專利名稱：半導(dǎo)體封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤其涉及一基于碳納米管的半導(dǎo)體封裝件。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的進(jìn)步與數(shù)字時(shí)代的到來(lái)，消費(fèi)者對(duì)于電子產(chǎn)品的功能要 求也日漸提高。因此，如何提高半導(dǎo)體制造與集成電路設(shè)計(jì)的技術(shù)，制造功 能更強(qiáng)大的高頻芯片，已成為目前研究的重要課題。對(duì)于采用高頻芯片的半 導(dǎo)體封裝件而言，其運(yùn)行過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生極為嚴(yán)重的電磁波問(wèn)題(請(qǐng)參見，
Application of a Model-free Algorithm for the Packing Irregular Shaped Objects in Semiconductor Manufacture, International Conference on Robtics & Automation, P1545-1550, (2000))。這是由于高頻芯片運(yùn)算與傳輸時(shí)產(chǎn)生的很 強(qiáng)的電磁波往往會(huì)通過(guò)半導(dǎo)體封裝件傳到外界，造成周圍電子裝置的電磁干 擾(EMI, Electro Magnetic Interference )問(wèn)題。同時(shí)，也會(huì)降低半導(dǎo)體封裝 件的電性品質(zhì)與散熱效能，成為采用高頻芯片的半導(dǎo)體封裝件的一大問(wèn)題。
請(qǐng)參閱圖1,現(xiàn)有技術(shù)提供一種半導(dǎo)體封裝件10,其包括 一基板102, 且該基板102上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電跡線(圖中未顯示)以及與該導(dǎo)電跡線相連的 多個(gè)引腳116; —半導(dǎo)體芯片104設(shè)置于該基板102上，且該半導(dǎo)體芯片104 包括多個(gè)焊墊(圖中未顯示)設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片104上；多個(gè)焊線106，且 該多個(gè)焊線106將半導(dǎo)體芯片104的焊墊與基板102上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電跡線電性 連接； 一封裝膠層108包覆于該半導(dǎo)體芯片104及多個(gè)焊線106上； 一電磁 屏蔽層110設(shè)置于封裝膠層108外，并將整個(gè)封裝膠層108覆蓋； 一保護(hù)層 112設(shè)置于電磁屏蔽層110外，并將整個(gè)電磁屏蔽層110覆蓋。將該電磁屏 蔽層110接地，通過(guò)該電磁屏蔽層110可以隔絕電磁波，從而阻止半導(dǎo)體芯 片104運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的電磁波傳到外界，起到電磁屏蔽功效。
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝件10中，電磁屏蔽層110通常為一金屬層(如銅 層、鐵層)、合金層(如鎳鐵合金、鐵鈷合金等)或填充有多孔性金屬粒子的有機(jī)材料層。該有機(jī)材料可以是與所述封裝膠層108的材料相同或不同 的樹脂材料。
然而，采用金屬或合金制備的電磁屏蔽層110雖然可以阻止半導(dǎo)體芯片 104運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的電磁波傳到外界，但是，無(wú)法吸收電磁波。所以，會(huì)出現(xiàn) 電磁波在半導(dǎo)體封裝件10內(nèi)不斷反射的現(xiàn)象。這些電磁波不但會(huì)影響半導(dǎo) 體芯片104與焊線106的電性傳輸品質(zhì)，而且隨著電磁波能量的衰減，會(huì)在 半導(dǎo)體封裝件10內(nèi)產(chǎn)生大量的熱能，從而增加了該半導(dǎo)體封裝件IO的散熱 負(fù)擔(dān)。另外，采用金屬或合金層作為電磁屏蔽層IIO制備半導(dǎo)體封裝件10， 重量較沉，使用不便。
采用填充有多孔性金屬粒子的有機(jī)材料制備的半導(dǎo)體封裝件10的電磁 屏蔽層IIO通常采用印刷技術(shù)制備形成，所以受制備工藝限制，其厚度不能 太薄。另外，釆用填充有多孔性金屬粒子的有機(jī)材料制備的電磁屏蔽層110, 導(dǎo)電性與散熱性能較差，而且重量較沉，使用不便。
有鑒于此，確有必要提供一種能夠有效吸收電磁波，且散熱性能優(yōu)良， 重量輕，使用方便的半導(dǎo)體封裝件。

發(fā)明內(nèi)容
一種半導(dǎo)體封裝件，其包括 一基板，且該基板的第一表面設(shè)置有多個(gè) 導(dǎo)電跡線；至少一半導(dǎo)體預(yù)封裝件設(shè)置于該基板上，該半導(dǎo)體預(yù)封裝件與所 述多個(gè)導(dǎo)電跡線設(shè)置于該基板上的同一表面，且與該多個(gè)導(dǎo)電跡線電連接； 至少一電磁屏蔽層設(shè)置于所述至少一半導(dǎo)體預(yù)封裝件上； 一保護(hù)層覆蓋于該 至少一電磁屏蔽層上，其中，所述的電磁屏蔽層包括一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)。
