專利名稱：聚焦離子束裝置、樣品斷面形成及薄片樣品制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到利用聚焦離子束裝置形成樣品斷面及加工TEM樣背景技術(shù)利用圖9對(duì)利用傳統(tǒng)的FIB-SEM裝置加工缺陷區(qū)域的觀察方法進(jìn) 行解釋說(shuō)明.首先，用離子束IB對(duì)樣品22進(jìn)行加工形成一個(gè)矩形開 口 21.開口形成后，用電子束EB掃描照射斷面D.通過檢測(cè)那時(shí)所 產(chǎn)生的二次電子，觀察斷面D的二次電子圖像.在缺陷分析中為了獲 得通過缺陷中心的斷面，在已獲得的二次電子圖像中的一個(gè)特定結(jié)構(gòu) 的一端選定兩個(gè)點(diǎn)。然后，用離子束IB逐步研磨(mill)該特定結(jié)構(gòu)， 在研磨過程中測(cè)量特定結(jié)構(gòu)的端到端的距離.當(dāng)距離變化幾乎為零時(shí) 終止用離子束IB研磨，可以在缺陷中心區(qū)域獲得斷面.專利文件1JP-A-H11-273613在前面所述的利用傳統(tǒng)的FIB-SEM裝置通過加工觀察缺陷的方法 中，為了檢測(cè)缺陷或接觸孔的中心位置，需要照射電子束到樣品斷面。 這要求具有SEM柱的FIB-SEM裝置.同時(shí)，由于使用FIB工作以及 通過將照射束轉(zhuǎn)換到SEM來(lái)確認(rèn)端點(diǎn)(end point)，轉(zhuǎn)換過程耗費(fèi)時(shí) 間.本發(fā)明提供一種樣品斷面形成方法，該方法即使使用沒有SEM觀 察功能的FIB裝置也能有效檢測(cè)缺陷或接觸孔的中心位置.本發(fā)明的 一個(gè)目的是提供一種有效制備薄片(thin-piece)樣品的方法，使得缺 陷或接觸孔的中心處于用于TEM等的觀察薄片樣品的中心.發(fā)明內(nèi)容為了達(dá)到上述目標(biāo)，使用這樣一種方法，該方法利用聚焦離子束 裝置相對(duì)于和樣品表面平行的方向形成包含至少兩種不同材料的樣品 斷面.使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法包含的步驟有在垂 直于樣品表面形成斷面時(shí)，在通過掃描照射聚焦離子束對(duì)樣品的一個(gè)
期望區(qū)域進(jìn)行刻蝕的同時(shí)，檢測(cè)由照射聚焦離子束所產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及利用檢測(cè)到的二次帶電粒子的信號(hào)檢測(cè)信號(hào)量的變化并且 根據(jù)該變化量終止刻蝕.換言之，使用聚焦離子束裝置，在和聚焦離 子束裝置的透鏡鏡筒軸向平行的方向用聚焦離子束掃描照射樣品表面 的期望區(qū)域，由此形成樣品斷面.在形成樣品斷面時(shí)，當(dāng)一形成斷面， 包含不同材料的樣品表面就出現(xiàn)時(shí)，包含如下步驟當(dāng)在形成樣品斷 面時(shí)在形成斷面的過程中，在出現(xiàn)包含不同材料的樣品斷面時(shí)，在通 過通過掃描照射聚焦離子束對(duì)樣品期望區(qū)域進(jìn)行刻飪的同時(shí)，檢測(cè)由 照射聚焦離子束產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及根據(jù)檢測(cè)到的二次帶電粒 子的信號(hào)檢測(cè)信號(hào)量的變化并根據(jù)其變化量終止刻蝕.