專利名稱：微波低波段超微型3dB交指電橋的制作方法
微波低波段超微型3dB交指電橋
所屬技術(shù)領(lǐng)域-
本發(fā)明涉及一種微波集成電路的3dB電橋，特別是一種微波低波段超微型3dB交指電橋。
背景技術(shù)：
3dB電橋廣泛應(yīng)用于微波集成電路，比如移相器，平衡放大器，功率合成，功率分 配，調(diào)制器，混頻器等多種電路。3dB正交電橋是個(gè)四端口網(wǎng)絡(luò)，它具有輸入端、耦合 端、直通端、隔離端，其耦合端與直通端相互隔離，各輸出輸入口輸入功率的50%,并 且輸出信號(hào)相位相差90度，電路組成包括信號(hào)直通帶線和信號(hào)耦合帶線。傳統(tǒng)的工藝使 用兩個(gè)8. 34dB的鋸齒耦合器串接成一體，實(shí)現(xiàn)3dB的緊耦合，這樣就導(dǎo)致電橋的體積大， 插入損耗大；現(xiàn)在市場(chǎng)上使用的3dB電橋常采用分支電橋，要增加分支電橋的帶寬，就 必須增加其節(jié)數(shù)，這就使電橋的體積增大。有的電路采用外接3dB電橋的方法，這就不 利于電路的集成化。理論上要實(shí)現(xiàn)兩條耦合線之間3dB的緊耦合，必須使耦合線之間的 縫隙達(dá)到幾個(gè)微米的工藝精度，使得工藝實(shí)現(xiàn)難度大，若釆用納米級(jí)的半導(dǎo)體工藝來(lái)實(shí) 現(xiàn)微米級(jí)的工藝，其制造設(shè)備成本過(guò)高，也不現(xiàn)實(shí)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服現(xiàn)有3dB電橋的缺點(diǎn)，提供一種小體積、高集 成度、低插入損耗、低成本的微波低波段超微型3dB交指電橋。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是 一種微波低波段超微型3dB交指電橋，具有 輸入端、耦合端、直通端、隔離端四個(gè)端口，電路組成包括信號(hào)直通帶線和信號(hào)耦合帶 線，其特征是所述兩條帶線各自分成兩條細(xì)線，其中一條帶線的兩條細(xì)線端部相連，中
部扭轉(zhuǎn)180度，另一條帶線的兩條細(xì)線端部分離，中部斷丌，兩條帶線的細(xì)線呈交指形
狀相間排列相互耦合，通過(guò)金屬線以橋的形式對(duì)應(yīng)連接斷開(kāi)細(xì)線的中部及兩端，以上電 路通過(guò)超微細(xì)微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上。
本發(fā)明的有益效果如下信號(hào)直通帶線與信號(hào)耦合帶線采用交指式相間排列相互 耦合的方式，增加了耦合面積，使得耦合線和直通線的縫隙只需要達(dá)到幾十微米就能夠
實(shí)現(xiàn)3dB的緊耦合，降低了工藝加工精度和對(duì)設(shè)備性能的要求，降低了加工成本，加之 本電橋的電路通過(guò)超微細(xì)微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上，更使本電橋產(chǎn)品具有體積 小、易于集成化、插入損耗小、高方向性和易于達(dá)到一個(gè)倍頻程以上帶寬等優(yōu)點(diǎn)，作為 微波集成電路廣泛使用的部件，本發(fā)明具有很強(qiáng)的實(shí)用性。


圖l為本發(fā)明的電路原理圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖并結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但是本發(fā)明不限于所給出的實(shí)施例。
如圖1所示，實(shí)施例中，本發(fā)明微波低波段超微型3dB交指電橋具有輸入端IN、耦 合端OH、直通端ZT、隔離端ISO四個(gè)端口，電路組成包括信號(hào)直通帶線MS1和信號(hào)耦合帶線MS2，所述兩條帶線各自分成兩條細(xì)線MSla、 MSlb、 MS2a、 MS2b，其中帶線MS1的兩條 細(xì)線MSla、 MSlb端部相連，中部扭轉(zhuǎn)180度，帶線MS2的兩條細(xì)線MS2a、 MS2b端部分離， 中部斷開(kāi)，兩條帶線的四條細(xì)線MSla、 MSlb、 MS2a、 MS2b呈交指形狀相間排列相互耦合， 通過(guò)金屬線W以橋的形式對(duì)應(yīng)連接斷開(kāi)細(xì)線MS2a、 MS2b的中部及兩端，以上電路通過(guò)超 微細(xì)微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片(圖中未畫(huà)出)上。
實(shí)施例中，陶瓷基片為介電常數(shù)9.9、厚度0.5mm的三氧化二鋁陶瓷基片。
權(quán)利要求
1、微波低波段超微型3dB交指電橋，具有輸入端、耦合端、直通端、隔離端四個(gè)端口，電路組成包括信號(hào)直通帶線和信號(hào)耦合帶線，其特征是所述兩條帶線各自分成兩條細(xì)線，其中一條帶線的兩條細(xì)線端部相連，中部扭轉(zhuǎn)180度，另一條帶線的兩條細(xì)線端部分離，中部斷開(kāi)，兩條帶線的細(xì)線呈交指形狀相間排列相互耦合，通過(guò)金屬線以橋的形式對(duì)應(yīng)連接斷開(kāi)細(xì)線的中部及兩端，以上電路通過(guò)超微細(xì)微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波低波段超微型3dB交指電橋，其特征是 陶瓷基片為介電常數(shù)9.9、厚度0.5mm的三氧化二鋁陶瓷基片。
全文摘要
微波低波段超微型3dB交指電橋，具有四個(gè)端口，信號(hào)直通帶線和信號(hào)耦合帶線各自分成兩條細(xì)線，其中一條帶線的兩條細(xì)線端部相連，中部扭轉(zhuǎn)180度，另一條帶線的兩條細(xì)線端部分離，中部斷開(kāi)，兩條帶線的細(xì)線呈交指形狀相間排列相互耦合，通過(guò)金屬線以橋的形式對(duì)應(yīng)連接斷開(kāi)細(xì)線的中部及兩端，以上電路通過(guò)超微細(xì)微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上。采用交指式相間排列耦合方式，使得耦合線和直通線的縫隙只需要達(dá)到幾十微米就能夠?qū)崿F(xiàn)3dB的緊耦合，降低了加工精度和對(duì)設(shè)備性能的要求，電路通過(guò)超微細(xì)微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上，體積小、集成度高、插入損耗低，用于微波低波段集成電路。
文檔編號(hào)H01P5/12GK101436704SQ200710135209
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2007年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月14日
發(fā)明者傅陽(yáng)波, 莊昆杰 申請(qǐng)人:深圳國(guó)人通信有限公司;泉州雷克微波有限公司