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      一種制備Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的工藝的制作方法

      文檔序號(hào):7232647閱讀:127來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種制備Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的工藝的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于光伏電池技術(shù)領(lǐng)域,特別是提供了一種制備Cu2ZnSnS4薄膜太陽(yáng)能 電池吸收層的工藝。
      背景技術(shù)
      Cu2ZnSnS4是一種用作薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的半導(dǎo)體材料。它具有1.51eV的 禁帶寬度,10、m—1的吸收系數(shù),十分符合太陽(yáng)能電池所要求的條件?;衔镏泻?的元素都是在地殼中儲(chǔ)量豐富的,不含其他太陽(yáng)能電池材料如CdTe中含有的有毒金 屬Cd,也不含有CuInSe2所用的貴金屬In,是一種對(duì)環(huán)境十分友好的材料,適宜作 為太陽(yáng)能電池的吸收層,因此具有十分廣闊的應(yīng)用前景。
      很多國(guó)家的研究機(jī)構(gòu)都開展了對(duì)此化合物的研究,取得了很大的進(jìn)展。目前常 用的制備工藝包括硫化氣相沉積前驅(qū)體法、磁控濺射法、混合濺射法等。其共通點(diǎn) 在于都是通過(guò)某種方法預(yù)先制備一層Cu、 Zn、 Sn元素比一定的合金層,而后再進(jìn)行 硫化,最終得到所需要的Cu2ZnSnS4吸收層。上述方法可以簡(jiǎn)要的分為兩步(l)合 金膜的制備;(2)硫化。
      對(duì)于與Cu2ZnSnS4同屬于黃銅類太陽(yáng)能材料的CuInSe2而言,有人采用如下方法 制備出光電轉(zhuǎn)化效率為7.8%的電池先混合納米級(jí)的Cu, In粉,濕磨一定時(shí)間后制 成含有CuIn合金、Cu、 In單質(zhì)的混合粉末,而后涂覆在一定的基體上進(jìn)行硒化。因 此對(duì)于Cu2ZnSnS4而言,同樣可以采用類似的方法進(jìn)行制備。而且相對(duì)于其他方法, 此法制備成本比較低,適于大規(guī)模批量化生產(chǎn)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提供一種制備Cu2ZnSnS4薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的工藝。在 成功的制備出純凈CU2ZnSnS4吸收層的基礎(chǔ)上,簡(jiǎn)化了工藝步驟,使之更適合于實(shí) 際生產(chǎn)。
      本發(fā)明的構(gòu)成
      按照摩爾比Cu:Zn:Si^l.6 1.7:l:l混合化學(xué)純的Cu粒、Zn粒、Sn粒,壓制成 4)10mm圓柱壓坯,封存在真空度l(T" l(^pa的石英管中,通過(guò)感應(yīng)熔煉使之形成 合金錠。采用甩帶工藝可以制成厚度6 15nm的脆性合金薄帶。再將Cu-Zn-Sn合 金帶與S粉按照1:0.8 1:1.2的配比混合球磨48 96h形成棕黑色的混合粉末前驅(qū) 體,將混合粉末前驅(qū)體涂敷在鉬箔基體或鈉鈣玻璃基體上,干燥后在氫氣和硫蒸氣 或氮?dú)夂土蛘魵鈿夥罩型嘶稹?br> 本發(fā)明所述的甩帶工藝參數(shù)為電壓220V,將熔煉好的Cu-Zn-Sn合金錠放入 甩帶設(shè)備的石英管(石英管下端開有02rnrn小口 ,目的是使熔融液態(tài)合金流出)中, 感應(yīng)加熱迅速使其融化從小口流出,落在以200-1000r/min轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)的銅輥表面上, 由于激冷以及銅輥高速轉(zhuǎn)動(dòng),合金以帶狀形式甩出。
      本發(fā)明所述的球磨工藝參數(shù)為Cu-Zn-Sn合金帶按照1:0.8 1:1.2的配比混合硫 粉,置于行星式球磨機(jī)中球磨48 96h,制成棕黑色的混合粉末前驅(qū)體。
