專利名稱：：電介質(zhì)陶瓷組合物、層合陶瓷電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及以鈦酸鋇(BaTi03)為主體的電介質(zhì)陶瓷組合物及使用該組合物的層合陶資電容器，本發(fā)明還涉及一種具有由Ni或Ni合金構(gòu)成的內(nèi)部電極、靜電電容的溫度變化小的層合陶資電容器。
背景技術(shù)：
：對用于便攜設(shè)備、通信設(shè)備等電子設(shè)備的層合陶瓷電容器的小型化、大容量化的要求逐漸提高。作為上述小型大容量的層合陶瓷電容器，例如有如特開2001-39765號公報(bào)公開的由Ni構(gòu)成內(nèi)部電極的層合陶資電容器。該層合陶瓷電容器滿足X7R特性(以25。C為基準(zhǔn)，-55"~125°。的溫度范圍內(nèi)的介電常數(shù)的變化率在±15%以內(nèi))，介電常數(shù)為2500以上，即使實(shí)現(xiàn)了薄層化可靠性也很優(yōu)良。但是，近年來，根據(jù)用途的不同，要求上述層合陶瓷電容器在更嚴(yán)才各的環(huán)境中具有可靠性。例^口,在汽車的發(fā)動才幾般(engineroom)內(nèi)搭載的發(fā)動機(jī)電子控制單元、防抱死制動系統(tǒng)等車載電子裝置中開始使用層合陶覺電容器。由于要求上述車載電子裝置在低于-20。C的低溫環(huán)境下或高于+130。C的高溫環(huán)境下均可穩(wěn)定地運(yùn)行，所以要求其中使用的層合陶瓷電容器在上述環(huán)境下也具有良好的溫度穩(wěn)定性。為了滿足上述要求，例如，公開了如特開2005-272263號公報(bào)所示的、滿足X8R特性(以25。C為基準(zhǔn)，-55°C~150。C的溫度范圍內(nèi)的介電常數(shù)變化率在±15%以內(nèi))的電介質(zhì)陶瓷組合物及層合陶瓷電容器。[專利文獻(xiàn)l]特開2001-39765號公才艮[專利文獻(xiàn)2]特開2005-272263號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容但是，在上述電介質(zhì)陶瓷組合物及層合陶資電容器中，為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型大容量化而進(jìn)一步降低內(nèi)部電極之間的電介質(zhì)陶資的厚度時，必然出現(xiàn)比電阻不充分的問題。特別是在超過125。C的高溫環(huán)境下出現(xiàn)的比電阻不充分的問題。本發(fā)明是為解決上述問題而完成的，其第一目的是提供具有滿足X8R特性的溫度特性且高溫環(huán)境下的比電阻高的層合陶資電容器。另外，第二目的是提供上述層合陶瓷電容器的制造方法。第三目的是提供用于上述層合陶瓷電容器的電介質(zhì)陶瓷組合物。本發(fā)明的第一方案是提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，所述組合物以BaTi03+aMgO+bMOx+cRe03/2+dSi02(其中，MgO表示以MgO進(jìn)行換算，MOx表示以1分子中含有1個選自V、Cr及Mn中的至少一種金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，Re03/2表示以1分子中含有1個選自Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Y中的至少一種稀土類金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，Si02表示以Si02進(jìn)行換算。)表示時，相對于100molBaTiO3,0.4mo1^3.0mol、0.05mol^b^4.0mo1、6.0mol^c^16.5mol、3.0mol■5.0mol、2.0^c/d^3丄根據(jù)第一方案，能夠得到溫度特性滿足X8R特性且在高溫環(huán)境下的比電阻高于100MQm的電介質(zhì)陶瓷組合物。第二方案是提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征為用作原料的BaTi03的粒徑平均值為0.23(im0.35^im。根據(jù)第二方案，能夠進(jìn)一步得到在高溫環(huán)境下的比電阻高于1OOOMQm的電介質(zhì)陶瓷組合物。