專利名稱：用于封裝的半導(dǎo)體芯片的和半導(dǎo)體封裝的制造方法
用于封裝的半導(dǎo)體芯片的和半導(dǎo)體封裝的制造方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及一種用于封裝的半導(dǎo)體芯片的和半導(dǎo)體封裝的制造方法，特 別是該用于封裝的半導(dǎo)體芯片的和半導(dǎo)體封裝的制造方法能夠簡化工藝和 降低制造成本。
針對半導(dǎo)體集成器件的封裝技術(shù)已得到了持續(xù)發(fā)展來滿足小型化和高
容量的要求。最近，針對堆疊型半導(dǎo)體封裝的各種技術(shù)已得到發(fā)展，其能夠 滿足安裝效率以及小型化和高容量的要求。
在半導(dǎo)體工業(yè)中的術(shù)語"堆疊"涉及一種至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片或封裝在
垂直方向堆疊的技術(shù)，且在存儲(chǔ)器件的情況下，可得到一種產(chǎn)品，其具有的 存儲(chǔ)容量比半導(dǎo)體集成工藝中可得到的更大，和在安裝領(lǐng)域的使用中增長的效率。
通過堆疊半導(dǎo)體芯片后將堆疊的半導(dǎo)體芯片封裝在一起，或通過堆疊各 自分別封裝的半導(dǎo)體封裝，可以制造大的堆疊型半導(dǎo)體封裝。在堆疊型半導(dǎo) 體封裝中，通過金屬線或穿透硅通道建立半導(dǎo)體芯片和基板之間的導(dǎo)電連接。
圖1為說明采用金屬線的傳統(tǒng)堆疊型半導(dǎo)體封裝的截面圖。
如圖所示，采用金屬線140的堆疊型半導(dǎo)體封裝100具有一種結(jié)構(gòu)，其 中至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片IIO通過粘合劑130堆疊在基板120上，且每個(gè)半導(dǎo) 體芯片110的焊盤112和基板120的連接終端122通過金屬線140導(dǎo)電連接。
在沒有解釋的參考標(biāo)記中，124表示球焊盤，126表示電路布線，150 表示密封劑和160表示外部連接終端。
然而，在釆用金屬線的傳統(tǒng)堆疊型半導(dǎo)體封裝中，由于電信號交換通過 金屬線傳送，使用的大量線導(dǎo)致低速和電性能變壞。而且，金屬線的形成必 須在基板上具有額外的區(qū)域，由此增長了封裝的尺寸，以及在半導(dǎo)體芯片之 間為鍵合金屬線所需的空間增加了封裝的高度。
因此，為了克服采用金屬線的堆疊型半導(dǎo)體封裝的內(nèi)在問題，已經(jīng)提出 采用穿透硅通道(TSV)的堆疊型半導(dǎo)體封裝。圖2為說明采用穿透硅通道的傳統(tǒng)堆疊型半導(dǎo)體封裝的截面圖。
如圖所示，采用穿透硅通道214的堆疊型半導(dǎo)體封裝200具有一種結(jié)構(gòu)， 該結(jié)構(gòu)中堆疊穿透硅通道214、形成有連接穿透硅通道214和焊盤212的再 分配層216的半導(dǎo)體芯片210，使得穿透硅通道214連成一條直線。
參考數(shù)字211表示絕緣層；220表示基板；213和215表示種子金屬層； 260表示外部連4妻終端；和270表示填充物。
在采用穿透硅通道的堆疊型半導(dǎo)體封裝200中，由于導(dǎo)電連接通過穿透 硅通道形成，所以電學(xué)性能的變壞得到阻止，由此提高了半導(dǎo)體芯片的運(yùn)行 速度。此外，由于去除了基板上的額外區(qū)域和縮小了堆疊的半導(dǎo)體芯片之間 的距離，可以使堆疊型半導(dǎo)體封裝小型化。
然而，采用穿透硅通道的堆疊型半導(dǎo)體封裝具有制造工藝復(fù)雜和制造成 本增高的特點(diǎn)，因?yàn)樾纬纱┩腹柰ǖ赖墓に嚭托纬捎糜谶B接焊盤和穿透硅通 道的再分配層的工藝是分別進(jìn)行的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法和半導(dǎo)體 封裝的制造方法，其能夠簡化工藝和縮減制造成本。
一部分中焊盤的外部形成槽，該半導(dǎo)體芯片在其上表面具有焊盤；在該槽的 側(cè)壁形成絕緣層；在半導(dǎo)體芯片上面形成金屬層以填充形成有絕緣層的該 槽；刻蝕金屬層以同時(shí)形成用于填充該槽的穿透硅通道和用.于連接穿透硅通 道和焊盤的分配層；且去除半導(dǎo)體芯片的背表面使得穿透硅通道的下表面突 出于半導(dǎo)體芯片。
