D所示，將密封層130設(shè)置在樹(shù)脂層120上。因?yàn)槊芊鈱?30可允許非常少量的潮氣和氧滲入，所以密封層130包括保護(hù)有機(jī)發(fā)光層116的金屬薄膜。優(yōu)選的但不是必要的，用作密封層130的金屬薄膜具有柔性，使得密封層130在壓制工藝過(guò)程可延伸到樹(shù)脂層120的凹陷部分125中，而不會(huì)被切斷。例如，密封層130可包括柔性鋁箔、銅箔、青銅箔、銀箔、黃銅(Cu/Zn)箔、不銹鋼箔和鈦箔中的至少一種?？赏ㄟ^(guò)將薄膜金屬附于粘合性樹(shù)脂層120來(lái)制造密封層130。
接著，如圖3E所示，將施壓構(gòu)件200布置在密封層130上方。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，施壓構(gòu)件200具有預(yù)定厚度的板的形狀。將向絕緣基底100突出的突出210設(shè)置在施壓構(gòu)件200的邊緣。突出210沿著施壓構(gòu)件200的邊緣延伸。優(yōu)選的但不是必要的，突出210的長(zhǎng)度D3等于或小于樹(shù)脂層120的厚度D2。如果突出210的長(zhǎng)度D3太小，則在下面將描述的壓制工藝中會(huì)不能夠充分地壓制密封層130使密封層130接近絕緣基底100。即，因?yàn)槊芊鈱?30和絕緣基底100之間的距離增大，所以不會(huì)有效地防止潮氣和氧滲入顯示元件110。相反，如果突出210太長(zhǎng)，則密封層130會(huì)接觸設(shè)置在絕緣基底100上的導(dǎo)線(xiàn)，這會(huì)導(dǎo)致短路。因此，在確定突出210的長(zhǎng)度D3時(shí)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)為樹(shù)脂層120的厚度在壓制工藝過(guò)程中將減小。優(yōu)選的是，突出210的長(zhǎng)度使得突出210不接觸設(shè)置在絕緣基底100上的導(dǎo)線(xiàn)。將施壓構(gòu)件200布置為使得突出210對(duì)應(yīng)于顯示元件110的外側(cè)。
接著，如圖3F所示，執(zhí)行采用施壓構(gòu)件200將密封層130壓向絕緣基底100的工藝。通過(guò)突出210在樹(shù)脂層120中形成凹陷部分125，密封層130延伸到樹(shù)脂層120的凹陷部分125中。
在這個(gè)實(shí)施例中，優(yōu)選的但不是必要的，如果在區(qū)域中沒(méi)有設(shè)置導(dǎo)線(xiàn)，則壓制密封層130直到密封層130接觸絕緣基底100，如果在區(qū)域中設(shè)置了導(dǎo)線(xiàn)，則將密封層130壓制到它不接觸絕緣基底100的點(diǎn)。如果密封層130的一部分不接觸絕緣基底100，則優(yōu)選的但不是必要的，密封層130和絕緣基底100之間的樹(shù)脂層120(位于凹陷部分125處)的厚度小，從而可使通過(guò)樹(shù)脂層120的側(cè)面會(huì)滲入的氧和潮氣的量最小化。形成在聚合物膜121上的半可固化粘合性樹(shù)脂120a的厚度通常為15μm至50μm，通過(guò)帶工藝形成的樹(shù)脂層120的厚度D1(參見(jiàn)圖1)在壓制工藝過(guò)程中變得更小。由于通過(guò)帶工藝形成的樹(shù)脂層120通常比包括密封劑的樹(shù)脂層薄，所以通過(guò)帶工藝形成的樹(shù)脂層120與包括密封劑的樹(shù)脂層相比可更有效地減小會(huì)滲入樹(shù)脂層120側(cè)面的氧和潮氣的量。最終，當(dāng)將施壓構(gòu)件200與密封層130分離時(shí)，完成圖1中所示的OLED1。
下面將參照?qǐng)D4A、圖4B、圖4C、圖4D和圖4E來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造方法。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，將描述包括密封劑的樹(shù)脂層120的形成。在下面的描述中，將說(shuō)明第二示例性實(shí)施例區(qū)別于第一示例性實(shí)施例的特征性部分，省略或概括根據(jù)第一示例性實(shí)施例的制造方法和公知技術(shù)形成或制造的部分。為了方便起見(jiàn)，由相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示第一示例性實(shí)施例和第二示例性實(shí)施例中相同的元件。
首先，如圖4A所示，將顯示元件110形成在絕緣基底100上。
