專利名稱：有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示設(shè)備。尤其，本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，其中所述有機發(fā)光顯示設(shè)備具有一個帶有能夠增加其中吸收的光量的釋放結(jié)構(gòu)(relief structure)的光敏傳感器。
背景技術(shù)：
通常，有機發(fā)光二極管是一種平板顯示設(shè)備，其中可以把電壓施加于插入在兩個電極，即，陽極和陰極，之間的多個層上，使電子和空穴復(fù)合而形成圖像。尤其，傳統(tǒng)的有機發(fā)光顯示設(shè)備在電極之間可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、至少一個有機發(fā)光層、電子注入層、以及電子傳輸層。因此，空穴可以從陽極注入到空穴注入層，所以可以通過空穴傳輸層把所注入的空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層。相似地，電子可以從陰極注入到電子注入層，所以可以通過電子傳輸層把所注入的電子傳輸?shù)桨l(fā)光層。傳輸?shù)目昭ê碗娮涌梢栽诎l(fā)光層中進行結(jié)合，以形成激發(fā)子(excition)，從而發(fā)射可見光和形成圖像。
有機發(fā)光顯示設(shè)備的傳統(tǒng)的有機發(fā)光層的質(zhì)量會隨時間而變差，從而降低了從其發(fā)射的光的亮度和/或修改了它的顏色坐標(biāo)。有機發(fā)光層發(fā)射光的降低的亮度會降低有機發(fā)光顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量和它總使用壽命。已經(jīng)嘗試通過在其中結(jié)合光敏傳感器來提高有機發(fā)光顯示設(shè)備的亮度。然而，傳統(tǒng)的光敏傳感器可能具有較低的光接收率，因此只能提供對有機發(fā)光顯示設(shè)備有限的亮度控制。
因此，存在對于一種有機發(fā)光顯示設(shè)備的一種需求，這種有機發(fā)光顯示設(shè)備帶有能夠控制有機發(fā)光顯示設(shè)備的亮度同時展現(xiàn)提高了的光接收率的光敏傳感器。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對實質(zhì)上克服了現(xiàn)有技術(shù)中一個或多個缺點的一種有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
本發(fā)明的一個特征是提供一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，該有機發(fā)光顯示設(shè)備具有其上帶有釋放結(jié)構(gòu)的光敏傳感器，從而使光敏傳感器能夠從有機發(fā)光二極管接收增強的內(nèi)部光量。
本發(fā)明的另一個特征是提供制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的一種方法，該有機發(fā)光顯示設(shè)備具有形成在柵極絕緣層上的帶釋放結(jié)構(gòu)的并且能夠增強從有機發(fā)光二極管接收的光量的光敏傳感器。
通過提供一種有機發(fā)光顯示設(shè)備可以實現(xiàn)本發(fā)明的上述和其它特征中的至少一個特征，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備包括基板、具有帶第一釋放結(jié)構(gòu)的柵極絕緣層和內(nèi)絕緣層的薄膜晶體管、與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管以及在基板和第一釋放結(jié)構(gòu)之間的光敏傳感器。
可以在薄膜晶體管和光敏傳感器之間的基板上安置柵極絕緣層的一部分。此外，柵極絕緣層可以包括氧化硅或氮化硅。
可以在光敏傳感器上直接安置第一釋放結(jié)構(gòu)。第一釋放結(jié)構(gòu)可以是凸起的結(jié)構(gòu)?；蛘?，第一釋放結(jié)構(gòu)可以是凹入的結(jié)構(gòu)。根據(jù)另一選擇，第一釋放結(jié)構(gòu)可以具有齒型的圖案。
光敏傳感器能夠吸收從有機發(fā)光二極管發(fā)射的光和把所吸收的光轉(zhuǎn)換成電信號。電信號能夠控制從有機發(fā)光二極管發(fā)射的光的亮度。
內(nèi)絕緣層可以包括第二釋放結(jié)構(gòu)?？梢灾苯釉诘谝会尫沤Y(jié)構(gòu)上安置第二釋放結(jié)構(gòu)。此外，第二釋放結(jié)構(gòu)可以具有凹入的結(jié)構(gòu)、凸出的結(jié)構(gòu)、齒型的圖案等等。