該方法可還包括在半導(dǎo)體芯片的上和下表面形成模子部分以使得在去 除了半導(dǎo)體芯片的背表面之后暴露穿透硅通道的上和下表面。
形成金屬層的步驟包括在包括該槽的半導(dǎo)體芯片上沉積種子金屬層；在 種子金屬層上面鍍覆金屬層；和回刻蝕金屬層以減小其厚度。
該種子金屬層和金屬層包括銅(Cu)、鋁(Al)和金(Au)中任意之一 或它們各自的合金。
同時(shí)形成穿透硅通道和分配層的步驟包括在金屬層的一區(qū)域上形成掩 模，在該區(qū)域中將形成穿透硅通道和分配層；刻蝕沒有被掩模覆蓋的金屬層的一部分；和去除掩模。
采用濕刻蝕工藝對金屬層進(jìn)行刻蝕。
去除半導(dǎo)體芯片背表面的步驟是采用研磨工藝和刻蝕工藝中至少之一 的方法進(jìn)4亍的。
通過去除半導(dǎo)體芯片的背表面形成該槽的步驟是在晶片級進(jìn)行的。 該方法可還包括劃片以使得半導(dǎo)體芯片分割成芯片級，在去除晶片級的 半導(dǎo)體芯片的背表面的步驟之后。
在另 一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝的制造方法可包括在半導(dǎo)體芯片的焊盤外
部的一部分中形成槽，在該半導(dǎo)體芯片的上表面具有焊盤；在該槽的側(cè)壁形 成絕緣層；在半導(dǎo)體芯片上形成金屬層以填充形成有絕緣層的槽；刻蝕金屬 層以同時(shí)形成用于填充槽的穿透硅通道和用于連接穿透硅通道和焊盤的分 配層；去除半導(dǎo)體芯片的背表面使得穿透硅通道的下表面突出于半導(dǎo)體芯 片；和至少堆疊兩個(gè)具有突出下表面的穿透硅通道的半導(dǎo)體芯片使得穿透硅 通道彼此連接。
該方法可還包括在半導(dǎo)體芯片的上和下表面形成模子部分以暴露穿透 硅通道的上和下表面，在去除半導(dǎo)體芯片的背表面的步驟之后和堆疊至少兩 個(gè)半導(dǎo)體芯片的步驟之前。
形成金屬層的步驟包括在包括槽的半導(dǎo)體芯片上沉積種子金屬層；在種 子金屬層上鍍覆金屬層；和回刻蝕金屬層以減小其厚度。種子金屬層和金屬層包括銅(Cu)、鋁(Al)和金(Au)中任意之一或 它們各自的合金。
同時(shí)形成穿透硅通道和分配層的步驟包括在金屬層上的一區(qū)域上形成 掩模，其中穿透硅通道和分配層將在該區(qū)域處形成；刻蝕沒有被掩模覆蓋的
金屬層的一部分；和除去掩模。
采用濕刻蝕工藝對金屬層進(jìn)行刻蝕。
去除半導(dǎo)體芯片的背表面的步驟是采用研磨工藝和刻蝕工藝中至少之
一的方法進(jìn)行的。
通過去除半導(dǎo)體芯片的背表面形成槽的步驟是在晶片級進(jìn)行的。 該方法還可包括劃片以使得半導(dǎo)體芯片分割成芯片級，在去除晶片級的
半導(dǎo)體芯片的背表面的步驟之后。
該方法還可包括在基板上貼裝半導(dǎo)體芯片；和貼裝外部連接終端到基板的下表面，在去除半導(dǎo)體芯片的背表面的步驟之后。 由焊料球形成外部連接終端。


圖1為說明采用金屬線的傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝的截面圖。
圖2為說明采用穿透硅通道的傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝的截面圖。
圖3A至3E為說明與本發(fā)明的一實(shí)施例一致的半導(dǎo)體封裝制造方法的
工藝步驟的截面圖。
圖4為說明與本發(fā)明另一實(shí)施例一致的堆疊型半導(dǎo)體封裝的截面圖。 圖5A至5C為說明與本發(fā)明另一實(shí)施例一致的半導(dǎo)體封裝制造方法的
工藝步驟的截面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例指示為一種半導(dǎo)體封裝的制造方法。在該方法中 穿透硅通道和連接穿透硅通道至焊盤的再分配層同時(shí)形成。此外，本發(fā)明的 一優(yōu)選實(shí)施例指示為一種半導(dǎo)體封裝的制造方法，在該方法中半導(dǎo)體芯片垂 直地堆疊使得模子部分在半導(dǎo)體芯片的上、下表面形成，該半導(dǎo)體芯片形成 有穿透硅通道和再分配層。