接著，如圖4B所示，將樹(shù)脂層120形成在絕緣基底100上，使得樹(shù)脂層120覆蓋顯示元件110。在這個(gè)實(shí)施例中，樹(shù)脂層120包括密封劑?？捎烧澈闲杂袡C(jī)材料來(lái)制成密封劑，密封劑包括環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酰樹(shù)脂等?？赏ㄟ^(guò)控制光輻射程度、密封劑暴露于光輻射的時(shí)間以及施加到密封劑的熱的時(shí)間和程度使密封劑達(dá)到半固化狀態(tài)或完全固化狀態(tài)。密封劑用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光層116不受潮氣和氧的影響，并用于將密封層130和樹(shù)脂層120結(jié)合在一起?？捎山z網(wǎng)印刷、涂覆、分散或其它方法來(lái)形成樹(shù)脂層120。形成樹(shù)脂層120之后，可利用熱和光中的至少一種使樹(shù)脂層120半固化。
在下文中，如圖4C所示，將具有至少一個(gè)突出210的施壓構(gòu)件200布置在樹(shù)脂層120上方。隨后，執(zhí)行采用施壓構(gòu)件200將樹(shù)脂層120壓向絕緣基底100的工藝。
接著，在壓制工藝過(guò)程中在樹(shù)脂層120中形成凹陷部分125之后，如圖4D所示，采用濺射工藝或沉積工藝來(lái)形成密封層130(參見(jiàn)圖4E)。將要被濺射或沉積的材料可包括金屬或無(wú)機(jī)材料中的至少一種。更具體地講，所述材料可包括鋁、銅、青銅、銀、黃銅(Cu/Zn)、不銹鋼、鈦、SiOx、SiNx、SiONx、AlOx、AlONx和AlNx中的至少一種。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，優(yōu)選的但不是必要的，執(zhí)行濺射或蒸發(fā)工藝使得將要被濺射或沉積的材料被均勻地填充到樹(shù)脂層120的凹陷部分125中。
如圖4E所示，當(dāng)完成濺射或沉積工藝時(shí)，密封層130延伸到凹陷部分125中。最終，通過(guò)完全固化樹(shù)脂層120來(lái)完成OLED1。
根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，OLED1具有密封層130圍繞顯示元件110的側(cè)面的結(jié)構(gòu)。這使得能夠防止潮氣和氧滲入顯示元件110。具體地講，由于滲入絕緣基底100和密封層130之間的氧和潮氣只能在通過(guò)多個(gè)層之后才可到達(dá)有機(jī)發(fā)光層116，所以可使?jié)B入顯示元件110的氧和潮氣的量最小化，從而提高了顯示裝置的性能和耐久性，其中，所述多個(gè)層包括樹(shù)脂層120和密封層130。
在下文中，將分別參照?qǐng)D5、圖6和圖7來(lái)描述本發(fā)明的第三、第四和第五示例性實(shí)施例的顯示裝置。在下面的描述中，將說(shuō)明這些實(shí)施例區(qū)別于上述第一和第二示例性實(shí)施例的特征性部分，省略或概括根據(jù)上述第一和第二示例性實(shí)施例的制造方法以及公知技術(shù)形成或制造的部分。為了方便起見(jiàn)，由相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示這些示例性實(shí)施例以及第一和第二示例性實(shí)施例中相同的元件。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的顯示裝置的視圖。如圖5所示，在絕緣基底100上還設(shè)置無(wú)機(jī)絕緣層140，使得無(wú)機(jī)絕緣層140覆蓋顯示元件110。當(dāng)突出210的長(zhǎng)度(參見(jiàn)圖3E)超過(guò)樹(shù)脂層120的厚度，或者在壓制工藝過(guò)程中將高壓施加到突出210時(shí)，無(wú)機(jī)絕緣層140用于防止密封層130接觸設(shè)置在絕緣基底100上的導(dǎo)線(xiàn)。即，無(wú)機(jī)絕緣層140可防止短路。另外，無(wú)機(jī)絕緣層140還用于保護(hù)顯示元件110不會(huì)滲入潮氣和氧。作為選擇性的示例，可僅將無(wú)機(jī)絕緣層140設(shè)置在絕緣基底100的邊緣上，其中，樹(shù)脂層120中的凹陷部分125形成在所述邊緣處。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的顯示裝置的視圖。如圖6所示，在樹(shù)脂層120中設(shè)置多重凹陷部分125。