專利名稱：發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用玻璃密封搭栽部上的發(fā)光元件的發(fā)光器件及其制 造方法。
背景技術(shù)：
到目前為止，已知有由環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)、硅樹(shù)脂類(lèi)等透光性樹(shù)脂材料密封發(fā)光二極管(Light Emitting Diode: LED)等發(fā)光元件的發(fā)光器件。 作為此類(lèi)發(fā)光器件，下述這樣的器件已被實(shí)際應(yīng)用，即、將紫外、紫色 或者藍(lán)色LED芯片用作發(fā)光元件，將以LED芯片所發(fā)出的光作為激發(fā) 光的熒光體混入透光性樹(shù)脂材料來(lái)獲得白色光。然而，該發(fā)光器件存在下述的第一問(wèn)題，即、從發(fā)光元件發(fā)出的光、 熱等使透光性樹(shù)脂發(fā)生劣化。特別是，在利用發(fā)出短波長(zhǎng)光的ffl族氮化 物類(lèi)化合物半導(dǎo)體來(lái)形成發(fā)光元件的情況下，有時(shí)元件附近的透光性樹(shù) 脂因從該發(fā)光元件發(fā)出的高能量的光和元件自身的發(fā)熱而變黃，使得取 光效率隨時(shí)間的加長(zhǎng)而降低。另外，在該發(fā)光器件中，作為透光性樹(shù)脂材料使用熱固性樹(shù)脂，在 制造時(shí)將進(jìn)行30分鐘至1小時(shí)左右的熱固化。此時(shí)，由于熒光體的比 重為熱固性樹(shù)脂的3-4倍，并且樹(shù)脂的粘性降低，所以熒光體在樹(shù)脂 內(nèi)發(fā)生沉淀。由此，還存在下述的第二問(wèn)題，即、無(wú)法使熒光體均勻地 分散在樹(shù)脂內(nèi)，使得向外部放射的白色光易于發(fā)生色相不均。這里，作為防止密封部件劣化的方案，提出了密封部件使用玻璃的 發(fā)光器件(例如參照專利文獻(xiàn)1 )。專利文獻(xiàn)1記載的發(fā)光器件是通過(guò)下 述方法制造的，即、預(yù)先制成兩個(gè)玻璃片，在將熒光體層夾于玻璃片之 間后，將玻璃與熒光體的層疊體熔敷于搭栽了 LED元件的Ah03基板。另外，還提出了使無(wú)機(jī)熒光體分散于玻璃中的發(fā)光色變換部件(例 如參照專利文獻(xiàn)2 )。專利文獻(xiàn)2所記栽的發(fā)光色變換部件是通過(guò)下述方 法制造的，即、在添加了樹(shù)脂粘合劑的狀態(tài)下，將玻璃粉末與無(wú)機(jī)熒光體粉末混合并制作預(yù)備成形體，之后，燒制預(yù)備成形體來(lái)除去樹(shù)脂粘合劑而使之燒結(jié)。在專利文獻(xiàn)2中，除公開(kāi)了將發(fā)光色變換部件形成為圓 盤(pán)狀之外，還公開(kāi)了使其形成為圓筒帽狀，并支承于支承部件。專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2005-0119專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2003-258308然而，在專利文獻(xiàn)1所記栽的發(fā)光器件中，從LED元件向側(cè)方射 出的光有可能會(huì)不經(jīng)過(guò)熒光體層而被放射到外部，隨器件的各個(gè)部分的 尺寸的不同而產(chǎn)生不同的色相不均。另外，專利文獻(xiàn)2所記栽的器件，在發(fā)光元件不由透明樹(shù)脂或玻璃 等密封的情況下，由折射率較高的材料形成的發(fā)光元件內(nèi)所發(fā)出的光不 向外部放射而使發(fā)光效率降低。另外，專利文獻(xiàn)2所記載的器件，即便 將圓盤(pán)狀的變換部件設(shè)于搭載了 LED元件的外殼開(kāi)口處，或者利用圓 筒帽狀的變換部件包圍LED元件，但由于LED元件與變換部件是具有 間隔地配置的，所以仍然無(wú)法避免因從LED元件射出的光的光路差而 產(chǎn)生色相不均。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是筌于上述情況而做出的，其目的在于提供一種發(fā)光器件及 其制造方法，其既可以防止發(fā)光元件的密封部件的劣化，又可以減少以高 發(fā)光效率向外部ii射的光的色相不均。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例(l)提供下迷發(fā)光器件， 其特征在于，具備發(fā)光元件；搭載部，上述發(fā)光元件搭載于其上，在其 表面形成有用于向該發(fā)光元件供電的電路圖案；密封部，形成在上述搭載 部上，密封上述發(fā)光元件，其是由均勻地分散了熒光體的玻璃形成的， 該熒光體被從該發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)時(shí)發(fā)出波長(zhǎng)變換光。根據(jù)該發(fā)光器件，由于利用均勻地*了熒光體的玻璃來(lái)密封發(fā)光元 件，所以M光元件射出的光可不管角度如何，都可被均勻地進(jìn)行波長(zhǎng)變 換，并向密封部外放射。另外，由于利用玻璃密封發(fā)光元件，所以可以防 止密封部的劣化。
另外，本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例(2)提供下逸良光器件，其特征在于， 具備發(fā)光元件；搭載部，上述發(fā)光元件搭載于其上，在其表面形成有用 于向該發(fā)光元件供電的電路圖案以及含有第一熒光體的熒光體層，該第一 熒光體被從該發(fā)光元件發(fā)出的光^JL時(shí)，發(fā)出第一波長(zhǎng)變換光；密封部， 形成在上述搭載部上，密封上述發(fā)光元件，其是由均勻地分散了第二熒 光體的玻璃形成的，該第二熒光體被從該發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)時(shí)發(fā)出 第二波長(zhǎng)變換光。根據(jù)該發(fā)光器件，由于利用分散有熒光體的玻璃來(lái)密封發(fā)光元件，所 以，^UL光元件射出的光無(wú)論角度如何，都可被均勻地進(jìn)行波長(zhǎng)變換，并 向密封部外放射。這里，從發(fā)光元件射出并射入搭載部的熒光體層的光也 被進(jìn)行波長(zhǎng)變換。另外，由于利用玻璃密封發(fā)光元件，所以可以防止密封 部的劣化。在上述實(shí)施例(1)和/或(2)中，可以進(jìn)行以下的變更、變形以 及組合。在上述發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述電路圖案以及上述熒光體層被上述 密封部與上述搭載部的接合部所包圍。根據(jù)該發(fā)光器件，由于密封部與搭載部在未形成電路圖案以及熒光體 層的部分掩h所以可以確保密封部與搭載部的備^強(qiáng)度。上述第一熒光體與上述第二熒光體具有相同的成分，上述第一波長(zhǎng)變 換光與上述第二波長(zhǎng)變換光具有相同的發(fā)光色。上述焚光體層對(duì)從上述發(fā)光元件向上述搭載部傳播的光進(jìn)行波長(zhǎng)變 換，以提高上述電路圖案對(duì)上述光的反射率。在上述發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述搭載部具有Wt^面，上述密封部與 上述搭載部接合于接合部，在上述接合部具有沿著上述粗糙表面被粗面 化了的表面。根據(jù)該發(fā)光器件，由于密封部沿著搭載部的Wt^面來(lái)形成，所以為 密封部與搭載部之間沒(méi)有間隙的狀態(tài)，可以確保密封部與搭載部的掩^強(qiáng)度。
另外，在上述發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述搭載部是由透光材料形成的， 上述電路圖案形成于上述發(fā)光元件的附近，上述熒光體層形成于上述電 路圖案上。根據(jù)該發(fā)光器件，從發(fā)光元件射向電路圖案的光，被熒光體層進(jìn)行 波長(zhǎng)變換之后射入電路圖案。由此，例如可以將從發(fā)光元件發(fā)出的光變 換成被電路圖案反射的反射率較高的波長(zhǎng)，可以抑制光透過(guò)具有透光性 的搭載部而導(dǎo)致的取光效率的降低。另外，在上述發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述搭栽部是由多晶氧化鋁形成的。另外，在上逸發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述電路圖案的表層是銀。另夕卜，在上iiiL光器件中，優(yōu)選，上述發(fā)光元件發(fā)出波長(zhǎng)小于550nm 的光，上述電路圖案的表層是金，上述熒光體層的萸光體被從上述發(fā)光元 件發(fā)出的光M時(shí)發(fā)出波長(zhǎng)大于等于550nm的光。另外，在上述發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述發(fā)光元件發(fā)出藍(lán)色光，上述熒 光體層的熒光體被上述藍(lán)色光M時(shí)發(fā)出黃色光。另外，在上述發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述發(fā)光元件發(fā)出紫外光，上述熒 光體層的熒光體包括被上述紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色熒光體、 被上述紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出綠色光的綠色熒光體、和被上述紫外光激發(fā)時(shí) 發(fā)出紅色光的紅色熒光體。另外，在上述發(fā)光器件中，優(yōu)選，上述密封部是由ZnO-Si02-R20類(lèi) 玻璃形成的，其中，R是從Li、 Na、 K等I族元素中選擇的至少一種。另外，為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例(3)提供一種發(fā)光器件 的制造方法，其制造在搭載部上搭載有發(fā)光元件的發(fā)光器件，其特征在于， 包括混合工序，將粉末狀的玻璃和粉末狀的熒光體混合，生成在該玻璃 內(nèi)^t有該熒光體的混合粉末；玻璃生成工序，在邊對(duì)上述混M末施加 栽荷邊使之熔融之后，使該混合粉末固結(jié)而生成熒光體^:玻璃；玻璃密 封工序，通過(guò)熱壓加工將上述熒光體分散玻璃熔敷于搭載有發(fā)光元件的 搭載部，在上述搭載部上利用上述熒光體分散玻璃來(lái)密封上述發(fā)光元 件。根據(jù)該制造方法獲得的發(fā)光器件，由于利用均勻地M了熒光體的 玻璃來(lái)密封發(fā)光元件，所以從發(fā)光元件射出的光無(wú)論角度如何，都可被均 勾地進(jìn)行波長(zhǎng)變換，并向密封部外放射。另外，由于利用玻璃密封發(fā)光元 件，所以可以防止密封部的劣化。在上述實(shí)施例(3)中，可以進(jìn)行以下的變更、變形以及組合。另夕卜，在上述發(fā)光器件的制造方法中，優(yōu)選進(jìn)一步包括板狀加工工序， 在該板狀加工工序中，將在上述玻璃生成工序中生成的上述熒光體*玻 璃加工成板狀，在上述玻璃密封工序中，將加工成板狀的上述熒光體^t 玻璃熔敷于大致平坦的上述搭栽部。另外，為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光器件的制造方法，其 制it^搭載部上搭載有發(fā)光元件的發(fā)光器件，其特征在于，包括混合工 序，將粉末狀的玻璃和粉末狀的熒光體混合，生成在該玻璃內(nèi)分散了該 熒光體的混合粉末；以及玻璃密封工序，在負(fù)壓高溫氣氛下使上述混合 粉末熔融并固結(jié)在上述搭載部上而形成熒光體分散玻璃，利用熔敷于上述搭載部上的上述熒光體分散玻璃密封上述發(fā)光元件。根據(jù)該制造方法獲得的發(fā)光器件，由于利用均勻地分歉了熒光體的 玻璃密封發(fā)光元件，所以M光元件射出的光不論角度如何，都可被均勻 地進(jìn)行波長(zhǎng)變換，并向密封部外放射。另外，由于利用玻璃密封發(fā)光元件， 所以可以防止密封部的劣化。根據(jù)本發(fā)明，既可以防止發(fā)光元件的密封部件的劣化，也可以減少 向外部放射的光的色相不均。