此外，也可能 是這樣一種在樣品表面中形成斷面的方法，其通過在和聚焦離子束裝 置的透鏡鏡筒軸平行的方向上掃描照射聚焦離子束，并在樣品的期望 區(qū)域形成樣品斷面同時(shí)刻蝕該斷面，使用聚焦離子束裝置的樣品斷面 形成方法特征在于包括如下步驟檢測(cè)由照射聚焦離子束所產(chǎn)生的二 次帶電粒子；以及檢測(cè)所檢測(cè)到的二次帶電粒子信號(hào)的信號(hào)量變化， 并且當(dāng)信號(hào)量有變化時(shí)，根據(jù)變化量終止刻蝕，第二種問題解決手段是使用根據(jù)權(quán)利要求1的使用聚焦離子束的 樣品斷面形成方法，其中建立所述期望區(qū)域，使其一側(cè)幾乎平行于樣 品表面中的期望斷面的一側(cè)，以形成包含該平行一側(cè)的斷面的方式進(jìn) 行刻蝕，接著通過掃描照射離子束刻蝕工作區(qū)，同時(shí)向著期望斷面并 在加寬的方向上形成該工作區(qū)的斷面，從而根據(jù)此時(shí)產(chǎn)生的二次帶電 粒子的信號(hào)檢測(cè)每個(gè)斷面位置的信號(hào)量的變化，根據(jù)其變化量終止刻 蝕。第三種問題解決手段是使用根據(jù)權(quán)利要求1或2的使用聚焦離子 束裝置的樣品斷面形成方法，其中通過檢測(cè)所檢測(cè)到的二次帶電粒子 信號(hào)的信號(hào)量變化而終止刻蝕的步驟包括相對(duì)于副掃描方向，在每 個(gè)副掃描位置累積主掃描方向上刻蝕過程中檢測(cè)到的二次帶電粒子信號(hào)，假定和期望斷面的一側(cè)幾乎平行的方向?yàn)橹鲯呙璺较?，而垂直?主掃描方向的方向?yàn)楦睊呙璺较?；檢測(cè)累積信號(hào)量的變化，并根據(jù)其 變化量終止刻蝕.第四種問題解決手段是一種利用聚焦離子束裝置制備薄片樣品的 方法，其特點(diǎn)在于以下步驟通過根據(jù)笫一到第三問題解決手段中的
任何一種手段的、使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法形成樣品斷面；以及類似地，關(guān)于期望薄片樣品區(qū)，與已形成的樣品斷面相對(duì) 地類似地形成一斷面，從而形成薄片樣品區(qū).第五種問題解決手段使用一種聚焦離子束裝置，該裝置包含用 于產(chǎn)生離子的離子發(fā)生源；離子光學(xué)系統(tǒng)，該系統(tǒng)將離子限制成聚焦 離子束并在掃描的同時(shí)將離子束照射到樣品表面；用于支撐樣品的樣 品臺(tái)；用于移動(dòng)樣品臺(tái)的樣品臺(tái)控制機(jī)構(gòu)；檢測(cè)聚焦離子束照射樣品 所產(chǎn)生的二次帶電粒子的二次帶電粒子探測(cè)器；以及端點(diǎn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)， 其在通過掃描照射聚焦離子束對(duì)垂直于樣品平坦表面形成的斷面進(jìn)行 刻蝕時(shí)，根據(jù)二次帶電粒子探測(cè)器檢測(cè)到的二次帶電粒子信號(hào)量的變 化量檢測(cè)端點(diǎn)，基于第一問題解決手段的搮作如下通過檢測(cè)所檢測(cè)到的二次帶 電粒子信號(hào)量的變化來(lái)終止刻蝕，可以在暴露包含不同材料的期望斷 面的狀態(tài)下終止刻蝕.基于笫二問題解決手段的操作如下通過選取幾乎平行于期望樣 品斷面的平面作為一側(cè)建立和刻蝕一工作區(qū)，并且朝向期望樣品斷面 加寬工作區(qū)，直到檢測(cè)到刻蝕終止信號(hào)，可以形成一期望端面，而不 會(huì)遇到加工不足或過度的問題.基于笫三問題解決手段的操作如下.即使二次帶電粒子信號(hào)量小 或者信號(hào)量變化不容易檢測(cè)，也可以通過累積二次帶電粒子信號(hào)并檢 測(cè)累積的信號(hào)量的變化，在暴露期望斷面的狀態(tài)下終止加工.根據(jù)第四問題解決手段的操作如下.通過類似地關(guān)于期望薄片樣 品區(qū)與已形成的樣品斷面相對(duì)地形成一斷面，可以在期望的薄片樣品 區(qū)中形成薄片樣品.