專利名稱:防止爬錫的端子結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種端子結(jié)構(gòu),特別是指一種連接器端子結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
現(xiàn)今電子科技快速發(fā)展,各種電子產(chǎn)品、影音設(shè)備、桌上型電腦或筆記型電 腦業(yè)已普遍存在于社會上的各個角落,且使用效能愈來愈加強大,運行速度也日 趨快速,其主要原因在于業(yè)者大量投入心力進行研發(fā)與提升產(chǎn)品功能所致,而為
加強電子產(chǎn)品的運作能力,則在電子產(chǎn)品中增設(shè)更多的電子零件、電子裝置,并 由于各種電子零件、電子裝置的增加,即必須配合多層電路板以供各種電子零件、 電子裝置的設(shè)置布局,然而,各種電子零件、電子裝置欲固設(shè)在電路板上,都必 須利用焊接的方式焊固在電路板上。但是一般的電子裝置(此以連接器為例,但 電子裝置并不局限于連接器)焊接在電路板上的方式 一是以端子穿過電路板的
方式(ThroughHole),將端子垂直式的刺穿過電路板后,再與電路板焊固連結(jié), 即可使連接器端子與電路板上的電路呈電連接;而另一種方式則是利用表面粘著 技術(shù)(Surface Mounting Technology,簡稱SMT),以將端子呈水平方式對位于 電路板上的接點(Pad),即可將端子與電路板焊接連結(jié),以供連接器的端子與電 路板上的電路接點呈電連接。且為了方便將大量的電子裝置焊固在電路板上,目 前大多利用表面粘著技術(shù)(SMT)對電路板的正、反二面進行接著電子裝置,其 制程是先在電路板上涂附一些導(dǎo)電介質(zhì)(一般為使用錫膏),再將電子裝置放置 在電路板上,最后再將過高溫爐的燒烤來使導(dǎo)電介質(zhì)熔化而附著在端子與電路板 上,當(dāng)導(dǎo)電介質(zhì)冷凝后,即可使端子固定在電路板的接點上呈電連接。
由于連接器的端子是固定在電路板上,因此連接器的絕緣殼體一定要有容置 通道讓端子穿置在連接器內(nèi),若絕緣殼體的容置通道開口非常接近電路板,則當(dāng) 電路板在過高溫爐時,導(dǎo)電介質(zhì)變會沿著端子與絕緣殼體的容置通道產(chǎn)生虹吸現(xiàn) 象,這種現(xiàn)象(一般稱為溢錫現(xiàn)象)往往都會導(dǎo)致端子短路或造成端子的結(jié)構(gòu)強度產(chǎn)生變化;再者,各種電子設(shè)備不論行動電話或電腦的體積,都有越來越小的 趨勢,因此業(yè)者也相對地設(shè)計了一些能夠有效節(jié)省空間并達到輕、薄、短、小的 連接器,或是將連接器裝設(shè)在電路板的正、反二面,而將原來需要更多用來裝置 連接器的電路板空間被縮小,即使整個電子裝置、連接器與數(shù)個端子可以變得小 很多,當(dāng)然也就更增加了電子裝置與電路板焊接作業(yè)的困難度。
而業(yè)者為了避免端子與電路板進行焊接作業(yè)時,會產(chǎn)生溢錫的現(xiàn)象,則研發(fā) 出如中國臺灣證書號M262869號的"電子裝置之端子結(jié)構(gòu)"新型專利案,申請 案號第93213913號,所述的專利案是在2004年9月1日提呈新型專利申請,并 核準領(lǐng)證后公告在2005年4月21日的專利公報上,請參閱圖IO所示,是現(xiàn)有電 子裝置的立體分解圖,是在絕緣座體A內(nèi)是設(shè)有可供端子B穿設(shè)定位的容置槽 Al,而端子B為分別具有焊接部Bl與對接部B3,并在焊接部Bl設(shè)有缺槽Bll、 對接部B3處則形成凹槽B31,其特征在于
所述的端子B為可利用沖壓方式形成一個或一個以上具高低狀的段差部B2, 可利用段差部B2來阻斷端子B與容置槽Al的間隙所產(chǎn)生的溢錫現(xiàn)象。
然而,上述專利案的端子B在實際使用時,仍存在下列所述的諸多缺失,如