圖l是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。圖2是LED元件的示意縱剖視圖。圖3是表示LED元件的電極形成面的示意俯視圖。圖4是表示元件搭載基板上的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光器件的俯 視圖。
圖5是發(fā)光器件的制造方法的工序說(shuō)明圖。圖6是表示熒光體分散玻璃的加工狀態(tài)的說(shuō)明圖，(a)表示由混合 粉末生成熒光體分散玻璃的加工裝置，(b)表示由混合粉末生成的熒光 體分散玻璃，(c)表示把得到的熒光體分散玻璃切片后的狀態(tài)。圖7是表示熱壓加工的狀態(tài)的示意說(shuō)明圖。圖8是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。圖9是表示熱壓加工的狀態(tài)的示意說(shuō)明圖。圖IO是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。圖11是LED元件的示意縱剖視圖。圖12是表示LED元件的電極形成面的示意俯視圖。圖13是表示元件搭載基板上的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光器件的 俯視圖。圖14是表示變形例的LED元件的示意縱剖視圖。圖15是表示變形例的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。圖16是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。圖17是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。圖18是表示元件搭栽基板上的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光器件的 俯視圖。圖19是表示本發(fā)明第六實(shí)施方式的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。圖20是表示LED元件的電極形成面的示意俯視圖。圖21是表示元件搭載基板上的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光器件的 俯視圖。圖22是表示變形例的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。
圖23是表示變形例的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。
具體實(shí)施方式
圖l至圖7表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式，圖l是發(fā)光器件的概略縱 剖視圖，圖2是LED元件的示意縱剖視圖。如圖1所示，該發(fā)光器件1具有倒裝片式的由GaN類(lèi)半導(dǎo)體材 料形成的LED元件2;搭栽LED元件的元件搭載基板3;形成于元件 搭載基板3并由鎢(W)-鎳(M)-金(Au)構(gòu)成的電路圖案4;以及 玻璃密封部6，該玻璃密封部密封LED元件2，并與元件搭載基板3接 合，且含有熒光體7。另外，在LED元件2與元件搭栽基板3之間，形 成有玻璃未進(jìn)入其中的中空部5。在本實(shí)施方式中，元件搭栽基板3以 及電路圖案4構(gòu)成用于搭栽LED元件2并向LED元件3供電的搭載部。作為發(fā)光元件的LED元件2，如圖2所示，在由藍(lán)寶石(A1203)形成的生長(zhǎng)基板20的表面，外延生長(zhǎng)了m族氮化物類(lèi)化合物半導(dǎo)體，由此依次形成了緩沖層21、 n型層22、 MQW層23、 p型層24。該LED 元件2在700'C以上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，其耐熱溫度在600。C以上，在下述 的密封加工的加工溫度下是穩(wěn)定的，在該密封加工中使用了低熔點(diǎn)的熱 熔敷玻璃。另外，LED元件2具有設(shè)于p型層24的表面的p側(cè)Rh 電極25、形成于p側(cè)Rh電極25上的p側(cè)焊盤(pán)電極26，并且具有n側(cè) 電極27，該n側(cè)電極27形成于通過(guò)刻蝕p型層24至n型層22的各層 的一部分而露出的n型層22上。在p側(cè)焊盤(pán)電極26和n側(cè)電極27上 分別形成有Au突起(bump ) 28。P側(cè)Rh電極25是由銠(Rh )形成的，用作將從作為發(fā)光層的MQW 層23發(fā)出的光向生長(zhǎng)基板20的方向反射的光反射層。如圖3所示，在 本實(shí)施方式中，在p側(cè)Rh電極25上形成有兩個(gè)p側(cè)焊盤(pán)電極26，各 個(gè)p側(cè)焊盤(pán)電極26上形成有Au突起28。這里，圖3是表示LED元件 的電極形成面的示意俯視圖。n側(cè)電極27在同一區(qū)域形成有接觸層和焊盤(pán)層。如圖2所示，n側(cè) 電極27是由Al層27a、覆蓋該Al層27a的薄膜狀的Ni層27b、和覆 蓋Ni層27b的表面的Au層27c構(gòu)成的。在本實(shí)施方式中，如圖3所示， 在俯視圖中，n側(cè)電極27形成于LED元件2的角部，p側(cè)Rh電極25
形成于除了 n側(cè)電極27的形成區(qū)域之外的大致整個(gè)面。LED元件2以厚度lOOjim形成為邊長(zhǎng)300nm的正方形，熱膨脹系 數(shù)為7xlO-6/。C。這里，LED元件2的GaN層的熱膨脹系數(shù)為5xl(T6/°C， 但是，占大部分的由藍(lán)寶石形成的生長(zhǎng)基板20的熱膨脹系數(shù)為 7xl(T6/'C,所以LED元件2主體的熱膨脹系數(shù)與生長(zhǎng)基板20的熱膨脹 系數(shù)是同等的。另外，在各個(gè)圖中，為了明確LED元件2的各個(gè)部分 的結(jié)構(gòu)而以與實(shí)際尺寸不同的尺寸示出了各個(gè)部分。元件搭栽基板3由氧化鋁(A1203)的多晶燒結(jié)材料形成，以厚度 0.25mm形成為邊長(zhǎng)1.0mm的正方形，熱膨脹系數(shù)a為7xl(T6/。C。如圖 l所示，元件搭載基板3的電路圖案4具有形成于基板表面并與LED 元件2電連接的表面圖案41;形成于基板背面且可與外部端子連接的背 面圖案42。表面圖案41包括與LED元件2的電極形狀對(duì)應(yīng)地形成圖 案的W層4a、覆蓋W層4a的表面的薄膜狀的Ni層4b、和覆蓋該Ni 層4b的表面的薄膜狀的Au層4c。背面圖案42包括與后述的外部連 接端子對(duì)應(yīng)地形成圖案的W層4a、覆蓋W層4a的表面的薄膜狀的Ni 層4b、和覆蓋該Ni層4b的表面的薄膜狀的Au層4c。表面圖案41和 背面圖案42利用通路圖案43電連接，該通路圖案43設(shè)于在厚度方向 貫穿元件搭栽基板3的通路孔3a中，由W形成。如圖4所示，外部連 接端子44在陽(yáng)極側(cè)和陰極側(cè)各設(shè)置一個(gè)。各個(gè)外部連接端子44在俯視 圖中，在元件搭栽基板3上以對(duì)角方式配置。這里，圖4是表示元件搭 栽基板上的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光器件的俯視圖。玻璃密封部6由均勻地分散了熒光體7的ZnO-B203-Si02-Nb2Os ^320丄120類(lèi)的熱熔敷玻璃形成。另夕卜，玻璃的組成不限于此，例如熱 熔敷玻璃也可以不含有Li20，作為任意成分，可以含有Zr02、 Ti02等。 如圖l所示，玻璃密封部6在元件搭栽基板3上被形成為長(zhǎng)方體狀，其 厚度為0.5mm。玻璃密封部6的側(cè)面6a是通過(guò)將利用熱壓加工與元件 搭載基板3接合的玻璃板，與元件搭栽基板3 —起用切片機(jī)(dicer)切 斷而形成的。另外，玻璃密封部6的上表面6b是利用熱壓加工與元件 搭載基板3接合的玻璃板的一面。該熱熔敷玻璃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg) 為4卯'C，屈服點(diǎn)(At)為520'C,與LED元件2的外延生長(zhǎng)層的形成 溫度相比，玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)足夠低。在本實(shí)施方式中，玻璃轉(zhuǎn)化溫 度(Tg)比外延生長(zhǎng)層的形成溫度低200。C以上。另外，熱熔敷玻璃在
100'C 300。C下的熱膨脹系數(shù)(a)為6x1(TVC。如果超過(guò)玻璃轉(zhuǎn)化溫 度(Tg)，則熱膨脹系數(shù)(a)變成比之大的數(shù)值。由此，熱熔敷玻璃可 以以大約600'C與元件搭載基板3接合，進(jìn)行熱壓加工。另外，玻璃密 封部6的熱熔敷玻璃的折射率為1.7。另外，對(duì)于熱熔敷玻璃，只要其玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)比LED元件 2的耐熱溫度低，且其熱膨脹系數(shù)(a)與元件搭載基板3是同等的， 則其組成可以是任意的。作為玻璃轉(zhuǎn)化溫度比較低且熱膨脹系數(shù)比較小 的玻璃，例如可列舉出ZnO-Si02-R20類(lèi)(R是從Li、 Na、 K等I族元 素中選擇的至少一種)玻璃、磷酸類(lèi)玻璃以及鉛玻璃。在這些玻璃中， ZnO-Si02-R20類(lèi)玻璃與磷酸類(lèi)玻璃相比，耐濕性良好，不會(huì)像鉛玻璃 那樣產(chǎn)生環(huán)境問(wèn)題，因而優(yōu)選釆用。這里，熱熔敷玻璃是指通過(guò)加熱以熔融狀態(tài)或軟化狀態(tài)形成的玻 璃，與利用溶膠凝膠法形成的玻璃不同。溶膠凝膠玻璃，由于成形時(shí)的 體積變化較大，所以易于產(chǎn)生裂紋而難以用玻璃形成厚膜。熱熔敷玻璃 可以避免該問(wèn)題。另外，在溶膠凝膠玻璃中會(huì)產(chǎn)生細(xì)孔，所以有時(shí)有損 氣密性，而熱熔敷玻璃不會(huì)產(chǎn)生這樣的問(wèn)題，可以可靠地進(jìn)行LED元 件2的密封。另外，熱熔敷玻璃一般是以比樹(shù)脂中被稱為高粘度的水平高一個(gè)數(shù) 量級(jí)的粘度加工的。此外，在玻璃的情況下，即便超過(guò)屈服點(diǎn)幾十度， 粘度也不會(huì)低于一般的樹(shù)脂密封水平。另外，如果要使其粘度變成一般 的樹(shù)脂成形時(shí)的水平的粘度，則需要超過(guò)LED元件的晶體生長(zhǎng)溫度的 溫度，或者導(dǎo)致其粘附于模具，從而密封和成形加工變得困難。因此， 優(yōu)選在104泊;^以上進(jìn)行加工。熒光體7是被從MQW層23發(fā)出的藍(lán)色光激發(fā)時(shí)發(fā)出在黃色區(qū)域 具有峰值波長(zhǎng)的黃色光的黃色熒光體。在本實(shí)施方式中，作為熒光體7 可以使用YAG (Yttrium Aluminum Garnet)熒光體，玻璃密封部6內(nèi) 的平均粒徑為10nm。另外，熒光體7還可以是硅酸鹽熒光體、或以規(guī) 定的比例混合YAG和硅酸鹽熒光體而得到的熒光體等。以下，參照?qǐng)D5的工序說(shuō)明圖說(shuō)明該發(fā)光器件1的制造方法。首先，粉碎ZnO-B203-SiO;rNb205-Na20-Li20類(lèi)熱熔敷玻璃，生成 平均粒徑為30fim的玻璃粉末體。將由平均粒徑為lOjim的YAG形成 的熒光體7混入其中，生成熒光體7被均勻地分散在玻璃的粉末內(nèi)的混 合粉末IO (混合工序)。圖6是表示熒光體分散玻璃的加工狀態(tài)的說(shuō)明圖，(a)表示由混合 粉末生成熒光體分散玻璃的加工裝置，(b)表示由混合粉末生成的熒光 體分散玻璃，(c)表示把得到的熒光體分散玻璃切片后的狀態(tài)。