專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
近來(lái)，凡是期望較輕和/或較薄的顯示器之處，液晶顯示器(LCD)正取 代陰極射線管(CRT)。然而，LCD存在很多問(wèn)題。 一個(gè)問(wèn)題是LCD需要單獨(dú)的背光來(lái)作為發(fā) 射并接收光的元件，此外，LCD的響應(yīng)速度慢且視角窄。近來(lái)，作為解決這些問(wèn)題的顯示裝置，有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)已經(jīng)變 得備受矚目。OLED包括兩個(gè)電極且發(fā)射層置于這兩個(gè)電極之間。在OLED中，從一 個(gè)電極注入電子，從另一個(gè)電極注入空穴，電子和空穴在發(fā)射層中復(fù)合以形成激子。當(dāng)激子釋^:能量時(shí)發(fā)光。由于OLED是不需要單獨(dú)光源的自發(fā)射型顯示器，因此OLED具有功耗 低、響應(yīng)速度好、視角寬且對(duì)比度好的優(yōu)點(diǎn)。OLED包括多個(gè)像素(包括比如紅色像素、藍(lán)色像素和綠色像素)，并可 通過(guò)將這些像素發(fā)射的光組合來(lái)產(chǎn)生全彩色顯示。在一種布置中，不同顏色此發(fā)射光具有不同顏色)?？蛇x擇地，OLED可包括每個(gè)像素只發(fā)射白光的像素。生產(chǎn)這種像素的 一個(gè)方法是在單個(gè)像素中包括紅色、藍(lán)色和綠色發(fā)光層，因此發(fā)射白光。在 這種可選的構(gòu)造中，必須增加附加的具有紅色、藍(lán)色和綠色分量的濾色器層， 以產(chǎn)生彩色顯示。
然而，根據(jù)用于生產(chǎn)不同顏色的像素的發(fā)光材料，OLED具有不同的發(fā)光效率。換言之，在每個(gè)不同顏色的像素中，施加的相同量的電壓會(huì)產(chǎn)生不 同量的發(fā)射光。在這種情況下，在紅色、綠色和藍(lán)色中，發(fā)射效率低的顏色 不具有預(yù)定的色坐標(biāo)。此外，由于包括其發(fā)光層具有低發(fā)射效率的顏色，導(dǎo) 致通過(guò)紅色、綠色和藍(lán)色的組合產(chǎn)生的白光的發(fā)射效率降低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明致力于提供一種具有提高顏色質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)的有機(jī)發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例包括多個(gè)有色像素和白色 像素，其中，各個(gè)像素包括第一電極；第二電極，面對(duì)第一電極；發(fā)光構(gòu) 件，置于第一電極和第二電極之間，白色像素還包括第一半透明構(gòu)件，第一 半透明構(gòu)件設(shè)置在第一電極上以與第二電極形成微腔。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一半透明構(gòu)件可以包含Ag、 Al或Ag和Al 的組合。有機(jī)發(fā)光構(gòu)件可包括發(fā)射具有不同波長(zhǎng)的光的多個(gè)子發(fā)射層，具有不同 波長(zhǎng)的光可以被組合以發(fā)射基本上的白光。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，白光可具有微黃的色彩。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一半透明構(gòu)件可以僅形成在白光穿過(guò)的區(qū)域 的一部分處。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，多個(gè)有色像素包括紅色像素、綠色像素和藍(lán)色 像素，每個(gè)有色像素還可包括形成在第一電極下面的濾色器。在 一個(gè)示例性實(shí)施例中，在多個(gè)有色像素中具有最低的發(fā)射效率的像素 還可包括第二半透明構(gòu)件，第二半透明構(gòu)件設(shè)置在第一電極上，以與第二電 極一起形成微腔。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，具有最低發(fā)射效率的像素可以是藍(lán)色像素。 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二半透明構(gòu)件可包含Ag、 Al或Ag和Al的組合。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二半透明構(gòu)件可以形成在白光穿過(guò)的基本整 個(gè)區(qū)域上方。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，多個(gè)有色像素包括紅色像素和綠色像素，紅色 像素和綠色像素還可包括形成在第 一 電極下面的濾色器。 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光裝置還可包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，連接到第一電極，并包括多晶半導(dǎo)體；開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，并包括非晶半導(dǎo)體。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管還可包括驅(qū)動(dòng)輸入電極，形 成在多晶半導(dǎo)體上；驅(qū)動(dòng)輸出電極，在多晶半導(dǎo)體上面對(duì)驅(qū)動(dòng)輸入電極；驅(qū) 動(dòng)控制電極，形成在驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極上。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管還可包括開(kāi)關(guān)控制電極，形 成在非晶半導(dǎo)體下面；開(kāi)關(guān)輸入電極，形成在非晶半導(dǎo)體上；開(kāi)關(guān)輸出電極， 在非晶半導(dǎo)體上面對(duì)開(kāi)關(guān)輸入電極，并連接到驅(qū)動(dòng)控制電極。在另一示例性實(shí)施例中， 一種有機(jī)發(fā)光裝置包括多個(gè)像素，其中，每個(gè) 像素包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；第 一電極，連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；發(fā)光構(gòu)件，形成在第一電極上并發(fā)射白光； 第二電極，形成在發(fā)光構(gòu)件上，多個(gè)像素包括第一像素組，包括設(shè)置有半 透明構(gòu)件的多個(gè)像素，其中，在白光穿過(guò)的每個(gè)像素的區(qū)域中，半透明構(gòu)件 與第一電極和第二電極中的一個(gè)一起形成微腔；第二像素組，包括在白光穿 過(guò)的每個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置有濾色器的多個(gè)像素。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，白光可具有微黃的色彩。 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一像素組可包括白色像素。 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，半透明構(gòu)件可以僅形成在白光穿過(guò)的每個(gè)像素 的區(qū)域的一部分處。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一像素組可包括藍(lán)色像素。 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二像素組可包括紅色像素和綠色像素中的至 少一個(gè)。在另一示例性實(shí)施例中， 一種有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極，包括反射 光的導(dǎo)體；第二電極，面對(duì)第一電極并包括半透明導(dǎo)體；第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件， 置于第一電極和第二電極之間，并包括發(fā)射第一顏色的第一發(fā)射層；第三電 極，面對(duì)第二電極并包括透明導(dǎo)體；第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，置于第二電極和第 三電極之間，并包括發(fā)射第二顏色的第二發(fā)射層和發(fā)射第三顏色的第三發(fā)射 層，其中，第一電極和第二電極形成微腔，第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件向著第二電極 發(fā)射通過(guò)微腔提高了色純度的第一顏色的光。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一電極、第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件和第二電極可形
成第一有機(jī)發(fā)光元件;第二電極、第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件和第三電極可形成第二有機(jī)發(fā)光元件。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一有機(jī)發(fā)光元件和第二有機(jī)發(fā)光元件可具有 不同的發(fā)射效率。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一發(fā)射層、第二發(fā)射層和第三發(fā)射層可具有 不同的厚度。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一顏色可以是藍(lán)色，第二顏色可以是綠色， 第三顏色可以是紅色。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一電極可具有第一逸出功，第二電極可具有 比第一逸出功高的第二逸出功，第三電極可具有比第二逸出功高的第三逸出 功。在另一示例性實(shí)施例中， 一種有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極，包括反射 光的導(dǎo)體；第二電極，面對(duì)第一電極并包括半透明導(dǎo)體；第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件， 置于第一電極和第二電極之間，并包括發(fā)射第一顏色的第一發(fā)射層和發(fā)射第 二顏色的第二發(fā)射層；第三電極，面對(duì)第二電極并包括透明導(dǎo)體；第二有機(jī) 發(fā)光構(gòu)件，形成在第二電極和第三電極之間，并包括發(fā)射第三顏色的第三發(fā) 射層，其中，第一電極和第二電極形成微腔，向著第三電極發(fā)射通過(guò)微腔提 高了色純度的第三顏色的光，第三顏色的光從第三發(fā)射層發(fā)射，穿過(guò)第二電 極，被第一電極反射，并在穿過(guò)第三電極之前再次穿過(guò)第二電極。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一顏色可以是綠色，第二顏色可以是紅色， 第三顏色可以是藍(lán)色。