有機發(fā)光二極管可以是背面型(rear-type)有機發(fā)光二極管。此外，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以在基板上包括緩沖層。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的一種方法，該方法包括在基板上形成半導(dǎo)體層；在基板上形成光敏傳感器，使光敏傳感器與半導(dǎo)體層隔開；在半導(dǎo)體層和光敏傳感器上形成柵極絕緣層；在光敏傳感器上的柵極絕緣層表面上形成圖案以形成第一釋放結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體層上形成柵極和源極/漏極；以及形成與源極/漏極電連接的有機發(fā)光層。
柵極絕緣層表面上形成圖案的方法可以包括蝕刻。制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法還可以包括在柵極上形成內(nèi)絕緣層。此外，制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法可以包括在光敏傳感器上的內(nèi)絕緣層表面上形成圖案以形成第二釋放結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的又一個方面，提供了包括有機發(fā)光顯示設(shè)備的一種便攜式電子裝置，該有機發(fā)光顯示設(shè)備具有基板、帶柵極絕緣層的薄膜晶體管、與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管以及光敏傳感器，其中柵極絕緣層可以包括光敏傳感器上的釋放結(jié)構(gòu)。


通過詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實施例和參考附圖，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點對熟悉本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員將變得顯而易見，其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的橫截面圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的橫截面圖；圖3A-3E示出制造圖1所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備過程中的順序步驟；以及圖4-5示出具有根據(jù)本發(fā)明一個實施例的帶有有機發(fā)光顯示設(shè)備的示范性便攜式電子設(shè)備的示圖。
具體實施例方式
這里整體結(jié)合2006年6月9日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的題為“有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法”的韓國專利申請10-2006-0052157號作為參考。
現(xiàn)在將在說明本發(fā)明的示范性實施例的下文中參考附圖更充分地描述本發(fā)明。然而，可以按不同形式來實施本發(fā)明，并且不應(yīng)把這里闡明的實施例解釋為限制。而是，提供這些實施例以致使本揭示透徹和完整，并且將把本發(fā)明的范圍全部傳達(dá)給熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
在附圖中，為了清楚說明起見，可能夸大了層和區(qū)域的大小。還應(yīng)該理解，當(dāng)把一層或一個元件稱為在另一層、元件或基板“之上”時，這可以直接在其它層、元件或基板的上面，或也可能存在中間層或元件。進一步，要理解，當(dāng)把一層或一個元件稱為在另一層或元件“之下”時，這可以直接在下面，或也可能存在一層或多層中間層或一個或多個元件。此外，還要理解，當(dāng)把一層或一個元件稱為在兩層或兩個元件“之間”時，這可能在兩層或兩個元件之間只有這一層或元件，也可能存在一層或多層中間層或一個或多個元件。在整個說明書中，相同的標(biāo)號指相同的元件。
在下文中，將參考圖1更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示范性實施例。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備2 0可以包括基板200；緩沖層210；在緩沖層210上的光敏傳感器230；具有半導(dǎo)體層220、柵極絕緣層240、柵極250和源極/漏極270的薄膜晶體管；以及與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管290。