本發(fā)明的第三方案提供一種層合陶瓷電容器，所述層合陶瓷電容器具有大致長方體形狀的陶瓷層合體、和在該陶瓷層合體中間隔電介質(zhì)陶瓷相對向且交替引出到不同的端面而形成的內(nèi)部電極、和形成于上述陶瓷層合體的兩端面、并與引出到該端面的上述內(nèi)部電極分別電連接的外部電極，該層合陶瓷電容器的特征在于，上述電介質(zhì)陶瓷由上述第一方案中的電介質(zhì)陶瓷組合物形成，上述內(nèi)部電極由Ni或Ni合金形成。根據(jù)第三方案，能夠提供溫度特性滿足X8R特性且在高溫環(huán)境下的比電阻高于1OOMQm、并且高溫加速壽命特性在150。C-25V/fxm下超過10000秒的層合陶資電容器。第四方案提供一種層合陶瓷電容器，其特征為上述電介質(zhì)陶f;由上述第二方案中的電介質(zhì)陶瓷組合物形成。根據(jù)第四方案，能夠進(jìn)一步提供在高溫環(huán)境下的比電阻高于lOOOMQm、高溫加速壽命特性在150°C-25V/>m下超過100000秒的層合陶乾電容器。另外，本發(fā)明還提供層合陶瓷電容器的制造方法，該方法包括將電介質(zhì)陶瓷組合物成型為陶瓷印刷電路基板(greensheet)的步驟、在上述陶瓷印刷電路基板上形成內(nèi)部電極的步驟、層合形成了內(nèi)部電極的上述陶瓷印刷電路基板形成未燒成陶瓷層合體的步驟、燒成上述未燒成陶瓷層合體的步驟、形成外部電極的步驟，該方法的特征在于，上述電介質(zhì)陶瓷組合物是上述第一方案中的電介質(zhì)陶瓷組合物。根據(jù)該制造方法，能夠制造溫度特性滿足X8R特性且在高溫環(huán)境下的比電阻高于lOOMQm、并且高溫加速壽命特性在150。C-25V/iim下超過10000秒的層合陶資電容器。本發(fā)明還提供一種層合陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，在上述燒成未燒成陶瓷層合體的步驟中，在從燒成溫度到室溫的降溫過程中，降溫速度為100°C/hr~500°C/hr。根據(jù)該制造方法，能夠制造以25。C為基準(zhǔn)，-55。C15(rC溫度范圍內(nèi)的介電常數(shù)(或靜電電容)的變化率在±10%以內(nèi)、具有良好的溫度穩(wěn)定性的層合陶瓷電容器。根據(jù)本發(fā)明，能夠得到具有滿足X8R特性的溫度特性、且在高溫環(huán)境下的比電阻高于lOOMQm的層合陶瓷電容器及構(gòu)成該層合陶瓷電容器的電介質(zhì)陶瓷組合物。圖1是表示層合陶瓷電容器剖面的模式圖。符號說明1層合陶瓷電容器2陶瓷層合體3電介質(zhì)陶瓷4內(nèi)部電才及5外部電招^6第一鍍層7第二鍍層具體實(shí)施方式下面說明本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的實(shí)施方案。本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物是以上述組合比混合BaTi03、MgO、MOx(MOx表示以1分子中含有1個選自V、Cr及Mn中的至少一種金屬原子的氧化物進(jìn)行換算)、Re03/2(ReOv2表示以1分子中含有1個選自Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Y中的至少一種稀土類金屬原子的氧化物進(jìn)行換算)及Si02形成的組合物。需要說明的是，MgO是以MgO換算表示Mg的添加量，添加Mg時，可以使用MgO以外的化合物。Si02也同樣是以Si02換算表示Si的添加量，可以使用Si02以外的化合物。BaTi03可以通過固相法、水熱合成法、草酸法或溶膠凝膠法中的任意一種方法合成。如下所述得到上述電介質(zhì)陶乾組合物。首先，準(zhǔn)備起始原料，即相對于lOOmolBaTiCM爾量0.4mol~3.0molMgO、0.05mol~4.0molV、Cr或Mn的氧化物(MOx)、6.0mol~16.5mol稀土類氧化物(Re03/2)以及3.0mo卜5.0molSiO2。此時使Re03/2的摩爾數(shù)c和Si02的摩爾數(shù)d之比c/d為2.0-3.3。需要說明的是，此處的摩爾數(shù)表示換算成1分子中含有1個金屬原子的氧化物時的摩爾數(shù)。即，例如，為H0203時，表示以Ho03/2進(jìn)行換算的摩爾數(shù)，為V20s時，表示以V05/2進(jìn)行換算的摩爾數(shù)。