(1) 端子B是在焊接部B1與對接部B3銜接位置處設(shè)有段差部B2,但端子 B必須具有適當(dāng)?shù)暮穸龋趴梢詻_壓形成段差部B2,但現(xiàn)今連接器以輕、薄、短、 小的設(shè)計理念為主軸,所以端子B的厚度也必須變薄,才可以在變小的連接器絕 緣座體A中穿設(shè)數(shù)個端子B。但是, 一但端子B的厚度變薄,要沖壓加工形成段 差部B2則相當(dāng)困難,即無法符合連接器的設(shè)計要求。
(2) 端子B的段差部B2是利用沖壓制造形成,但端子B的體積并不大,在 沖壓制程中容易因沖壓力道的過大,即使端子B的段差部B2斷裂,則造成產(chǎn)品 不合格率的提升。
(3) 端子B是在兩側(cè)邊沖壓形成段差部B2,加工時必須使端子B兩側(cè)的段 差部B2對稱平均,否則會造成端子B左、右不平均影響端子B的平衡度,而使 端子B成為不合格產(chǎn)品。
另如中國臺灣公告號469679號的"減少電子裝置端子溢錫現(xiàn)象之結(jié)構(gòu)"發(fā)明 專利案,申請案號第89119947號,所述的專利案是在2000年9月27日提呈發(fā)明 專利申請,并核準公告在2001年12月21日的專利公報上,請參閱圖ll所示, 是另一現(xiàn)有電子裝置的側(cè)視剖面圖,其在絕緣殼體C設(shè)有容置通道Cl供端子D
穿越并固定,而端子D則利用固接端D1可與電路板E呈電連接,且端子D的固 接端D1至少一段表面裸露在絕緣殼體C與電路板E外,其特征在于
所述的端子D的固接端Dl在接近絕緣殼體C內(nèi)側(cè)容置通道Cl的開口處外 側(cè)設(shè)有集錫孔D3,憑借集錫孔D3可集中產(chǎn)生虹吸現(xiàn)象的錫液E1,并可使錫液 E 1堆積并冷凝在此集錫孔D3處,而避免錫液E 1朝端子D的對接端D2方向蔓 延。
然上述專利案的端子D,是以固接端Dl穿設(shè)在絕緣殼體C的容置通道Cl 內(nèi),僅利用露出絕緣殼體C外的固接端D1邊緣進行焊接,而使錫液E1往容置 通道C1內(nèi)蔓延至集錫孔D3,但仍存在諸多缺失,如
(1) 絕緣殼體C的容置通道C1具有相當(dāng)長的距離,則端子D的固接端D1 也有相當(dāng)長度穿入容置通道C1內(nèi),則錫液E1要有容置通道C1外往內(nèi)蔓延至集 錫孔D3處,錫液E1的用量多于一般焊接的用量,導(dǎo)致加工成本提高。
(2) 絕緣殼體C的容置通道Cl具有長距離,在供端子D的固接端Dl穿入 后,在固接端D1以錫液E1進行焊接時,錫液E1進入容置通道C1內(nèi)容易產(chǎn)生 阻塞、聚集的現(xiàn)象,并擠推端子D產(chǎn)生歪斜的情況,造成產(chǎn)品的品質(zhì)且使不合格 率提升。
再如圖12所示,是再一種現(xiàn)有電子裝置的側(cè)視剖面圖,其連接器絕緣殼體F 在容置通道F1內(nèi)收容的端子G,是以固接端G1穿越電路板H的穿孔H1的方式, 再以錫膏H2焊固在固接端G1與穿孔H1上方,而主要是將容置通道F1縮短, 而使容置通道F1的開口離開電路板H—段距離,以避免溢錫的現(xiàn)象太過嚴重; 然由于電子裝置的體積越來越小,絕緣殼體F也沒有太多的空間可以供容置通道 Fl與電路板H離開一段距離,此種結(jié)構(gòu)仍存在使用時的不便與缺失。
上述現(xiàn)有電子裝置的端子改善溢錫的結(jié)構(gòu),為利用沖壓方式在端子兩側(cè)形成 段差部,但必須考慮平衡與加工問題,至于利用容置通道延長溢錫的方式則占用 太多空間,不僅制造時相當(dāng)耗時費工,使用時也會產(chǎn)生體積過大的問題,實需予 以改善,此即為本發(fā)明人與從事此行業(yè)者所亟欲改善的目標(biāo)所在。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種防止爬錫的端子結(jié)構(gòu), 可在焊接時集聚錫液,防止在端子上產(chǎn)生爬錫,提高生產(chǎn)合格率。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