在邊對(duì)混合工序中所生成的混合粉末10施加栽荷邊使之熔融后， 使該混合粉末10固結(jié)而生成熒光體分散玻璃11 (玻璃生成工序)。具體 來(lái)講，如圖6(a)所示，在基臺(tái)80的平坦的上表面80a上，設(shè)置包圍 基臺(tái)80上的規(guī)定區(qū)域的筒狀的側(cè)面框81,形成上方開(kāi)口的凹部82。凹 部82從上到下，截面相同，與凹部82的截面形狀對(duì)應(yīng)地形成的載荷夾 具83的下部83a，在凹部82內(nèi)可上下移動(dòng)。在將混合粉末IO放入該凹 部82后，設(shè)置對(duì)凹部82內(nèi)加壓的栽荷夾具83。然后，將氣氛空氣減壓 到7.6Torr并加熱至650"C，利用栽荷夾具83對(duì)混合粉末10施加 20kg/cm2的壓力使之熔化。此后，使熔化了的混合粉末10冷卻而固結(jié)， 由此可以獲得如圖6(b)所示的分散了熒光體的熒光體分散玻璃11， 該熒光體分散玻璃11不會(huì)產(chǎn)生以下尺寸的殘留氣泡或渾濁，該尺寸的 殘留氣泡將產(chǎn)生光學(xué)性影響。這里，作為產(chǎn)生光學(xué)性影響的尺寸的殘留 氣泡是，例如，對(duì)于邊長(zhǎng)300jun的正方形的LED元件2而言，直徑在 lOOpm以上的氣泡，如果該氣泡位于LED元件2的附近，則從LED元 件2發(fā)出的光可能會(huì)再次入射到LED元件2而導(dǎo)致發(fā)光效率降低。對(duì) 于已生成的熒光體分散玻璃11而言，如圖6 (c)所示，與玻璃密封部 6的厚度對(duì)應(yīng)地對(duì)其進(jìn)行切片而加工為板狀(板狀加工工序)。本實(shí)施方 式中，玻璃密封部6的厚度為0.5mm。另外，在本實(shí)施方式中，在生成熒光體分散玻璃11時(shí)沒(méi)有使用粘 合劑。因此，在熒光體分散玻璃11內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生氣泡，不會(huì)像利用樹(shù)脂 粘合劑來(lái)燒制混合粉末那樣，因玻璃內(nèi)的氣泡而使入射的光發(fā)生散射。 另外，密封LED元件2時(shí)，氣密性也不會(huì)因氣泡而受損。這樣獲得的熒光體分散玻璃11，因?yàn)闊晒怏w7是在熔化前被分散在 其中的，所以可以大致均勻地分散，就具體數(shù)字而言，在任意的U0x (熒光體平均顆粒寬度/ (熒光體含有體積比)1/3)} 3的體積下，熒光體 含有體積比相對(duì)于整體平均，優(yōu)選在50~200%的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選 在80~125%的范圍內(nèi)。實(shí)際獲得的熒光體分散玻璃11，在任意正交的 3個(gè)方向進(jìn)行3等分而獲得的9個(gè)區(qū)域的焚光體7的含有體積比，在80~ 125%范圍內(nèi)，焚光體7被均勻地分散。另外，進(jìn)一步優(yōu)選，各個(gè)區(qū)域 的熒光體7的含有體積比在90~112%的范圍內(nèi)。這里，在需要的情況 下，通過(guò)提高玻璃的粉碎程度，使之為與熒光體7的顆粒同等的尺寸， 可以實(shí)現(xiàn)更微小的區(qū)域下的均勻分散。另一方面，準(zhǔn)備與熒光體分散玻璃ll分體的、形成了通路孔3a的 元件搭栽基板3，在元件搭載基板3的表面上與電路圖案對(duì)應(yīng)地絲網(wǎng)印 刷W骨劑。接著，通過(guò)在1000'C左右對(duì)印刷了 W骨劑的元件搭栽基板 3進(jìn)行熱處理，將W燒接于元件搭栽基板3，然后，通過(guò)在W上實(shí)旆 鍍Ni、鍍Au形成電路圖案4(圖案形成工序)。另外，多晶氧化鋁表面 的粗糙化，例如，可以省略以下的平坦化工序，而成為存在由多晶氧化 鋁的顆粒邊界引起的細(xì)微凹凸的狀態(tài)，在該平坦化工序中實(shí)施在使電路 圖案4精密化時(shí)進(jìn)行的研磨，也可以是通過(guò)噴射加工來(lái)實(shí)施凹凸形成加 工。接著，通過(guò)各個(gè)Au突起28使多個(gè)LED元件2電接合于元件搭栽 基板3的電路圖案4的表面圖案41 (元件安裝工序)。在本實(shí)施方式中， 實(shí)施p側(cè)兩點(diǎn)、n側(cè)一點(diǎn)共計(jì)三點(diǎn)的突起接合。然后，將安裝有各個(gè)LED元件2的元件搭載基板3固定于下模91 、 并將板狀的熒光體分散玻璃11安裝于上模92。在下模91以及上模92 上分別配置加熱器，各個(gè)模具91、 92獨(dú)立地調(diào)整溫度。接著，如圖7 所示，在大致平坦的元件搭栽基板3的安裝面上層疊熒光體分散玻璃 11，并對(duì)下模91以及上模92加壓，在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行熱壓加工。由此， 將熒光體分散玻璃11熔敷于搭載有LED元件2的元件搭載基板3上， LED元件2在元件搭載基板3上被熒光體分散玻璃11密封(玻璃密封 工序)。這里，圖7是表示熱壓加工的狀態(tài)的示意說(shuō)明圖。在本實(shí)施方 式中，將加壓壓力設(shè)定為20 40kgf/cm2進(jìn)行了加工。這里，只要在惰 性氣氛下對(duì)各個(gè)部件進(jìn)行熱壓加工即可，除了在氮?dú)鈿夥障峦猓邕€ 可以在真空中進(jìn)行熱壓加工。由此，熒光體分散玻璃11與元件搭栽基板3通過(guò)它們所包含的氧 化物進(jìn)行接合。這里，優(yōu)選熱壓加工中的熱熔敷玻璃的粘度為105~107 泊松。通過(guò)釆用該粘度范圍，可以抑制因粘度低而引起的玻璃與上模92 接合、玻璃向外部流出等，從而獲得良好的成品率，并且可以抑制因粘 度高而引起的玻璃與元件搭載基板3的接合力降低、各個(gè)Au突起28 的坍绔量的增大等。另外，如上所述，元件搭載基板3其表面因多晶氧化鋁而形成為粗 面狀，其玻璃密封部6側(cè)的接合部處的界面沿著元件搭載基板3的表面 形成為粗面狀。這是例如通過(guò)在熱壓加工時(shí)施加壓力，并且在比大氣壓 低的負(fù)壓氣氛下進(jìn)行加工而實(shí)現(xiàn)的。這里，只要是玻璃充分進(jìn)入到被粗 面化了的多晶氧化鋁的凹部的狀態(tài)，則熱壓加工時(shí)的壓力條件和氣氛的 負(fù)壓條件是任意的，例如，當(dāng)然也可以僅僅通過(guò)進(jìn)行熱壓加工時(shí)的加壓和氣氛的減壓的任意一者來(lái)進(jìn)行加工。其結(jié)果是，成為在玻璃密封部6 與元件搭栽基板3之間沒(méi)有間隙的狀態(tài)，可以確保玻璃密封部6與元件 搭栽基板3的接合強(qiáng)度。這里，為了縮短熱壓加工的周期，還可以在加壓前設(shè)置預(yù)熱栽臺(tái)來(lái) 對(duì)玻璃密封部6進(jìn)行預(yù)加熱，或者在加壓后設(shè)置緩冷栽臺(tái)來(lái)控制玻璃密 封部6的冷卻速度。另外，也可以在預(yù)熱載臺(tái)以及緩冷載臺(tái)上進(jìn)行加壓， 可以適當(dāng)?shù)刈兏鼰釅杭庸r(shí)的工序。通過(guò)以上的工序，可以制作橫向連結(jié)了多個(gè)發(fā)光器件l的狀態(tài)的如 圖7所示的中間體12。此后，將與玻璃密封部6形成了一體的元件搭栽 基板3設(shè)置于切片機(jī)(dicer )，并以將各個(gè)LED元件2分離的方式進(jìn)行 切割而完成發(fā)光器件1 (切割工序)。玻璃密封部6與元件搭載基板3 被切片機(jī)一起截?cái)啵纱嗽钶d基板3以及玻璃密封部6的側(cè)面處于 同一個(gè)面。在如上述那樣構(gòu)成的發(fā)光器件1中，如果通過(guò)電路圖案4對(duì)LED 元件施加電壓，則可從LED元件2發(fā)出藍(lán)色光。從LED元件2發(fā)出的 藍(lán)色光的一部分被玻璃密封部6內(nèi)的熒光體7變換為黃色光，其他部分 不被熒光體7進(jìn)行波長(zhǎng)變換，并從玻璃密封部6向外部射出。由此，從 玻璃密封部6放射出的光，在黃色區(qū)域和藍(lán)色區(qū)域具有峰值波長(zhǎng)，其結(jié) 果是，向裝置外部放射出白色光。這里，由于在玻璃密封部6內(nèi)均勻地分散有熒光體7，所以可以對(duì)
從LED元件2發(fā)出的光均勻地進(jìn)行波長(zhǎng)變換，而不管放射角度如何， 向外部放射的光不會(huì)產(chǎn)生色相不均。另外，由于抑制了在玻璃密封部6內(nèi)產(chǎn)生氣泡的情況，所以光不會(huì) 在玻璃密封部6內(nèi)散射反射，可以確保所期望的取光效率。另外，也不 會(huì)因氣泡而損壞LED元件2的氣密性。這里，優(yōu)選使混合粉末10中的玻璃的顆粒尺寸在幾nm~200nm的 范圍內(nèi)，這是為了避免粉碎時(shí)雜質(zhì)的混入和物理性損傷，抑制玻璃熔化 時(shí)產(chǎn)生殘留氣泡，并且將熒光體7均勻地分散在玻璃中。其結(jié)果是，不 存在在直徑300nm以上的連續(xù)區(qū)域中沒(méi)有熒光體的情況。另外，如果像上述那樣使玻璃的顆粒與熒光體7的顆粒為同等尺寸， 則即便是LED元件2與玻璃密封部6的端部的距離L (參照?qǐng)D1)為 0.25mm那樣的較薄封裝體，也可以抑制色相不均的發(fā)生。另外，根據(jù) 發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)得知，O.lmm的較薄封裝體也是可以實(shí)現(xiàn)的，其也可以抑 制色相不均的發(fā)生。另外，在本實(shí)施方式中，由于邊施加載荷邊熔化混合粉末IO，所以 可以使粉末在比不施加栽荷時(shí)低的溫度下熔化。另外，由于可以在屈服 點(diǎn)(At)附近進(jìn)行加工，所以，即便使用不穩(wěn)定的ZnO類(lèi)玻璃也可以 穩(wěn)定地抑制結(jié)晶化的發(fā)生。另外，即便不施加栽荷來(lái)進(jìn)行玻璃熔化，也 可以使熒光體7均勻地分散，還可以使用沖壓機(jī)施加50kgf/mii^這樣的 壓力進(jìn)行玻璃的熔化。另外，可以根據(jù)玻璃的特性適當(dāng)?shù)卦O(shè)定負(fù)壓氣氛 的程度、加壓的程度。此外，對(duì)于氣氛的減壓和對(duì)玻璃的加壓而言，不 必必須進(jìn)行兩者，當(dāng)然也可以在負(fù)壓氣氛和加壓中任意一者的條件下熔 化玻璃。另外，由于作為玻璃密封部6 4吏用了 ZnO-B203-Si02-Nb2Os-Na20 -Li20類(lèi)的熱熔敷玻璃，所以可以使玻璃密封部6具有良好的穩(wěn)定性以 及耐氣候性。所以，即便在發(fā)光器件l長(zhǎng)期在嚴(yán)酷的環(huán)境下等使用的情 況下，也可以抑制玻璃密封部6的劣化，可以有效地抑制取光效率隨時(shí) 間的加長(zhǎng)而降低的情況。再者，由于玻璃密封部6具有高折射率及高透 射率特性，所以可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高可靠性和高發(fā)光效率。另外，由于作為玻璃密封部6，使用了屈服點(diǎn)(At)比LED元件2的半導(dǎo)體層的外延生長(zhǎng)溫度低的玻璃，所以熱壓時(shí)，LED元件2不會(huì) 因熱破壞而受到損傷，可以在比半導(dǎo)體層的結(jié)晶生長(zhǎng)溫度低很多的溫度 下進(jìn)行加工。再者，由于平行地設(shè)置板狀的熱熔敷玻璃和元件搭栽基板 3,并在高粘度狀態(tài)下進(jìn)行熱壓加工，因此熱熔敷玻璃在元件搭載基板3 的表面上平行地移動(dòng)而與其面狀地密接，從而不會(huì)因密封GaN類(lèi)的 LED元件2而產(chǎn)生氣泡。另外，由于元件搭栽基板3與玻璃密封部6通過(guò)氧化物基于化學(xué)鍵 而接合，所以可以獲得更牢固的密封強(qiáng)度。因此，即便是接合面積較小 的小型封裝體，也可以被實(shí)現(xiàn)。再者，由于元件搭栽基板3與玻璃密封部6的熱膨脹系數(shù)是同等的， 所以在高溫接合之后，即便在常溫或低溫狀態(tài)下也難以產(chǎn)生剝離、裂紋 等接合不良。并且，由于玻璃受到拉伸應(yīng)力時(shí)易于產(chǎn)生裂紋，但受到壓 縮應(yīng)力時(shí)難以產(chǎn)生裂紋，因此玻璃密封部6采用熱膨脹系數(shù)比元件搭載 基板3略小的玻璃。