可以用由熟悉本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員確定的任何絕緣材料，例如，玻璃、塑料、硅、合成樹脂等等，來制造有機發(fā)光顯示設(shè)備20的基板200。最好，基板200是透明的，例如，玻璃基板。此外，可以形成基板200使之具有像素區(qū)域A和非像素區(qū)域B，如圖1所示，以致像素區(qū)域A可以包括能夠顯示圖像的基板200的一個區(qū)域，例如，包括有機發(fā)光二極管290的一個區(qū)域，而非像素區(qū)域B可以包括基板200不能夠顯示圖像的所有區(qū)域，即像素區(qū)域A之外的區(qū)域。例如，可以在非像素區(qū)域B中形成薄膜晶體管。
可以在基板200上用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)來選擇性地形成有機發(fā)光顯示設(shè)備20的緩沖層210。緩沖層210可以使后期處理(post-processing)期間擴散到半導(dǎo)體層220和光敏傳感器230中的雜質(zhì)最少。
有機發(fā)光顯示設(shè)備20的光敏傳感器230可以是能夠接收光信號和把光信號轉(zhuǎn)換成電信號(例如，電流或電壓)的任何合適的光敏傳感器。例如，光敏傳感器230可以是具有光檢測功能的半導(dǎo)體器件，諸如在其結(jié)上具有光檢測功能的二極管，即光電二極管。換言之，因為可以通過光子的吸收來產(chǎn)生電子或空穴，并且可以相對于檢測到的光信號來調(diào)制二極管的導(dǎo)電率，所以，功能如同光敏傳感器230的二極管可以通過根據(jù)所檢測到的光的變化(即，所吸收的光子)來改變電流從而把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
可以在緩沖層210上形成光敏傳感器230。尤其，可以用無定形硅在基板200的像素區(qū)域A的上面形成光敏傳感器230。更具體地，光敏傳感器230可以包括N-型摻雜區(qū)231、P-型摻雜區(qū)232、以及它們之間的本征區(qū)域(intrinsic region)(未示出)，并且安置在緩沖層210上，即，在基板200和有機發(fā)光二極管290之間，以致從有機發(fā)光二極管290發(fā)射的垂直光線可以到達(dá)光敏傳感器230。
如果陽極電壓施加于P-型摻雜區(qū)232，而陰極電壓施加于N-型摻雜區(qū)231，則N-型摻雜區(qū)231和P-型摻雜區(qū)232之間的本征區(qū)域可以變成完全耗盡，從而通過吸收從有機發(fā)光二極管290發(fā)射的光來產(chǎn)生和積累電荷，并且把它們轉(zhuǎn)換成電信號。光敏傳感器230根據(jù)所吸收的光信號產(chǎn)生的電信號可以表示有機發(fā)光二極管290的實際亮度值，并且與預(yù)定亮度參考值進行比較。可以通過光敏傳感器230來控制實際亮度值與預(yù)定亮度參考值的任何偏差，從而促進從有機發(fā)光二極管290輸出恒定亮度，即，通過發(fā)光層292產(chǎn)生光。
更具體地，例如，可以把光敏傳感器230產(chǎn)生的電信號，即，表示實際亮度值的信號，提供給信號處理部分，以及接著，提供給伽馬補償部分，以便執(zhí)行預(yù)定的伽馬校正和產(chǎn)生與每個梯度電平(gradation level)對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)電壓。可以把與每個梯度電平對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加于數(shù)據(jù)信號發(fā)生器以產(chǎn)生基于標(biāo)準(zhǔn)電壓的數(shù)據(jù)信號，并且把數(shù)據(jù)信號施加于各根數(shù)據(jù)線。另一方面，可以把光敏傳感器230產(chǎn)生的電信號提供給控制器，以致控制器可以輸出各個控制信號，用于相對于其內(nèi)部光來控制發(fā)光層292的亮度。
可以形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層220使之在緩沖層210上的非像素區(qū)域B中具有預(yù)定的圖案。尤其，可以通過例如激光輻射使無定形硅層晶化成低溫多晶硅(LTPS)來形成半導(dǎo)體層220。