      本發(fā)明所述的退火工藝參數(shù)為在氫氣和硫蒸氣或氮?dú)夂土蛘魵鈿夥罩?,? 15。C/min的升溫速率加熱到180 220°C,保溫30 90min,再以l 10°C/min的升 溫速率加熱到350。C 40(TC保溫30 180min,然后隨爐冷卻至室溫。
      本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于采用熔煉合金的方法,先形成一定的合金相,并且相比于 其他單元素逐一添加到體系中的方法,盡可能的避免了元素的損失,確保了嚴(yán)格的 化學(xué)計(jì)量比。甩帶后形成非常薄的脆性合金帶,利于后續(xù)階段球磨出成分粒度比較 小的混合粉末前驅(qū)體。合金帶混合硫粉,在球磨過(guò)程中充分混合,形成均勻的混合 物,由于涂敷后的膜中含有符合化學(xué)計(jì)量比的硫,相比于其他硫化方法,更易于形 成均勻的吸收層。


      圖1是本發(fā)明制得的混合粉末前驅(qū)體涂敷在鈉鈣玻璃基體上在氮?dú)夂土蛘魵鈿?氛下35(TC退火120min后得到的X射線衍射圖。橫坐標(biāo)為衍射角度,縱坐標(biāo)為相對(duì)強(qiáng) 度。
      圖2是本發(fā)明制得的混合粉末前驅(qū)體涂敷在鈉鈣玻璃基體上在氮?dú)夂土蛘魵鈿?氛下400'C退火120min后得到的X射線衍射圖。橫坐標(biāo)為衍射角度,縱坐標(biāo)為相對(duì)強(qiáng) 度。
      圖3是本發(fā)明制得的混合粉末前驅(qū)體涂敷在鈉鈣玻璃基體上在氫氣和硫蒸氣氣 氛下350'C退火120min后得到的X射線衍射圖。橫坐標(biāo)為衍射角度,縱坐標(biāo)為相對(duì)強(qiáng) 度。
      圖4是本發(fā)明制得的混合粉末前驅(qū)體涂敷在鈉鈣玻璃基體上在氫氣和硫蒸氣氣 氛下40(TC退火120min后得到的X射線衍射圖。橫坐標(biāo)為衍射角度,縱坐標(biāo)為相對(duì)強(qiáng) 度。
      具體實(shí)施方式
      Cu-Zn-Sn合金的熔煉
      (1) 首先取原子比為Cu:Zn:Sn二1.6 1.7:l:l的金屬顆粒,均勻混合后壓制成壓坯。
      (2) 將壓坯密封在石英管中,由于在密封過(guò)程中需要抽氣,而且真空度需要控制 在l(T" l(^pa以下,因此可添加適當(dāng)?shù)奈鼩鈩?br> (3) 利用感應(yīng)熔煉的方法,電壓控制在220V,當(dāng)熔體沸騰后持續(xù)5min,停止加 熱,自然冷卻到室溫,得到銀白色的合金。
      Cu-Zn-Sn合金的甩帶及Cu-Zn-Sn合金帶加硫球磨
      (1)將熔煉好的合金錠置于甩帶設(shè)備的石英管(石英管下端開有小口,目的是 使熔融液態(tài)合金流出)中,感應(yīng)加熱使其融化從小口流出,滴落在轉(zhuǎn)動(dòng)的銅輥上, 由于激冷以及高速轉(zhuǎn)動(dòng),合金以帶狀形式甩出,由于甩出的金屬帶比較脆并且厚度 較薄,會(huì)發(fā)生斷裂,易于后續(xù)的球磨。
      (2) 將Cu-Zn-Sn合金帶按照l(shuí):0.8 l丄2的配比混合硫粉,置于行星式球磨機(jī) 中球磨48 96h,制成棕黑色的混合粉末前驅(qū)體。
      (3) 將混合粉末前驅(qū)體涂敷在鉬箔基體或鈉鈣玻璃基體上,干燥后待熱處理。 例l: Cu2ZnSnS4吸收層的氮?dú)夂土蛘魵鈿夥誈50'C)制備
      (1) 將涂敷有混合粉末前驅(qū)體的鈉鈣玻璃基體,置于可控氣氛管式電阻爐中, 通氮?dú)馀懦諝?5min。
      (2) 按照10°C/min的速率升溫至200。C,保溫60min。
      (3) 按照2'C/min的速率由200。C升溫至350°C,保溫120min后隨爐冷至室溫 取出,得到藍(lán)黑色的吸收層。
      例2: Cu2ZnSnS4吸收層的氮?dú)夂土蛘魵鈿夥?400°C)制備
      (1) 將涂敷有混合粉末前驅(qū)體的鈉鈣玻璃基體,置于可控氣氛管式電阻爐中, 通氮?dú)馀懦諝?5min。
      (2) 按照10°C/min的速率升溫至200°C,保溫60min。
      (3) 按照2°C/min的速率由200。C升溫至400°C,保溫120min后隨爐冷至室溫 取出,得到藍(lán)黑色的吸收層。
      例3: Cu2ZnSnS4吸收層的氫氣和硫蒸氣氣氛(350°C)制備