從下面結(jié)合附圖的對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的以上和其它方面、 特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚，在附圖中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例的等效電路圖；圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例中多個(gè)像素的 布置的示例性實(shí)施例的示意圖；圖3是示出了在圖2的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例中彼此相鄰的兩個(gè) 像素的俯視平面布局圖4和圖5是分別沿著圖3中的線IV-IV'-IV"-IV"'和V-V截取的剖視圖；圖6是示例性示出了在白色像素(W)處形成的半透明構(gòu)件的形狀的示 例性實(shí)施例的示意圖；圖7至圖ll是順序示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例的 構(gòu)造方法的剖視圖；圖12、圖14、圖16、圖19和圖22是順序示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā) 光裝置的示例性實(shí)施例的構(gòu)造方法的俯視平面布局圖；圖13是沿著圖12中的線xm-xnr-xin"截取的剖視圖；圖15是沿著圖14中的線XV-XV'-XV"截取的剖視圖；圖17和圖18是分別沿著圖16中的線xvii-xvir-xvn"-xvn"'和XVIII-XVIII截取的剖^L圖；圖20和圖21是分別沿著圖19中的線XX-XX'-XX"-XX'"和XXI-XXI截取的剖^L圖；圖23和圖24是分別沿著圖22中的線xxin-xxnr-xxiir-xxnr'和XXIV-XXIV截取的剖^L圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的另一示例性實(shí)施例的俯視平面布局圖；圖26是沿著圖25中的線XXVI-XXVI截取的剖視圖；圖27是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的另一示例性實(shí)施例的示意圖；圖28是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的又一示例性實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在在下文中將參照附圖來(lái)更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，并不應(yīng)該被理解 為限于這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開(kāi)將是徹底和 完全的，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。相同的標(biāo)號(hào)始終 表示相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱作在另一元件上時(shí)，它可以直接在另一元件 上或者可在其間存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作直接在另一元件上時(shí)，
不存在中間元件。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng) 的任意和全部組合。應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"、"第三"等可在這里用來(lái)描述不 同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/ 或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)只是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、 層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱 作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。這里使用的術(shù)語(yǔ)只是出于描述特定實(shí)施例的目的，而不意在成為本發(fā)明 的限制。如這里所使用的，除非上下文清楚地指出，否則單數(shù)形式也意在包 括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)在說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)"包括"和/或"包含"時(shí)， 其表明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除 一個(gè)或多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組 的存在或添力口。此外，在此使用相關(guān)術(shù)語(yǔ)比如"在...下面，，或"底部的"、"在...上面"或"頂 部的"來(lái)描述在如附圖中示出的 一個(gè)元件與其它元件的關(guān)系。應(yīng)該理解的是， 相關(guān)術(shù)語(yǔ)意在包括除了附圖中描述的方位之外的裝置的不同方位。例如，如 果將一幅附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件"下面"的元件將隨后被 定位為在其它元件"上面"。因此，根據(jù)附圖的特定方位，術(shù)語(yǔ)"在...下面"可 以包括"在...下面，，和"在...上面"兩個(gè)方位。類似地，如果將一幅附圖中的裝 置翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件"以下"或"下方"的元件將隨后被定位為在其 它元件"以上"。因此，示例性術(shù)語(yǔ)"在...以下，，或"在...下方，，可以包括"在...以 上，，和"在...以下"兩個(gè)方位。除非另外限定，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)) 的含義與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。還應(yīng)該理解 的是，例如在通用字典里限定的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被理解為其含義與相關(guān)領(lǐng)域和本公 開(kāi)的內(nèi)容中它們的含義一致，并且除非在這里被特定地限定，否則不應(yīng)該被 理想化的或過(guò)度正式地理解。這里參照作為本發(fā)明理想實(shí)施例的示意性圖示的剖視圖來(lái)描述本發(fā)明的 示例性實(shí)施例。由此，將預(yù)料的是由例如制造技術(shù)和/或容差造成的圖示的形 狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被理解為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是將包括例如由制造造成的形狀的偏差。例如，示出或描述為平 坦的區(qū)域會(huì)通常具有粗糙或非線性的特征。此外，示出的銳角可以被倒圓。 因此，附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意在示出區(qū)域的 精確形狀，并不意在限制本發(fā)明的范圍。在下文中，將參照附圖來(lái)更詳細(xì)地描述本發(fā)明。首先，將參照?qǐng)D1來(lái)更充分地描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī) 發(fā)光裝置。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例的等效電路圖。參照?qǐng)D1,根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例包括多條信號(hào) 線121、 171和172;多個(gè)像素PX，連接到信號(hào)線。多個(gè)像素PX近似布置為 矩陣形狀。信號(hào)線包括多條柵極線121，傳輸柵極信號(hào)(也稱作掃描信號(hào))；多條 數(shù)據(jù)線171,傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；多條驅(qū)動(dòng)電壓線172，傳輸驅(qū)動(dòng)電壓。柵極線 121基本上沿行方向延伸，并大致彼此平行，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172 沿著列方向基本上垂直于柵極線121延伸并大致彼此平行。每個(gè)像素PX包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd、存儲(chǔ)電容器 Cst和有機(jī)發(fā)光二才及管LD。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs具有控制端、輸入端和輸出端。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs 的控制端連接到柵極線121，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs的輸入端連接到數(shù)據(jù)線171， 開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs的輸出端連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd。響應(yīng)施加到柵極線 121的掃描信號(hào)，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd傳輸施加到數(shù)據(jù) 線171的數(shù)據(jù)信號(hào)。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd也具有控制端、輸入端和輸出端。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管 Qd的控制端連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs;驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的輸入端連接到 驅(qū)動(dòng)電壓線，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的輸出端連接到有機(jī)發(fā)光二極管LD。驅(qū)動(dòng) 薄膜晶體管Qd使輸出電流ILD流入有機(jī)發(fā)光二極管LD。輸出電流的強(qiáng)度 根據(jù)施加在控制端和輸出端之間的電壓來(lái)變化。電容器Cst連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的控制端和輸入端之間。電容器 Cst充入施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的控制端的數(shù)據(jù)信號(hào)，并即使在開(kāi)關(guān)薄膜 晶體管Qs截止后還保持充入的數(shù)據(jù)信號(hào)。有機(jī)發(fā)光二極管LD具有陽(yáng)極，連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的輸出端；
陰極，連接到共電壓VSS。有機(jī)發(fā)光二極管LD發(fā)射根據(jù)由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd提供的輸出電流Iu)的大小而變化強(qiáng)度的光。多個(gè)像素可一起使用以顯示圖像，其中，每個(gè)像素包括發(fā)光二極管。在本示例性實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd是n溝 道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。然而，在可選的示例性實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管 Qs和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd中的至少一個(gè)可以是p溝道FET。此外，可選的示 例性實(shí)施例包括其中薄膜晶體管Qs和Qd、電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管LD 之間的連接關(guān)系可以互換的構(gòu)造。現(xiàn)在，將參照?qǐng)D2至圖5與圖1來(lái)描述圖1中示出的有機(jī)發(fā)光裝置的詳 細(xì)結(jié)構(gòu)。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例中多個(gè)像素的 布置的示例性實(shí)施例的示意圖，圖3是示出了圖2的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性 實(shí)施例中彼此相鄰的兩個(gè)像素的頂部平面布局圖，圖4和圖5是分別沿著圖 3中的線IV-IV'-IV"-IV"'和V-V截取的剖視圖。首先，參照?qǐng)D2，在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置中， 顯示紅色的紅色像素R、顯示綠色的綠色像素G和顯示藍(lán)色的藍(lán)色像素B和 不顯示任何顏色的白色像素W交替地布置。在本示例性實(shí)施例中，包括紅色 像素R、綠色像素G、藍(lán)色像素B和白色像素W的四個(gè)像素形成一組，可以 沿著行和/或列來(lái)重復(fù)這樣的組。然而，圖2中示出的形式只是一個(gè)示例性實(shí) 施例，可選的示例性實(shí)施例包括其中像素的布置可以不同地變換的構(gòu)造。如上所述，由于除了紅色像素R、綠色像素G和藍(lán)色像素B之外還包括 白色像素W，可以提高顯示器的亮度。接著，將參照?qǐng)D3至圖5來(lái)更充分地描述有機(jī)發(fā)光裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖3示出了圖2的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例中用虛線表示的白色像 素W和藍(lán)色像素B。在這兩個(gè)像素中，柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓 線172、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的結(jié)構(gòu)基本上彼此相似， 但是在這兩個(gè)不同的像素中有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)不同。因此，在圖3中， 相同的標(biāo)號(hào)表示相似的組件。在絕緣基底110上形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和多個(gè)線性半導(dǎo)體構(gòu)件151。 絕緣基底110的示例性實(shí)施例可以由透明的玻璃或塑料制成。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b具有島形，線性半導(dǎo)體構(gòu)件151基本上沿著橫向方向延