可以用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等在半導(dǎo)體層220和光敏傳感器230上形成薄膜晶體管的柵極絕緣層240。尤其，如圖1所示，可以在半導(dǎo)體層220和柵極250之間設(shè)置柵極絕緣層240，并且可以形成位于光敏傳感器230上的、和內(nèi)絕緣層260相連的柵極絕緣層240的表面部分，以包括釋放結(jié)構(gòu)241，例如，具有多個u-形凹痕的凸起結(jié)構(gòu)，具有多個反u-形凸出物的凹入結(jié)構(gòu)，具有多個矩形齒的齒形結(jié)構(gòu)等等。旨在不受理論的束縛，由于增加了光敏傳感器230上面的柵極絕緣層240的表面面積，相信在光敏傳感器230上面形成釋放結(jié)構(gòu)241可以增加從有機發(fā)光二極管290入射到光敏傳感器230的光的聚光效率(condensing efficiency)。換言之，在光敏傳感器230上面的柵極絕緣層240中形成釋放結(jié)構(gòu)241可以增加?xùn)艠O絕緣層240中每單位面積的表面面積，并且減少其上的光入射角，從而使入射光效率最大，即，對于相同的光量提供較大的入射面積來增加通過光敏傳感器230的光的接收量和接收率。
可以按預(yù)定的圖案在非像素區(qū)域B中的柵極絕緣層240上設(shè)置薄膜晶體管的柵極250。可以在柵極250上和柵極絕緣層240上設(shè)置內(nèi)絕緣層260。尤其，內(nèi)絕緣層260可以位于非像素區(qū)域B中的柵極絕緣層240和有機發(fā)光二極管290之間，并且和柵極絕緣層240相連，如圖1所示。
在內(nèi)絕緣層260上設(shè)置薄膜晶體管的源極/漏極270，并且經(jīng)由通過柵極絕緣層240和內(nèi)絕緣層260形成的接觸孔與半導(dǎo)體層220的兩側(cè)電連接。
可以在基板200上形成有機發(fā)光顯示設(shè)備20的有機發(fā)光二極管290，并且包括第一電極層291、第二電極層293和它們之間的發(fā)光層292。有機發(fā)光二極管290可以經(jīng)由孔電連接到薄膜晶體管，即，源極/漏極270中的任何一個。
可以用例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)等任何合適的透明導(dǎo)體來制造有機發(fā)光二極管290的第一電極層291。可以在第一電極層291上形成有機發(fā)光二極管290的第二電極層293?？梢杂米鳛榈撞堪l(fā)射型的反射金屬薄膜來制造第二電極層293中的至少一層?？梢栽诘谝缓偷诙姌O層291和293之間分別形成有機發(fā)光二極管290的發(fā)光層292。尤其，可以形成發(fā)光層292以暴露部分第一電極層291。此外發(fā)光層292可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。因此，當(dāng)從第一和第二電極層291和293分別注入的空穴和電子在其中耦合時，發(fā)光層292可以產(chǎn)生光。此外，由于第二電極層293中使用的反射金屬薄膜，從發(fā)光層292發(fā)射的光可以通過透明的第一電極層291發(fā)射到基板200。
根據(jù)本發(fā)明一個實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備20還可以包括平面化層280?？梢酝ㄟ^沉積一層氧化物薄膜(例如，SiO2)、氮化物薄膜(例如，SiNx)等在內(nèi)絕緣層260和源極/漏極270上形成平面化層280。尤其，可以把平面化層280放置于薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管290之間，并且可以蝕刻一部分平面化層280以暴露薄膜晶體管的源極/漏極270中之一以便提供薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管290之間的連接。
根據(jù)本發(fā)明一個實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備20還可以包括像素定義薄膜295?？梢栽谄矫婊瘜?80上形成像素定義薄膜，以致像素定義薄膜295可以包括開口部分(未示出)以暴露至少一部分有機發(fā)光二極管290的第一電極層291。尤其，可以把像素定義薄膜295的一些部分放置于有機發(fā)光二極管290的第一和第二電極層291和293之間。可以用有機絕緣材料來制造像素定義薄膜295，例如，丙烯酸有機化合物、聚酰胺、聚酰亞胺等。
在圖2所示的本發(fā)明的另一個示范性實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備30可以包括基板300；緩沖層310；在緩沖層310上的光敏傳感器330；具有半導(dǎo)體層320、柵極絕緣層340、柵極350、內(nèi)絕緣層360和源極/漏極370的薄膜晶體管；以及與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管390。此外有機發(fā)光顯示設(shè)備30可以分別包括柵極絕緣層340和內(nèi)絕緣層360上表面上的第一和第二釋放結(jié)構(gòu)341和361。然而，應(yīng)該注意，有機發(fā)光顯示設(shè)備30的某些元件與前面相對于圖1描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備20的某些元件相似，因此，下文中將不重復(fù)詳細(xì)描述相似的元件。