因此，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，由于穿透硅通道和再分配層不是分別形 成而是同時(shí)形成的，可以簡化制造工藝和降低制造成本。
同樣，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，由于堆疊型半導(dǎo)體封裝是通過堆疊半導(dǎo) 體芯片實(shí)現(xiàn)的，其中該半導(dǎo)體芯片在上、下表面都形成了模子部分，所以這
可以保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受產(chǎn)生于堆疊過程中的機(jī)械振動(dòng)的影響，由此提高半 導(dǎo)體封裝的可靠性。此外，由于堆疊型半導(dǎo)體封裝是通過堆疊半導(dǎo)體芯片實(shí) 現(xiàn)的，其中該半導(dǎo)體芯片在上、下表面都形成了模子部分，所以制造過程由 于可省略底填充(underfill)工藝而得到簡化。傳統(tǒng)上，在半導(dǎo)體芯片堆疊完全 后，需要該填充工藝以填充堆疊的半導(dǎo)體芯片之間的空間。
此后，將參考圖3A至3E描述與本發(fā)明一實(shí)施例一致的半導(dǎo)體封裝的 制造方法。
參考圖3A,在半導(dǎo)體芯片310的上表面上形成第一掩模圖案380以暴 露焊盤312外對應(yīng)于穿透硅通道形成區(qū)域的一部分，其中半導(dǎo)體芯片310具有多個(gè)焊盤312在其上表面上。優(yōu)選地，第一掩模圖案380由光刻膠組成。 然后，刻蝕半導(dǎo)體芯片310暴露的部分至一定深度，在該深度下半導(dǎo)體芯片 310沒有被穿透，以形成槽T。
參考圖3B,在槽T和第一掩模圖案380的表面上形成絕緣層311以使 得半導(dǎo)體芯片310與在接下來的工藝中在槽中隨后形成的穿透硅通道絕緣。 回刻蝕絕緣層311使得其只覆蓋槽T的側(cè)壁。
參考圖3C,去除第一掩模圖案。然后，在包括殘余絕緣層311的槽T 和半導(dǎo)體芯片310的表面上形成種子金屬層313。進(jìn)行鍍覆工藝以在種子金 屬層313上形成金屬層317使其填充槽T。種子金屬層313和金屬層317包 括銅(Cu)、鋁(Al)和金(Au)中任一或其各自的合金?？紤]到制造的堆 疊型半導(dǎo)體封裝的總厚度，回刻蝕金屬層317以減小它的厚度。
參考圖3D,在金屬層上形成第二掩模圖案382以形成穿透硅通道和用 于連接穿透硅通道至焊盤312的分配層。優(yōu)選地，第二掩模圖案382由光刻 膠組成，且例如形成它以使得覆蓋從槽T的上面區(qū)域到焊盤312的上面區(qū)域 的區(qū)域。采用第二掩模圖案382作為刻蝕掩模對金屬層和金屬層下面的種子 金屬層進(jìn)行刻蝕，由此形成穿透硅通道314在槽T中和用于連接穿透硅通道 314和焊盤312的分配層316。在這里，穿透硅通道314和分配層316整合 成一整體且同時(shí)形成。采用濕刻蝕工藝對金屬層和種子金屬層313進(jìn)行刻蝕。
參考圖3E,去除第二掩模圖案。然后，去除半導(dǎo)體芯片310的背表面 的一定厚度以使得暴露穿透硅通道314，由此完成了制造具有一體的穿透硅 通道314和分配層316的半導(dǎo)體封裝300。
以研磨工藝和刻蝕工藝中至少其一的方法對半導(dǎo)體芯片310進(jìn)行去除。 例如，可以按一種方式去除半導(dǎo)體芯片310使得進(jìn)行背面研磨工藝直到暴露 穿透硅通道314，對背面研磨的半導(dǎo)體芯片310的背表面進(jìn)行濕刻蝕使得硅 通道314的一部分下表面突出于半導(dǎo)體芯片310。
上面所描述的與本發(fā)明的 一 實(shí)施例一致的制造半導(dǎo)體封裝優(yōu)選地在晶 片級進(jìn)行，且制造的晶片通過劃片工藝分成芯片級。
如上面所描述的，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，穿透硅通道和分配層的形成 是在一個(gè)工藝中同時(shí)進(jìn)行的，由此簡化了工藝和因而縮減了制造成本。
同時(shí)，至少兩個(gè)以上面提到的方法制造的半導(dǎo)體封裝堆疊起來使得它們 各自的穿透硅通道彼此連接，由此可以構(gòu)建堆疊型半導(dǎo)體封裝。
9圖4為說明與本發(fā)明的另一實(shí)施例一致的堆疊型半導(dǎo)體封裝的截面圖。
