專利名稱：制造含有凹陷柵極的半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體而言，涉及制造半導(dǎo)體 器件的凹陷柵極的方法。
背景技術(shù)：
在通過在平坦的有源區(qū)上形成柵極而形成平面柵極互連線的典型方 法中，現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的大規(guī)模集成導(dǎo)致溝道長度減少，但注入摻雜濃 度增加。因此，由于電場增加，產(chǎn)生結(jié)漏電流，因此，確保滿意的器件 刷新特性變得困難。已提出了三維凹陷柵極工藝以克服上述限制。此三維凹陷柵極工藝 蝕刻襯底以形成凹陷，然后，在該凹陷上形成柵極。如果應(yīng)用該凹陷柵 極工藝，則可增加溝道長度并且可減少離子摻雜濃度。因此，可大大改 善器件的刷新特性。圖1A和1B說明制造半導(dǎo)體器件的凹陷柵極的典型方法。如圖1A 所示，在襯底11的特定部分中形成隔離結(jié)構(gòu)12以限定有源區(qū)13。蝕刻襯底11的有源區(qū)13以形成多個球形凹陷14。每個球形凹陷14 包括形成為垂直圖案14A的第一部分和形成為球圖案14B的第二部分。 在有關(guān)形成球圖案14B的更詳細(xì)說明中，形成垂直圖案14A，然后，在 此垂直圖案14A的側(cè)壁上形成包括氧化物基材料的多個隔離物15。利 用隔離物15作為蝕刻阻擋層實(shí)施凹陷蝕刻工藝以得到球圖案14B。如圖1B所示，移除在垂直圖案14A的側(cè)壁上形成的襯墊氧化物層 (未圖示)和隔離物15。在包括球形凹陷14的襯底11上形成柵極絕緣 層16。形成用于柵極導(dǎo)電層的多晶硅層17和柵極金屬層18以突出高于 柵極絕緣層16，同時填充凹陷14。因此，形成多個凹陷柵極RG。由于在蝕刻球圖案14B期間，在垂直圖案14A的側(cè)壁上形成的隔離
物15用作蝕刻阻擋層，因此在各向異性蝕刻過程中，可在垂直圖案14A 和球圖案14B之間的部分上形成以附圖標(biāo)記"A"表示的角(見圖l)。
圖2A和2B為說明在制造凹陷柵極的典型方法期間所產(chǎn)生的局限的 透射電子顯微鏡(TEM)圖。如圖2A所示形成球形凹陷24。雖然未圖 示，但附圖標(biāo)記21、 22和23分別表示襯底、隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)。如圖 2B所示，在形成球圖案24B的各向異性蝕刻過程中，使用在球圖案24A 的側(cè)壁上形成的隔離物絕緣層25作為阻擋層，在球形凹陷24的垂直圖 案24A和球圖案24B之間的部分上可產(chǎn)生以附圖標(biāo)記"B"表示的角。
角"B"可能降低后續(xù)柵極絕緣層的特性。角"B"變成應(yīng)力集中的 部分，因而成為泄漏源(leakagesource)。因此，會減少器件的良品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方案提供制造半導(dǎo)體器件的凹陷柵極的方法，其可通 過圓化球形凹陷柵極中垂直圖案和球圖案之間的部分來降低柵極絕緣 層中的漏電流的產(chǎn)生和性能下降。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法 包括蝕刻襯底以形成第一溝槽圖案，在第一溝槽圖案的側(cè)壁上形成隔離 物，使用該隔離物作為阻擋層蝕刻第一溝槽圖案的底部以形成第二溝槽 圖案，對第二溝槽圖案實(shí)施各向同性蝕刻以使第二溝槽圖案的側(cè)壁圓化 并且形成球圖案，以及在包括第一溝槽圖案、圓化的第二溝槽圖案和球 圖案的凹陷圖案上形成柵極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法 包括蝕刻襯底以形成第一溝槽圖案，在第一溝槽圖案的側(cè)壁上形成隔離 物，使用該隔離物作為阻擋層蝕刻第一溝槽圖案的底部以形成第二溝槽 圖案，對第二溝槽圖案的表面實(shí)施等離子體氧化，使得第二溝槽圖案的 側(cè)壁圓化，形成通過圓化的第二溝槽圖案連接至第一溝槽圖案的球圖 案，以及在包括第一溝槽圖案、圓化的第二溝槽圖案和球圖案的凹陷圖 案上形成柵極。


圖1A和1B圖示說明制造半導(dǎo)體器件的凹陷柵極的典型方法；