可以與前面相對于圖1描述的釋放結(jié)構(gòu)241相似地形成第一釋放結(jié)構(gòu)341。可以通過相似的方法在內(nèi)絕緣層360的上表面上形成第二釋放結(jié)構(gòu)361，并且使其具有與第一釋放結(jié)構(gòu)341相似的形狀。尤其，可以形成第一和第二釋放結(jié)構(gòu)341和361使之具有凸出的圖案或凹入的圖案以便增加從有機發(fā)光二極管390入射到光敏傳感器330的光的聚光效率。旨在不受理論的束縛，除了第一釋放結(jié)構(gòu)341，在光敏傳感器330上形成第二釋放結(jié)構(gòu)361，可以進一步凝聚從有機發(fā)光二極管390向光敏傳感器330入射的光的效率。因此，在光敏傳感器330中可以產(chǎn)生更多電子或空穴來提高有機發(fā)光二極管390的亮度控制。
在這方面，應(yīng)該注意，即使圖2所示的第一和第二釋放結(jié)構(gòu)341和361是直接在光敏傳感器330上面的凸出的圖案，但是本發(fā)明的范圍也不排除釋放結(jié)構(gòu)的其它圖案。例如，可以使用通過增加入射光的表面面積來提高光敏傳感器330的光接收率的任何結(jié)構(gòu)，例如，在柵極絕緣層340或內(nèi)絕緣層360的整個表面上的齒型圖案。
根據(jù)圖3A-3E所示的本發(fā)明的另一個示范性實施例，下面將詳細(xì)描述以前相對于圖1描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法。
如圖3A所示，可以在基板200的上表面上形成緩沖層210。尤其，可以通過現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何方法(例如，等離子體加強的化學(xué)氣相沉積法(PECVD))用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)來形成厚度從約3000埃起的緩沖層210。
可以用硅和有機材料在基板200的非像素區(qū)域B上形成半導(dǎo)體層220。尤其，可以通過化學(xué)氣相沉積方法(CVD)在緩沖層210上沉積半導(dǎo)體層220到厚度為從約300埃到約2000埃。一旦沉積了半導(dǎo)體層220，就可使它形成預(yù)定的圖案，例如，島狀。
可以在基板200的像素區(qū)域A上形成光敏傳感器230。例如，可以在緩沖層210上離開半導(dǎo)體層220預(yù)定距離處形成光敏傳感器230。換言之，即使在緩沖層210上形成光敏傳感器230和半導(dǎo)體層220兩者，它們之間要離開一個距離。例如，在它們之間可以放置一部分柵極絕緣層240，下面將會更詳細(xì)地討論這一點。還應(yīng)該注意，可以在像素區(qū)域A的任何地方(即，第一緩沖層210和第一電極291之間的任何地方)形成光敏傳感器230，只要從有機發(fā)光二極管290的發(fā)光層292發(fā)射的垂直光線可以入射在其上。因此，光敏傳感器230的位置應(yīng)該不局限于圖3A-3E所示的位置。
可以通過沉積無定形硅層，接著，通過預(yù)定熱處理使無定形硅層晶化以形成多晶硅層來形成光敏傳感器230?？梢允苟嗑Ч鑼有纬蓤D案，并且注入高濃度的N和P型雜質(zhì)，以分別在多晶硅的第一和第二區(qū)域中形成N-型摻雜區(qū)231和P-型摻雜區(qū)232?？梢栽诙嗑Ч鑼拥膬蓚€邊緣處形成N-型摻雜區(qū)231和P-型摻雜區(qū)232。
接著，如圖3B所示，可以在半導(dǎo)體層220和光敏傳感器230上沉積柵極絕緣層240。尤其，可以通過PECVD方法用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)形成柵極絕緣層240，厚度為約700埃到約1500埃。接著，可以把具有與釋放結(jié)構(gòu)對應(yīng)的圖案的光掩模242施加于柵極絕緣層240，以致可以在光敏傳感器230的一個位置上的柵極絕緣層240上設(shè)置釋放圖案。因此，可以在柵極絕緣層240上執(zhí)行曝光處理和顯影處理。在這方面，應(yīng)該注意，可以根據(jù)半球長度，即，直徑、高度、角度、圖案間隔/重疊等來控制光掩模242的圖案，以便在形成時使釋放結(jié)構(gòu)241的聚光效率最大化。如圖3C所示，在曝光和顯影處理期間可以除去柵極絕緣層240的上表面(即，與光掩模242接觸的表面)的一些部分，以致光掩模242的圖案可以傳予柵極絕緣層240以形成光敏傳感器230上的釋放結(jié)構(gòu)241。換言之，可以除去柵極絕緣層240的一些部分以在其上形成，例如，齒型圖案。可以通過熟悉本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員確定的任何方便的熱處理使齒型圖案硬化，以形成具有凸出結(jié)構(gòu)或凹入結(jié)構(gòu)的釋放結(jié)構(gòu)241。