伸。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和線性半導(dǎo)體構(gòu)件151可以由結(jié)晶半導(dǎo)體材料制成，其 中，結(jié)晶半導(dǎo)體材料的示例性實(shí)施例包括微晶硅或多晶硅。多條柵極線121、多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b形 成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和線性半導(dǎo)體構(gòu)件151上。柵極線121傳輸柵極信號(hào)并基本上沿著橫向方向延伸。每條柵極線121 包括開(kāi)關(guān)控制電4及124a，向上延伸；端部129，用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng) 電路連接。在其中產(chǎn)生柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電路(未示出)集成在基底110 上的可選的示例性實(shí)施例中，柵極線121可以延伸為與柵極驅(qū)動(dòng)電路直接連 接。柵極線121與線性半導(dǎo)體構(gòu)件151具有基本相同的平面形狀。 驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b分別具有島形，并與柵極線121分隔。驅(qū)動(dòng)輸入電極173b面對(duì)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b，并設(shè)置在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b上。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，柵極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電 極175b可以由含鋁金屬(比如鋁(Al)或鋁合金)、含4艮金屬(比如4艮(Ag) 或銀合金)、含銅金屬(比如銅(Cu)或銅合金)、含鉬金屬(比如鉬(Mo) 或鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)制成。在可選的示例性實(shí)施例中，^冊(cè)極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出 電極175b可具有包括物理性質(zhì)不同的兩個(gè)導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，柵極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電才及173b和驅(qū)動(dòng)輸出電 極175b可以相對(duì)于基底110的表面傾斜大約30度和大約80度之間的角度。成對(duì)的歐姆接觸163b和165b分別形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和驅(qū)動(dòng)輸入電 極173之間和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間。此外，摻雜有雜 質(zhì)的線性半導(dǎo)體構(gòu)件161形成在柵極線121和線性半導(dǎo)體構(gòu)件151之間。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，線性半導(dǎo)體構(gòu)件161和歐姆接觸163b、 165b可 以由重度摻雜有n型雜質(zhì)比如磷(P )的微晶硅或摻雜有雜質(zhì)比如多晶硅的結(jié) 晶半導(dǎo)體材料制成。柵極絕緣層140形成在柵極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極 175b上，其中，柵極絕緣層140的示例性實(shí)施例由氧化硅(Si02)或氮化硅 (SiNx)制成。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層140可以是單層，在可 選的示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層140可以包括多個(gè)層，這多個(gè)層包括由氧
化硅制成的第 一層和由氮化硅制成的第二層。多個(gè)開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a形成在柵極絕緣層140上，其中，開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a 的示例性實(shí)施例由氫化非晶硅制成。開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a具有島形，并與開(kāi)關(guān)控 制電極124a疊置。多條數(shù)據(jù)線171、多條驅(qū)動(dòng)電壓線172和多個(gè)電極構(gòu)件176形成在開(kāi)關(guān) 半導(dǎo)體154a和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，并基本上沿著垂直方向延伸，以與柵極線121 交叉。數(shù)據(jù)線171與柵極線121電絕緣。每條數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)開(kāi)關(guān)輸 入電極173a,向著開(kāi)關(guān)控制電極124a延伸；端部179,用于與另一層或外部 驅(qū)動(dòng)電路連接。在其中產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)集成在基底 110上的示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171可以延伸成直接連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電壓線172傳輸驅(qū)動(dòng)電壓，并基本上沿著垂直方向延伸，以與4冊(cè)極 線121交叉。此外，驅(qū)動(dòng)電壓線172基本上平行于數(shù)據(jù)線171。每條驅(qū)動(dòng)電 壓線172包括突起177?？蛇x的示例性實(shí)施例包括其中驅(qū)動(dòng)電壓線172設(shè)置 成與柵極線121基本上平行的構(gòu)造。電極構(gòu)件176具有島形，并與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172分隔。電極 構(gòu)件176包括部分175a(下文中稱作"開(kāi)關(guān)輸出電極")，面對(duì)開(kāi)關(guān)輸入電極 173a;部分124b (下文中稱作"驅(qū)動(dòng)控制電極")，與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b疊置。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和電極構(gòu)件176 可以由與上述4冊(cè)極線121的材料相同的材料制成。數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和電極構(gòu)件176的側(cè)面可相對(duì)于基底110 的表面傾斜大約30度和大約80度之間的角度。成對(duì)的歐姆接觸163a和165a分別形成在開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a和開(kāi)關(guān)輸入電 極173a之間和開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a和開(kāi)關(guān)輸出電極175a之間。歐姆接觸163a 和165a具有島形形狀，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，歐姆接觸163a和165a可以 由氫化非晶硅或重度摻雜有雜質(zhì)(比如磷(P))的其它類似材料制成。濾色器形成在數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和電極構(gòu)件176上。由于圖3 至圖5僅示出白色像素W和藍(lán)色像素B，因此僅在藍(lán)色像素B中示出藍(lán)色濾 色器230B。然而，實(shí)際上，在紅色像素R、綠色像素G和藍(lán)色像素B中分 別形成紅色濾色器(未示出)、綠色濾色器(未示出)和藍(lán)色濾色器230B。 在當(dāng)前示例性實(shí)施例中，白色像素W不包括濾色器?？蛇x的示例性實(shí)施例包 括其中白色像素W可包括透明濾色器(未示出)的構(gòu)造。濾色器230B沒(méi)有形成在用于與外部電路連接的柵極線121的端部129 和數(shù)據(jù)線171的端部179,濾色器230B的邊緣可以與數(shù)據(jù)線171和4冊(cè)極線121 疊置。如上所述，通過(guò)形成具有疊置邊緣的濾色器230B,可防止在^^素之間 光的泄漏。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，層間絕緣層(未示出)可以形成在濾色器230B 下面。層間絕緣層可以防止濾色器的顏料(pigment)流入驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b 或開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a。鈍化層180形成在濾色器230B、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和電極構(gòu) 件176上。多個(gè)接觸孔185a和182形成在鈍化層180中，其中，接觸孔185a用于 暴露驅(qū)動(dòng)電壓線172的突起177,接觸孔182用于暴露數(shù)據(jù)線171的端部179， 多個(gè)接觸孔181、 184和185b形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中，其中， 接觸孔181用于暴露4冊(cè)才及線121的端部129, 4妻觸孔184用于暴露驅(qū)動(dòng)輸入 電極173b,接觸孔185b用于暴露驅(qū)動(dòng)輸出電極175b。多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔助件81、 82形成在 鈍化層180上。像素電極191通過(guò)接觸孔185b連接到驅(qū)動(dòng)輸出電才及175b。連接構(gòu)件85分別通過(guò)接觸孔185a 、 184連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172的突起 177和驅(qū)動(dòng)輸入電極173b。此外，連接構(gòu)件85與驅(qū)動(dòng)控制電極124b的一部 分疊置，從而形成存儲(chǔ)電容器Cst。接觸輔助件81通過(guò)接觸孔181連接到柵4及線121的端部129, 4姿觸輔助 件82通過(guò)接觸孔182連接到數(shù)據(jù)線171的端部179。當(dāng)4妄觸輔助件81和82 被粘附到外部裝置時(shí)，接觸輔助件81和82補(bǔ)充柵極線121的端部129和數(shù) 據(jù)線171的端部179與外部裝置之間的粘附，并防止上述元件分離。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，像素電極191、連接構(gòu)件85和接觸輔助件81、 82可以由透明導(dǎo)電材料比如氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)制成。多個(gè)半透明構(gòu)件192形成在白色像素W的像素電極191上。半透明構(gòu)件 192的材料沒(méi)有特別的限制，只要材料透射一部分光并反射一部分光。半透 明構(gòu)件192的示例性實(shí)施例包括不透明且吸收系數(shù)低的導(dǎo)體比如Al或Ag,