再者， 一般來(lái)講，玻璃具有在Tg點(diǎn)以上的溫度下 熱膨脹系數(shù)增大的特性，在Tg點(diǎn)以上的溫度下進(jìn)行玻璃密封的情況下， 為了進(jìn)行穩(wěn)定的玻璃密封，優(yōu)選，不僅考慮Tg點(diǎn)以下，還考慮Tg點(diǎn) 以上的溫度下的熱膨脹系數(shù)。即、構(gòu)成玻璃密封部6的玻璃材料具有以 下這樣的同等熱膨脹系數(shù)，該熱膨脹系數(shù)考慮了包括上述Tg點(diǎn)以上的此可以減小使元件搭載基板3產(chǎn)生翹曲的內(nèi)部應(yīng)力，可以防止玻璃發(fā)生 剪切破壞，而與獲得元件搭載基板3和玻璃密封部6的接合性無(wú)關(guān)。所 以可以增大元件搭載基板3和玻璃密封部6的尺寸，增加能夠一并生產(chǎn) 的數(shù)量。另外，根據(jù)發(fā)明人的確認(rèn)，即便在-40'C^~~^100'C的液相冷 熱沖擊試驗(yàn)1000次下，也不會(huì)產(chǎn)生剝離、裂紋。再者，為了確認(rèn) 5mmx5mm尺寸的玻璃片與陶瓷基板的接合基礎(chǔ)，以玻璃、陶瓷基板的 各種熱膨脹系數(shù)的組合進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果，在熱膨脹系數(shù)較低的部件與熱 膨脹系數(shù)較高的部件之比為0.85以上時(shí)，可以不產(chǎn)生裂紋地進(jìn)行接合。 雖然也依賴于部件的剛性和尺寸，但熱膨脹系數(shù)是同等的，是指這樣的 范圍。由于倒裝安裝LED元件2可以不需要引線，所以，即便在高粘度 狀態(tài)下進(jìn)行加工，電極也不會(huì)發(fā)生不良。密封加工時(shí)的熱熔敷玻璃的粘 度從104到108泊松，比較硬，與熱固化處理前的環(huán)氧樹(shù)脂為5泊松左
右的液狀相比，物性存在較大差異。其結(jié)果是，在對(duì)用引線電連接元件表面的電極與引腳等供電部件的面朝上型LED元件進(jìn)行密封的情況 下，在進(jìn)行玻璃密封加工時(shí)，有時(shí)會(huì)發(fā)生引線的坍蜂或變形，但是通過(guò) 倒裝片可以防止其發(fā)生。另外，在對(duì)通過(guò)金(Au)等的突起將元件表面 的電極倒裝在引線等供電部件上的倒裝片型LED元件進(jìn)^f亍密封的情況 下，基于玻璃的粘度對(duì)LED元件施加向供電部件方向的壓力，有時(shí)會(huì) 發(fā)生突起的坍蜂或突起之間的短路，但這也是可以防止的。由于元件搭載基板3的表面圖案41通過(guò)通路圖案43凈皮引向背面圖 案42，所以不需要采取應(yīng)對(duì)玻璃流入不需要的部位或覆蓋電氣端子等的 特別對(duì)策，可以簡(jiǎn)化制造工序。另外，由于可以使用板狀的熒光體分散 玻璃11對(duì)多個(gè)LED元件2 —并進(jìn)行密封加工，所以通過(guò)切片機(jī)的切斷， 可以容易地大量生產(chǎn)多個(gè)發(fā)光器件l。另外，由于在高粘度狀態(tài)下加工 熱熔敷玻璃，所以不需要像樹(shù)脂那樣采取充分應(yīng)對(duì)密封材料的流出的對(duì) 策，即便不利用通路孔，只要外部端子被引出到背面，則也可以充分應(yīng) 對(duì)大量生產(chǎn)。另外，通過(guò)倒裝安裝LED元件2，可以克服實(shí)現(xiàn)玻璃密封時(shí)的問(wèn)題， 并且，還具有以下效果可以實(shí)現(xiàn)邊長(zhǎng)0.5mm的正方形那樣的超小型 發(fā)光器件l。這是因?yàn)椴恍枰€的接合空間，并且，可以選擇具有同 等熱膨脹系數(shù)的玻璃密封部6與搭載基板3，同時(shí)由化學(xué)鍵所致的牢固 接合，使得即便是微小空間內(nèi)的接合，也不會(huì)發(fā)生界面剝離。再者,由于LED元件2與玻璃密封部6的熱膨脹系數(shù)是同等的， 所以包括元件搭栽基板3的部件的熱膨脹系數(shù)是同等的，即便是在玻璃 密封中的高溫與常溫的溫差下，內(nèi)部應(yīng)力也極小，可以獲得不產(chǎn)生裂紋 的穩(wěn)定的加工性。另外，由于可以減小內(nèi)部應(yīng)力，因此可以提高耐沖擊 性，可以獲得可靠性優(yōu)良的玻璃密封型LED。再者，使用由氧化鋁形成的元件搭載基板3，可以降低部件成本， 并且制造容易，因而可以實(shí)現(xiàn)大量生產(chǎn)以及降低器件成本。另外，由于 A1203熱傳導(dǎo)性優(yōu)良，所以可以構(gòu)成適用于大光量化以及高輸出化的結(jié) 構(gòu)。再者，元件搭栽基板3的光吸收較小，所以在光學(xué)上有優(yōu)勢(shì)。另外，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了 LED元件2由在藍(lán)寶石生長(zhǎng)基 板上形成的GaN類(lèi)半導(dǎo)體材料構(gòu)成，但是，也可以在GaN或SiC生長(zhǎng)
基板上形成GaN類(lèi)半導(dǎo)體材料。此時(shí)，通過(guò)由具有比1.7 (等于藍(lán)寶石 的折射率)大的折射率的生長(zhǎng)基板形成的LED元件2與具有比1.6大 的折射率的玻璃密封部6的組合，可以提高從LED元件2產(chǎn)生的光取 出到LED元件2外部的取光效率。另外，由于生長(zhǎng)基板是由導(dǎo)電材料 構(gòu)成的，所以向發(fā)光層導(dǎo)入的電流可以被均勻化，從而提高LED元件 2的發(fā)光效率。另外，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了作為L(zhǎng)ED元件2使用了由GaN類(lèi) 半導(dǎo)體材料形成的元件的發(fā)光器件i，但是LED元件不限于GaN類(lèi)的 LED元件2，例如也可以是由ZnSe類(lèi)或SiC類(lèi)那樣的其他半導(dǎo)體材料 形成的發(fā)光元件。此外，LED元件2可以〗吏用通過(guò)劃線加工形成的元件。此時(shí)，通過(guò) 劃線加工形成的LED元件2,在作為切斷部的側(cè)面有時(shí)會(huì)有突出的凹 凸，因此，優(yōu)選用元件覆蓋材料對(duì)LED元件2的側(cè)面進(jìn)行覆蓋。作為 該元件覆蓋材料，例如可以使用具有透光性的SK)2類(lèi)覆蓋材料。通過(guò) 使用元件覆蓋材料，在進(jìn)行二次模塑(overmold)時(shí)等，可以防止發(fā)生 裂紋或氣泡。另外，上述實(shí)施方式的玻璃密封部6具有優(yōu)良的耐氣候性，但是， 在因器件的使用條件等而發(fā)生結(jié)露的情況下，玻璃密封部6有可能會(huì)發(fā) 生變質(zhì)。對(duì)此，優(yōu)選構(gòu)成不會(huì)發(fā)生結(jié)露的器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)在玻璃密封部 6的表面實(shí)施硅樹(shù)脂覆蓋等，可以防止由高溫狀態(tài)下的結(jié)露引起的玻璃 變質(zhì)。再者，作為在玻璃密封部6的表面實(shí)施的覆蓋材料，優(yōu)選不僅耐 濕且具有耐酸、耐堿性的材料，例如SiOz類(lèi)、入1203類(lèi)等那樣的無(wú)機(jī)材 料。圖8以及圖9表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式，圖8是發(fā)光器件的概略 縱剖視圖。另外，在以下說(shuō)明中，對(duì)與已經(jīng)敘述的要素相同的要素標(biāo)記 相同的符號(hào)，并適當(dāng)?shù)厥÷灾貜?fù)的說(shuō)明。在第二實(shí)施方式中，玻璃密封 部為兩層，這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。如圖8所示，該發(fā)光器件101具有倒裝片型的由GaN類(lèi)半導(dǎo)體材 料形成的LED元件2;安裝LED元件2的元件搭載M 3;形成于元件 搭載基板3并由鎢(W)-鎳(Ni)-金(Au)構(gòu)成的電路圖案4;以及玻 璃密封部106，該玻璃密封部106密封LED元件2并與元件搭載M 3接
合，且含有熒光體7。第二實(shí)施方式的發(fā)光器件101，除了玻璃密封部106 以外，是與第一實(shí)施方式的發(fā)光器件l相同的結(jié)構(gòu)。玻璃密封部106是由層疊在元件搭載基板3上的第一玻璃部件161 和第二玻璃部件162形成的，熒光體7包含在第一玻璃部件161中。元 件搭栽基板3、第一玻璃部件161以及第二玻璃部件162的側(cè)面被形成 為彼此處于同 一面。由此，發(fā)光器件101整體上呈長(zhǎng)方體狀，上表面106b 與元件搭載基板3平行地形成，側(cè)面106a ^:切片機(jī)切斷，由此與上表 面106b垂直地形成。另外，笫一玻璃部件161與第二玻璃部件162的 界面在縱截面中為直線狀。第一玻璃部件161是由ZnO-B203-Si02-Nb205-Na20-Li20類(lèi)的熱熔 敷玻璃形成的，在元件搭載基板3上被形成為長(zhǎng)方體狀，厚度為0.5mm。 第一玻璃部件161與第一實(shí)施方式中的熱熔敷玻璃一樣，玻璃轉(zhuǎn)化溫度 (Tg)為490'C，屈月良點(diǎn)(At)為520'C，熱熔敷玻璃在100'C 300。C 下的熱膨脹系數(shù)(a)為6xlO—VC,折射率(n)為1.7。另外，笫二玻璃部件162是由SiO-B203類(lèi)熱熔敷玻璃形成的，在 第一玻璃部件161上被形成為長(zhǎng)方體狀。第二玻璃部件162的玻璃轉(zhuǎn)化 溫度(Tg)比第一玻璃部件161高，并且脫模性較高。具體來(lái)講，第二 玻璃部件162的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)為560'C。另外，第二玻璃部件162 的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)等熱物性數(shù)值比第一玻璃部件161高，并且具有 比第一玻璃部件161優(yōu)良的耐濕性、耐酸性、耐堿性等。這里，作為笫 二玻璃部件162可以使用SiO-B203類(lèi)，還可以使用SiO-B203-Al203類(lèi)、 SiO-Al;j03類(lèi)、SiO-R20類(lèi)(R是Li、 Na、 K等)等，還可以使用由其 他成分形成的玻璃。 一般來(lái)講，在玻璃中，熱物性數(shù)值較高者大多具有 優(yōu)良的耐濕性、耐酸性、耐堿性等。另外，第二玻璃部件162的厚度為 0.15mm，熱膨脹系數(shù)U)為7xlO力'C。該熱膨脹系數(shù)(a)為在100°C ~ 300'C下的數(shù)值，如果超過(guò)玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg),則數(shù)值變大。另外，第 二玻璃部件162的折射率為1.5。第二玻璃部件162的上表面與元件搭 載基板3的安裝面平行地形成。在如上述那樣構(gòu)成的發(fā)光器件101中，第一玻璃部件161與元件搭 載基板3接合，第二玻璃部件162與元件搭栽基板3未接觸。在制造發(fā) 光器件101之時(shí)，在第二玻璃部件162上生成與第一實(shí)施方式同樣的熒