如圖所示，堆疊型半導(dǎo)體封裝400具有一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中至少兩個(gè) 半導(dǎo)體芯片410垂直地堆疊使得他們各自的穿透硅通道414彼此連接，換句 話說，上面的半導(dǎo)體芯片410的穿透硅通道414貼裝到下面的半導(dǎo)體芯片410 的分配層416。
填充物430內(nèi)插在堆疊的半導(dǎo)體芯片410之間，以提高接合的可靠性和 保護(hù)半導(dǎo)體芯片410。此外，堆疊的半導(dǎo)體芯片410貼裝在基板420上和焊 料球460貼裝在基板420的下表面作為外部連接終端。
同時(shí)，盡管沒有顯示出，為了保護(hù)堆疊的半導(dǎo)體芯片410,在基板420 上方可形成密封劑以使得覆蓋堆疊的半導(dǎo)體芯片410。可選擇地，在最上堆 疊的半導(dǎo)體芯片410的上面可形成封口層。
優(yōu)選地，在上面提到的堆疊型半導(dǎo)體封裝中，半導(dǎo)體芯片的堆疊和填充 物的形成在晶片級進(jìn)行，且在通過劃片工藝分成芯片級之后，堆疊的半導(dǎo)體 芯片貼裝到基板上以完成制造堆疊型半導(dǎo)體封裝。
同時(shí)，由于與本發(fā)明的上面所述的實(shí)施例一致的具有穿透硅通道和分配 層的半導(dǎo)體芯片是細(xì)小的，其很容易受在制造堆疊型半導(dǎo)體封裝的堆疊工藝 中產(chǎn)生的機(jī)械振動(dòng)的影響。而且，有必要采用很難的填充工藝對堆疊的半導(dǎo) 體芯片之間進(jìn)行填充從而制造堆疊型半導(dǎo)體封裝。
因此，與本發(fā)明的另一實(shí)施例一致，為了保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受在半導(dǎo)體 芯片的堆疊工藝中產(chǎn)生的機(jī)械振動(dòng)影響且避免困難的填充工藝，包括半導(dǎo)體 芯片的堆疊的 一 系列工藝是在模子部分形成在設(shè)有穿透硅通道和分配層的 半導(dǎo)體芯片的上和下表面的狀態(tài)下進(jìn)行的。
特別地，圖5A至5C為說明與本發(fā)明的另一實(shí)施例一致的半導(dǎo)體封裝 制造方法的工藝步驟的截面圖。
參考圖5A，在設(shè)有焊盤512的半導(dǎo)體芯片510的上表面和下表面上， 形成模子部分580以佳:得覆蓋穿透硅通道514和分配層516,該半導(dǎo)體芯片 510形成了穿透硅通道514使得它的下表面突出于焊盤512的外面和在其上 表面形成了分配層516來連接穿透硅通道514和焊盤512。
參考圖5B，在半導(dǎo)體芯片510的上表面和下表面形成的模子部分580 要經(jīng)歷研磨工藝和刻蝕工藝中至少其一，以暴露半導(dǎo)體芯片510的上表面上 的分配層516和半導(dǎo)體芯片510的下表面上的穿透硅通道514的下表面。參考圖5C,至少兩個(gè)具有如圖5B所示的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片510堆疊起 來使得每個(gè)半導(dǎo)體芯片510的穿透硅通道514彼此連接，換句話說，上面的 半導(dǎo)體芯片510的穿透硅通道514貼裝到下面的半導(dǎo)體芯片510的分配層 516。此后，堆疊的半導(dǎo)體芯片510貼裝到基板520上且焊料球560貼裝到 基板520的下表面作為外部連接終端，由此制造了堆疊型半導(dǎo)體封裝500。
在晶片級，也可以進(jìn)行與本發(fā)明的該實(shí)施例一致的堆疊型半導(dǎo)體封裝的 制造。在這種情況下，通過劃片工藝將晶片級堆疊的半導(dǎo)體芯片分割成芯片 級之后，堆疊的半導(dǎo)體芯片貼裝到基板上以制造堆疊型半導(dǎo)體封裝。
從上面的描述已很明顯，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，因?yàn)榇┩腹柰ǖ篮头?配層不是在分開的工藝中分別形成的而是同時(shí)集成形成的，所以可以簡化工 藝和縮減制造成本。此外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，由于制造堆疊型半導(dǎo)體 封裝使得模子部分在形成有穿透硅通道和再分配層的半導(dǎo)體芯片的上和下 表面上形成，所以可以保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受堆疊工藝中產(chǎn)生的機(jī)械振動(dòng)的影 響且由此提高半導(dǎo)體封裝的可靠性。這也可以省略形成填充物的工藝從而進(jìn) 一步簡化制造工藝。