所述導(dǎo)體被形成為具有大約ioA至大約iooA的薄的厚度，以成為半透明的。根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，半透明構(gòu)件192位于^f象素電極191上， 但是可選的示例性實(shí)施例包括其中半透明構(gòu)件192可以位于像素電才及191下 面的構(gòu)造。在當(dāng)前示例性實(shí)施例中，紅色像素R、綠色像素G和藍(lán)色像素B不包括 半透明構(gòu)件192。半透明構(gòu)件192僅形成在從發(fā)射層發(fā)射的光穿過(guò)的區(qū)域的一部分中，像 素電極191在其它區(qū)域中被暴露。圖3至圖5示例性示出了具有西洋跳棋盤(checkerboard)圖案的半透明 構(gòu)件192，但是本發(fā)明不限于此?？蛇x的示例性實(shí)施例包括其中半透明構(gòu)件 192可以由圖6中示出的形狀形成的構(gòu)造。圖6是示例性示出形成在白色像素W上的半透明構(gòu)件192的形狀的示例 性實(shí)施例的示意圖。在圖6中，(a)示出了沿著像素電極191的邊緣形成的構(gòu)造中的半透明 構(gòu)件192的形狀；(b)示出了僅在像素電極191的一角形成的構(gòu)造中的半透 明構(gòu)件192的形狀；(c)示出了形成在像素電極191的中心的構(gòu)造中的半透 明構(gòu)件192的形狀。在上述示例性實(shí)施例的任意一個(gè)中，僅在從發(fā)射層發(fā)射 的光穿過(guò)的區(qū)域的一部分中形成半透明構(gòu)件192,像素電極191在其它區(qū)域 被暴露。穿過(guò)像素電極191的光透射到基底的整個(gè)表面，傳播到半透明構(gòu)件 192的光中只有一部分透射到基底的整個(gè)表面，而沒(méi)有透射穿過(guò)半透明構(gòu)件 192的光^皮反射。再次參照?qǐng)D3至圖5,在像素電極191、半透明構(gòu)件192、連接構(gòu)件85 和鈍化層180上形成絕緣堤361。絕緣堤361包圍像素電才及191的邊緣以限 定開(kāi)口 365。絕緣堤361的示例性實(shí)施例可以由耐熱且耐溶劑的有機(jī)絕緣體 比如丙烯酸樹(shù)脂(acrylic resin )、聚酰亞胺樹(shù)脂制成，或者可以由無(wú)機(jī)絕緣體 比如二氧化硅(Si02)和二氧化鈦(Ti02)制成，并可具有由兩層或更多層 組成的多層的結(jié)構(gòu)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，絕緣堤361可以由包括黑色顏 料的感光材料制成。在這樣的示例性實(shí)施例中，絕緣堤361用作阻光構(gòu)件， 且形成這種堤的工藝簡(jiǎn)單。在絕緣堤361和像素電極191上形成有機(jī)發(fā)光構(gòu)件。有機(jī)發(fā)光構(gòu)件可包括發(fā)射層370,發(fā)射光；輔助層(未示出)，提高發(fā) 發(fā)射層370可以發(fā)射白光。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以通過(guò)順序地層 壓發(fā)光(比如紅光、綠光和藍(lán)光)材料以形成多個(gè)子發(fā)射層(未示出)來(lái)構(gòu) 造白光發(fā)射層，通過(guò)將這些顏色組合來(lái)發(fā)射白光。示例性實(shí)施例包括其中子 發(fā)射層可以垂直地或水平地形成的構(gòu)造。此外，只要發(fā)射白光，可以組合各 種顏色及紅色、纟錄色和藍(lán)色。發(fā)射層370的示例性實(shí)施例可以由高分子量材料或低分子量材料制成。 高分子量材料的示例性實(shí)施例可包括例如聚芴衍生物、(聚)對(duì)苯乙炔衍生 物、聚亞苯基衍生物、聚乙烯呻唑、聚p塞吩衍生物。此外，低分子量材料的 示例性實(shí)施例可包括蒽(比如9，10-二苯基蒽(9,10-diphenylanthracene))、 丁 二烯(比如四苯丁二烯(tetraphenylbutadiene ))、 并四苯、雙芪類(distyrylarylene)衍生物、。引咮衍生物、?？ㄟ蜓苌?。上述的高分子量材料 或低分子量材料被稱作主體材料(host material),可以通過(guò)給主體材料摻雜摻 雜劑來(lái)提高其發(fā)射效率。摻雜劑的示例性實(shí)施例包括(夾)氧雜蒽(xanthene)、 芘、香豆素(cumarin )、若丹明、紅熒烯、二氰基亞曱基吡喃(dicyanomethylenepyran) 4匕合物、p塞喃(thiopyran) 4匕合物、p塞喃鎿((thia) pyrylium)化合物、二茚并(l,2,3-cd:l',2',3'-lm)菲(periflanthene)衍生物、茚 并芘(indenoperylene )衍生物、嗜r諾酮(carbostyril)化合物、尼羅紅、查吖 啶酮。輔助層的示例性實(shí)施例包括電子傳輸層(未示出)、空穴傳輸層(未示出)、 電子注入層(未示出)和空穴注入層(未示出)，其中，電子傳輸層和空穴傳 輸層用于調(diào)節(jié)電子和空穴的平衡，電子注入層和空穴注入層用于加強(qiáng)電子和 空穴的注入。此外，可選的示例性實(shí)施例包括其中輔助層可包括兩層或更多 層的上述層的結(jié)構(gòu)。空穴傳輸層和空穴注入層可以由具有在^^素電極191的逸出功和發(fā)射層 的最高占用分子軌道(HOMO)能級(jí)之間的HOMO能級(jí)的材料制成，電子傳 輸層和電子注入層可以由具有在共電極270的逸出功和發(fā)射層的最低空分子 軌道(LUMO)能級(jí)之間的LUMO能級(jí)的材料制成。空穴傳輸層或空穴注入層的示例性實(shí)施例包括二胺、[4，4'，4"-三(3-甲基苯 基)苯基氨基]三苯胺([4,4',4"-tris (3-methylphenyl) phenylamino] triphenylamin， MTDATA)、 N,N'-二苯基-N，N'-二 (3-甲基苯基)-1,1'-二苯基-4,4'-二胺 (N，N'-diphenyl隱N, N'-di (3-methylphenyl)-l,r-biphenyl-4，4'-diamine ,TPD )、 1,1- 二 ( 4- 二 -對(duì)-曱苯基氨基苯基)環(huán)己胺 (l,l-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane))、 N，N，N'，N'-四(2-萘基)-4,4-二 氨基-對(duì)-三聯(lián)苯(N,N,N',N'-tetra(2-naphthyl)陽(yáng)4，4-diamino-p畫(huà)terphenyl)、 4,4',4-三 [(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(4,4'，4-tris[(3-methylphenyl) phenylamino] triphenylamine)、聚吡咯、聚苯胺、聚-(3,4-乙烯基二氧噻吩)聚苯乙烯石黃 酸鹽(poly-(3，4-ethylenedioxythiophene : polystyrenesulfonate "PEDOT: PSS，，)。共電極270形成在有機(jī)發(fā)光構(gòu)件370上。共電極270具有j氐逸出功，并 可由具有高反射率的金屬制成，金屬的示例性實(shí)施例包括Al、 Au、 Pt、 Ni、 Cu、 W或其合金。共電極270基本形成在整個(gè)基底上方，當(dāng)共電極270與像 素電極191成對(duì)時(shí)，使得電流流入發(fā)射層370。在下文中，將描述白色像素W的示例性實(shí)施例。共電極270與半透明構(gòu)件192產(chǎn)生微腔效應(yīng)(microcavity effect )。微腔 效應(yīng)通過(guò)反復(fù)地向彼此分隔預(yù)定距離的反射層和半透明層反射光來(lái)將特定波 長(zhǎng)的光放大。這里，共電極270用作反射層，半透明構(gòu)件192用作半透明層。共電極270形成用于提高從發(fā)射層370發(fā)射的光的發(fā)射效率的微腔。通 過(guò)半透明構(gòu)件192來(lái)增強(qiáng)與孩t腔的共"t展波長(zhǎng)(resonance wavelength)對(duì)應(yīng)的 波長(zhǎng)附近的光的發(fā)射，而其它波長(zhǎng)的光被抑制。在這樣的示例性實(shí)施例中， 可以根據(jù)共電極270和半透明構(gòu)件192之間的距離來(lái)確定具有特定波長(zhǎng)的光 的增強(qiáng)和抑制。因此，可通過(guò)控制輔助層(未示出)和發(fā)射層370的厚度來(lái) 增強(qiáng)和抑制具有特定波長(zhǎng)的光。根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，可以通過(guò)選擇性地從發(fā)射層370發(fā)射已 經(jīng)向著藍(lán)色波長(zhǎng)調(diào)整的白光，來(lái)提高顯示器的藍(lán)色的純度。由此，克服了由 于發(fā)光材料的限制導(dǎo)致的顯示器的發(fā)射效率的限制，具體地講，克服了由于 藍(lán)色發(fā)光材料的低發(fā)射效率導(dǎo)致的限制，從而可以得到不受其中任何單獨(dú)組 分的效率限制的白色發(fā)光層。雖然針對(duì)調(diào)整白色發(fā)光層和半透明構(gòu)件192來(lái) 增強(qiáng)白光中的藍(lán)色分量來(lái)描述了當(dāng)前示例性實(shí)施例，但是可選的示例性實(shí)施 例包括其中白色發(fā)光層和半透明構(gòu)件192可以被調(diào)整為增強(qiáng)白光中的其它分 量(比如紅色分量或綠色分量)的構(gòu)造。此時(shí)，如上所述，像素電極191的一部分被半透明構(gòu)件192覆蓋，而剩 余部分被暴露。因此，可以通過(guò)在形成半透明構(gòu)件192的區(qū)域中的微腔來(lái)發(fā) 射藍(lán)光，而白光直接穿過(guò)沒(méi)有形成半透明構(gòu)件192的區(qū)域，即，穿過(guò)像素電極191被暴露的區(qū)域。此時(shí)，由于穿過(guò)像素電極191的白光不包括^皮半透明 構(gòu)件192部分反射的藍(lán)光，因此由于白光中減少了部分藍(lán)光，導(dǎo)致白光具有 微黃的色彩。最后，通過(guò)將藍(lán)光和微黃的白色組合來(lái)使發(fā)射到基底外部的光 具有全白色。在不存在微腔效應(yīng)的地方，如果相同的電流施加到包括紅色子發(fā)射層、 綠色子發(fā)射層和藍(lán)色子發(fā)射層的發(fā)射層，則每個(gè)子發(fā)射層發(fā)射顏色特性不同 的顏色，其中，紅色子發(fā)射層和綠色子發(fā)射層都具有高發(fā)射效率，藍(lán)色子發(fā) 射層具有低發(fā)射效率。此外，每個(gè)子發(fā)射層在給定的電壓下將發(fā)射不同量的 光，因此最后得到的光將對(duì)效率更高的子發(fā)射層的顏色具有更大的權(quán)重。因 此，難以通過(guò)組合來(lái)自所有三個(gè)子發(fā)射層的光來(lái)發(fā)射白光。根據(jù)本發(fā)明的該 示例性實(shí)施例，克服了由于發(fā)射材料而導(dǎo)致的發(fā)射效率的限制，從而得到了 指定的白光。在有機(jī)發(fā)光裝置的當(dāng)前示例性實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管Qs設(shè)置有開(kāi) 關(guān)控制電極124a，連接到柵極線121;開(kāi)關(guān)輸入電極173a，連接到數(shù)據(jù)線171; 開(kāi)關(guān)輸出電極175a,與驅(qū)動(dòng)控制電極124b連接，其中，開(kāi)關(guān)控制電極124a、 開(kāi)關(guān)輸入電極173a和開(kāi)關(guān)輸出電極175a與開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a—起設(shè)置。開(kāi)關(guān)關(guān)半導(dǎo)體154a中。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd設(shè)置有驅(qū)動(dòng)控制電極124a，連接到 開(kāi)關(guān)輸出電極175a;驅(qū)動(dòng)輸入電極173b,連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172;驅(qū)動(dòng)輸出 電極175b，連接到像素電極191，其中，驅(qū)動(dòng)控制電極124a、驅(qū)動(dòng)輸入電極 173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b —起設(shè)置。驅(qū)動(dòng)TFT Qd的溝 道形成在位于驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體 154b中。有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置有像素電極191、發(fā)射層370和共電極270。此時(shí)， 像素電極191用作陽(yáng)極，共電極270用作陰極。在可選的示例性實(shí)施例中， 像素電極191可用作陰極，共電極270可用作陽(yáng)極。如上所述，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a由非晶半導(dǎo)體制成， 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b由結(jié)晶半導(dǎo)體制成。即，在當(dāng)前的示例性實(shí)施例中，開(kāi)關(guān) TFT Qs的溝道形成在非晶半導(dǎo)體中，驅(qū)動(dòng)TFT Qd的溝道形成在結(jié)晶半導(dǎo)體 中。