光體分散玻璃11，形成玻璃層疊體。然后，在熱壓加工時(shí)，如圖9所示， 將安裝了 LED元件2的元件搭載基板3支承于下模91，并且將板狀的 第一玻璃部件161以及第二玻璃部件162支承于上模92，由于與元件搭 載基板3相反側(cè)的第二玻璃部件162與上模92接觸，所以第 一玻璃部 件161不與上模92接觸。這里，圖9是表示熱壓加工的狀態(tài)的示意說(shuō) 明圖。由此，在熱壓加工時(shí)，當(dāng)制作完了中間體112之后，在使下模91 以及上模92與元件搭栽基板3以及第二玻璃部件162脫離之時(shí)，由于 第二玻璃部件162與第一玻璃部件161相比，玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)高， 所以其從上模92脫離的脫模性比第一玻璃部件161高，可以順滑地脫 離上模92。在本實(shí)施方式中，以約60(TC進(jìn)^f亍熱壓加工，玻璃轉(zhuǎn)化溫度 (Tg)為560。C的第二玻璃部件162未被充分軟化，上模92上不會(huì)粘 附第二玻璃部件162。這樣，在本實(shí)施方式的發(fā)光器件IOI中，熱壓加工時(shí)所要求的加工 條件是，使第一玻璃部件161與元件搭載基板3接合的溫度、壓力等條 件；以及使第二玻璃部件162與上模92脫離的溫度、壓力等條件。由 此，可以采用在熱壓時(shí)對(duì)與元件搭載基板3接合有利的材質(zhì)作為第一玻 璃部件161 ，采用在熱壓時(shí)對(duì)與上模92脫離有利的材質(zhì)作為第二玻璃部 件162。另外，在本實(shí)施方式中，第二玻璃部件162具有比第一玻璃部 件161高的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)，所以脫模性好，加工條件比使第一玻 璃部件161脫離上模92時(shí)寬松。所以，可以擴(kuò)大熱壓時(shí)玻璃部件161、 162的溫度、壓力等加工條件的范圍。具體來(lái)講，對(duì)加工條件的溫度進(jìn)行調(diào)查而得到的結(jié)果是，在僅用第 一玻璃部件161構(gòu)成玻璃密封部106的情況下，熱壓時(shí)的允許溫度范圍 僅為10°C~30°C,但如本實(shí)施方式那樣，利用第一玻璃部件161以及第 二玻璃部件162構(gòu)成玻璃密封部106時(shí)，已確認(rèn)的是熱壓時(shí)的允許范圍 的寬度至少寬于50。C。所以，根據(jù)本實(shí)施方式，除了具有笫一實(shí)施方式的作用效果之外， 還易于進(jìn)行玻璃密封部106的成形。另外，由于防止了玻璃密封部106 與元件搭載基板3的接合不良、以及玻璃密封部106向上模92的粘附， 因此，可以抑制成品率的降低。
再者，由于在來(lái)自LED元件2的外部放射光量比較多的玻璃密封 部106的上部，配置有耐濕性、耐酸性、耐堿性等比第一玻璃部件161 優(yōu)良的第二玻璃部件162，可以有效地抑制玻璃密封部106的上部的劣 化，所以可以抑制發(fā)光器件101的取光量隨時(shí)間的加長(zhǎng)而劣化。圖10至圖13表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式，圖10是發(fā)光器件的概 略縱剖視圖，圖ll是LED元件的示意縱剖視圖。另外，在以下說(shuō)明中， 對(duì)與已經(jīng)敘述的要素相同的要素標(biāo)記相同的符號(hào)，并適當(dāng)?shù)厥÷灾貜?fù)的 說(shuō)明。在第三實(shí)施方式中，在元件搭栽基板的電路圖案上配置有熒光體 層這一點(diǎn)和使用不同的LED元件這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。如圖10所示，該發(fā)光器件201具有倒裝片型的由GaN類(lèi)半導(dǎo)體 材料形成的LED元件202;安裝LED元件202的元件搭載基板3;形 成于元件搭載基板3、并由鎢(W)-鎳(Ni)-金(Au)構(gòu)成的電路圖 案4;以及玻璃密封部6，該玻璃密封部6密封LED元件202,并且與 元件搭載基板3接合且含有熒光體7;以及覆蓋元件搭載基板3上的規(guī) 定范圍的熒光體層209。第三實(shí)施方式的發(fā)光器件201，除了LED元件 202的結(jié)構(gòu)，和在元件搭載基板3的LED元件202的安裝部附近大致整 體地設(shè)置電路圖案4,在LED元件202的安裝部附近設(shè)置熒光體層209 之外，與第一實(shí)施方式的發(fā)光器件1為相同的結(jié)構(gòu)。此處所述的"附近" 是指從LED元件202射出，到達(dá)元件搭載基板3的光的大部分到達(dá)的 范圍。圖10中，圖示了以約3倍于LED元件202的寬度的寬度設(shè)置了 電路圖案4以及熒光體層209的狀態(tài)，但是，例如也可以以與LED元 件202的寬度相同的寬度設(shè)置它們。LED元件202通過(guò)如圖11所示，使m族氮化物類(lèi)半導(dǎo)體在由藍(lán)寶 石(A1203)形成的生長(zhǎng)基板20的表面上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，依次形成了緩 沖層21、 n型層22、 MQW層23、 p型層24.該LED元件202在700'C 以上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，其耐熱溫度在600。C以上，在上述的^f吏用了低熔點(diǎn) 熱熔敷玻璃的密封加工中的加工溫度下是穩(wěn)定的。另外，LED元件202 具有設(shè)于p型層24的表面的p側(cè)ITO (Indium Tin Oxide)電極225、 形成于p側(cè)ITO電極225上的p側(cè)焊盤(pán)電極226,并且具有n側(cè)電極 227，該n側(cè)電極227形成于通過(guò)刻蝕p型層24到n型層22的各層的 一部分而露出的n型層22上。在p側(cè)焊盤(pán)電極226和n側(cè)電極227上 分別形成了 Au突起28。P側(cè)ITO電極225為透明電極，從MQW層23發(fā)出的光，進(jìn)入p 側(cè)ITO電極225內(nèi)。在進(jìn)入了 P側(cè)ITO電極225內(nèi)的光中， 一部分被 p側(cè)ITO電極與中空部5的界面反射，而剩余的進(jìn)入元件搭載基板3側(cè)。 進(jìn)入了元件搭載基板3側(cè)的光，被熒光體層209進(jìn)行波長(zhǎng)變換之后，由 表面圖案41的Au層4c反射。如圖12所示，在本實(shí)施方式中，p側(cè)ITO 電極225上形成有一個(gè)p側(cè)焊盤(pán)電極226， p側(cè)焊盤(pán)電極226上形成有 Au突起28。此處，圖12是表示LED元件的電極形成面的示意俯視圖。n側(cè)電極227在同一區(qū)域形成有接觸層和焊盤(pán)層。如圖11所示，n 側(cè)電極227是由Al層27a、覆蓋該Al層27a的薄膜狀的Ni層27b、和 覆蓋Ni層27b的表面的Au層27c形成的。本實(shí)施方式中，如圖12所 示，在俯視圖中，n側(cè)電極227形成于LED元件202的一邊的附近，p 側(cè)ITO電極225除了 n側(cè)電極227的形成區(qū)域之外幾乎形成于整個(gè)面。熒光體層209是由ZnO類(lèi)玻璃形成的，包括黃色熒光體，該黃色 熒光體被從MQW層23發(fā)出的藍(lán)色光激發(fā)時(shí)發(fā)出在黃色區(qū)域具有峰值 波長(zhǎng)的黃色光。熒光體層209配置于MQW層23與表面圖案41之間， 本實(shí)施方式中，被形成在表面圖案41上。熒光體層209以及表面圖案 41被玻璃密封部6與元件搭載基板3的接合部包圍。其結(jié)果是，由于玻 璃密封部6與元件搭載基板3在電路圖案4以及熒光體層209的非形成 部接合，所以可以防止成為因玻璃密封部6與元件搭載基板3的接合不 充分而剝離的起點(diǎn)、或易于發(fā)生水分進(jìn)入LED元件202的情況。再者， 可以確保玻璃密封部6與元件搭載基板3的接合強(qiáng)度。另外，熒光體層 209在將LED元件202安裝于元件搭載基板3之前涂敷，在元件搭載基 板3上的形成表面圖案41的部分以外也涂敷熒光體層209。再者，在形 成Au突起28后，可以用與上述熒光體層209相同的熒光體填充LED 元件202的搭載部分210 (參照?qǐng)D10，即，與第一實(shí)施方式中的發(fā)光器 件l的中空部分5相對(duì)應(yīng)的部分)。作為熒光體層209所含有的熒光體， 可以使用YAG熒光體、硅酸鹽熒光體、或以規(guī)定比例將它們混合而得 到的熒光體。在本實(shí)施方式中，如圖13所示，熒光體層209形成在元 件搭載基板3的中央部，在俯視圖下為大致正方形。具體來(lái)講，在俯視 圖下，在一邊的長(zhǎng)度為l.Omm的元件搭載基板3的中央，形成有一邊 的長(zhǎng)度為0.6mm的熒光體層209。這里，圖13是表示元件搭載基板上 的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光器件的俯視圖。
在如上述那樣構(gòu)成的發(fā)光器件201中，由于在元件搭栽基板3上形 成了熒光體層209,所以從LED元件202向元件搭栽基板3側(cè)發(fā)出的藍(lán) 色光可以在被變換波長(zhǎng)而成為黃色光之后，進(jìn)入表面圖案41。這里，由 于表面圖案41的表層為Au層4c,所以，雖然藍(lán)色光那樣的短波長(zhǎng)光 的反射率為40%左右，但由于進(jìn)入的光被變換為長(zhǎng)波長(zhǎng)，所以可以以接 近100%的反射率反射進(jìn)入的光。元件搭載基板3因氧化鋁(A1203 )的多晶體而具有透光性，如果 進(jìn)入入1203，則將成為向圖10的下方穿過(guò)的光、或由背面圖案42的W 層4a所吸收的光，對(duì)此，通過(guò)在安裝LED元件202的部位整體形成的 表面圖案41的Au層4c可以防止光侵入A1203。再者，從LED元件202 的底面向元件搭栽基板3側(cè)放射、并被熒光體層209反射了的光，大部 分再次通過(guò)LED元件202,之后向外部放射，但是，對(duì)于LED元件202 內(nèi)的吸收率而言，黃色光比藍(lán)色光低，所以，通過(guò)由主要存在于LED 元件202與元件搭栽基板3之間的熒光體將藍(lán)色光變換成黃色光，可以 減少光損耗。再者，減小玻璃密封部6的熒光體7的濃度可以獲得規(guī)定 的顏色，所以可以降低因焚光體7引起的光封閉損耗。由此，可以提高 發(fā)光器件201的取光效率。另夕卜，即便p側(cè)接觸電極使用透明電極，也可以由表面圖案41切 實(shí)反射所透過(guò)的光，增加p側(cè)接觸電極的選擇自由度。另外，在以往那樣的樹(shù)脂密封中，考慮到熱膨脹系數(shù)較大的樹(shù)脂因 密封加工后的熱而使LED元件產(chǎn)生剝離應(yīng)力，大多在三點(diǎn)以上進(jìn)行突 起接合，在本實(shí)施方式中，元件搭載基板3與玻璃密封部6以及LED 元件202具有同等的熱膨脹系數(shù)，所以，密封加工后的熱應(yīng)力不會(huì)破壞 LED元件202的安裝狀態(tài)的平衡，即便是兩點(diǎn)突起接合也可以確保充分 的可靠性。因此，p側(cè)焊盤(pán)電極226只要形成與一點(diǎn)突起相當(dāng)?shù)拿娣e即 可，可以減小焊盤(pán)電極的光吸收，所以在光學(xué)上是有利的，可以提高發(fā) 光效率。另外，第一以及第二實(shí)施方式的發(fā)光器件l也可以應(yīng)用第三實(shí) 施方式的LED元件202,進(jìn)行兩點(diǎn)突起接合。另外，在笫三實(shí)施方式中，對(duì)利用藍(lán)色的LED元件202與黃色的 熒光體7獲得白色光的發(fā)光器件201進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以利用藍(lán)色的 LED元件202、綠色熒光體以及紅色熒光體獲得白色光，也可以獲得白 色以外的發(fā)光色。在使用多種熒光體并且電路圖案4的表面為金的情況 下，使涂敷于電路圖案4上的熒光體只發(fā)出波長(zhǎng)550rnn以上的光，可 以提高發(fā)光效率，因此是所希望的。另外，在第三實(shí)施方式中，對(duì)將熒光體層209形成于元件搭載基板 3上的器件進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以例如，如圖14所示那樣在LED 元件202的p側(cè)ITO電極225上形成焚光體229，總之，只要在MQW 層23與電路圖案4之間配置熒光體層即可。如圖15所示，通過(guò)在p側(cè) ITO電極225上形成熒光體層229，不必在元件搭栽基板3上形成熒光 體層209，就可使入射到元件搭載基板3的表面圖案41的光成為黃色光。 