雖然為說明目標(biāo)已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將 可以理解在不脫離由權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以 做出各種改變、添加和代替。
本申請要求優(yōu)先于2007年6月20日申請的韓國專利申請?zhí)?10-2007-0060263 ，它在此處被全文引用作為參考。
權(quán)利要求
1.一種用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括如下步驟在半導(dǎo)體芯片的上表面形成具有側(cè)壁的槽，該半導(dǎo)體芯片的上表面上具有焊盤，其中該槽比該焊盤距離該半導(dǎo)體芯片上表面的外邊界更近；在該槽的所述側(cè)壁上形成絕緣層；在該半導(dǎo)體芯片上形成金屬層以填充形成有絕緣層的所述槽；刻蝕該金屬層以同時(shí)形成在該槽中填充有金屬的穿透硅通道和用來連接該穿透硅通道至該焊盤的分配層；和去除該半導(dǎo)體芯片的下表面的一部分以減小其厚度使得在該槽的底部的穿透硅通道的那一部分突出于該半導(dǎo)體芯片的下表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，還包括如下 步驟在去除該半導(dǎo)體芯片的下表面的一部分以減小其厚度之后，在半導(dǎo)體芯 片的上和下表面形成模子部分，不包括保留暴露在形成有模子部分的該半導(dǎo) 體芯片的上和下表面上的該穿透硅通道。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中形成該 金屬層的步驟還包括如下步驟在包括該槽的該半導(dǎo)體芯片上沉積種子金屬層； 在該種子金屬層上鍍覆該金屬層；以及 回刻蝕該金屬層以減小其厚度。
4. 如權(quán)利要求3所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中該種子 金屬層和該金屬層中每一個(gè)都包括銅、鋁、金和它們各自的合金中任意之一。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中同時(shí)形 成該穿透硅通道和該分配層的步驟包括以下步驟在該金屬層的將形成穿透硅通道和分配層的區(qū)域上形成掩模； 刻蝕該金屬層的沒有被該掩模覆蓋的部分；以及 去除該掩模。
6. 如權(quán)利要求5所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中采用濕 刻蝕工藝對該金屬層進(jìn)行刻蝕。
7. 如權(quán)利要求1所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中去除該半導(dǎo)體芯片的下表面的步驟是采用研磨工藝和刻蝕工藝中至少之一 的方法進(jìn)行的。
8. 如權(quán)利要求1所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中權(quán)利要 求1的每個(gè)步驟是在晶片級的半導(dǎo)體芯片上實(shí)行的。
9. 如權(quán)利要求8所述的用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，還包括如下 步驟在實(shí)行了去除該半導(dǎo)體芯片的下表面的一部分的步驟之后，劃割該晶片 以使得該半導(dǎo)體芯片分成芯片級。
10. —種半導(dǎo)體封裝的制造方法，包括如下步驟提供多個(gè)半導(dǎo)體芯片，制造其中的每個(gè)的步驟包括在半導(dǎo)體芯片的上表面上形成具有側(cè)壁的槽，在該半導(dǎo)體芯片的上表面上具有焊盤，其中該槽比該焊盤距離該半導(dǎo)體芯片上表面的外邊界更近； 在該槽的側(cè)壁上形成絕緣層；在該半導(dǎo)體芯片上形成金屬層以填充形成有該絕緣層的該槽；刻蝕該金屬層以同時(shí)形成在該槽中填充有金屬的穿透硅通道和用來連 接該穿透硅通道和該焊盤的分配層；去除該半導(dǎo)體芯片的下表面的一部分以減小其厚度使得在該槽底部的 該穿透硅通道的 一部分突出于該半導(dǎo)體芯片的下表面；以及堆疊兩個(gè)或更多該半導(dǎo)體芯片使得每個(gè)堆疊的半導(dǎo)體芯片的該穿透硅 通道4皮此連4妻。
11. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中制造每個(gè)半導(dǎo)體 芯片的步驟還包括如下步驟在去除了該半導(dǎo)體芯片的下表面的一部分以減小其厚度之后，在該半導(dǎo) 體芯片的上和下表面上形成模子部分，不包括保留暴露在形成有模子部分的 該半導(dǎo)體芯片的上和下表面上的該穿透硅通道。
12. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中形成該金屬層的 步驟包括如下步驟在包括該槽的該半導(dǎo)體芯片上沉積種子金屬層； 在該種子金屬層上鍍覆該金屬層；以及 回刻蝕該金屬層以減小其厚度。
13. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中該種子金屬層和該金屬層中每一個(gè)都包括銅、鋁、金和它們各自的合金中任意之一。
14. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中同時(shí)形成該穿透 硅通道和該分配層的步驟包括如下步驟在該金屬層的將形成該穿透硅通道和該分配層的區(qū)域上形成掩模；刻蝕該金屬層的沒有被該掩模覆蓋的部分；以及 去除該掩模。
15. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中采用濕刻蝕工藝 對該金屬層進(jìn)行刻蝕。
16. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中去除該半導(dǎo)體芯 片的下表面的步驟是采用研磨工藝和刻蝕工藝中至少之一的方法進(jìn)行的。
17. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中如權(quán)利要求10 中所述的制造每個(gè)半導(dǎo)體芯片的每個(gè)步驟是針對晶片級的多個(gè)半導(dǎo)體芯片 中的每一個(gè)實(shí)行的。
18. 如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，還包括劃片步驟以使 多個(gè)半導(dǎo)體芯片分成芯片級。
19. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，還包括如下步驟 貼裝該半導(dǎo)體芯片到基板上；以及 貼裝外部連接終端到該基板的下表面。
20. 如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝的制造方法，其中該外部連接終端 由焊料球形成。
全文摘要
一種用于封裝的半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括在半導(dǎo)體芯片的焊盤外部的一部分中形成槽，在該半導(dǎo)體芯片上表面上具有焊盤；在該槽的側(cè)壁上形成絕緣層；在半導(dǎo)體芯片上形成金屬層以填充形成有絕緣層的該槽；刻蝕金屬層以同時(shí)形成用來填充該槽的穿透硅通道和用來連接穿透硅通道和焊盤的分配層；以及去除半導(dǎo)體芯片的背表面使得穿透硅通道的下表面突出于半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體封裝的制造方法。
文檔編號H01L21/60GK101330025SQ20071014073
公開日2008年12月24日 申請日期2007年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月20日
發(fā)明者徐敏碩, 樸昌濬, 李升鉉, 李荷娜, 梁勝宅, 金圣哲, 金圣敏, 金鐘薰, 韓權(quán)煥 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司