根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前示例性實(shí)施例，開(kāi)關(guān)TFT Qs和驅(qū)動(dòng)TFT Qd的溝道分 別形成在具有不同的結(jié)晶狀態(tài)的半導(dǎo)體中。因此，可以滿足每個(gè)TFT所需的 單獨(dú)的、不同的特性。如果驅(qū)動(dòng)TFT Qd的溝道形成在微晶或多晶半導(dǎo)體中，則可以得到高的 載流子遷移率和穩(wěn)定性。因此，流入發(fā)光元件的穩(wěn)定的電流量增加，從而亮 度提高。此外，如果驅(qū)動(dòng)TFT Qd的溝道形成在微晶或多晶半導(dǎo)體中，則可 以防止閾值電壓Vth漂移。閾值電壓Vth漂移是指閾值電壓Vth的逐漸改變， 隨著時(shí)間流逝，閾值電壓的這種改變將由于造成圖像滯留而劣化顯示器的圖 像品質(zhì)，這種漂移會(huì)最終縮短顯示器的壽命。閾值電壓Vth飄移是由于在驅(qū) 動(dòng)過(guò)程中連續(xù)施加正電壓而產(chǎn)生的。因此，當(dāng)前示例性實(shí)施例可減少或有歲文 防止圖像滯留和顯示裝置的壽命縮短。同時(shí)，由于開(kāi)關(guān)TFTQs控制數(shù)據(jù)電壓，所以TFTQs的導(dǎo)通/截止特性是 重要的，具體地講，重要的是減少流過(guò)處于截止?fàn)顟B(tài)的TFT的電流量。但是， 如果開(kāi)關(guān)TFTQs由^l晶或多晶半導(dǎo)體制成，則開(kāi)關(guān)TFTQs將具有大的截止 電流，且穿過(guò)處于導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)的開(kāi)關(guān)TFT Qs的數(shù)據(jù)電壓之間的電壓 差將減小。因此，會(huì)產(chǎn)生降低圖像顯示品質(zhì)的串?dāng)_。因此，在當(dāng)前示例性實(shí) 施例中，可以通過(guò)使開(kāi)關(guān)TFTQs形成有具有低截止電流的非晶半導(dǎo)體，來(lái)防 止數(shù)據(jù)電壓的降低并減少串?dāng)_。根據(jù)本發(fā)明的該當(dāng)前示例性實(shí)施例，示出了一個(gè)開(kāi)關(guān)TFTQs和一個(gè)驅(qū)動(dòng) TFT Qd，但是可選的示例性實(shí)施例還可包括至少一個(gè)TFT和用于驅(qū)動(dòng)TFT 的多條布線。由此，即使當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光裝置時(shí)，也可以通過(guò)防止或 補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)TFT Qd的劣化，來(lái)防止有機(jī)發(fā)光裝置的壽命縮 短。本發(fā)明的上述示例性實(shí)施例已經(jīng)示例性地說(shuō)明了將發(fā)射層370發(fā)射的光 向著基底110透射的底部發(fā)射結(jié)構(gòu)。然而，可以使用構(gòu)造為頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的 示例性實(shí)施例，在頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)中，將從發(fā)射層370發(fā)射的光向著共電極270 透射。在這樣的示例性實(shí)施例中，像素電極191可以由不透明的導(dǎo)體比如Al、 Au、 Pt、 Ni、 Cu、 W或其合金制成，共電極可以由透明導(dǎo)體比如ITO或IZO 制成。此外，在構(gòu)造為頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的示例性實(shí)施例中，濾色器230B、紅色 濾色器和綠色濾色器(未示出)位于發(fā)射層370的上表面。接著，將參照?qǐng)D7至圖23來(lái)詳細(xì)描述圖2至圖5中示出的有機(jī)發(fā)光裝置
的示例性實(shí)施例的構(gòu)造方法的示例性實(shí)施例。圖7至圖ll是順序示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例的構(gòu)造方法的一個(gè)示例性實(shí)施例的剖^L圖；圖12、圖14、圖16、圖19和圖22 是順序示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例的構(gòu)造方法的 一個(gè)示例性實(shí)施例的俯視平面布局圖；圖13是沿著圖12中的線xin-xnr-xin"截取的剖視圖；圖15是沿著圖14中的線XV-XV'-XV"截取的剖視圖；圖17和圖18是分別沿著圖16中的線xvn-xvn'-xvir'- xvir"和xvin-xvm截取的剖視圖；圖20和圖21是分別沿著圖19中的線XX-XX'-XX"-XX"'和 XXI-XXI截取的剖視圖；圖23和圖24是分別沿著圖22中的線xxin-xxin'-xxnr-xxnr'和xxiv-xxiv截取的剖視圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例性實(shí)施例的俯視平面布局圖；圖26是沿著圖25中 的線XXVI-XXVI截取的剖^L圖。首先，如圖7和圖8中所示，非晶硅層150a和摻雜有雜質(zhì)的非晶硅層160a 順序地層壓在絕緣基底110上。接著，通過(guò)分別將非晶硅層150a和摻雜有雜質(zhì)的非晶硅層160a結(jié)晶來(lái) 形成多晶硅層150b和摻雜有雜質(zhì)的多晶硅層160b。結(jié)晶的示例性實(shí)施例可 以例如通過(guò)固相結(jié)晶(SPC)、快速熱退火(RTA)、液相重結(jié)晶(LPR)或準(zhǔn) 分子激光退火(ELA)的工藝來(lái)執(zhí)行。 一個(gè)示例性實(shí)施例利用SPC工藝。接著，在摻雜有雜質(zhì)的多晶硅層160b上層壓導(dǎo)電層120，導(dǎo)電層120的 示例性實(shí)施例由含鋁金屬制成，將光阻劑層45涂覆在導(dǎo)電層120上。然后，具有光透射區(qū)15a、光遮蔽區(qū)15b和光半透射區(qū)15c的掩模15設(shè) 置在光阻劑層45的上方。光半透射區(qū)15c的示例性實(shí)施例包括隙縫(slit)圖 案、格子圖案或具有中間透射率或中間厚度的薄膜。在其中使用隙縫圖案的 一個(gè)示例性實(shí)施例中，隙縫的寬度或隙縫之間的間隔小于在光工藝中使用的 曝光裝置的分辨率。接著，如圖9所示，通過(guò)對(duì)光阻劑層45曝光和顯影來(lái)形成第一光阻劑圖 案45a和比第一光阻劑圖案45a薄的第二光阻劑圖案45b。為了方便描述，有機(jī)發(fā)光裝置可以被分為電極區(qū)(A)、溝道區(qū)(B)和 剩余區(qū)(C)，其中，剩余區(qū)(C)基本上是所有除了電極區(qū)(A)和溝道區(qū)(B) 之外的任何區(qū)域。柵極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b形 成在電極區(qū)域(A)內(nèi)。此外，在溝道區(qū)(B)中的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b中形成
溝道。
位于電極區(qū)(A)的第一光阻劑圖案45a被形成為比位于溝道區(qū)(B)的 第二光阻劑圖案45b厚，位于剩余區(qū)(C)的光阻劑層被完全去除。此時(shí)，根 據(jù)將在隨后描述的刻蝕工藝中的工藝條件，第一光阻劑圖案45a的厚度和第 二光阻劑圖案45b的厚度的比是不同的。然而，在一個(gè)示例性實(shí)施例中；第 二光阻劑圖案45b的厚度被設(shè)置為第一光阻劑圖案45a的厚度的大約1/2或 更薄。
接著，如圖IO所示，利用第一光阻劑圖案45a和第二光阻劑圖案45b作 為掩模，濕蝕刻暴露在剩余區(qū)(C)中的導(dǎo)電層120。通過(guò)對(duì)導(dǎo)電層120進(jìn)行 濕蝕刻來(lái)形成包括開(kāi)關(guān)控制電極124a和端部129的柵極線121及導(dǎo)電構(gòu)件 174b。
然后，利用柵極線121和導(dǎo)電構(gòu)件174b作為掩模，干蝕刻在剩余區(qū)域(C) 中暴露的多晶硅層150b和摻雜有雜質(zhì)的多晶硅層160b。通過(guò)對(duì)多晶硅層150b 和摻雜有雜質(zhì)的多晶硅層160b進(jìn)行干蝕刻，來(lái)形成線性半導(dǎo)體構(gòu)件151、驅(qū) 動(dòng)半導(dǎo)體154b、摻雜有雜質(zhì)的線性半導(dǎo)體構(gòu)件161和歐姆接觸層164b。此時(shí)， 形成線性半導(dǎo)體構(gòu)件151和摻雜有雜質(zhì)的線性半導(dǎo)體構(gòu)件161，以使其具有 與柵極線121的形狀基本相同的平面形狀。此外，形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和歐 姆接觸層164b，以使其具有與導(dǎo)電構(gòu)件174b的形狀基本相同的平面形狀。
接著，如圖ll所示，利用回蝕工藝(etch back process )來(lái)去除溝道部分 B的第二光阻劑圖案45b,回蝕工藝的示例性實(shí)施例包括灰化工藝。此時(shí)，將 第 一光阻劑圖案45a的厚度減少與第二光阻劑圖案45b的厚度基本相等的量。
此外，由于去除了第二光阻劑圖案45b,因此導(dǎo)電構(gòu)件174b被劃分為驅(qū) 動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b，歐姆接觸層164b暴露于驅(qū)動(dòng)輸入電 極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間的通道。