通常，可以形成釋放結(jié)構(gòu)241使之具有多個順序的橢圓球或半球，球的直徑為約數(shù)微米到約數(shù)十微米，并且相對于光敏傳感器230的水平表面保持約5 °到約30°的角度。例如，如果多個半球的直徑具有約數(shù)微米的長度，則最大光接收率，即，從有機發(fā)光二極管290發(fā)射的入射光相對于光敏傳感器230的水平表面約成(-30)°的角度。
接著，如圖3D所示，可以在半導(dǎo)體層220上設(shè)置柵極250，以致可以使柵極絕緣層240置于它們之間?？梢酝ㄟ^在柵極絕緣層240上濺射導(dǎo)電材料(例如，鋁(Al)或鋁合金、鎢化鉬(MoW)、鉬(Mo)、銅(Cu)、銀(Ag)或銀合金、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、半透明的金屬等)使厚度達(dá)約2000埃到約3000埃而形成柵極250，接著，使所沉積的導(dǎo)電金屬形成預(yù)定形狀的圖案?？梢酝ㄟ^與上述柵極絕緣層240的方法相同的方法在柵極絕緣層240和柵極250上設(shè)置內(nèi)絕緣層260。
接著，在柵極250上的內(nèi)絕緣層260上形成源極/漏極270，并且與半導(dǎo)體層220電連接以完成薄膜晶體管的形成。換言之，可以通過柵極絕緣層240和內(nèi)絕緣層260形成至少一個接觸孔，以致源極/漏極270的每一側(cè)都可以與半導(dǎo)體層220電連接?？梢栽趦?nèi)絕緣層260上形成平面化層280，以致可以使源極/漏極270位于它們之間。
可以在平面化層280上設(shè)置有機發(fā)光二極管290，并且把它電連接到源極/漏極270中的任何一個。尤其，如圖3E所示，有機發(fā)光二極管290的第一電極層291可以通過由蝕刻而打通平面化層280的一個孔與源極或漏極270電連接?？梢孕纬傻诙姌O層293使之具有至少一層反射金屬薄膜，并且第二電極層293可以放置在第一電極層291上，在它們之間形成發(fā)光層292。發(fā)光層292可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層?？梢栽诎l(fā)光層292和第一電極層291之間形成像素定義層295。尤其，可以通過在平面化層280上施加有機絕緣材料(例如，烯酸有機化合物、聚酰胺等)來形成像素定義層295，以致像素定義層295的一些部分可以放置在發(fā)光層292和第一電極層291之間。像素定義層295可以包括一個開口部分來至少部分地暴露第一電極層291。
如圖5-6所示，可以在任何便攜式電子裝置(例如，蜂窩電話、筆記本電腦、數(shù)碼照相機、個人多媒體播放機(PMP)等)中使用根據(jù)前面相對于圖1-4描述的實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備，為本領(lǐng)域普通技術(shù)所說明如上所述，本發(fā)明的優(yōu)點在于提供了具有光敏傳感器的有機發(fā)光顯示設(shè)備，由于增加了光敏傳感器上的光入射表面面積，該光敏傳感器能夠吸收來自有機發(fā)光二極管的、數(shù)量增加的內(nèi)部光，從而提供有機發(fā)光顯示設(shè)備的加強的亮度控制。同樣地，本發(fā)明可以有利地使由于有機層質(zhì)量變差而引起的亮度和圖像質(zhì)量的變差減到最小，從而加強流入像素的電流和提高有機發(fā)光顯示設(shè)備的整體質(zhì)量和總使用壽命。
這里已經(jīng)揭示了本發(fā)明的示范性實施例，雖然使用了特定的術(shù)語，但是使用它們并且只在一般和描述的意義上來解釋它們，而并非為了限制。因此，熟悉本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員可以理解，可以作出形式上和細(xì)節(jié)上的各種修改而不偏離由下述權(quán)利要求書闡明的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示設(shè)備包括基板；在基板上具有柵極絕緣層和內(nèi)絕緣層的薄膜晶體管，所述柵極絕緣層包括第一釋放結(jié)構(gòu)；與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管；以及在基板和第一釋放結(jié)構(gòu)之間的光敏傳感器。