這里，LED元件202的熒光體層229通過(guò)濺射形成。特別是，在p側(cè) ITO電極225與元件搭載基板3側(cè)之間具有中空部5的情況下，未到達(dá) 熒光體層209而以藍(lán)色光返回到LED元件202的光量增大，但是，通 過(guò)在p側(cè)ITO電極225上形成焚光體層229,在到達(dá)焚光體層229并被 變換為黃色光之后返回到LED元件202的光量增大，所以可以減小LED 元件202中的外延層或電極的吸收率，可以提高發(fā)光器件201的取光效 率。圖16是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的發(fā)光器件的概略縱剖視圖。 另外，在以下的說(shuō)明中，對(duì)與已經(jīng)敘述的要素相同的要素標(biāo)記相同的符 號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。在第四實(shí)施方式中，玻璃密封部由兩個(gè)玻璃部 件構(gòu)成，這一點(diǎn)與第三實(shí)施方式不同。如圖16所示，該發(fā)光器件301具有倒裝片型的由GaN類(lèi)半導(dǎo)體 材料形成的LED元件202;安裝LED元件202的元件搭載基板3;形 成于元件搭載基板3、并由鎢(W)-鎳(Ni)-金(An)構(gòu)成的電路圖 案4;密封LED元件202并與元件搭載基板3接合、且含有熒光體7 的玻璃密封部306;以及覆蓋元件搭載基板3上的規(guī)定范圍的熒光體層 209。玻璃密封部306是由層疊在元件搭載基板3上的第一玻璃部件361 和第二玻璃部件362形成的，在第一玻璃部件361中包含有熒光體7。 元件搭載基板3、第一玻璃部件361以及第二玻璃部件362的側(cè)面彼此 形成為處于同一面。由此，發(fā)光器件301整體上呈長(zhǎng)方體狀，上表面306b 與元件搭載基板3平行地形成，側(cè)面306a被切片機(jī)切斷，由此與上表
面306b垂直地形成。另外，笫一玻璃部件361與笫二玻璃部件362的 界面在縱剖面中為向上方凸的圓弧狀。第一玻璃部件361是由ZnO-B203-Si02-Nb205-Na20-Li20類(lèi)熱熔敷 玻璃形成的，具有以LED元件202為中心的半球部361a、和在俯視圖 中形成于半球部361a的外側(cè)并覆蓋元件搭載基板3的覆蓋部361b。第 一玻璃部件361與第一實(shí)施方式中的熱熔敷玻璃一樣，其玻璃轉(zhuǎn)化溫度 (Tg)為490'C，屈服點(diǎn)(At)為520。C,熱熔敷玻璃在100。C 300。C 下的熱膨脹系數(shù)(a)為6xl(rV。C，折射率(n)為1.7。另外，第二玻璃部件362是由SiO-B203類(lèi)熱熔敷玻璃形成的，以 玻璃密封部306的外表面成為長(zhǎng)方體狀的方式形成在第一玻璃部件361 上。笫二玻璃部件362的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)比第一玻璃部件361高， 并且脫模性較高。具體來(lái)講，第二玻璃部件362的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg) 為560。C。另外，第二玻璃部件362的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)等熱物性值 比第一玻璃部件361高，具有比第一玻璃部件361優(yōu)良的耐濕性、耐酸 性、耐堿性等。這里，作為第二玻璃部件362可以^:用SiO-B203類(lèi)、 SiO國(guó)B203-Al203類(lèi)、SiO誦Ah03類(lèi)、SiO-R20類(lèi)(R是Li、 Na、 K等) 等，還可以使用由其他成分形成的玻璃。另外，第二玻璃部件362在 10(TC 300。C下的熱膨脹系數(shù)(a)為7xlO—6/。C。笫二玻璃部件362的 折射率(n)為1.5。第二玻璃部件362的上表面形成為與元件搭載基板 3的安裝面平行。根據(jù)如上述那樣構(gòu)成的發(fā)光器件301,除了具有第三實(shí)施方式的作 用效果之外，由于第一玻璃部件361以LED元件202為中心形成為半 球狀，所以，對(duì)于從LED元件202放射的光而言，在第一玻璃部件361 內(nèi)的光路長(zhǎng)大致相等，不論放射角度如何，都可以被均勻地進(jìn)行波長(zhǎng)變 換，可以進(jìn)一步減少色相不均。另外，由于元件搭載基板3被第一玻璃部件361所覆蓋，第二玻璃 部件362的脫模性較高，所以可以擴(kuò)大熱壓時(shí)的玻璃部件361、 362的 溫度、壓力等加工條件的范圍，易于進(jìn)行玻璃密封部306的成形。另外， 由于防止了玻璃密封部306與元件搭載基板3的接合不良、和玻璃密封 部306向上模92的粘附，因此可以抑制成品率的降低。另外，在來(lái)自LED元件202的外部放射光量比較多的玻璃密封部
306的上部，配置有耐濕性、耐酸性、耐堿性等比第一玻璃部件361優(yōu) 良的第二玻璃部件362，可以有效地抑制玻璃密封部306的上部的劣化， 所以可以抑制發(fā)光器件301的取光量隨時(shí)間的加長(zhǎng)而劣化。圖17至圖18表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式，圖17是發(fā)光器件的概 略剖視圖，圖18是表示元件搭載基板上的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光 器件的俯視圖。另外，在以下說(shuō)明中，對(duì)與已經(jīng)敘述的要素相同的要素 標(biāo)記相同的符號(hào)，并適當(dāng)省略重復(fù)的說(shuō)明。如圖17所示，該發(fā)光器件401具有倒裝片型的多個(gè)GaN類(lèi)LED 元件202;和安裝多個(gè)LED元件202的多層構(gòu)造的元件搭載基板403。 另外，發(fā)光器件401在元件搭栽基板403的兩面以及層內(nèi)具有由表面圖 案441、背面圖案442以及通路圖案443構(gòu)成的電路圖案404。另外， 各個(gè)LED元件202與元件搭栽基板403之間形成有玻璃未進(jìn)入其中的 中空部405。表面圖案441以及背面圖案442包括形成于元件搭載基 板403的表面的W層4a、和通過(guò)對(duì)W層4a的表面實(shí)施鍍敷形成的Ni 層4b以及Au層4c。另外，元件搭載基板403上的規(guī)定范圍被萸光體 409所覆蓋。再者，在元件搭載基板403的安裝面的相反側(cè)的面上形成 有散熱圖案445，其將各個(gè)LED元件202所產(chǎn)生的熱向外部散發(fā)。散熱 圖案445與背面圖案442是由同一工序形成的，其包括W層4a。另外， 發(fā)光器件401具有玻璃密封部406，該玻璃密封部406密封各個(gè)LED 元件202并與元件搭載基板403接合，且含有熒光體7。如圖18所示，發(fā)出藍(lán)色光的各個(gè)LED元件202是按照縱橫3個(gè)x3 個(gè)的排列方式排列的，共計(jì)9個(gè)LED元件202被安裝于一個(gè)元件搭載 基板403。在本實(shí)施方式中，各個(gè)LED元件202在縱橫方向上的相互之 間的距離是600nm。各個(gè)LED元件202的p側(cè)電極，如圖11所示，是 由p側(cè)ITO電極225和形成于其上的p側(cè)焊盤(pán)電極226構(gòu)成的。另外， LED元件202其厚度為100fim，形成為邊長(zhǎng)340jim的正方形，熱膨脹 系數(shù)是7xlO-6/'C。元件搭載基板403是由氧化鋁(Al203)的多晶燒結(jié)材料形成的， 厚度是0.25111111，熱膨脹系數(shù)a是7xl(rVC。另外，元件搭栽基板403 形成為在俯視圖中邊長(zhǎng)為2.5mm的正方形。而且，各個(gè)LED元件202 通過(guò)電路圖案404被串聯(lián)地電連接。電路圖案404的背面圖案442具有配置于對(duì)角的LED元件202附近的角部(圖18中右上和左下)的兩個(gè) 外部連接端子444,通過(guò)對(duì)各個(gè)外部連接端子444施加電壓，可以使九 個(gè)LED元件202發(fā)光。另外，電路圖案404的表面圖案441是寬度為 O.lmm的細(xì)線圖案。玻璃密封部406是由分散有熒光體7的ZnO-B203-Si02-Nb205 -Na20-Li20類(lèi)熱熔敷玻璃形成的。該玻璃密封部406也與第一實(shí)施方式 一樣，是通過(guò)熱壓加工將由熒光體與玻璃的混合粉末生成的板狀熒光體 分散玻璃接合于元件搭載基板3而形成的。如圖17所示，玻璃密封部 406在元件搭栽基板403上形成為長(zhǎng)方體形，厚度為1.2mm。玻璃密封 部406的側(cè)面406a，是通過(guò)將利用熱壓加工與元件搭載基板403接合了 的玻璃板和元件搭載基板403 —起用切片機(jī)(dicer )切斷而形成的。另 外，玻璃密封部406的上表面406b是利用熱壓加工與元件搭載基板403 接合的玻璃板的一面。該熱熔敷玻璃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)為4卯'C， 屈服點(diǎn)(At)為520。C，其玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)與LED元件202的外 延生長(zhǎng)層的形成溫度相比，足夠低。在本實(shí)施方式中，玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg ) 比外延生長(zhǎng)層的形成溫度低200'C以上。另外，熱熔敷玻璃在100'C-300。C下的熱膨脹系數(shù)U)為6xl(rV'C。熱熔敷玻璃在100。C 300。C 下的熱膨脹系數(shù)(a)超過(guò)玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)時(shí)，將變成較大的數(shù)值。 由此，在約600。C下與元件搭載基板3接合，從而可以進(jìn)行熱壓加工。 另外，玻璃密封部406的熱熔敷玻璃的折射率為1.7。另外，熒光體層409是由ZnO類(lèi)玻璃構(gòu)成的，包括被從LED元件 202發(fā)出的藍(lán)色光激發(fā)時(shí)發(fā)出在黃色區(qū)域具有峰值波長(zhǎng)的黃色光的黃色 熒光體。在將各個(gè)LED元件202安裝于元件搭載基板403上之前，利 用高溫熔化處理對(duì)其涂敷了熒光體層409。根據(jù)如上述那樣構(gòu)成的發(fā)光器件401，即便是使多個(gè)LED元件202 密集安裝于一個(gè)元件搭載基板403,由于LED元件202與玻璃密封部 406的熱膨脹系數(shù)是同等的，所以不會(huì)產(chǎn)生裂紋，具有優(yōu)良的可靠性。 另外，通過(guò)使玻璃密封部406和元件搭載基板403具有同等的熱膨脹系 數(shù)，還可具有優(yōu)良的玻璃接合強(qiáng)度。另外，通過(guò)使用由入1203形成的元件搭載基板403，即便采用密集 安裝發(fā)熱量大的GaN類(lèi)LED元件202的結(jié)構(gòu)，也可以獲得穩(wěn)定的散熱