具體地講，凹陷部分125包括第一凹陷部分125a，形成在絕緣基底100的外側(cè)上；第二凹陷部分125b，與第一凹陷部分125a相鄰，在第一凹陷部分125a和第二凹陷部分125b之間存在預(yù)定的間隔。如圖6所示，還設(shè)置多重密封層130。具體地講，密封層130包括第一密封層130a和形成在第一密封層130a上的第二密封層130b?？捎上嗤牧匣虿煌牧现瞥傻谝幻芊鈱?30a和第二密封層130b。因此，由于滲入絕緣基底100和密封層130之間的氧和潮氣只能在通過(guò)比第一示例性實(shí)施例中的所述層更多的層之后才可到達(dá)有機(jī)發(fā)光層，從而提高了顯示裝置的性能和耐久性。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的顯示裝置的視圖。如圖7所示，在密封層130上設(shè)置覆蓋基底160，在密封層130和覆蓋基底160之間設(shè)置粘合構(gòu)件150，從而將密封層130和覆蓋基底160結(jié)合在一起。在這個(gè)實(shí)施例中，覆蓋基底160用于防止氧和潮氣滲透穿過(guò)OLED1的頂部。粘合構(gòu)件150將密封層130和覆蓋基底160結(jié)合在一起，填充了由樹(shù)脂層120中的凹陷部分125限定的空間，并用于防止氧和潮氣通過(guò)OLED1的側(cè)面滲入。因此，在這個(gè)示例性實(shí)施例中，能夠更有效地防止氧和潮氣通過(guò)OLED1的頂部和側(cè)面滲入。
從上述描述中清楚的是，本發(fā)明提供了一種可以使氧和潮氣的滲入最小化的顯示裝置。
另外，本發(fā)明提供了一種制造顯示裝置的方法，該顯示裝置可以使氧和潮氣的滲入最小化。
對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本發(fā)明中可作出各種修改和變化。因此，意圖在于，如果對(duì)本發(fā)明的修改和變化落入權(quán)利要求及其等同物的范圍，則本發(fā)明覆蓋這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括絕緣基底；顯示元件，在所述絕緣基底上；樹(shù)脂層，設(shè)置在所述顯示元件上，并具有沿著所述絕緣基底的邊緣設(shè)置的凹陷部分；密封層，設(shè)置在所述樹(shù)脂層上，其中，所述密封層的一部分延伸到所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分中。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示元件包括有機(jī)發(fā)光層，所述樹(shù)脂層包括密封劑或由帶工藝形成的半可固化粘合性樹(shù)脂。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述半可固化粘合性樹(shù)脂被部分地固化，所述密封劑被完全固化。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，多個(gè)凹陷部分以預(yù)定的間隔形成在所述樹(shù)脂層中。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述密封層包括金屬和無(wú)機(jī)材料中的至少一種。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述密封層通過(guò)所述樹(shù)脂層中的所述凹陷部分接觸所述絕緣基底。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述密封層包括多個(gè)密封層。
8.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述樹(shù)脂層包括所述半可固化粘合性樹(shù)脂，所述密封層包括從包含鋁箔、銅箔、青銅箔、銀箔、黃銅箔、不銹鋼箔和鈦箔的組中選擇的至少一種。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，還包括設(shè)置在所述樹(shù)脂層和絕緣基底之間的無(wú)機(jī)絕緣層，其中，所述密封層通過(guò)所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分接觸所述無(wú)機(jī)絕緣層。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述無(wú)機(jī)絕緣層覆蓋所述顯示元件。