相交于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)方案提供的半導(dǎo)體封裝件釆用碳納米管薄膜結(jié) 構(gòu)制備電磁屏蔽層，能夠有效吸收電磁波，且導(dǎo)電性與散熱性能優(yōu)良，重量 輕，使用方便。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本技術(shù)方案第 一 實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本技術(shù)方案第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本技術(shù)方案第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖2,本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝件20,其包括 一基板202,且該基板202上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電跡線(圖中未顯示)以及與該導(dǎo) 電跡線相連的多個(gè)引腳216; —半導(dǎo)體預(yù)封裝件218設(shè)置于該基板202上； 一電磁屏蔽層210設(shè)置于半導(dǎo)體預(yù)封裝件218上，并將整個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件 218覆蓋； 一保護(hù)層212覆蓋于該至少一電磁屏蔽層210上。其中，所述半 導(dǎo)體預(yù)封裝件218包括 一半導(dǎo)體芯片204，且該半導(dǎo)體芯片204包括多個(gè) 焊墊(圖中未顯示)設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片204上；多個(gè)焊線206,且該多個(gè)焊 線206將半導(dǎo)體芯片204的焊墊與基板202上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電跡線(圖中未顯示) 電性連接； 一封裝膠層208包覆于該半導(dǎo)體芯片204及多個(gè)焊線206上。
所述基板202為一覆銅層壓板，其厚度與大小不限，可以根據(jù)實(shí)際情況 選擇。在基板202的第一表面形成有按照預(yù)定規(guī)律排列的多個(gè)導(dǎo)電跡線。在 基板202上與第一表面相對(duì)的第二表面設(shè)置有多個(gè)引腳216。所述導(dǎo)電跡線 通過(guò)引腳216將上述半導(dǎo)體芯片204與外電路連接。
所述半導(dǎo)體芯片204可以為任意半導(dǎo)體芯片，如RAM、 DRAM等的 存儲(chǔ)器件或其它類型的集成電路(IC)。該半導(dǎo)體芯片204還可以是功率晶 體管的分立器件。所述半導(dǎo)體芯片204的尺寸大小不限，可以根據(jù)實(shí)際情況 選擇。
所述焊線206為一般的導(dǎo)線，如金屬絲等。本實(shí)施例中優(yōu)選為金絲或 鉑絲。
所述封裝膠層208的材料為一樹脂材料，如環(huán)氧樹脂。該封裝膠層 208的厚度不限，可以根據(jù)實(shí)際情況制備。該封裝膠層208采用印刷技術(shù)形 成于基板202上，并將該半導(dǎo)體芯片204及多個(gè)焊線206包覆。
所述電磁屏蔽層210包括一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)。所述碳納米管薄膜結(jié)構(gòu) 可以為任意形式的碳納米管薄膜構(gòu)成的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，碳 納米管薄膜結(jié)構(gòu)包括一碳納米管層或至少兩個(gè)平行且重疊鋪設(shè)的碳納米管 層，且相鄰兩個(gè)碳納米管層之間通過(guò)范德華力緊密連接。每個(gè)碳納米管層包括一碳納米管薄膜或至少兩個(gè)平行且無(wú)間隙排列的碳納米管薄膜，且相鄰兩 個(gè)碳納米管薄膜之間通過(guò)范德華力緊密連接。碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的面積與厚 度不限，可根據(jù)實(shí)際需求制備?？梢岳斫?，通過(guò)將多個(gè)碳納米管薄膜平行且 無(wú)間隙鋪設(shè)或/和重疊鋪設(shè)，可以制備不同面積與厚度的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)。 可以理解，碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的面積取決于每層碳納米管層中碳納米管薄膜 的個(gè)數(shù)，而厚度取決于碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中碳納米管層的層數(shù)。所述每個(gè)碳 納米管薄膜包括多個(gè)首尾相連且擇優(yōu)取向排列的碳納米管束，該碳納米管束 之間通過(guò)范德華力緊密連接，且每個(gè)碳納米管束的長(zhǎng)度基本相同。所述每個(gè) 碳納米管束包括多個(gè)具有相同長(zhǎng)度且相互平行排列的碳納米管。所述每個(gè)碳 納米管薄膜中的碳納米管具有相同的排列方向?？梢岳斫?，在由多個(gè)碳納米 管層組成的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中，相鄰兩個(gè)碳納米管層中的碳納米管的排列
方向有一夾角a，且0。^x^90。，相鄰兩個(gè)石友納米管層中的碳納米管束之間 存在多個(gè)微孔結(jié)構(gòu)，該微孔結(jié)構(gòu)均勻且規(guī)則分布于碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中，其 中微孔直徑為1納米 0.5微米。