如圖12和圖13所示，去除第一光阻劑圖案45a的剩余部分，利用驅(qū)動(dòng) 輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b作為掩模來(lái)干蝕刻歐姆接觸層164b，從 而通過(guò)對(duì)歐姆沖妻觸層164b的干蝕刻來(lái)形成成對(duì)的歐姆4姿觸163b和165b。接著，如圖14和圖15所示，柵極絕緣層140形成在絕緣基底110和信 號(hào)線上。然后，本征非晶硅層、摻雜有雜質(zhì)的非晶硅層連續(xù)地層壓在柵極線 121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b上，然后通過(guò)對(duì)本征非晶硅層 和摻雜有雜質(zhì)的非晶硅層進(jìn)行光刻來(lái)形成開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a和歐姆接觸層 164a。如圖16至圖18所示，導(dǎo)電層層壓在柵極絕緣層140和歐姆接觸層164a 上，然后，通過(guò)光刻工藝來(lái)形成包括開(kāi)關(guān)輸入電極173a和端部179的數(shù)據(jù)線 171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和電極構(gòu)件176。電極構(gòu)件176包括開(kāi)關(guān)輸出電極175a 和驅(qū)動(dòng)控制電纟及124b。接著，利用開(kāi)關(guān)輸入電極173a和開(kāi)關(guān)輸出電極175a作為掩模來(lái)蝕刻歐 姆接觸層164a,從而通過(guò)對(duì)歐姆接觸層164a的蝕刻來(lái)形成成對(duì)的歐姆接觸 163a和165a。對(duì)歐姆4妾觸層164a的蝕刻還暴露開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a的一部分。然后，如圖19至圖21所示，濾色器230B形成在數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓 線172、電極構(gòu)件176、暴露的開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a和柵極絕緣層140上。根據(jù) 在圖2中示出的一個(gè)示例性實(shí)施例的像素的布置，濾色器在紅色像素R中形 成紅色濾色器，在綠色像素G中形成綠色濾色器，在藍(lán)色像素B中形成藍(lán)色 濾色器。此外，在白色像素W中不形成單獨(dú)的濾色器，可以在白色像素W 中形成透明的絕緣層。然后，鈍化層180層壓在濾色器230B上，也層壓在其它濾色器(未示出) 上并層壓在白色像素上方。通過(guò)光刻工藝在鈍化層180和柵極絕緣層140中 形成多個(gè)接觸孔181、 182、 184、 185a和185b。接著，如圖22至圖24所示，通過(guò)在沉積透明的導(dǎo)電層之后執(zhí)行光刻工 藝，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、連接構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔助件 81、 82,其中，透明導(dǎo)電層的示例性實(shí)施例包括ITO或IZO。在白色像素W的像素電極191上形成半透明構(gòu)件192。接著，如圖3至圖5所示，通過(guò)對(duì)光阻劑層的曝光和隨后的顯影，在像 素電極191、半透明構(gòu)件192、連接構(gòu)件85、多個(gè)接觸輔助件81、 82和鈍化 層180上形成具有多個(gè)開(kāi)口 365的絕^彖i是361。然后，順序地形成多個(gè)輔助層(未示出)和發(fā)射層370。在一個(gè)示例性 實(shí)施例中，可以通過(guò)比如沉積或噴墨印刷的工藝來(lái)形成輔助層和發(fā)射層370。最后，在絕緣堤361和發(fā)射層370上形成共電極270。在下文中，將參照?qǐng)D25和圖26來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示 例性實(shí)施例。圖25是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的另一示例性實(shí)施例的俯視平面布 局圖，圖26是沿著圖25中的線XXVI-XXVI截取的剖視圖。
除了濾色器和有機(jī)發(fā)光二極管之外，根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的有 機(jī)發(fā)光裝置與上述實(shí)施例中的有機(jī)發(fā)光裝置基本上近似。即，在絕緣基底110上形成由結(jié)晶半導(dǎo)體材料制成的多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和多個(gè)線性半導(dǎo)體構(gòu)件151,結(jié)晶半導(dǎo)體材料的示例性實(shí)施例包括微晶硅或多晶硅。在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和線性半導(dǎo)體構(gòu)件151上形成多條柵極線121、多個(gè) 驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b。歐姆接觸163b形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和驅(qū)動(dòng)輸入電極173b之間，歐姆線121和線性半導(dǎo)體構(gòu)件151之間形成摻雜有雜質(zhì)的線性半導(dǎo)體構(gòu)件161。柵極絕緣層140形成在柵極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極 175b上，由氫化的非晶硅制成的多個(gè)開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a形成在柵極絕緣層140上。包括開(kāi)關(guān)輸入電極173a的數(shù)據(jù)線171、包括突起177的驅(qū)動(dòng)電壓線172 和包括開(kāi)關(guān)輸出電極175a和驅(qū)動(dòng)控制電極124b的電極構(gòu)件176形成在開(kāi)關(guān) 半導(dǎo)體154a和柵極絕緣層140上。歐姆接觸163a形成在開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a和開(kāi)關(guān)輸入電極173a之間，歐姆 接觸165a形成在開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體154a和開(kāi)關(guān)輸出電才及175a之間。濾色器形成在數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和電極構(gòu)件176上。此時(shí)， 與前述的示例性實(shí)施例不同，濾色器僅形成在紅色像素R和綠色像素G中。 白色像素W不包括濾色器，或包括透明濾色器(未示出)，藍(lán)色像素B不包 括濾色器。具有多個(gè)接觸孔181、 182、 184、 185a和185b的鈍化層180形成在數(shù)據(jù) 線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和電4及構(gòu)件176上。多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔助件81、 82形成在 鈍化層180上。半透明構(gòu)件192和193分別形成在白色像素W和藍(lán)色像素B的像素電極 191上。與上述示例性實(shí)施例類似地，白色像素W的半透明構(gòu)件192僅形成 在從發(fā)射層370發(fā)射的光穿過(guò)的區(qū)域的一部分上，像素電極191在剩余的區(qū) 域中被暴露。同時(shí)，藍(lán)色像素B的半透明構(gòu)件193基本形成在從發(fā)射層370 發(fā)射的光穿過(guò)的整個(gè)區(qū)域上。
根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，半透明構(gòu)件192和193位于像素電極191 上，但是另外的示例性實(shí)施例包括其中半透明構(gòu)件可位于像素電極191下面 的構(gòu)造。紅色像素R和綠色像素G不包括半透明構(gòu)件192和193。絕緣堤361形成在像素電極191、半透明構(gòu)件192和193、連接構(gòu)件85 和接觸輔助件81和82上。絕緣堤361限定開(kāi)口 365。多個(gè)子發(fā)射層(未示出)順序地層壓在絕緣堤361和像素電極191上， 發(fā)射白光的發(fā)射層370形成在子發(fā)射層上，共電極270形成在發(fā)射層370上。該示例性實(shí)施例的白色像素W與上述示例性實(shí)施例的白色像素W基本 上相似。即，在形成半透明構(gòu)件192的區(qū)域中，通過(guò)在共電極270和半透明 構(gòu)件192之間產(chǎn)生的微腔效應(yīng)，可從發(fā)射層370發(fā)射藍(lán)光。在沒(méi)有形成半透 明構(gòu)件192的區(qū)域中，微黃的白光可直接發(fā)射穿過(guò)像素電極191。因此，可 以通過(guò)如上所述的微黃的白光和藍(lán)光的組合來(lái)發(fā)射全白光。與上述示例性實(shí)施例不同，在該示例性實(shí)施例中，藍(lán)色像素B也不包括 濾色器。通過(guò)共電極270和半透明構(gòu)件193之間產(chǎn)生的微腔效應(yīng)，藍(lán)色像素 B可從發(fā)射層370發(fā)射藍(lán)光。藍(lán)色像素B的半透明層193基本形成在藍(lán)色像 素的整個(gè)發(fā)光表面上方，從而僅發(fā)射藍(lán)光。因此，可以在沒(méi)有單獨(dú)的濾色器 的情況下發(fā)射具有高的色純度的藍(lán)光。根據(jù)上述示例性實(shí)施例，假設(shè)在紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料中，藍(lán)色發(fā) 光材料的發(fā)射效率最低。然而，在其中紅色發(fā)光材料和綠色發(fā)光材料的發(fā)射 效率相對(duì)低的可選的示例性實(shí)施例中，利用微腔現(xiàn)象的半透明構(gòu)件的使用可 以以類似的方式應(yīng)用到紅色像素或綠色像素。此外，即使當(dāng)通過(guò)組合不同于 紅色、綠色和藍(lán)色的顏色來(lái)產(chǎn)生白光時(shí)，通過(guò)考慮各個(gè)顏色的發(fā)射效率也可 以以相同的方式來(lái)應(yīng)用樣i腔效應(yīng)。下文中，將描述本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例。該示例性實(shí)施例表示通過(guò)利用上述微腔效應(yīng)能夠提高特定光的色純度的 有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)。圖27是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的另 一示例性實(shí)施例的示意圖。參照?qǐng)D27,有機(jī)發(fā)光裝置500包括透明基底10、下電極20、第一有機(jī) 發(fā)光構(gòu)件30、中間電4及40、第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60和上電極70。下電極20形成在透明基底IO上，并由透明的導(dǎo)電材料制成。在一個(gè)示
例性實(shí)施例中，下電極20可以由ITO或IZO制成。第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30包括層壓在下電極20上的綠色發(fā)射層G和紅色發(fā) 射層R。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，紅色發(fā)射層R層壓在綠色發(fā)射層G上。在 一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一有才幾發(fā)光構(gòu)件30還可包括位于綠色發(fā)射層G和 下電極20之間的空穴注入層31和空穴傳輸層32。同時(shí)，可選的示例性實(shí)施例包括其中紅色發(fā)射層R和綠色發(fā)射層G的層 壓順序可以改變的構(gòu)造，紅色發(fā)射層R和綠色發(fā)射層G的厚度可以彼此不同。中間電極40形成在第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30上，并由半透明的金屬制成。 可以通過(guò)薄地沉積金屬層來(lái)將中間電極40形成為半透明的。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，中間電極40可以由比下電極20的逸出功小的 材料制成。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30還可包括位于紅色發(fā)射層 R和中間電極40之間的電子傳輸層33和電子注入層34。第一有機(jī)發(fā)光元件50包括下電極20、第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30和中間電極40。下電4及20用作第一有機(jī)發(fā)光元件50的陽(yáng)極。下電4及20接收電壓，以將 空穴提供到第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30中。中間電極40用作第一有機(jī)發(fā)光元件50的陰極。中間電極40接收電壓， 以將電子注入到第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30中。包括藍(lán)色發(fā)射層B的第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60形成在中間電極40上。第二 有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60還可包括位于藍(lán)色發(fā)射層B和中間電才及40之間的空穴注入 層61和空穴傳輸層62。上電極70形成在第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60上。