根據(jù)第五問題解決手段的搮作如下，通過使用具有端點(diǎn)檢測(cè)機(jī)構(gòu) 聚焦離子束裝置，該裝置根據(jù)檢測(cè)到的二次帶電粒子信號(hào)檢測(cè)端點(diǎn)， 可以在暴露包含不同材料的期望斷面的狀態(tài)下終止刻蝕.如上所述，根據(jù)本發(fā)明的聚焦離子束裝置和使用聚焦離子束裝置 的樣品斷面形成方法，通過檢測(cè)刻蝕時(shí)所產(chǎn)生的二次帶電粒子的信號(hào) 量的變化來(lái)終止刻蝕，即使使用沒有SEM觀察功能的FIB裝置，也可 以檢測(cè)到上面看到的缺陷或接觸孔中心位置，由此有效形成樣品斷 面。同時(shí)，根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的聚焦離子束裝置和使用聚焦離子束裝置
的薄片樣品制備方法，即使使用沒有SEM觀察功能的FIB裝置，也可 以有效地制備用于TEM觀察的薄片樣品，缺陷或接觸孔的中心軸處于 該薄片樣品的中心.


圖l是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的FIB裝置的示意圖. 圖2A-2D是表示本發(fā)明的該實(shí)施例的樣品表面視困. 圖3A-3D示出了表示本發(fā)明的該實(shí)施例的位置和累積二次電子信 號(hào)量之間的關(guān)系圖4A-4C是表示本發(fā)明的該實(shí)施例的樣品表面視困. 圖5A-5C是圖4A-4C的A-A樣品斷面視圖. 圖6是表示本發(fā)明的該實(shí)施例的流程困. 圖7是表示本發(fā)明的該實(shí)施例的流程圖.圖8A表示本發(fā)明的該實(shí)施例的樣品表面視圖，圖8B表示位置和 累積二次電子信號(hào)量之間關(guān)系的圖。圖9是表示現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)施例的FIB-SEM裝置.具體實(shí)施方式
現(xiàn)在根據(jù)圖1~7,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明.圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的FIB裝置的示意圖.由離子源 11所產(chǎn)生的離子被離子光學(xué)系統(tǒng)12采集以形成聚焦離子束1并掃描照 射到如半導(dǎo)體器件的樣品10.樣品IO位于樣品臺(tái)13上，它可以用平 臺(tái)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)14移動(dòng).二次電子2，它是由聚焦離子束1照射樣品10產(chǎn) 生的二次帶電粒子，將被用做二次電荷探測(cè)器的二次電子探測(cè)器3檢 測(cè)到，根據(jù)檢測(cè)到的二次電子信號(hào)，樣品IO的二次電子圖像將被顯示 在顯示器17上.同時(shí)，端點(diǎn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)16可以根據(jù)加工過程中檢測(cè)的 二次電子信號(hào)量的變化量檢測(cè)端點(diǎn).利用圖2A-2D、 3A-3D和6，對(duì)觀察包括接觸孔軸的斷面的情形進(jìn) 行說(shuō)明。圖2A-2D是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的樣品表面視圖.在被表面 保護(hù)膜4覆蓋的樣品10中，包含由絕緣體形成的層間膜6和垂直于樣 品表面提供的金屬接觸孔7,從樣品表面不能觀察到接觸孔7.如果沿