所述碳納米管薄膜的厚度為0.01-100微米。該碳納米管薄膜中的碳納 米管為單壁碳納米管、雙壁碳納米管及多壁碳納米管中的一種。該碳納米管 的長(zhǎng)度為200~400微米。當(dāng)該碳納米管薄膜中的碳納米管為單壁碳納米管時(shí)， 該單壁碳納米管的直徑為0.5納米~50納米。當(dāng)該碳納米管薄膜中的碳納米 管為雙壁碳納米管時(shí)，該雙壁碳納米管的直徑為1.0納米 50納米。當(dāng)該石友 納米管薄膜中的碳納米管為多壁碳納米管時(shí)，該多壁碳納米管的直徑為1.5 納米 50納米。采用碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)制備電磁屏蔽層，能夠有效吸收電磁 波，且導(dǎo)電性與散熱性能優(yōu)良。
可以理解，本實(shí)施例中提供的電磁屏蔽層210，還可以進(jìn)一步包括設(shè)置 于所述碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中的金屬填充顆粒220。所述金屬填充顆粒220均 勻分散于碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中的微孔中或夾在相鄰兩個(gè)碳納米管層之間。該 金屬填充顆粒220包括一多孔性金屬顆粒或合金顆粒，其材料為銅、鐵、鎳、 鈷中的一種或幾種的合金。所述金屬填充顆粒220的平均粒徑小于l微米。 本實(shí)施例中，金屬填充顆粒220優(yōu)選為鐵顆粒。由于該金屬填充顆粒220可 以有效吸收電磁波，所以會(huì)提高電磁屏蔽層210對(duì)電磁波的屏蔽效果。
所述保護(hù)層212的材料可以是與封裝膠層208材料相同或不同的樹脂材料，或者金屬材料等其他保護(hù)材料。所述保護(hù)層212可以保護(hù)電磁屏蔽層210 不被外力破壞。
可以理解，本實(shí)施例中，還可以進(jìn)一步包括一散熱片214設(shè)置于保護(hù)層 212上，用來(lái)將電磁屏蔽層210中轉(zhuǎn)換的熱量快速傳導(dǎo)出去。所述散熱片214 的材料為金屬或合金，本實(shí)施例中，散熱片214優(yōu)選為一銅片或鋁片。
可以理解，本實(shí)施例中，還可以進(jìn)一步將多個(gè)上述半導(dǎo)體預(yù)封裝件218 封裝在同一基板202上，且每個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件218外包覆一電磁屏蔽層 210,每個(gè)電磁屏蔽層210外包覆一保護(hù)層212，每個(gè)保護(hù)層212上設(shè)置一散 熱片214。
請(qǐng)參閱圖3，本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝件30，其包括 一基板302，且該基板302上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電跡線(圖中未顯示)以及與該導(dǎo) 電跡線相連的多個(gè)引腳316;至少兩個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件318設(shè)置于該基板302 上，且相鄰兩個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件318之間可以填充有封裝膠； 一電磁屏蔽層 310設(shè)置于所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件318上，并將整個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件 318覆蓋； 一保護(hù)層312覆蓋于該至少一電磁屏蔽層310上。所述每個(gè)半導(dǎo) 體預(yù)封裝件318包括 一半導(dǎo)體芯片304，且該半導(dǎo)體芯片304包括多個(gè)焊 墊(圖中未顯示)設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片304上；多個(gè)焊線306，且該多個(gè)焊線 306將半導(dǎo)體芯片304的焊墊與基板302上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電跡線電性連接； 一封 裝膠層308包覆于該半導(dǎo)體芯片304及多個(gè)焊線306上。
所述電磁屏蔽層310包括一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)?？梢岳斫?，電磁屏蔽層 310還可以進(jìn)一步包括設(shè)置于碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中的金屬填充顆粒320。其 中，所述碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)以及金屬填充顆粒320與本技術(shù)方案第一實(shí)施例 提供的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)以及金屬填充顆粒220相同。
可以理解，本實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝件30還可以進(jìn)一步包括一散熱片 314設(shè)置于保護(hù)層312上，且所述散熱片314的材料與本技術(shù)方案第一實(shí)施 例提供的散熱片214的材料相同。