圖2A和2B圖示說明由于應(yīng)用制造凹陷柵極的典型方法所導(dǎo)致的局
限的透射電子顯微鏡(TEM)圖。
圖3A~3H圖示說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案制造凹陷柵極的方法。
具體實(shí)施例方式
圖3A~3H圖示說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案制造凹陷柵極的方法。 如圖3A所示，通過淺溝槽隔離(STI)工藝在半成品襯底31的特定部 分中形成隔離結(jié)構(gòu)32。在所述半成品襯底31上形成用于硬掩模的多晶 硅層34。在STI工藝期間使用的襯墊氧化物層保留在多晶硅層34下方。 襯墊氧化物層稱為為用于硬掩模的氧化物層33。
在多晶硅層34上形成抗反射涂層35，并在反射涂層35的特定部分 上形成光刻膠圖案36。
如圖3B所示，使用光刻膠圖案36作為蝕刻阻擋層來蝕刻抗反射涂 層35、多晶硅層34和氧化物層33，以暴露半成品襯底31的表面。抗 反射涂層35、多晶硅層34和氧化物層33的蝕刻包括使用變壓器耦合等 離子體(TCP)或電感耦合等離子體(ICP)型源。注入氯基氣體，然 后施加源功率和偏壓功率。例如，氯基氣體包括Cl2氣體。因此，形成 氧化物硬掩模圖案33A、多晶硅硬掩模圖案34A和抗反射涂層圖案35A。 以這種方式，硬掩模圖案包含氧化物層和多晶硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。
如圖3C所示，移除光刻膠圖案36。當(dāng)移除光刻膠圖案36時，也移 除了大部分抗反射涂層圖案35A。在使用多晶硅硬掩模圖案34A的后續(xù) 蝕刻過程中，完全移除可能殘留的抗反射涂層圖案35A。利用多晶硅硬 掩模圖案34A蝕刻半成品襯底31以形成第一溝槽圖案37A。該第一溝 槽圖案具有垂直側(cè)壁剖面。附圖標(biāo)記31A表示第一圖案化襯底。
使用TCP或ICP型源在蝕刻機(jī)(etcher )上實(shí)施蝕刻過程以形成第 一溝槽圖案37A。形成第一溝槽圖案37A的蝕刻過程包括使用約 20mTorr 約80mTorr的壓力，約400W~約1000W的源功率，以及約 100W 約400W的偏壓功率。小流量的氧(02)氣體加入到含有氯基 氣體和溴基氣體的氣體混合物中作為蝕刻氣體。所述氯基氣體包括流量 約30sccm~約100sccm的Cl2。所述溴基氣體包括流量約30sccm~約 100sccm的溴化氫(HBr )。所述02氣體流量低于氯基氣體和溴基氣體 的流量。例如，02以小于約30sccm的流量流動。
第一溝槽圖案37A對應(yīng)于在最后形成的各球形凹陷圖案的上部，其 中所述第一溝槽圖案37A的側(cè)壁形成為垂直剖面的。可針對待形成的各 球形凹陷圖案的類型而限定第一溝槽圖案37A的深度。當(dāng)形成第一溝槽 圖案37A時，部分多晶硅硬掩模圖案34A被移除。因此，多晶珪硬掩 模圖案34A的剩余部分稱為第一多晶硅硬掩模圖案，以附圖標(biāo)記34B 表示。如圖3D所示，在包括第一多晶硅硬掩模圖案34B的所得結(jié)構(gòu)的上 部上形成隔離物層38。隔離物層38在約500匸~約700t:的溫度下形成 約50A ~約IOOA的厚度。隔離物層38包括氧化物基材料。隔離物層38包括氧化物基材料的原因是因?yàn)樵谛纬汕蛐伟枷莺?，?通過濕蝕刻過程同時移除在STI工藝后剩余的襯墊氧化物層和隔離物 層38。因此，使用隔離物層38以簡化工藝。干蝕刻隔離物層38以在第一溝槽圖案37A的側(cè)壁上形成多個隔離 物38A。在利用TCP和ICP型源中的一種的蝕刻機(jī)中，使用02氣體以 及包括CF基氣體和CHF基氣體的等離子體混合物來蝕刻所述隔離物 層38。例如，CF基氣體包括四氟化碳(CF4)， CHF基氣體包括三氟 甲烷(CHF3)。如圖3E所示，在形成隔離物38A后，蝕刻第一溝槽圖案37A暴露 的底部至一定厚度。附圖標(biāo)記31B表示第二圖案化的襯底。因此，形成 第二溝槽圖案37B。第二溝槽圖案37B的深度小于第一溝槽圖案37A 的深度，并且第二溝槽圖案37B的寬度小于第一溝槽圖案37A的寬度。 