      (1) 將涂敷有混合粉末前驅(qū)體的鈉鈣玻璃基體,置于可控氣氛管式電阻爐中, 通氫氣排除空氣,驗(yàn)純?nèi)巍?br> (2) 按照10°C/min的速率升溫至200°C,保溫60min。
      (3) 按照2°C/min的速率由200。C升溫至350°C,保溫120min后隨爐冷至室溫 取出,得到藍(lán)黑色的吸收層。
      例4: Cu2ZnSnS4吸收層的氫氣和硫蒸氣氣氛(400°C)制備
      (1) 將涂敷有混合粉末前驅(qū)體的鈉鈣玻璃基體,置于可控氣氛管式電阻爐中, 通氫氣排除空氣,驗(yàn)純?nèi)巍?br> (2) 按照10°C/min的速率升溫至200°C,保溫60min。
      (3) 按照2°C/min的速率由200'C升溫至400°C,保溫120min后隨爐冷至室溫 取出,得到藍(lán)黑色的吸收層。
      例5:熱處理后樣品的XRD
      將涂敷有混合粉末前驅(qū)體的鈉鈣玻璃基體在氮?dú)夂土蛘魵鈿夥蘸蜌錃夂土蛘?氣氣氛下經(jīng)350。C和40(TC熱處理后,Cu2ZnSnS4的(112), (200), (220), (312) 晶面衍射峰十分明顯。在氫氣和硫蒸氣氣氛350'C熱處理后得到了十分純凈的 Cu2ZnSnS4相。
      權(quán)利要求
      1、一種制備Cu2ZnSnS4薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的工藝,其特征在于按照化學(xué)計(jì)量比Cu∶Zn∶Sn=1.6~1.7∶1∶1混合化學(xué)純的Cu粒、Zn粒、Sn粒,壓制成壓坯,封存在真空度10-4~10-2pa的石英管中,通過(guò)感應(yīng)熔煉使之形成合金錠;采用甩帶工藝制成厚度6~15μm的脆性合金薄帶;再將Cu-Zn-Sn合金帶與硫粉按照1∶0.8~1∶1.2的配比混合球磨48~96小時(shí)形成棕黑色的混合粉末前驅(qū)體,將混合粉末前驅(qū)體涂敷在鉬箔基體或鈉鈣玻璃基體上,干燥后在氫氣和硫蒸氣或氮?dú)夂土蛘魵鈿夥罩型嘶稹?br> 2、 按照權(quán)利要求1所述的工藝,其特征在于所述的甩帶工藝參數(shù) 為電壓220V,將熔煉好的Cu-Zn-Sn合金錠放入甩帶設(shè)備的石英管中, 感應(yīng)加熱使其融化從石英管小口流出,落在以200-1000r/min轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)的銅 輥表面上,合金以帶狀形式甩出。
      3、 按照權(quán)利要求1所述的工藝,其特征在于所述的退火工藝參數(shù) 為在在氫氣和硫蒸氣或氮?dú)夂土蛘魵鈿夥罩?,? 15'C/min的升溫速 率加熱到180 220°C,保溫30 90min,再以l 10°C/min的升溫速率加 熱到350'C 40(TC保溫30 180min,然后隨爐冷卻至室溫。
      全文摘要
      一種制備Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的工藝,屬于光伏電池技術(shù)領(lǐng)域。按照摩爾比Cu∶Zn∶Sn=1.6~1.7∶1∶1混合化學(xué)純的Cu粒、Zn粒、Sn粒,壓制成壓坯,封存在真空石英管中,感應(yīng)熔煉合金錠。采用甩帶工藝制成厚度為6~15μm的脆性合金薄帶。將Cu-Zn-Sn合金帶按照1∶0.8~1∶1.2的配比混合硫粉,置于行星式球磨機(jī)中球磨48~96h,制成棕黑色的混合粉末前驅(qū)體,將混合粉末前驅(qū)體涂敷在鉬箔基體或鈉鈣玻璃基體上,干燥后在氫氣和硫蒸氣或氮?dú)夂土蛘魵鈿夥罩型嘶?。?yōu)點(diǎn)在于采用熔煉合金的方法,避免了元素的損失,確保了嚴(yán)格的化學(xué)計(jì)量比。甩帶后形成非常薄的金屬合金帶,利于后續(xù)階段球磨出粒度比較小的混合粉末前驅(qū)體。更易于形成均勻的吸收層。
      文檔編號(hào)H01L31/18GK101101939SQ200710119510
      公開日2008年1月9日 申請(qǐng)日期2007年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月25日
      發(fā)明者楊永剛, 果世駒, 王延來(lái), 王璐鵬, 聶洪波 申請(qǐng)人:北京科技大學(xué)
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