11.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述樹(shù)脂層包括所述密封劑，所述密封層包括從由鋁、銅、青銅、銀、黃銅、不銹鋼、鈦、SiOx、SiNx、SiONx、AlOx、AlONx和AlNx組成的組中選擇的至少一種。
12.一種制造顯示裝置的方法，包括在絕緣基底上形成顯示元件；在所述顯示元件上形成樹(shù)脂層；部分地固化所述樹(shù)脂層；在所述樹(shù)脂層上設(shè)置密封層；通過(guò)采用施壓構(gòu)件將所述密封層壓向所述絕緣基底來(lái)使所述密封層的一部分延伸到所述樹(shù)脂層的凹陷部分中，所述施壓構(gòu)件設(shè)置有沿著所述絕緣基底的邊緣突出的至少一個(gè)突出；將所述施壓構(gòu)件與所述密封層分離。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，通過(guò)帶工藝形成所述樹(shù)脂層，所述帶工藝包括將設(shè)置有半可固化粘合性樹(shù)脂的帶附著到所述絕緣基底。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述密封層包括從由鋁箔、銅箔、青銅箔、銀箔、黃銅箔、不銹鋼箔和鈦箔組成的組中選擇的至少一種。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在所述顯示元件上形成所述樹(shù)脂層之前，在所述絕緣基底上形成無(wú)機(jī)絕緣層，其中，所述密封層通過(guò)所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分接觸所述無(wú)機(jī)絕緣層。
16.一種制造顯示裝置的方法，包括在絕緣基底上形成顯示元件；在所述顯示元件上形成樹(shù)脂層；部分地固化所述樹(shù)脂層；通過(guò)采用施壓構(gòu)件將所述樹(shù)脂層壓向所述絕緣基底來(lái)在所述樹(shù)脂層中形成凹陷部分，所述施壓構(gòu)件設(shè)置有沿著所述絕緣基底的邊緣突出的至少一個(gè)突出；在所述樹(shù)脂層上設(shè)置密封層，所述密封層的一部分延伸到所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分中。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述樹(shù)脂層包括密封劑，所述密封層包括金屬和無(wú)機(jī)材料中的至少一種。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述密封層包括從由鋁、銅、青銅、銀、黃銅、不銹鋼、鈦、SiOx、SiNx、SiONx、AlOx、AlONx和AlNx組成的組中選擇的至少一種。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括完全固化所述樹(shù)脂層。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述密封層通過(guò)所述樹(shù)脂層的所述凹陷部分接觸所述絕緣基底。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述突出的長(zhǎng)度等于或小于所述樹(shù)脂層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示裝置，該顯示裝置包括絕緣基底，其上設(shè)置有顯示元件；樹(shù)脂層，設(shè)置在顯示元件上，并具有沿著絕緣基底的邊緣形成的凹陷部分；密封層，形成在樹(shù)脂層上，密封層的一部分延伸到樹(shù)脂層的所述凹陷部分中。本發(fā)明還公開(kāi)了一種制造顯示裝置的方法，該方法包括在絕緣基底上設(shè)置顯示元件；在顯示元件上設(shè)置樹(shù)脂層；部分地固化所述樹(shù)脂層。利用施壓構(gòu)件在樹(shù)脂層中形成凹陷部分，在樹(shù)脂層上設(shè)置密封層。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101090131SQ20071010912
公開(kāi)日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2007年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月14日
發(fā)明者具沅會(huì), 金勛, 崔貞美 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社