請(qǐng)參閱圖4，本技術(shù)方案第三實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝件40，其包括 一基板402，且該基板402上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電跡線(圖中未顯示)以及與該導(dǎo) 電跡線相連的多個(gè)引腳416;至少兩個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件418設(shè)置于該基板402 上，且相鄰兩個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件418間隔設(shè)置；至少兩個(gè)電磁屏蔽層410分別設(shè)置于所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件418上，且每一個(gè)電磁屏蔽層410將 一半導(dǎo)體預(yù)封裝件418整個(gè)覆蓋； 一保護(hù)層412覆蓋于該至少一電磁屏蔽層 410上。所述半導(dǎo)體預(yù)封裝件418包括 一半導(dǎo)體芯片404,且該半導(dǎo)體芯 片404包括多個(gè)焊墊(圖中未顯示)設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片404上；多個(gè)焊線 406，且該多個(gè)焊線406將半導(dǎo)體芯片404的焊墊與基板402上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電 跡線電性連接； 一封裝膠層408包覆于該半導(dǎo)體芯片404及多個(gè)焊線406上。
所述電磁屏蔽層410包括一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)?？梢岳斫猓姶牌帘螌?410還可以進(jìn)一步包括設(shè)置于碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中的金屬填充顆粒420。其 中，所述碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)以及金屬填充顆粒420與本技術(shù)方案第一實(shí)施例 提供的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)以及金屬填充顆粒220相同。
可以理解，本實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝件40還可以進(jìn)一步包括一散熱片 414設(shè)置于保護(hù)層412上，且所述散熱片414的材料與本技術(shù)方案第一實(shí)施 例提供的散熱片214的材料相同。
本實(shí)施例中提供的半導(dǎo)體封裝件工作時(shí)，將所述電磁屏蔽層接地，通過(guò) 該電磁屏蔽層中的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)以及設(shè)置于該碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中的 金屬填充顆?？梢晕栈蚍瓷潆姶挪?，從而阻止半導(dǎo)體芯片運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的電 磁波傳到外界，起到電磁屏蔽功效。
本技術(shù)方案實(shí)施例提供的半導(dǎo)體封裝件，采用碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)制備電 磁屏蔽層，能夠有效吸收電磁波，且導(dǎo)電性與散熱性能優(yōu)良，重量輕，使用 方便。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依 據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體封裝件，其包括一基板，且該基板的第一表面設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電跡線；至少一半導(dǎo)體預(yù)封裝件設(shè)置于該基板上，該半導(dǎo)體預(yù)封裝件與所述多個(gè)導(dǎo)電跡線設(shè)置于該基板上的同一表面，且與該多個(gè)導(dǎo)電跡線電連接；至少一電磁屏蔽層設(shè)置于所述至少一半導(dǎo)體預(yù)封裝件上；一保護(hù)層覆蓋于該至少一電磁屏蔽層上，其特征在于，所述的電磁屏蔽層包括一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的碳納米管薄膜結(jié) 構(gòu)包括至少一個(gè)碳納米管層，且該碳納米管層中的碳納米管沿同一方向擇 優(yōu)取向排列。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的碳納米管薄膜結(jié) 構(gòu)包括至少兩個(gè)重疊設(shè)置的碳納米管層，相鄰兩個(gè)碳納米管層之間通過(guò)范 德華力緊密連接，且相鄰兩個(gè)碳納米管層中的碳納米管的排列方向形成一 夾角a, 0°^aS90°。
4. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述碳納米管層包括一 碳納米管薄膜或至少兩個(gè)平行且無(wú)間隙排列的碳納米管薄膜，且相鄰兩個(gè) 碳納米管薄膜之間通過(guò)范德華力緊密連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述碳納米管薄膜的厚 度為0.01 100微米。
6. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的碳納米管薄膜包 括多個(gè)首尾相連且擇優(yōu)取向排列的碳納米管束，且所述的碳納米管束之間 通過(guò)范德華力緊密連接。
7. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的碳納米管束包括 多個(gè)具有相同長(zhǎng)度且相互平行排列的碳納米管。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的碳納米管為單壁 碳納米管、雙壁碳納米管及多壁碳納米管中的一種。
9. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的碳納米管的長(zhǎng)度 為200 400微米，直徑小于50納米。
10. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的碳納米管薄膜結(jié) 構(gòu)中包括均勻且規(guī)則分布的微孔結(jié)構(gòu)，且該微孔孔徑小于l微米。
11. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的電磁屏蔽層進(jìn)一步包括金屬填充顆粒設(shè)置于該碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中。
12. 如權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的金屬填充顆粒 均勻分散于碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)中的微孔中或夾在相鄰兩個(gè)碳納米管層之 間》
13. 如權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的金屬填充顆粒 的平均粒徑小于l微米。
14. 如權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的金屬填充顆粒 包括一多孔性金屬顆?；蚨嗫仔院辖痤w粒。
15. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的半導(dǎo)體預(yù)封裝件 包括一半導(dǎo)體芯片，且該半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)焊墊設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片 上；多個(gè)焊線，且該多個(gè)焊線將半導(dǎo)體芯片的焊墊與基板上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電 跡線電性連接； 一封裝膠層包覆于該半導(dǎo)體芯片及多個(gè)焊線上。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的封裝膠層的材 料為一樹脂材料。
17. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的半導(dǎo)體封裝件包 括一個(gè)電磁屏蔽層及多個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件，且該電磁屏蔽層將該多個(gè)半 導(dǎo)體預(yù)封裝件覆蓋。
18. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的半導(dǎo)體封裝件包 括多個(gè)電磁屏蔽層及多個(gè)半導(dǎo)體預(yù)封裝件，且每一個(gè)電磁屏蔽層將一個(gè) 對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體預(yù)封裝件覆蓋。
19. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的基板進(jìn)一步包括 多個(gè)引腳設(shè)置于基板上與第一表面相對(duì)的第二表面上，且該多個(gè)引腳與 所述多個(gè)導(dǎo)電跡線對(duì)應(yīng)電連接。
20. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述的半導(dǎo)體封裝件進(jìn) 一步包括一散熱片設(shè)置于保護(hù)層上。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件，其包括一基板，且該基板的第一表面設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電跡線；至少一半導(dǎo)體預(yù)封裝件設(shè)置于該基板上，該半導(dǎo)體預(yù)封裝件與所述多個(gè)導(dǎo)電跡線設(shè)置于該基板上的同一表面，且與該多個(gè)導(dǎo)電跡線電連接；至少一電磁屏蔽層設(shè)置于所述至少一半導(dǎo)體預(yù)封裝件上；一保護(hù)層覆蓋于該至少一電磁屏蔽層上，其中，所述的電磁屏蔽層包括一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L23/552GK101471329SQ20071012566
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月29日
發(fā)明者馮正和, 莊品洋, 陳文華 申請(qǐng)人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司