著平行于樣品表面的平面切割接觸孔7，在切割表面方向存在不同的材 料(如絕緣體和金屬)區(qū).圖3A-3D表示位置和累積二次電子信號(hào)量之間的關(guān)系，其中橫軸 代表主掃描方向上的位置，這里假定與斷面一側(cè)幾乎平行的方向?yàn)橹?掃描方向，近似垂直主掃描方向的方向?yàn)楦睊呙璺较颍v軸代表在 副掃描方向累積的二次電子信號(hào)量.此處，二次電子信號(hào)量累積是指 相對(duì)于主掃描方向的各個(gè)副掃描方向位置處檢測(cè)到的二次電子信號(hào)量 的總和.盡管在某些樣品材料和聚焦離于束照射條件下，檢測(cè)二次電 子數(shù)量變化很困難，通過計(jì)算二次電子信號(hào)量的總和可以清楚地確定 這種改變。利用圖6中表示本發(fā)明的實(shí)施例的流程閨，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的樣品 斷面形成方法進(jìn)行說(shuō)明.利用缺陷檢查裝置和設(shè)計(jì)布局圖的坐標(biāo)信 息，通過移動(dòng)樣品臺(tái)13到接觸孔7的位置獲得有關(guān)樣品表面的二次電 子圖像.但是，由于接觸孔7被表面保護(hù)膜4覆蓋，在所得到的二次 電子圖像中不可能知道接觸孔7的正確位置。利用得到的二次電子圖 像，通過估計(jì)可以在斷面加工接觸孔7的位置來(lái)在樣品表面上建立工 作區(qū)。圖2A中的工作區(qū)8a表示不位于在斷面加工接觸孔7的位置的情形.然后，在通過掃描照射聚焦離子束l到已建立的工作區(qū)8a進(jìn)行刻 蝕的同時(shí)，檢測(cè)刻蝕過程中產(chǎn)生的二次電子2，其中與斷面一側(cè)幾乎平 行的方向?yàn)橹鲯呙璺较颍拼怪敝鲯呙璺较虻姆较驗(yàn)楦睊呙璺较? 對(duì)于這種情況下的累積二次電子信號(hào)量，圖3A中累積二次電子信號(hào)量 相對(duì)于主掃描方向是恒定的.接著，在圖2B中，建立工作區(qū)8b,以在其斷面重新加工接觸孔7， 從而對(duì)工作區(qū)進(jìn)行刻蝕.關(guān)于刻蝕過程中檢測(cè)和累積的二次電子信號(hào) 量，圖3B中累積二次電子信號(hào)量在某個(gè)位置發(fā)生變化.累積二次電子 信號(hào)量的變化歸功于在形成困2B中的工作區(qū)8B時(shí)聚焦離子束1照射 到接觸孔7的一部分.由于由照射聚焦離子束1所產(chǎn)生的二次電子的 數(shù)量隨材料不同而不同，照射聚焦離子束1到接觸孔7改變了在相對(duì) 于聚焦離子束1的主掃描方向存在接觸孔7的位置處的二次電子信號(hào) 量，如圖3B所示， 進(jìn)一步，如困2C所示建立新工作區(qū)8C,對(duì)該工作區(qū)進(jìn)行刻蝕. 在困3C中，刻蝕過程中檢測(cè)和累積的二次電子信號(hào)量在二次電子信號(hào) 量峰值頂端顯示為平坦的.該平坦部分代表刻蝕接觸孔7.進(jìn)一步，在圖2D中建立工作區(qū)8d，對(duì)該工作區(qū)進(jìn)行刻蝕.此時(shí) 累積的二次電子信號(hào)量峰寬大于圖3C中的峰寬，如圖3D所示.當(dāng)該 峰寬變?yōu)樽畲髸r(shí)，認(rèn)為刻蝕形成的接觸孔的斷面處于接觸孔的直徑 內(nèi).可以確定刻蝕已經(jīng)到達(dá)接觸孔的中心或周邊.此處，在觀察由于 形成過程導(dǎo)致的峰尺寸的過程中，峰寬為最大的時(shí)間將確定為峰增加 量最小的時(shí)間.然后刻蝕結(jié)束.上述方法允許形成包括接觸孔7的軸 的斷面.最后，傾斜樣品臺(tái)13以照射聚焦離子束1到由此形成的斷面. 通過掃描照射聚焦離子束l到該斷面，可以觀察到該斷面包括接觸孔7 的中心軸。利用圖4A-4C, 5A-5C和7說(shuō)明制備包含接觸孔軸的薄片樣品的情 形。圖4A-4C是包含接觸孔的樣品IO的表面視困.圖5A-5C是圖4A-4C 的A-A斷面圖.樣品10由層間膜6、互連5和在互連5之間的接觸孔 7構(gòu)成.利用表示本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖進(jìn)行說(shuō)明.