上電極70可以由能夠反射光 的導(dǎo)體制成。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，上電極70可以由比中間電極40的逸 出功小的材料制成。第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60還可包括位于藍(lán)色發(fā)射層B和上電極70之間的電 子傳輸層63和電子注入層64。第二有機(jī)發(fā)光元件80包括中間電極40、第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60和上電極70。中間電極40用作第二有機(jī)發(fā)光元件80的陽(yáng)極。中間電極40接收電壓， 以將空穴提供到第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中。上電極70用作第二有機(jī)發(fā)光元件80的陰極。上電極70接收電壓，以將電子提供到第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中。下文中，將詳細(xì)描述有機(jī)發(fā)光裝置500的示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示 例性實(shí)施例。首先，當(dāng)電壓施加到第二有機(jī)發(fā)光元件80的中間電極40和上電極70時(shí)， 從上電極和中間電4及40分別向第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60傳輸電子和空穴。注入到第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中的電子和空穴在第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中 復(fù)合以形成激子。在藍(lán)色發(fā)射層B中激子回到基態(tài)，從而發(fā)射與激子的激發(fā) 態(tài)和其基態(tài)之間的能量差對(duì)應(yīng)的短波長(zhǎng)的光子，其中，光子可以被識(shí)別為可 見(jiàn)光。因此，在藍(lán)色發(fā)射層B中發(fā)射藍(lán)光。同時(shí)，由反光材料制成的上電極70和由半透明材料制成的中間電極40 形成微腔。具體地講，上電極70形成微腔，用于提高在第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中產(chǎn) 生的光的發(fā)射特性。通過(guò)中間電極40增強(qiáng)與微腔的共振波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)附近的光的發(fā)射，而 抑制其它波長(zhǎng)的光。即，通過(guò)利用上電極70和中間電極40的結(jié)構(gòu)，所期望 范圍的波長(zhǎng)可以被調(diào)整，以具有高反射率、低透射率和低吸收率。更具體地講，通過(guò)控制包括在有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中的藍(lán)色發(fā)射層B、空穴 注入層61、空穴傳輸層62、電子傳輸層63和電子注入層64的厚度及中間電 極40的厚度，可以增強(qiáng)具有特定波長(zhǎng)的光。因此，由于選擇性地發(fā)射具有特定波長(zhǎng)的光，因此可以提高具有特定波 長(zhǎng)帶的光的色純度。根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，通過(guò)利用微腔可以提高從藍(lán)色發(fā)射層B 發(fā)射的藍(lán)光的色純度。由此，從第二有機(jī)發(fā)射元件80向第一有機(jī)發(fā)射元件 50發(fā)射深藍(lán)光。同時(shí)，當(dāng)也向下電極20施加電壓以驅(qū)動(dòng)第二有機(jī)發(fā)光元件80時(shí)，第一 有機(jī)發(fā)光元件50被驅(qū)動(dòng)。在當(dāng)前示例性實(shí)施例中，分別從下電極20和中間 電極40將空穴和電子注入到第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30中。注入到第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30中的電子和空穴產(chǎn)生激子，這與上述的工藝 類似。此外，在紅色發(fā)射層R和綠色發(fā)射層G中激子回到基態(tài)，從而發(fā)射光。因此，分別在紅色發(fā)射層R和綠色發(fā)射層G中產(chǎn)生紅光和綠光。同時(shí)，由于從第二有機(jī)發(fā)光元件80發(fā)射深藍(lán)光，因此紅光和綠光與深藍(lán)光組合。因此，通過(guò)將都向著透明基底IO發(fā)射的所有光，即深藍(lán)光、紅光和綠光 組合來(lái)產(chǎn)生白光。如上所述，通過(guò)利用微腔，在不改變藍(lán)色發(fā)射層B的材料的情況下可以 提供色純度高的深藍(lán)光。因此，即使使用具有好的壽命且相對(duì)低的發(fā)射效率 的藍(lán)色發(fā)射層的傳統(tǒng)材料，也可以提高有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)射品質(zhì)。此外，由于包括藍(lán)色發(fā)射層的第二有機(jī)發(fā)光元件80和包括紅色發(fā)射層和 綠色發(fā)射層的第一有機(jī)發(fā)光元件50被單獨(dú)地驅(qū)動(dòng)，因此可以控制第一有機(jī)發(fā) 光元件50和第二有機(jī)發(fā)光元件80的發(fā)射水平(emission level )。因此，通過(guò)控制從第一有機(jī)發(fā)光元件50發(fā)射的光的亮度和從第二有機(jī)發(fā) 光元件80發(fā)射的光的亮度，可以容易地調(diào)節(jié)有機(jī)發(fā)光裝置500的白色色坐標(biāo)。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前示例性實(shí)施例，用第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中的藍(lán)色發(fā)射 層B來(lái)描述有機(jī)發(fā)光裝置500，利用微腔效應(yīng)來(lái)增強(qiáng)藍(lán)光。然而，可選的示 例性實(shí)施例包括其中除了藍(lán)色發(fā)射層之外的其它顏色的發(fā)射層可以包括在第 二有機(jī)發(fā)光元件80中的構(gòu)造。 ，下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的另 一示例性實(shí)施例。圖28是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的另一示例性實(shí)施例的示意圖。參照?qǐng)D28,有機(jī)發(fā)光裝置600包括透明基底10、下電極20、第一有機(jī) 發(fā)光構(gòu)件30、中間電極40、第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60和上電極70。透明基底10、下電極20、中間電極40和上電極70與上述示例性實(shí)施例 具有基本相同的結(jié)構(gòu)，將在此省略對(duì)其的描述。第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30置于下電極20和中間電極40之間，并包括藍(lán)色發(fā) 射層B，如圖28中示出的當(dāng)前示例性實(shí)施例。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一 有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30還可包括位于藍(lán)色發(fā)射層B和下電極20之間的空穴注入層 31和/或空穴傳輸層32。此外，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件 30還可包括位于藍(lán)色發(fā)射層B和中間電極40之間的電子傳輸層33和/或電子 注入層34。提供第一有機(jī)發(fā)光元件50，第一有機(jī)發(fā)光元件50包括下電極20、第一 有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30和中間電極40。第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60置于中間電極40和上電極70之間，并包括順序?qū)?br> 壓的綠色發(fā)射層G和紅色發(fā)射層R，如在圖28中示出的示例性實(shí)施例。在可 選的示例性實(shí)施例中，可以改變綠色發(fā)射層G和紅色發(fā)射層R的層壓順序。此外，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60還可包括位于中間 層40和綠色發(fā)射層G之間的空穴注入層61和/或空穴傳輸層62，第二有機(jī) 發(fā)光構(gòu)件60還可包括位于紅色發(fā)射層R和上電極70之間的電子傳輸層63 和/或電子注入層64。提供第二有機(jī)發(fā)光元件80,第二有機(jī)發(fā)光元件80包括中間電極40、第 二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60和上電極70。下文中，將詳細(xì)描述有機(jī)發(fā)光裝置600的示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的示 例性實(shí)施例。首先，當(dāng)電壓施加到第 一有機(jī)發(fā)光元件50的下電才及20和中間電極40時(shí)， 從下電極20和中間電極40分別向第 一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30傳輸空穴和電子。注入到第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30中的電子和空穴在第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30中 復(fù)合，以形成激子。在藍(lán)色發(fā)射層B中，激子回到基態(tài)，從而發(fā)射光。因此， 在藍(lán)色發(fā)射層B中發(fā)射藍(lán)光。在藍(lán)色發(fā)射層B中發(fā)射的藍(lán)光的一部分穿過(guò)由透明材料制成的下電極 20，以向著透明基底10發(fā)射，剩余的藍(lán)光穿過(guò)由不透明材料制成的中間電極 40，以向著上電極70發(fā)射。當(dāng)電壓施加到上電極70時(shí)，第二有機(jī)發(fā)光元件80與第一有機(jī)發(fā)光元件 50基本上同時(shí)被驅(qū)動(dòng)。分別從中間電極40和上電才及70向第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件 60中注入空穴和電子。注入到第二有機(jī)發(fā)光元件80中的電子和空穴在第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60中 復(fù)合，以形成激子。在綠色發(fā)射層和紅色發(fā)射層中，激子回到基態(tài)，從而發(fā) 射光。因此，分別在綠色發(fā)射層G和紅色發(fā)射層R中產(chǎn)生綠光和紅光。綠光 和紅光穿過(guò)由半透明導(dǎo)體制成的中間電極40,以向著透明基底IO發(fā)射。同時(shí)，由反射導(dǎo)體制成的上電極70和由半透明導(dǎo)體制成的中間電極40 形成微腔。在本發(fā)明的該示例性實(shí)施例中的微腔與參照?qǐng)D27描述的示例性實(shí) 施例中的微腔基本上類似，在此將省略對(duì)其的描述。在參照?qǐng)D27描述的示例性實(shí)施例中，微腔效應(yīng)應(yīng)用到在第二有機(jī)發(fā)光層 中產(chǎn)生的光，但是在本示例性實(shí)施例中，微腔效應(yīng)應(yīng)用到在第一有機(jī)發(fā)光構(gòu) 件30中產(chǎn)生的并穿過(guò)中間電4及40的光。