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，在所述薄膜晶體管和所述光敏傳感器之間的所述基板上設(shè)置一部分的所述柵極絕緣層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一釋放結(jié)構(gòu)具有凸出結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一釋放結(jié)構(gòu)具有凹入結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一釋放結(jié)構(gòu)具有齒型圖案。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一釋放結(jié)構(gòu)是直接在所述光敏傳感器上面的。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述柵極絕緣層包括氧化硅或氮化硅。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述光敏傳感器能夠吸收從所述有機發(fā)光二極管發(fā)射的光并且把所吸收的光轉(zhuǎn)換成電信號。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述電信號能夠控制從所述有機發(fā)光二極管發(fā)射的光的亮度。
10.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管是背面型有機發(fā)光二極管。
11.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述內(nèi)絕緣層包括第二釋放結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二釋放結(jié)構(gòu)是直接在所述第一釋放結(jié)構(gòu)上面的。
13.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二釋放結(jié)構(gòu)具有凸出結(jié)構(gòu)、凹入結(jié)構(gòu)或齒型圖案。
14.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，還包括基板上的緩沖層。
15.一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括在基板上形成半導(dǎo)體層；在基板上形成光敏傳感器，使得所述光敏傳感器與所述半導(dǎo)體層隔開；在所述半導(dǎo)體層和所述光敏傳感器上形成柵極絕緣層；使所述光敏傳感器上的所述柵極絕緣層的表面形成圖案，以形成第一釋放結(jié)構(gòu)；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極和源極/漏極；以及形成與所述源極/漏極電連接的有機發(fā)光二極管。
16.如權(quán)利要求15所述的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其特征在于，使所述柵極絕緣層的表面形成圖案的步驟包括蝕刻。
17.如權(quán)利要求15所述的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，還包括在所述柵極上形成內(nèi)絕緣層。
18.如權(quán)利要求16所述的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，還包括使在所述光敏傳感器上的所述內(nèi)絕緣層表面形成圖案以形成第二釋放結(jié)構(gòu)。
19.一種便攜式電子裝置，該裝置包括有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備具有基板、具有柵極絕緣層的薄膜晶體管、與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管、以及光敏傳感器，其中所述柵極絕緣層包括在所述光敏傳感器上的釋放結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種有機發(fā)光顯示設(shè)備包括基板；具有柵極絕緣層和內(nèi)絕緣層的薄膜晶體管；與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管；以及光敏傳感器，其中所述柵極絕緣層包括設(shè)置在光敏傳感器上面的釋放結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L21/70GK101086998SQ20071010988
公開日2007年12月12日 申請日期2007年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
發(fā)明者梁善芽, 吳允哲, 李垠政, 姜垣錫 申請人:三星Sdi株式會社