由于基本上以和第一溝槽圖案37A相同的結(jié)構(gòu)形成第二溝槽圖案37B (也就是，垂直側(cè)壁剖面)，因此得到包括第一溝槽圖案37A和第二溝 槽圖案37B的雙溝槽結(jié)構(gòu)。形成第二溝槽圖案37B的蝕刻過程稱為微 雙溝槽(SDT ) ( slightly double trench )蝕刻過程。在第一溝槽圖案37A的底部上實(shí)施形成第二溝槽圖案37B的蝕刻過 程包括使用采用TCP或ICP型源的蝕刻機(jī)。使用約20mTorr 約 80mTorr的壓力、約400W~約1000W的源功率以及約100W~約400W 的偏壓功率。而且，作為蝕刻氣體，02氣體流量低于包括氯基氣體和溴 基氣體的氣體混合物的流量。例如，氯基氣體包括流量約30sccm 約 100sccm的Cl2。溴基氣體包括流量約30sccm~約100sccm的HBr。 02 氣體的流量低于氯基氣體和溴基氣體的流量。例如，02的流量小于約
30sccm。
通過一系列過程完成包括第一溝槽圖案37A和第二溝槽圖案37B的 上述溝槽型圖案。移除部分第一多晶硅硬掩模圖案34B。第一多晶硅硬 掩模圖案34B的剩余部分被稱為第二多晶硅硬掩模圖案，以附圖標(biāo)記 34C表示。
在形成第二圖案37B后，移除在除第二多晶硅硬掩模圖案34C、氧 化物硬掩模圖案33A和第一溝槽圖案37A之外的部分上形成的隔離物 38A。因此，隔離物38A保留在第一溝槽圖案37A、第一多晶硅硬掩模 34C和氧化物硬掩模圖案33A的側(cè)壁上。
如圖3F所示，使用隔離物38A作為阻擋層對第二溝槽圖案37B的 底部實(shí)施各向同性蝕刻過程，以形成球圖案37C。附圖標(biāo)記31C表示第 三圖案化襯底。在下列條件下實(shí)施所述各向同性蝕刻過程:約20mTorr-約100mTorr的壓力；約500W~約1500W的源功率以及4吏用TCP型 源的蝕刻機(jī)。而且，所述各向同性蝕刻過程^使用約300W 約3000W的 功率和蝕刻機(jī)來實(shí)施，其中所述蝕刻機(jī)利用選自TCP型源(其中安裝 有法拉第屏蔽)、ICP型源、微波下游(MDS )( microwave down stream ) 型等離子體源和電子回旋共振(ECR)型等離子體源以及螺旋(helical) 型等離子體源中的一種。
當(dāng)使用上述所列蝕刻機(jī)中的一種實(shí)施各向同性蝕刻過程時，使用包 括CF4、 He和02氣體的混合氣體作為蝕刻氣體。在蝕刻機(jī)使用TCP 型源的情況下，CF4、 He和02氣體分別以約30sccm~80sccm的流量、 約50sccm ~ 300sccm的流量以及約10sccm ~ 50sccm的流量混合。所述 CF4和02氣體蝕刻笫二圖案化襯底31B，同時氧化被蝕刻的第二圖案化 襯底31B的表面。在蝕刻機(jī)使用ICP型源(其中安裝有法拉第屏蔽)、 MDS型等離子體源、ECR型等離子體源或螺旋型等離子體源的情況下， CF4、 He和02氣體分別以約12份、約IOO份和約30份的比例混合。
由于各向同性蝕刻過程具有化學(xué)干蝕刻特性，球圖案37C具有不同 于第一和第二溝槽圖案37A和37B的剖面的圓形剖面。在各向同性蝕 刻過程期間，調(diào)整包括CF4、 He和02氣體的氣體混合物的混合比例以 實(shí)施等離子體氧化，同時蝕刻第二圖案化襯底31B。
例如，如果第二圖案化村底31B被蝕刻至約300A~約500A的厚度， 以形成球圖案37C,則在第一溝槽圖案37A和球圖案37C之間形成的
第二溝槽圖案37B的表面上實(shí)施等離子體氧化，同時蝕刻第二圖案化襯 底31B。因此，形成氧化物層39。由于氧化物層39的形成，第二溝槽 圖案37B的側(cè)壁變得圓化(參考圖3F中的附圖標(biāo)記"R")。此后，具 有圓化側(cè)壁的第二溝槽圖案稱為圓化的第二溝槽圖案37D?？赏ㄟ^下列方法形成氧化物層39以形成圓化的第二溝槽圖案37D。 在實(shí)施蝕刻過程以形成球圖案37C之前，利用蝕刻機(jī)實(shí)施等離子體氧 化，其中所述蝕刻機(jī)使用選自ICP型源(其中安裝有法拉第屏蔽)、MDS 型等離子體源、ECR型等離子體源或螺旋型等離子體源中的一種。等 離子體氧化還包括使用以約1份CF4:約10份He:約250份02的比例混 合的CF4、 He和02的氣體混合物。