一種防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),所述的端子穿設(shè)在一個絕緣座的插槽中,并延伸 出絕緣座體外部形成焊接部,所述的端子外表已加工形成有電鍍層,其特征在于 所述的端子在焊接部的內(nèi)側(cè)設(shè)有利用激光蝕刻成型的裸空區(qū),且裸空區(qū)是具有可 供焊接部在焊接時防止爬錫的集錫槽。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較,本發(fā)明具有的有益效果是焊接部在焊接時集聚錫液, 防止在數(shù)個端子上產(chǎn)生爬錫,并可避免數(shù)個端子產(chǎn)生短路現(xiàn)象或造成數(shù)個端子的 結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變化。
圖1是本發(fā)明的立體分解圖2是本發(fā)明蝕刻前的側(cè)視剖面圖3是本發(fā)明蝕刻后的側(cè)視剖面圖4是本發(fā)明的立體外觀圖5是本發(fā)明端子的悍接部在焊接前的側(cè)視剖面圖6是本發(fā)明端子的焊接部在焊接后的側(cè)視剖面圖7是本發(fā)明較佳實施例的側(cè)視剖面圖8是本發(fā)明再一實施例的側(cè)視剖面圖9是本發(fā)明另一實施例的立體外觀圖IO是現(xiàn)有電子裝置的立體分解圖11是另一現(xiàn)有電子裝置的側(cè)視剖面圖12是再一種現(xiàn)有電子裝置的側(cè)視剖面附圖標(biāo)記說明1-絕緣座體;U-容置空間;112-壁面;lll-插槽;12-卡制槽;
2- 端子;21-對接部;24-鍍金層;22-焊接部;25-裸空區(qū);23-鍍鎳層;251-集錫槽;
3- 電路板;31-接點;32-錫液;311-穿孔;4-激光蝕刻機;A-絕緣座體;Al-容置 槽;B-端子;Bl-焊接部;B3-對接部;Bll-缺槽;B31-凹槽;B2-段差部;C-絕緣 殼體;Cl-容置通道;D-端子;Dl-固接端;D3-集錫孔;D2-對接端;E-電路板; El-錫液;F-絕緣殼體;Fl-容置通道;G-端子;Gl-固接端;H-電路板;Hl-
穿孔;H2-錫膏。
具體實施例方式
請參閱圖1 圖3所示,是本發(fā)明的立體分解圖、蝕刻前的側(cè)視剖面圖、蝕 刻后的側(cè)視剖面圖,由圖中所示可以清楚看出,本發(fā)明的端子結(jié)構(gòu)是包括絕緣座 體1、數(shù)個端子2等所組成,其中
所述的絕緣座體1是在內(nèi)部具有容置空間11,而在容置空間11內(nèi)是設(shè)有數(shù) 個插槽111,并相對于數(shù)個插槽111在容置空間11的壁面112往絕緣座體1的外 部,則分別設(shè)有數(shù)個卡制槽12。
所述的數(shù)個端子2是設(shè)有對接部21,且由對接部21往另一側(cè)延伸設(shè)有焊接 部22。
上述各構(gòu)件在組裝時,是以絕緣座體1容置空間11內(nèi)的數(shù)個插槽111分別供 數(shù)個端子2以對接部21穿入,而數(shù)個端子2并嵌卡在容置空間11的壁面112的 卡制槽12內(nèi),且使焊接部22由絕緣座體1底部向外側(cè)延伸,乃組構(gòu)成本發(fā)明的 連接器,即可利用數(shù)個端子2的焊接部22分別對位于電路板3上的數(shù)個接點31, 再將數(shù)個端子2焊接在電路板3上,以供絕緣座體1固設(shè)在電路板3上。
再請參閱圖2 圖6所示,是本發(fā)明蝕刻前的側(cè)視剖面圖、蝕刻后的側(cè)視剖 面圖、立體外觀圖、端子的焊接部在焊接前的側(cè)視剖面圖、端子的焊接部在焊接 后的側(cè)視剖面圖,由圖中所示可以清楚看出,本發(fā)明的數(shù)個端子2在制造時,可 依據(jù)下列步驟
(一) 分別在各端子2外部電鍍一層鎳,以形成鍍鎳層23。
(二) 再在鍍鎳層23外部電鍍一層金,則形成鍍金層24。
(三) 即可利用激光蝕刻機4,在各端子2的焊接部22往內(nèi)側(cè)一段距離的鍍 金層24上,進行激光蝕刻加工作業(yè)。
(四) 是可在焊接部22內(nèi)側(cè)一段距離的鍍金層24位置,形成裸空區(qū)25,且 在裸空區(qū)25中形成集錫槽251。
(五) 將數(shù)個端子2分別組裝在絕緣座體1上以后,再利用數(shù)個端子2的焊 接部22分別對位于電路板3的數(shù)個接點31,并在數(shù)個焊接部22與數(shù)個接點31 之間,利用錫液32進行焊接。