性。另外，易于形成串聯(lián)電路的圖案，還易于形成實(shí)施電解電鍍時(shí)的布線。這里，雖然金對(duì)藍(lán)色光(460nm)的反射率約為40Q/。，較低，但是， 由于將表層由金構(gòu)成的表面圖案41形成為寬度O.lmm的細(xì)線，并在 LED元件202與元件搭載基板403之間形成了中空層405，所以，可以 將從LED元件202向元件搭栽基板403側(cè)入射的藍(lán)色光的損耗抑制在 最小限度。另外，除了玻璃密封部406的熒光體7之外，元件搭栽基板403的 熒光體層409也可以將藍(lán)色光變換成黃色光，所以，即使密封LED元 件的玻璃的熒光體的含有率較低，也可以實(shí)現(xiàn)白色光。因此，通過(guò)使用 多個(gè)LED元件等，即便玻璃密封部406的厚度與寬度之比不平衡，也 可以降低因玻璃密封部406的光路長(zhǎng)之差而產(chǎn)生的色相不均的程度。再者，通過(guò)在元件搭栽基板403的背面?zhèn)仍O(shè)置散熱圖案445,可以 使得因使密集安裝的九個(gè)LED元件202發(fā)光而產(chǎn)生的熱，通過(guò)散熱圖 案445快速地?zé)醾鲗?dǎo)到散熱片等。圖19至圖21表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式，圖19是發(fā)光器件的概 略縱剖視圖，圖20是表示LED元件的電極形成面的示意俯視圖，圖21 是表示元件搭載基板上的電路圖案的形成狀態(tài)的發(fā)光器件的俯視圖。其 中，在以下的說(shuō)明中，對(duì)與已經(jīng)敘述的要素相同的要素標(biāo)記相同符號(hào)， 并適當(dāng)省略重復(fù)的說(shuō)明。如圖19所示，該發(fā)光器件501具有在390nm下具有峰值波長(zhǎng)的 多個(gè)GaN類(lèi)LED元件502、和安裝多個(gè)LED元件502的多層構(gòu)造的元 件搭栽基板403。另外，發(fā)光器件501在元件搭栽基板403的兩面以及 層內(nèi)具有由表面圖案541和背面圖案542以及通路圖案443形成的電路 圖案504。表面圖案541以及背面圖案542包括形成于元件搭栽基板 403的表面的W層4a、和通過(guò)對(duì)W層4a的表面實(shí)施鍍敷而形成的Ni 層4b以及Ag層4d。另外，元件搭載基板403上的規(guī)定范圍被熒光體 層509所覆蓋。再者，在元件搭載基板403的安裝面的相反側(cè)的面上， 形成有將各個(gè)LED元件502所產(chǎn)生的熱向外部散發(fā)的散熱圖案445。散 熱圖案445與背面圖案542是由同一工序形成的，其包括W層4a。另 外，發(fā)光器件501具有玻璃密封部406，該玻璃密封部406密封各個(gè)LED 元件502,并且與元件搭載基板403接合，且含有熒光體507。
如圖20所示，在俯視圖中，各個(gè)LED元件502其n側(cè)電極527被 配置于LED元件502的角部，p側(cè)接觸電極525形成于除了 n側(cè)電極 527的形成區(qū)域以外的大致整個(gè)面上。如圖20所示，在本實(shí)施方式中， 在p側(cè)接觸電極525上，在與n側(cè)電極527對(duì)角的位置形成了 p側(cè)焊盤(pán) 電極526。該p側(cè)焊盤(pán)電極526由L形的電流擴(kuò)散用細(xì)線圖案形成(參 見(jiàn)圖20)。
如圖21所示，發(fā)出近紫外光的各個(gè)LED元件502按照縱橫3個(gè)x3 個(gè)的排列方式排列，共計(jì)9個(gè)LED元件502被安裝于一個(gè)元件搭栽基 板403。在本實(shí)施方式中，通過(guò)發(fā)出近紫外光的LED元件502、和被該 近紫外光激發(fā)而發(fā)出藍(lán)色光、綠色光以及紅色光的熒光體的507的組合， 向外部放射白色光。另外，LED元件502的厚度為lOOjim且形成為邊 長(zhǎng)340nm的正方形，熱膨脹系數(shù)是7xlO力'C。
元件搭載基板403是由A1203的多晶燒結(jié)材料形成的，厚度是 0.25mm,熱膨脹系數(shù)a是7xlO—VC。另外，元件搭載基板403被形成 為在俯視圖中為邊長(zhǎng)2.5mm的正方形。如圖21所示，各個(gè)LED元件 502通過(guò)表面圖案541彼此串聯(lián)連接，在一個(gè)方向上(圖中縱向)排列 的三個(gè)LED元件502彼此串聯(lián)連接，在另一個(gè)方向上(圖中橫向)排 列的三列LED元件502彼此串聯(lián)連接。電路圖案504的背面圖案542 具有以對(duì)角方式配置于發(fā)光器件501的角部附近的兩個(gè)外部連接端子 544 (圖21未示出)，通過(guò)對(duì)各個(gè)外部連接端子544施加電壓，可以佳: 九個(gè)LED元件202發(fā)光。另外，電路圖案504的表面圖案541的圖案 形成在元件搭載基板403上的正方形區(qū)域上，被寬度0.75mm的間隙分 開(kāi)并隔離。
盡管在該實(shí)施方式中，如圖21所示，所有LED元件502都串聯(lián)連 接，但它們也可以以其它方式連接。例如，在縱向上排列的三個(gè)LED 元件502可以彼此并聯(lián)連接，而在橫向上排列的三列LED元件502可 以串聯(lián)連接。此時(shí)，可提供一個(gè)p側(cè)連接端子，以便以引線接合三列 LED元件502的p側(cè)電路圖案端部，并且可以提供一個(gè)n側(cè)連接端子， 以便以引線接合LED元件502的n側(cè)電路圖案端部。因此，p側(cè)連接 端子和n側(cè)連接端子，總共兩個(gè)端子，可以分別設(shè)置在矩形元件搭載基 板403的背面的兩個(gè)相對(duì)側(cè)或?qū)巧??？商孢x地，僅p側(cè)電路圖案端部 或n側(cè)電路圖案端部中的一個(gè)可以與一個(gè)外部連接端子連接到一起，而
其它的可以分別連接到針對(duì)所述串聯(lián)電路而提供的三個(gè)外部端子。此時(shí)，p側(cè)和n側(cè)連接端子，總共四個(gè)端子，可以分別設(shè)置在矩形元件搭 載基板403的背面的四個(gè)角上。玻璃密封部406是由分散有熒光體507的ZnO-B203-Si02-Nb205 -Na20-Li20類(lèi)熱熔敷玻璃形成的。該玻璃密封部406也與第一實(shí)施方式 一樣，是通過(guò)熱壓加工將由熒光體與玻璃的混合粉末生成的板狀熒光體 分散玻璃接合于元件搭載基板403而形成的。該熱熔敷玻璃的玻璃轉(zhuǎn)化 溫度(Tg)為4卯。C，屈服點(diǎn)(At)為520。C，其玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg) 與LED元件502的外延生長(zhǎng)層的形成溫度相比，足夠低。熒光體507 包括被從LED元件502發(fā)出的紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出在藍(lán)色區(qū)域具有峰值 波長(zhǎng)的藍(lán)色光的藍(lán)色熒光體、發(fā)出在綠色區(qū)域具有峰值波長(zhǎng)的綠色光的 綠色熒光體、和發(fā)出在紅色區(qū)域具有峰值波長(zhǎng)的紅色光的紅色熒光體。另外，熒光體層509是由ZnO類(lèi)玻璃構(gòu)成的，包括被從LED元件 502發(fā)出的紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出在藍(lán)色區(qū)域具有峰值波長(zhǎng)的藍(lán)色光的藍(lán)色 熒光體、發(fā)出在綠色區(qū)域具有峰值波長(zhǎng)的綠色光的綠色熒光體、和發(fā)出 在紅色區(qū)域具有峰值波長(zhǎng)的紅色光的紅色熒光體。其中，在將各個(gè)LED 元件502安裝于元件搭栽基板403上之前，利用高溫熔化處理對(duì)其涂敷 了熒光體層509。在本實(shí)施方式中，如圖21所示，熒光體層509以在俯 視圖中為大致正方形的方式形成在元件搭載基板403的中央。具體來(lái)講， 在俯視圖中，在一邊的長(zhǎng)度為2.5mm的元件搭載基板403的中央，形 成有熒光體層509，該熒光體層509的一邊長(zhǎng)度為1.8mm，在俯視圖中 為正方形。在如上述那樣構(gòu)成的發(fā)光器件501中，當(dāng)通過(guò)電路圖案504對(duì)各個(gè) LED元件502施加電壓時(shí)，將從各個(gè)LED元件502發(fā)出近紫外光。從 各個(gè)LED元件502發(fā)出的近紫外光，通過(guò)玻璃密封部406的熒光體507 變換成藍(lán)色光、綠色光以及紅色光，并從玻璃密封部406向外部射出。 由此，從玻璃密封部406放射的光在藍(lán)色區(qū)域、綠色區(qū)域以及紅色區(qū)域 具有峰值波長(zhǎng)，其結(jié)果是，可向器件外部放射白色光。即便發(fā)出藍(lán)色光、 綠色光以及紅色光的各個(gè)熒光體的比重差異很大，熒光體層509和玻璃 密封部406內(nèi)的熒光體507也不會(huì)發(fā)生沉淀等，而引起色相不均，各色 熒光體507可均勻地分散，可以實(shí)現(xiàn)沒(méi)有色相不均的發(fā)光。
另外，由于在元件搭載基板403上形成了熒光體層509，所以對(duì)于 從各個(gè)LED元件502向元件搭栽基板403側(cè)發(fā)出的紫外光，可以變換 其波長(zhǎng)而成為藍(lán)色光、綠色光以及紅色光，之后進(jìn)入表面圖案541。這 里，表面圖案541的表層為Ag層4d,所以在紫外區(qū)域，反射率比較小， 但進(jìn)入的光被變換為可見(jiàn)光區(qū)域的長(zhǎng)波長(zhǎng)光，因而可以以高反射率反射 進(jìn)入的光。另外，Ag在藍(lán)色區(qū)域的反射率，比Au高兩倍以上，藍(lán)色光 的反射率不會(huì)降低。由此，可以提高發(fā)光器件501的取光效率。另夕卜， 即便p側(cè)接觸電極使用透明電極，也可以通過(guò)表面閨案541切實(shí)地反射 所透過(guò)的光，增大p側(cè)接觸電極的選擇自由度。在本實(shí)施方式中，元件搭載基板403的約50%的搭載面被電路圖 案504所覆蓋。如果考慮安裝精度來(lái)密集安裝LED元件502,并在LED 元件502的周?chē)O(shè)置通路圖案443,則要覆蓋與本實(shí)施方式的元件搭載 基板403相同的面積的搭載面。如果對(duì)應(yīng)于各個(gè)LED元件502的位置， 設(shè)置具有LED元件502的寬度的兩倍寬度的電路圖案504，則元件搭載 基板403的約40%以上的"^栽面將被銀覆蓋。這樣，通過(guò)用銀覆蓋元件 搭載基板403的約40 %以上的搭栽面，可以高效地反射從LED元件502 發(fā)出的光。另外，由于Ag鍍層被氧化鋁(即，元件搭載基板403)以及玻璃 (即，玻璃密封部406)密封，因此，在被具有透濕性的樹(shù)脂密封的情 況下，可以抑制由氧化引起的Ag的黑化或由濕度/電壓等引起的電遷移 (migration )。另外，在本實(shí)施方式中，由于LED元件502與玻璃密封部406的 熱膨脹系數(shù)是同等的，所以不會(huì)產(chǎn)生裂紋，由于玻璃密封部406和元件 搭載基板403也具有同等的熱膨脹系數(shù)，所以玻璃接合強(qiáng)度優(yōu)良。再者， 通過(guò)散熱圖案445可以使熱快速地?zé)醾鲗?dǎo)到散熱片等。另外，在第六實(shí)施方式中，對(duì)組合發(fā)出近紫外光的LED元件502、 和發(fā)出藍(lán)色光、綠色光以及紅色光的熒光體507而發(fā)出白色光進(jìn)行了說(shuō) 明，但并不限于此，還可以是發(fā)出近紫外光的LED元件502和單色熒 光體的組合。另外，在使用了藍(lán)色LED的情況下，通過(guò)例如黃色熒光體將大約 一半的藍(lán)色光轉(zhuǎn)換為黃色光，可以高效率地實(shí)現(xiàn)白色光，但是，在第六