因此，氧化第二溝槽圖案37B的側(cè) 壁的硅晶體結(jié)構(gòu)，以形成厚度小于約20A的氧化物層39。例如，氧化 物層39的厚度為約5A 約20A。使用以前述的約1:10:250比例混合的 CF4、 He和02氣體的氣體混合物有助于在各向同性蝕刻期間等離子體 氧化。因此，首先形成氧化物層39，并且第二溝槽圖案37B的側(cè)壁被 圓化，形成圓化的第二溝槽圖案37D。此后，在上述條件下，通過實(shí)施 各向同性蝕刻過程形成球圖案37C。如上所述，如果通過氧化物層39的形成來圓化第二溝槽圖案37B 的側(cè)壁，從而形成圓化的第二溝槽圖案37D,則去除可能在第一溝槽圖 案37A和球圖案37C之間的部分上產(chǎn)生的角，從而降低柵極泄漏。第 一溝槽圖案37A、球圖案37C和圓化的第二溝槽圖案37D形成球形凹 陷結(jié)構(gòu)100。在形成球圖案37C的蝕刻過程期間，將以硅作為蝕刻靶(silicon etch target)的含有Cl2或HBr的蝕刻氣體加入到含有CF4、 He及02氣體的 氣體混合物中。所述Ch或HBr氣體的流量相當(dāng)于約五分之一至三分之 一的CF4氣體流量。因此，可形成對隔離物38A具有高選擇性的球圖案 37C而不導(dǎo)致球形凹陷結(jié)構(gòu)100的內(nèi)部與外部的蝕刻損失。因此，可確 保球圖案37C的均勻性。在形成球圖案37C時，第二多晶硅硬掩模圖案34C被移除，并因此 沒有殘留。布置在第二多晶硅硬掩模圖案34C下的氧化物硬掩模圖案 33A減少可由形成球圖案37C的蝕刻過程導(dǎo)致的第二圖案化襯底31B 的表面損失。如圖3G所示，利用包括氟化氫(HF)溶液的化學(xué)物質(zhì)來實(shí)施諸如
各向同性蝕刻過程(例如，濕蝕刻)的清洗過程，以移除氧化物硬掩模
圖案33A、隔離物38A和氧化物層39。盡管本實(shí)施方案中以利用氧化 物基材料形成隔離物38A、圓化的第二溝槽圖案37D和硬掩模圖案33A 為例子，但對隔離物38A、圓化的第二溝槽圖案37D和硬掩模圖案33A 而言，可使用表現(xiàn)出基本相同或相似蝕刻特性的其它種類材料。
如圖3H所示，在包括球形凹陷結(jié)構(gòu)100的第三圖案化襯底31C上 形成柵極絕緣層40。在柵極絕緣層40上形成柵極導(dǎo)電層和柵極金屬層， 填充球形凹陷結(jié)構(gòu)IOO。所述柵極導(dǎo)電層包括多晶硅層，柵極金屬層包 括鎢。然后，實(shí)施柵極圖案化過程以得到圖案化的柵極導(dǎo)電層41和圖 案化的柵極金屬層42。結(jié)果，在在柵極絕緣層40上形成多個球形凹陷 柵極RG，每個凹陷柵極RG通過堆疊圖案化的柵極導(dǎo)電層41和圖案化 的柵極金屬層42形成。
在上述實(shí)施方案中，可在形成第一溝槽圖案37A且沒有形成第二溝 槽圖案之后，直接實(shí)施各向同性蝕刻或等離子體氧化。然而，在此情況 下，圓化第二溝槽圖案的側(cè)壁通常是困難的并且過度地產(chǎn)生角。因此， 在第二溝槽圖案形成后，實(shí)施各向同性蝕刻以形成球圖案37C或者在各 向同性蝕刻之后實(shí)施等離子體氧化，以不產(chǎn)生不希望的角。
如上所述，通過球形凹陷結(jié)構(gòu)100的形成而增加溝道長度。因此， 半導(dǎo)體器件的大規(guī)模集成不會影響溝道長度。圓化在第一溝槽圖案37A
和球圖案37C之間形成的第二溝槽圖案37B。結(jié)果，不會形成角，從而 減少柵極泄漏。此外，在形成球圖案37C期間，將包括Cl2或HBr氣 體的硅蝕刻氣體加入到所用的包括CF4、 He和02氣體的氣體混合物中。 因此，更可確保球圖案37C的形狀。
依照本發(fā)明的該實(shí)施方案，實(shí)施等離子體氧化同時實(shí)施各向同性蝕 刻以形成球圖案。結(jié)果，在第一圖案和球圖案之間形成的第二溝槽圖案 被圓化，從而減少可能由角導(dǎo)致的漏電流。
可增加凹陷柵極的溝道長度并可降低離子摻雜濃度。因此，可改善 器件的刷新特性。此外，可通過確保設(shè)計(jì)尺寸而使工藝裕度最大化。因 此，可增加含有邏輯電路的半導(dǎo)體器件的集成度，并可提高產(chǎn)品的良 品率?？山档椭圃斐杀尽?br> 雖然已參考特定實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但^1在不背離所附權(quán)利要求 中限定的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可進(jìn)行各種變化和修改，這對本