(六) 數(shù)個接點31處的錫液32,即沿著各焊接部22往內(nèi)側(cè)爬升。
(七) 待錫液32爬升至裸空區(qū)25時,錫液32即受到集錫槽251的阻隔作用, 而集聚在集錫槽251內(nèi)堆積、冷凝,即可有效防止錫液32再往上爬升、蔓延至焊
接部22與絕緣座體1的卡置槽12處。
(八)利用裸空區(qū)25的集錫槽251,因虹吸現(xiàn)象而使錫液32集聚在集錫槽 251內(nèi),阻斷錫液32而爬升至各端子2的對接部21。
而絕緣座體1上的數(shù)個端子2,其焊接部22是可呈水平狀的橫向平伸狀,以 采用表面粘著型(SMT)焊接在電路板3上的數(shù)個接點31上;且數(shù)個端子2的焊 接部22也可為垂直式的向下延伸,則可采用穿入式的穿過電路板3上數(shù)個接點 31處的各穿孔311 (請同時參閱圖7所示),乃可將數(shù)個焊接部22焊接在接點 31處。
請參閱圖8、圖9所示,是本發(fā)明再一實施例的側(cè)視剖面圖、另一實施例的 立體外觀圖,由圖中所示可以清楚看出,且上述的數(shù)個端子2,其外部為可電鍍 一層鍍鎳層23,即可在數(shù)個端子2的焊接部22內(nèi)側(cè)一段距離位置,利用激光蝕 刻機4進行蝕刻加工,也可在鍍鎳層23處形成裸空區(qū)25,并可利用鍍鎳層23的 裸空區(qū)25,使焊接部22在焊接作業(yè)時,集聚錫液32,避免錫液32往端子2上方 蔓延。
而上述的數(shù)個端子2使用在不同型式的絕緣座體1時,可配合絕緣座體1的 型式而改變數(shù)個端子2的結(jié)構(gòu)型式,并利用數(shù)個端子2上的裸空區(qū)25在進行焊接 作業(yè)時,達到防止爬錫情況的目的,并使數(shù)個端子2可以運用在不同電子裝置的 接腳,在焊接作業(yè)時具防止爬錫的功能。
再者,上述本發(fā)明的防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),是在數(shù)個端子2的電鍍層(鍍鎳 層23或鍍金層24),并利用激光蝕刻機4對數(shù)個端子2的焊接部22內(nèi)側(cè)電鍍層 進行激光蝕刻,以在電鍍層形成裸空區(qū)25,即可在數(shù)個端子2的焊接部22對位 于電路板3的數(shù)個接點31,并進行焊接作業(yè)時,使錫液32由焊接部22向內(nèi)側(cè)爬 升,并在裸空區(qū)25集聚,而能利用裸空區(qū)25阻斷錫液32往各端子2的對接部 21蔓延的目的,非因此即局限本發(fā)明的專利范圍,僅需使數(shù)個端子2在焊接部22 內(nèi)側(cè)形以激光蝕刻機4加工,即可在焊接部22內(nèi)側(cè)一段距離處,形成裸空區(qū)25 的特性,可使裸空區(qū)25在焊接作業(yè)時,產(chǎn)生虹吸現(xiàn)象而可集聚錫液32,以有效 避免錫液32的蔓延,故舉凡運用本發(fā)明說明書與圖式內(nèi)容所為的簡易修飾與等效 結(jié)構(gòu)變化,均應(yīng)同理包含在本發(fā)明的專利范圍內(nèi),合予陳明。
上述本發(fā)明防止爬錫的端子結(jié)構(gòu)在實際使用時,為具有下列各項優(yōu)點,如 (一)本發(fā)明的數(shù)個端子2利用外部電鍍層供激光蝕刻,而形成可集聚錫液
32的裸空間25,加工作業(yè)簡易且不會損壞端子2結(jié)構(gòu),且數(shù)個端子2可以配合絕 緣座體l縮小尺寸,仍能使數(shù)個端子2保有原來的結(jié)構(gòu)特征,并可符合電氣產(chǎn)品 輕、薄、短、小的設(shè)計理念。
(二) 數(shù)個端子2利用激光蝕刻機4進行蝕刻加工作業(yè),不會對端子2的結(jié) 構(gòu)進行加工,可保持數(shù)個端子2原有的結(jié)構(gòu)強度,而能提升產(chǎn)品合格率,且制程 簡易、方便、快速既省時且省工,相當(dāng)符合經(jīng)濟效益。