利用缺陷檢查裝置 和設(shè)計(jì)布局圖的坐標(biāo)信息，在樣品表面上建立一個(gè)工作區(qū).通過掃描 照射聚焦離子束1到已建立的工作區(qū)，對(duì)接觸孔7進(jìn)行刻蝕，同時(shí)形 成從遠(yuǎn)離接觸孔的位置開始的斷面，由此形成如圖4A和5A中的溝槽 9a.在此情況下，進(jìn)行刻蝕，同時(shí)確定二次電子信號(hào)量，就像在觀察 包括接觸孔軸的斷面的情形中一樣。在通過刻蝕溝槽9a形成斷面的過 程中，當(dāng)沒有觀察到二次電子信號(hào)在位置上相對(duì)于斷面變化的部分 時(shí)，以如圖4B和5B所示的加寬工作區(qū)的方式建立工作區(qū)，以通過刻 蝕形成溝槽9b,進(jìn)行刻蝕同時(shí)確定二次電子信號(hào)量，當(dāng)觀察到二次電 子信號(hào)量的變化點(diǎn)時(shí)，認(rèn)為已經(jīng)刻蝕到接觸孔7，由此溝槽9的形成終 止，然后在關(guān)于接觸孔7與溝槽9b相對(duì)的位置建立一個(gè)新工作區(qū)，如 圖4C和5C所示，和上述方法類似對(duì)已建立的工作區(qū)進(jìn)行刻蝕，由此 形成溝槽9C.與形成溝槽9b類似，在確定了二次電子信號(hào)量的變化 點(diǎn)后，假定溝槽9c達(dá)到接觸孔7,結(jié)束刻蝕.這樣可以制備包含接觸 孔7的中心軸的薄片樣品.然后，為了進(jìn)行TEM觀察，將制備的薄片
樣品從樣品IO分離并固定在TEM觀察樣品架上，然后輸送到TEM裝 置.通過垂直照射電子束到TEM裝置上的薄片樣品，可以觀察到包含 接觸孔7的中心軸的薄片樣品的TEM圖像.同時(shí)，對(duì)觀察接觸孔以固定間隔排列的樣品的斷面的情形進(jìn)行說(shuō) 明.圖8A是接觸孔以固定間隔排列的樣品的樣品表面視圖.為了觀察 接觸孔7的斷面，建立一個(gè)工作區(qū).通過掃描照射聚焦離子束1形成 溝槽9，其中主掃描方向?yàn)閹缀鹾蛿嗝嬉粋?cè)平行的方向，而副掃描方向 幾乎垂直于主掃描方向，圖8B表示此種情況下位置和累積二次電子信 號(hào)量之間的關(guān)系，其中檢測(cè)到的是和接觸孔7的間隔相匹配的累積二 次電子信號(hào)量的峰.由此，在知道了接觸孔7的間隔時(shí)，可以通過檢 查累積二次電子信號(hào)量的峰間隔來(lái)確定接觸孔7的位置，由此確定端 點(diǎn).雖然此處對(duì)斷面觀察進(jìn)行說(shuō)明，使用上述方法還可以制備包含接 觸孔7中心的薄片樣品.雖然利用接觸孔作為觀察目標(biāo)進(jìn)行說(shuō)明，本發(fā)明的主趙并不限于 此。例如，本發(fā)明在通過斷面觀察樣品中的缺陷或制備缺陷部分的TEM 樣品方面也很有效.同時(shí)，二次電子檢測(cè)實(shí)例解釋為二次帶電粒子， 可以使用二次離子。
權(quán)利要求
1.一種使用聚焦離子束裝置相對(duì)于平行于樣品表面的方向形成包含至少兩種不同材料的樣品斷面的方法，使用聚焦離子束裝置的該樣品斷面形成方法包含的步驟有在通過掃描照射聚焦離子束對(duì)樣品的期望區(qū)域進(jìn)行刻蝕以形成垂直于樣品表面的斷面的同時(shí)，檢測(cè)由照射聚焦離子束產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及檢測(cè)基于所檢測(cè)到的二次帶電粒子的信號(hào)的變化量，并根據(jù)所述變化量終止刻蝕。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法，其 中建立所述期望區(qū)域以使其一側(cè)幾乎平行于樣品表面中的期望斷面的 一側(cè)，從而以形成包含該平行一側(cè)的斷面的方式進(jìn)行刻蝕；接著通過 掃描照射離子束對(duì)所述工作區(qū)進(jìn)行蝕刻，同時(shí)形成朝向期望斷面并在 加寬方向上的所述工作區(qū)的斷面，從而根據(jù)此時(shí)產(chǎn)生的二次帶電粒子 信號(hào)來(lái)檢測(cè)每個(gè)斷面位置的信號(hào)量變化，根據(jù)其變化量來(lái)終止刻蝕。