領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括蝕刻襯底以形成第一溝槽圖案；在所述第一溝槽圖案的側(cè)壁上形成隔離物；利用所述隔離物作為阻擋層蝕刻所述第一溝槽圖案的底部，以形成第二溝槽圖案；對所述第二溝槽圖案實(shí)施各向同性蝕刻以圓化所述第二溝槽圖案的側(cè)壁并形成球圖案；和在包括所述第一溝槽圖案、所述圓化的第二溝槽圖案和所述球圖案的凹陷圖案上形成柵極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中利用包括CF4、 He和02氣體的混合 氣體對所述第二溝槽圖案實(shí)施各向同性蝕刻。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中CF4的流量為約30sccm ~ 80sccm、 He的流量為約50sccm~300sccm以及02的流量為約10sccm~50sccm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述CF4、 He和02以約12份CF4: 約100份He:約30份02的比例混合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中對所述第二溝槽圖案實(shí)施各向同性蝕 刻包括利用選自變壓器耦合等離子體(TCP)型源、安裝有法拉第屏蔽的 電感耦合等離子體(ICP)型源、微波下游(MDS)型等離子體源、電子 回旋共振(ECR)型等離子體源以及螺旋型等離子體源的蝕刻機(jī)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中利用TCP型源實(shí)施各向同性蝕刻包 括施加約20mTorr ~ lOOmTorr的壓力和約500W ~ 1500W的源功率。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中將氯(Cl2)或溴化氫(HBr)加入所 述包括CF4、 He和02的氣體混合物中，所述氯(Cl2)或溴化氫(HBr) 的流量為CF4流量的約1/5 ~ 1/3。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中最初形成的所述第一溝槽圖案和第二 溝槽圖案的每一個均具有垂直側(cè)壁剖面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中最初形成的所述第一溝槽圖案的寬度 大于所述第二溝槽圖案的寬度，并且最初形成的所述第一溝槽圖案的深度 大于所述第二溝槽圖案的深度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一溝槽圖案和所述第二 溝槽圖案包括使用加入有02的包括Cl2和HBr的氣體混合物。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中Cl2的流量為約30sccm ~ 100 sccm， 以及HBr的流量為約30 sccm ~ 100 sccm。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述第一溝槽圖案和所述第二 溝槽圖案包括應(yīng)用使用TCP和ICP型源中的 一種的蝕刻機(jī)、約20mTorr ~ 約80mTorr的壓力、約400W ~約1000W的源功率和約100W ~約400W 的偏壓功率。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述隔離物含有氧化物基材料。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在形成所述球圖案之后實(shí)施清洗 以去除所述隔離物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中蝕刻所述襯底包括使用硬掩模圖案 作為蝕刻4^模，所述硬掩模圖案包括氧化物基材料和多晶a材料。