(三) 數(shù)個端子2為利用外部電鍍層(鍍鎳層23或鍍金層24)可供激光蝕 刻形成裸空區(qū)25,其裸空區(qū)25是成型在焊接部22內(nèi)側(cè),在進行焊接作業(yè)時,由 裸空區(qū)25產(chǎn)生虹吸現(xiàn)象吸取焊接用錫液32,仍可使大量錫液32保持在焊接部22 內(nèi)側(cè),能夠避免錫液32往數(shù)個端子2的對接部21蔓延、流散,而使焊接部22 與電路板3各接點31之間的焊接效果更良好。
(四) 數(shù)個端子2的焊接部22,是可為橫向水平延伸式,而能以表面粘著型 (SMT)方式焊接在電路板3上,且數(shù)個端子2的焊接部22也可為垂直式向下延
伸,以能穿入電路板3上數(shù)個接點31處的穿孔311,并焊接在電路板3上,因數(shù) 個端子2的焊接部22均延伸出絕緣座體1外,可直接對位電路板3上的數(shù)個接點 31,而不致使焊接的錫液32爬升至數(shù)個端子2上,可防止數(shù)個端子2產(chǎn)生短路或 損壞結(jié)構(gòu)。
故,本發(fā)明為主要針對電子裝置(如連接器)的數(shù)個端子焊接時防止爬錫 的制程,而可在數(shù)個端子的電鍍層(鍍鎳層或鍍金層)以激光蝕刻方式形成裸空 區(qū)為主要保護重點,乃僅使數(shù)個端子在焊接部內(nèi)側(cè)形成裸空區(qū),而能在焊接時以 裸空區(qū)產(chǎn)生虹吸現(xiàn)象,防止錫液爬升至對接部的優(yōu)勢。
以上說明對本發(fā)明而言只是說明性的,而非限制性的,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 理解,在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修改、變化 或等效,但都將落入本發(fā)明的權(quán)利要求可限定的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),所述的端子穿設(shè)在一個絕緣座的插槽中,并延伸出絕緣座體外部形成焊接部,所述的端子外表已加工形成有電鍍層,其特征在于所述的端子在焊接部的內(nèi)側(cè)設(shè)有利用激光蝕刻成型的裸空區(qū),且裸空區(qū)是具有可供焊接部在焊接時防止爬錫的集錫槽。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),其特征在于所述的電鍍層是 在端子外表電鍍的鍍鎳層,且所述的裸空區(qū)是利用激光蝕刻方式成型在鍍鎳層上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),其特征在于所述的電鍍層包 括在端子外表電鍍的鍍鎳層以及在鍍鎳層外再電鍍的鍍金層,所述的裸空區(qū)是利 用激光蝕刻方式成型在鍍金層上。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),其特征在于所述的端子的焊 接部是呈水平狀延伸出絕緣座體外部。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),其特征在于所述的端子的焊 接部是呈垂直式延伸出絕緣座體底部外側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明是一種防止爬錫的端子結(jié)構(gòu),所述的端子穿設(shè)在一個絕緣座的插槽中,并延伸出絕緣座體外部形成焊接部,所述的端子外表已加工形成有電鍍層,所述的端子在焊接部的內(nèi)側(cè)設(shè)有利用激光蝕刻成型的裸空區(qū),且裸空區(qū)是具有可供焊接部在焊接時防止爬錫的集錫槽??蛇_到在焊接部在焊接時集聚錫液,防止在端子上產(chǎn)生爬錫的目的,并避免端子產(chǎn)生短路現(xiàn)象或造成端子的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變化。
文檔編號H01R12/57GK101345363SQ20071012842
公開日2009年1月14日 申請日期2007年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月10日
發(fā)明者陳其昌 申請人:昆山宏致電子有限公司