具體地講，通過(guò)中間電極40和上電極70形成的微腔，在特定的波長(zhǎng)帶 范圍內(nèi)，增強(qiáng)在第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30中產(chǎn)生并穿過(guò)中間電極40的藍(lán)光。根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例中，為了選擇性地提高藍(lán)光的色純度，將 第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60和中間電極40形成為能夠增強(qiáng)藍(lán)色波長(zhǎng)的光的厚度。因此，藍(lán)光的色純度增加，深藍(lán)光通過(guò)由反射導(dǎo)體制成的上電極70向著 透明基底IO反射。深藍(lán)光與從第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件30直接向著透明基底10發(fā)射的藍(lán)光一起 從第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件60發(fā)射的綠光和紅光組合，以形成白光。 由此，在透明基底10中發(fā)射白光。通過(guò)利用微腔，可以在不改變藍(lán)色發(fā)射層B的材料的情況下，提供色純 度高的深藍(lán)光。因此，即使在構(gòu)造藍(lán)色發(fā)射層的過(guò)程中利用傳統(tǒng)的材料，也 可以提高有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)射品質(zhì)?？墒褂镁哂泻玫膲勖偷桶l(fā)射效率的傳 統(tǒng)材料。如上所述，包括綠色發(fā)射層和紅色發(fā)射層的有機(jī)發(fā)光元件與包括藍(lán)色發(fā) 射層的有機(jī)發(fā)光元件被單獨(dú)地形成。通過(guò)將微腔效應(yīng)應(yīng)用到從藍(lán)色發(fā)射層發(fā) 射的光，可以在不改變藍(lán)色發(fā)射層的材料的情況下提高藍(lán)光的色純度。因此， 即使使用具有好的壽命且低發(fā)射效率的傳統(tǒng)材料來(lái)構(gòu)造藍(lán)色發(fā)射層，也可以 提高有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)射品質(zhì)。雖然已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施例的內(nèi)容描述了本發(fā)明， 但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于公開(kāi)的示例性實(shí)施例，而是相反地，意在覆蓋 包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種更改和等效布置。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括多個(gè)有色像素和白色像素，其中，每個(gè)像素包括第一電極；第二電極，面對(duì)第一電極；發(fā)光構(gòu)件，置于第一電極和第二電極之間；白色像素還包括第一半透明構(gòu)件，第一半透明構(gòu)件設(shè)置在第一電極上以與第二電極形成微腔。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一半透明構(gòu)件是Ag、 Al或Ag和Al的組合。
3、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，有機(jī)發(fā)光構(gòu)件包括發(fā)射具 有不同波長(zhǎng)的光的多個(gè)子發(fā)射層，所述具有不同波長(zhǎng)的光被組合以發(fā)射基本 上的白光。
4、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，白光具有微黃的色彩。
5、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一半透明構(gòu)件僅形成在 白光穿過(guò)的區(qū)域的一部分處。
6、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，多個(gè)有色像素包括紅色像 素、綠色像素和藍(lán)色像素，每個(gè)有色像素還包括形成在第一電極下面的濾色 器。
7、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在多個(gè)有色像素中具有最 低的發(fā)射效率的像素還包括第二半透明構(gòu)件，第二半透明構(gòu)件設(shè)置在第一電 極上，以與第二電極一起形成^f效腔。
8、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，具有最低發(fā)射效率的像素 是藍(lán)色像素。
9、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第二半透明構(gòu)件是Ag、 Al或Ag和Al的組合。
10、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第二半透明構(gòu)件形成在 白光穿過(guò)的基本整個(gè)區(qū)域上方。
11、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，多個(gè)有色像素包括紅色 像素和綠色像素，紅色像素和綠色像素還包括形成在第一電極下面的濾色器。
12、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，還包括 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，連接到第一電極，并包括多晶半導(dǎo)體； 開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，并包括非晶半導(dǎo)體。
13、 如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括 驅(qū)動(dòng)輸入電極，形成在多晶半導(dǎo)體上；驅(qū)動(dòng)輸出電極，在多晶半導(dǎo)體上面對(duì)驅(qū)動(dòng)輸入電極； 驅(qū)動(dòng)控制電極，形成在驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極上。
14、 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管包括 開(kāi)關(guān)控制電極，形成在非晶半導(dǎo)體下面；開(kāi)關(guān)輸入電極，形成在非晶半導(dǎo)體上；開(kāi)關(guān)輸出電極，在非晶半導(dǎo)體上面對(duì)開(kāi)關(guān)輸入電極，并連接到驅(qū)動(dòng)控制 電極。
15、 一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括 多個(gè)像素，其中，每個(gè)像素包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管； 第一電極，連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； 發(fā)光構(gòu)件，形成在第一電極上并發(fā)射白光； 第二電極，形成在發(fā)光構(gòu)件上， 多個(gè)像素包括第一像素組，包括設(shè)置有半透明構(gòu)件的多個(gè)像素，其中，在白光穿 過(guò)的每個(gè)像素的區(qū)域中，半透明構(gòu)件與第一電極和第二電極中的一個(gè)一起形 成微腔；第二像素組，包括在白光穿過(guò)的每個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置有濾色器的 多個(gè)像素。
16、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，白光具有微黃的色彩。
17、 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一像素組包括白色像素。
18、 如權(quán)利要求n所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，半透明構(gòu)件僅形成在白 光穿過(guò)的每個(gè)像素的區(qū)域的一部分處。
19、 如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一像素組包括藍(lán)色像 素。
20、 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第二像素組包括紅色像素和綠色像素中的至少 一個(gè)。
21、 一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括 第一電極，包括反射光的導(dǎo)體； 第二電極，面對(duì)第一電極并包括半透明導(dǎo)體；第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，置于第一電極和第二電極之間，并包括發(fā)射第一顏 色的第一發(fā)射層；第三電極，面對(duì)第二電極并包括透明導(dǎo)體；第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，置于第二電極和第三電極之間，并包括發(fā)射發(fā)射第 二顏色的第二發(fā)射層和發(fā)射第三顏色的第三發(fā)射層，其中，第一電極和第二電極形成微腔，第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件向著第二電極 發(fā)射通過(guò)微腔提高了色純度的第一顏色的光。
22、 如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一電極、第一有機(jī)發(fā) 光構(gòu)件和第二電極形成第一有機(jī)發(fā)光元件；第二電極、第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件和 第三電極形成第二有機(jī)發(fā)光元件。
23、 如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一有機(jī)發(fā)光元件和第 二有機(jī)發(fā)光元件具有不同的發(fā)射效率。
24、 如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一發(fā)射層、第二發(fā)射 層和第三發(fā)射層具有不同的厚度。
25、 如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一顏色是藍(lán)色，第二 顏色是綠色，第三顏色是紅色。
26、 如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一電極具有第一逸出 功，第二電極具有比第一逸出功高的第二逸出功，第三電極具有比第二逸出 功高的第三逸出功。
27、 一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括 第一電極，包括反射光的導(dǎo)體； 第二電極，面對(duì)第一電極并包括半透明導(dǎo)體；第一有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，置于第一電極和第二電極之間，并包括發(fā)射第一顏 色的第 一發(fā)射層和發(fā)射第二顏色的第二發(fā)射層； 第三電極，面對(duì)第二電極并包括透明導(dǎo)體； 第二有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，形成在第二電極和第三電極之間，并包括發(fā)射第三 顏色的第三發(fā)射層，其中，第一電極和第二電極形成微腔，向著第三電極發(fā)射通過(guò)微腔提高 了色純度的第三顏色的光，第三顏色的光從第三發(fā)射層發(fā)射，穿過(guò)第二電極， 被第一電極反射，并在穿過(guò)第三電極之前再次穿過(guò)第二電極。
28、如權(quán)利要求27所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一顏色是綠色，第二 顏色是紅色，第三顏色是藍(lán)色。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，該有機(jī)發(fā)光裝置包括多個(gè)有色像素和白色像素，其中，每個(gè)像素包括第一電極；第二電極，面對(duì)第一電極；發(fā)光構(gòu)件，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，白色像素還包括第一半透明構(gòu)件，第一半透明構(gòu)件設(shè)置在第一電極上，以與第二電極形成微腔。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101132020SQ20071014772
公開(kāi)日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月25日
發(fā)明者崔俊呼, 崔凡洛, 成沄澈, 李政洙, 李秀娟, 河在國(guó), 金星民 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社