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法，其 中通過檢測(cè)二次帶電粒子信號(hào)的信號(hào)量變化而終止刻蝕的步驟包括在每個(gè)副掃描位置，相對(duì)于副掃描方向累積刻蝕過程中在主掃描 方向檢測(cè)到的二次帶電粒子信號(hào)，假定與期望斷面的一側(cè)幾乎平行的 方向?yàn)橹鲯呙璺较?，而垂直于主掃描方向的方向?yàn)楦睊呙璺较?；檢測(cè) 累積信號(hào)量的變化；以及根據(jù)其變化量終止刻蝕.
4. 一種利用聚焦離子束裝置制備薄片樣品的方法，包含如下步驟 使用權(quán)利要求1的使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法，形成樣品斷面；以及，類似地關(guān)于期望的薄片樣品區(qū)與已形成的樣品斷面相對(duì)地形成斷 面，從而形成薄片樣品區(qū).
5. —種聚焦離子束裝置，包含*. 用于產(chǎn)生離子的離子發(fā)生源；離子光學(xué)系統(tǒng)，其將離子限制成為聚焦離子束，并在掃描的同時(shí) 照射該聚焦離子束到樣品表面； 用于支撐樣品的樣品臺(tái)； 用于移動(dòng)樣品臺(tái)的樣品臺(tái)控制機(jī)構(gòu)； 二次帶電粒子探測(cè)器，它用于檢測(cè)由照射聚焦離子束所產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及端點(diǎn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)，當(dāng)通過掃描照射聚焦離子束對(duì)垂直于樣品表面形 成的斷面進(jìn)行刻蝕時(shí)，它根據(jù)二次帶電粒子探測(cè)器檢測(cè)到的二次帶電粒子信號(hào)量的變化量來(lái)檢測(cè)端點(diǎn).
6.—種在樣品表面中形成斷面的方法，該方法在和聚焦離子束裝置的透鏡鏡筒軸平行的方向掃描照射聚焦離子束，并在樣品的期望區(qū)域形成樣品斷面同時(shí)刻蝕該斷面，該使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法的特征在于包括以下步驟檢測(cè)由照射聚焦離子束所產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及 檢測(cè)所檢測(cè)到的二次帶電粒子的信號(hào)的信號(hào)量變化，并在有信號(hào)量變化時(shí)，根據(jù)變化量來(lái)終止刻蝕，
全文摘要
本發(fā)明提供了聚焦離子束裝置、樣品斷面形成及薄片樣品制備方法。在通過掃描照射聚焦離子束刻蝕樣品斷面及其周邊的同時(shí)，檢測(cè)由照射聚焦離子束產(chǎn)生的二次電子。根據(jù)檢測(cè)到的二次電子信號(hào)變化量，端點(diǎn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)端點(diǎn)，由此停止刻蝕，從而即使使用沒有SEM觀察功能的FIB裝置也可以有效檢測(cè)缺陷或接觸孔的中心位置。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101131909SQ20071014172
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日
發(fā)明者一宮豐, 田代純一, 藤井利昭 申請(qǐng)人:精工電子納米科技有限公司