向上述原料中加入水，使用球磨機(jī)、珠磨機(jī)(beadmill)、分散磨(Dispermill)等進(jìn)行濕式混合。干燥混合物，將其在400。C下煅燒，得到電介質(zhì)陶瓷組合物。得到的電介質(zhì)陶瓷粉末用于形成層合陶瓷電容器的電介質(zhì)陶瓷層。下面說明本發(fā)明實(shí)施方案中的層合陶覺電容器。如圖l所示，本實(shí)施方案的層合陶瓷電容器1具有大致長方體形狀的陶瓷層合體2，所述陶瓷層合體2具有電介質(zhì)陶瓷3、間隔該電介質(zhì)陶瓷3相對向且交替引出到不同的端面而形成的內(nèi)部電極4,在該陶f:層合體2的兩端面上形成外部電極5，使其與內(nèi)部電極電連接。根據(jù)需要，在上述外部電極5上形成第一鍍層6、第二鍍層7。接下來對層合陶瓷電容器1的制造方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物。將其與丁縮醛類或丙烯酸類有機(jī)粘合劑、溶劑及其他添加劑混合，形成陶瓷漿料。使用輥涂機(jī)等涂布裝置使該陶瓷漿料薄片化，形成作為電介質(zhì)陶瓷3的具有規(guī)定厚度的陶瓷印刷電路基板(陶瓷印刷電路基板成型步驟)。通過絲網(wǎng)印刷在該陶資印刷電路基板上以規(guī)定圖案形狀涂布Ni或Ni合金的導(dǎo)電糊料，形成作為內(nèi)部電極4的導(dǎo)電體層(內(nèi)部電極形成步驟)。層合所需片數(shù)的形成有導(dǎo)電體層的陶瓷印刷電路基板后，壓接，形成未燒成陶瓷層合體。將其切割成單個的芯片后，在大氣中或氮?dú)獾确茄趸詺怏w中脫粘合劑(層合體形成步驟)。脫粘合劑后，在單個芯片的內(nèi)部電極露出面上涂布導(dǎo)電糊料，形成作為外部電極5的導(dǎo)電體膜(外部電極形成步驟)。將上述形成有導(dǎo)電體膜的單個芯片在規(guī)定溫度的氮-氫氣氛(氧分壓為10—1Qatm左右)中燒成(燒成步驟)。需要說明的是，外部電極5也可以在燒成單個芯片形成陶瓷層合體2后，在內(nèi)部電極露出面上涂布含有玻璃料的導(dǎo)電糊料后進(jìn)行燒結(jié)而形成。外部電極5除可以使用與內(nèi)部電極相同的金屬以外，還可以使用Ag、Pd、AgPd、Cu、Cu合金等?？梢赃M(jìn)一步在外部電極5上由Ni、Cu等形成第一鍍層6，在第一鍍層6上由Sn或Sn合金等形成第二鍍層7,得到層合陶瓷電容器1。[實(shí)施例](實(shí)施例1)按照表1的組成比例稱量粒徑平均值為0.45nm的BaTi03、MgO、Mn203(以Mn03/2進(jìn)行換算)、Ho203(以Ho03/2進(jìn)行換算)及Si02,準(zhǔn)備起始原料。需要說明的是，利用SEM(掃描電子顯微鏡)觀察粒子，測定300個粒子在固定方向上的最大徑，將該300個最大徑算術(shù)平均得到的值作為BaTK)3的粒徑平均值。后面的BaTK)3的粒徑平均值與此相同。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>*表示在本發(fā)明的范圍以外用球磨機(jī)將已準(zhǔn)備的BaTi03、MgO、Mn203、Ho203及Si02濕式混合，干燥后在40(TC下煅燒得到電介質(zhì)陶瓷粉末。在上述粉末中加入聚乙烯醇縮丁醛、有機(jī)溶劑、增塑劑，進(jìn)行混合，形成陶瓷漿料。利用輥涂機(jī)使該陶瓷漿料薄片化，得到厚度為5pm的陶資印刷電路基板。通過絲網(wǎng)印刷在該陶瓷印刷電路基板上涂布Ni內(nèi)部電極糊料，形成內(nèi)部電極圖案。層合21片形成了內(nèi)部電極圖案的陶瓷印刷電路基板，進(jìn)行壓接，然后，將其切割成4.0x2.0mm大小，形成毛坯芯片(rawchip)。將該毛坯芯片在氮?dú)夥罩忻撜澈蟿?，涂布Ni外部電極糊料，在還原氣氛(氮-氫氛圍、氧分壓10—1Gatm)中，于1200。C下保持1小時，進(jìn)行燒成，然后以750。C/hr的降溫速度降至室溫。測定如上所述得到的大小為3.2xl.6mm、電介質(zhì)陶瓷層厚為3pm的層合陶瓷電容器的介電常數(shù)、溫度特性(TC)、比電阻及壽命特性，結(jié)果示于表2。需要說明的是，溫度特性用以25。C為基準(zhǔn)在-55。C15(TC范圍內(nèi)靜電電容變化率的最大值表示。