16. —種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括 蝕刻襯底以形成第一溝槽圖案； 在所述第一溝槽圖案的側(cè)壁上形成隔離物；利用所述隔離物作為阻擋層蝕刻所述第一溝槽圖案底部，以形成第二溝槽圖案；在所述第二溝槽圖案的表面上實(shí)施等離子體氧化，以圓化所述第二溝槽圖案的側(cè)壁；形成通過所述圓化的第二溝槽圖案連接至所述第一溝槽圖案的球圖 案；和 在包括所述第一溝槽圖案、所述圓化的第二溝槽圖案和所述球圖案的 凹陷圖案上形成柵極。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中實(shí)施所述等離子體氧化包括使用包 括CF4、 He和02的氣體混合物。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述CF4、 He和02以約1份CF4: 約10份He:約250份02的比例混合。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中實(shí)施所述等離子體氧化包括利用選 自安裝有法拉第屏蔽的電感耦合等離子體(ICP)型源、微波下游(MDS) 型等離子體源、電子回旋共振(ECR)型等離子體源以及螺旋型等離子體 源的蝕刻機(jī)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中最初形成的所述第一溝槽圖案和第 二溝槽圖案的每一個均具有垂直側(cè)壁剖面。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中最初形成的所述第一溝槽圖案的寬 度大于所述第二溝槽圖案的寬度，并且最初形成的所述第一溝槽圖案的深 度大于所述第二溝槽圖案的深度。
22. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述第一溝槽圖案和第二溝槽 圖案包括使用加入有02的包括Cl2和HBr的氣體混合物。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中Cl2的流量為約30sccm 100sccm, 以及HBr的i;充量為約30 sccm~ 100 sccm。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述第一溝槽圖案和第二溝槽 圖案包括應(yīng)用使用TCP型源和TCP型源中的一種的蝕刻機(jī)、約20mTorr ~ 約80mTorr的壓力、約400W ~約1000W的源功率以及約100W ~約400W 的偏壓功率。
25. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述隔離物包含氧化物基材料。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，還包括在形成所述球圖案之后實(shí)施清洗 以去除所述隔離物。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中蝕刻所述襯底包括使用硬掩模圖案 作為蝕刻掩模，所述硬掩模圖案包括氧化物基材料和多晶硅基材料。
全文摘要
一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括蝕刻襯底以形成第一溝槽圖案；在第一溝槽圖案的側(cè)壁上形成隔離物；利用該隔離物作為阻擋層蝕刻第一溝槽圖案的底部，以形成第二溝槽圖案；在第二溝槽圖案上實(shí)施各向同性蝕刻以圓化第二溝槽圖案的側(cè)壁并形成球形圖案；以及在包括第一溝槽圖案、圓化的第二溝槽圖案和球形圖案的凹陷圖案上形成柵極。
文檔編號H01L21/28GK101154579SQ200710145289
公開日2008年4月2日 申請日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
發(fā)明者劉載善, 趙瑢泰 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司