實(shí)施方式中，需要將近紫外光全部變換成藍(lán)色光、綠色光以及紅色光。因此，在沒(méi)有熒光體層509的情況下，需要提高玻璃密封部6的熒光體 濃度，熒光體將導(dǎo)致產(chǎn)生光封閉損耗，但是可以將該損耗抑制得較低。這里，不必一定使玻璃密封部506與熒光體層509的成分相同，例 如，也可以構(gòu)成為玻璃密封部506使用發(fā)出藍(lán)色光和綠色光的熒光體 507，而熒光體層509使用發(fā)出紅色光的熒光體?？傊ㄟ^(guò)在熒光體 層509中配置以下這樣的熒光體，可以提高發(fā)光效率，該熒光體發(fā)出的 光的由LED元件502所致的吸收損耗比LED元件502發(fā)出的光小。在 LED元件502的電極或元件搭載基板403的表面圖案541使用了金的情 況下，優(yōu)選配置發(fā)出550nm以上的光的熒光體，金對(duì)該光的反射率超 過(guò)80 % 。另外，在第一至第六實(shí)施方式中，示出了由熒光體和玻璃的混合粉 末生成板狀的熒光體分散玻璃，通過(guò)熱壓加工使該玻璃與元件搭栽基板 接合的發(fā)光器件，但是，例如，如圖22以及圖23所示，還可以在生成 混合粉末的混合工序之后，在負(fù)壓高溫氣氛中使混合粉末熔融并固結(jié)在 元件搭載基板603上，形成熒光體分散玻璃，利用熔敷于元件搭栽基板 603的熒光體分散玻璃密封各個(gè)LED元件。這樣，在元件搭載基板603 上使玻璃熔化并固結(jié)，與使用板狀玻璃的情況相比，將增大玻璃密封部 的成形自由度。圖22所示的發(fā)光器件601，在由Al203形成的元件搭載基板603的 外緣部上，以包圍各個(gè)LED元件202的方式形成有壁部603b。壁部603b 的內(nèi)面成為反射從各個(gè)LED元件202發(fā)出的光的反射面。另外，壁部 603b的外表面，以上部向外側(cè)突出的方式形成為突出狀，該突出部的 下表面上形成有外部連接端子(圖22中未圖示)。而且，在元件搭載基 板603上形成有由W層4a、Ni層4b以及Au層4c構(gòu)成的表面圖案441 ， 表面圖案441上形成有含有黃色熒光體的熒光體層609。在壁部603b 的內(nèi)側(cè)填充有均勻地分散了熒光體7的玻璃密封部606。該發(fā)光器件601 如圖22所示，玻璃密封部606的上表面是平坦的，并且與壁部603b處 于同一面，但是，也可以使玻璃密封部606的上表面形成為透鏡狀。在 該發(fā)光器件601中，在各個(gè)LED元件202被安裝于元件搭載基板603 的狀態(tài)下，在壁部603b的內(nèi)側(cè)配置熒光體和玻璃的混合粉末，并在負(fù) 壓氣氛下使之熔化、固結(jié)，由此進(jìn)行各個(gè)LED元件202的密封。在該
發(fā)光器件601中，也可以對(duì)從各個(gè)LED元件202發(fā)出的光均勻地進(jìn)行 波長(zhǎng)變換。在具有壁部603b的情況下，也可以不增大玻璃密封部606 與元件搭栽基板603的接合強(qiáng)度，但是，為了減小殘留氣泡的尺寸、或 者使上表面的形狀為規(guī)定形狀，還可以進(jìn)行加壓沖壓加工。另外，在如圖23所示的發(fā)光器件601中，壁部603的內(nèi)表面形成 有由W層646a、 Ni層646b以及Au層646c形成的反射圖案646。而 且，反射圖案646上形成有含有黃色熒光體的熒光體層630。由此，與 電路圖案441 一樣，向壁部603b入射的光也可以被黃色熒光體進(jìn)行波 長(zhǎng)變換，之后入射到反射圖案646的Au層646c。另外，在第一至第六實(shí)施方式中，示出了元件搭栽基板由氧化鋁 (Ah03)形成，但是，也可以由氧化鋁以外的陶瓷構(gòu)成。例如作為由 比氧化鋁的熱傳導(dǎo)性優(yōu)良的高熱傳導(dǎo)材料形成的陶瓷基板，還可以使用 BeO(熱膨脹系數(shù)a: 7.6xlO—VC、熱傳導(dǎo)率250W/(m-k))。即便是 由BeO形成的基板，也可以通過(guò)熒光體分散玻璃得到良好的密封性。此外，作為其他的高熱傳導(dǎo)性基板，例如還可以使用W-Cu基板。 作為W-Cu基板，使用W90-Cul0基板(熱膨脹系數(shù)a: 6.5xl(T6/°C、 熱傳導(dǎo)率180W/(m.k))、 W85-Cul5基板(熱膨脹系數(shù)a: 2xlO-6/。C、 熱傳導(dǎo)率l卯W/(m.k))，由此可以確保與玻璃密封部的良好接合強(qiáng) 度，同時(shí)賦予高熱傳導(dǎo)性，可以充分應(yīng)對(duì)LED的大光量化、高輸出化。另外，在第一至第六實(shí)施方式中，對(duì)使用LED元件作為發(fā)光元件 的LED進(jìn)行了說(shuō)明，但發(fā)光元件不限于LED元件，不言而喻，也可以 對(duì)具體的細(xì)部構(gòu)造等適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更。雖然通過(guò)具體實(shí)施方式
完整且清楚地描述了本發(fā)明，但是，所附權(quán)利 要求書(shū)不限于此，還包括本領(lǐng)域技術(shù)人員所做出的明顯落入本發(fā)明范圍內(nèi)的所有變更和變形。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光器件，其特征在于，具備 發(fā)光元件；搭載部，上述發(fā)光元件搭栽于其上，在其表面形成有用于向該發(fā)光 元件供電的電路圖案；以及密封部，形成在上述搭載部上，密封上述發(fā)光元件，其是由均勻地 分散了熒光體的玻璃形成的，該熒光體被從該發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)時(shí) 發(fā)出波長(zhǎng)變換光。
2. —種發(fā)光器件，其特征在于，具備 發(fā)光元件；搭載部，上述發(fā)光元件搭栽于其上，在其表面形成有用于向該發(fā)光 元件供電的電路圖案、以及含有第一熒光體的熒光體層，該第一熒光體 被從該發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)時(shí)發(fā)出第一波長(zhǎng)變換光；以及密封部，形成在上述搭載部上，密封上述發(fā)光元件，其是由均勻地 分散了第二熒光體的玻璃形成的，該第二熒光體被從該發(fā)光元件發(fā)出的 光激發(fā)時(shí)發(fā)出第二波長(zhǎng)變換光。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述電路圖案 以及上述熒光體層，被上述密封部與上述搭載部的接合部所包圍。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述第一熒光 體與上述第二熒光體具有相同的成分，上述第一波長(zhǎng)變換光與上述第二 波長(zhǎng)變換光具有相同的發(fā)光色。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述熒光體層用 于對(duì)從上述發(fā)光元件向上述搭栽部傳播的光進(jìn)行波長(zhǎng)變換，以提高上述電 路圖案對(duì)上述光的反射率。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述搭載部 具有粗糙表面，上述密封部與上述搭載部接合于接合部，其在上述接合部具有沿著上述粗糙表面被粗面化了的表面。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于上述搭載部是 由透光材料形成的，上述電路圖案形成于上述發(fā)光元件的附近。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述搭載部包含 透光材料，上述電路圖案形成于上述發(fā)光元件的附近， 上述熒光體層形成于上述電路圖案上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述搭載 部是由多晶氧化鋁形成的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述電路 圖案的表層是銀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光器件，其特征在于上述發(fā)光元件 發(fā)出波長(zhǎng)小于550nm的光，上述電路圖案的表層是金，上述熒光體被從上述發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)時(shí)發(fā)出波長(zhǎng)大于等于 550nm的光。
12. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述發(fā)光元件 發(fā)出波長(zhǎng)小于550nm的光，上述電路圖案的表層是金，上述熒光體層被從上述發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)時(shí)發(fā)出波長(zhǎng)大于等 于550nm的光。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光器件，其特征在于上述發(fā)光元件 發(fā)出藍(lán)色光，上述熒光體被上述藍(lán)色光激發(fā)時(shí)發(fā)出黃色光。
14. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述發(fā)光元件 發(fā)出藍(lán)色光，上述熒光體層被上述藍(lán)色光激發(fā)時(shí)發(fā)出黃色光。
15. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光器件，其特征在于上述發(fā)光元件 發(fā)出紫外光，上述熒光體包括被上述紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色熒光體、 被上迷紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出綠色光的綠色熒光體、和被上述紫外光激發(fā)時(shí) 發(fā)出紅色光的紅色熒光體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述發(fā)光元件 發(fā)出紫外光，上述熒光體層包括被上述紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色熒光 體、被上述紫外光激發(fā)時(shí)發(fā)出綠色光的綠色熒光體、和被上述紫外光激 發(fā)時(shí)發(fā)出紅色光的紅色熒光體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其特征在于上述密封 部是由ZnO-Si02-R20類(lèi)玻璃形成的，其中，R是從I族元素選擇的至 少一種。
18. —種發(fā)光器件的制造方法，制造在搭載部上搭栽有發(fā)光元件的 發(fā)光器件，其特征在于，包括混合工序，將粉末狀的玻璃和粉末狀的熒光體混合，生成在該玻璃 內(nèi)分散有該熒光體的混合粉末；生成工序，在使上述混合粉末熔化之后，使該混合粉末固結(jié)而生成 熒光體分散玻璃；以及玻璃密封工序，通過(guò)熱壓加工將上述熒光體分散玻璃熔敷于搭載有 發(fā)光元件的搭載部，在上述搭載部上利用上述熒光體分散玻璃來(lái)密封上 述發(fā)光元件。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于， 還包括板狀加工工序，在該板狀加工工序中，將在上述玻璃生成工序中生成的上述熒光體分散玻璃加工成板狀，在上述玻璃密封工序中，將被加工成板狀的上述熒光體分散玻璃熔 敷于大致平坦的上述搭栽部。
20. —種發(fā)光器件的制造方法，制造在搭載部上搭載有發(fā)光元件的 發(fā)光器件，其特征在于，包括混合工序，將粉末狀的玻璃和粉末狀的熒光體混合，生成在該玻璃 內(nèi)分散有該熒光體的混合粉末；以及玻璃密封工序，在負(fù)壓高溫氣氛中，使上述混合粉末熔化并固結(jié)在 上述搭載部上，形成熒光體分散玻璃，利用熔敷于上述搭栽部的上述熒 光體分散玻璃密封上述發(fā)光元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光器件及其制造方法，該發(fā)光器件具備發(fā)光元件、搭載部和密封部；上述發(fā)光元件搭載在上述搭載部上，在上述搭載部上形成有向上述發(fā)光元件供電的電路圖案。上述密封部形成在上述搭載部上，密封上述發(fā)光元件，其由玻璃和均勻地分散在該玻璃中的熒光體形成，該熒光體被從上述發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)時(shí)發(fā)出波長(zhǎng)變換光。
文檔編號(hào)H01L33/56GK101145594SQ200710145340
公開(kāi)日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月12日
發(fā)明者末廣好伸 申請(qǐng)人:豐田合成株式會(huì)社