另外，利用兆歐計(jì)(MegohmMeter)在溫度為170°C、測定電壓為7V/(im的條件下測定電阻值，由內(nèi)部電極的交叉面積和內(nèi)部電極之間的電介質(zhì)陶資厚度計(jì)算比電阻，隨機(jī)選擇10個試樣進(jìn)行上述計(jì)算，取其平均值作為比電阻。高溫加速壽命特性是在150°C、25V/pm的負(fù)荷下，隨機(jī)選擇10個試樣進(jìn)行測定，將上述10個試樣的電阻值降低至1MQ以下的時間的平均值作為高溫加速壽命特性。[表2]介電常數(shù)TC(%)比電阻壽命特性秒1燒結(jié)性不足，—^能進(jìn)行特性評價22035-14.32.0E十097.2E+04*32833一19.89.1E+088.2E+0342589-22.36.8E+0852399—10.71.0E+095.5E+046燒結(jié)性不足，未能進(jìn)行特性評價"72601-14.01.1E+091.7E+0482204-13.2〗.7E+099.3E+0492化9-11.31.2E+091.9E+04*10燒結(jié)性不足，未能進(jìn)行特性評價112159—13.81.2E+092.9E+04122463-12.46.0E+089.2E+04氺131499-15.88.9E+088.0E+03142187-16.57.3E+089.1E+03152335-10.51.4E+D94.7E+04*16燒結(jié)性不足，誘、能進(jìn)行特性評價172343-11.71.5E+083.2E+04*181675-12.02.4E+091.0E+04192140—12.62.3E+089.4E+0420.燒結(jié)性不足，未能進(jìn)行特性評價*表示在本發(fā)明的范圍以外由上述結(jié)果可知，ReOv2為6.0mol~16.5mol、SiO2為3.0mo15.0mol且ReOv2的摩爾數(shù)c與Si02的摩爾數(shù)d的比值c/d在2.0~3.3的范圍時，能夠得到溫度特性滿足X8R特性且高溫環(huán)境下的比電阻高于100MQm的電介質(zhì)陶瓷組合物，并且能得到高溫加速壽命特性在150°C-25V/(im下超過10000秒的層合陶資電容器。(實(shí)施例2)按照表3的組成比例準(zhǔn)備原料，與實(shí)施例1相同地形成電介質(zhì)陶瓷粉末。該實(shí)施例將Ho改為其他稀土類元素，驗(yàn)證其效果。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>使用上述電介質(zhì)陶瓷粉末與實(shí)施例1相同地形成層合陶瓷電容器，測定介電常數(shù)、溫度特性(TC)、比電阻及壽命特性，結(jié)果示于表4。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由上述結(jié)果可知，即使將稀土類金屬(Re)置換成Ho以外的元素，也能得到同樣的效果。另外，由試樣No.30的結(jié)果可知，也可以使用2種稀土類元素。(實(shí)施例3)按照表5的組成比例準(zhǔn)備原料，與實(shí)施例1相同地形成電介質(zhì)陶瓷粉末。該實(shí)施例改變Mg的添加量，—驗(yàn)證其效果。[表5]BaTi03MsMReSiRe/Si添力Q量mol添力Q量mol元素添力Q量mol元素添力口暈mol添力D量mol31〗000.2Mn0.2Ho8.03.52.29321000.4Mn0.2Ho8.03.52.29331001.0Mn0.2Ho,8.03.52.29341002.0Mn0.2Ho8.03.52.29351003.0Mn0.2Ho8.03.52.29361004.0Mn0.2Ho8.03.52.29*表示在本發(fā)明的范圍以外使用上述電介質(zhì)陶瓷粉末與實(shí)施例1相同地形成層合陶瓷電容器，測定介電常數(shù)、溫度特性(TC)、比電阻及壽命特性，結(jié)果示于表6。[表6]介電常數(shù)TC(%)比電阻壽命特性Qm秒2550-10.91.1E+09322405-12.61.2E+091.3E+04332506-13.51.2E+091.1E+04342442-11.91.7E+092.2E十04352305一R52.7E+094.3E+04362070—16.02.6E+092.3E+04*表示在本發(fā)明的范圍以外由上述結(jié)果可知，Mg在0.4mol3.0mol范圍內(nèi)時，能得到溫度特性滿足X8R特性且高溫環(huán)境下的比電阻高于100MQm的電介質(zhì)陶瓷組合物，還能得到高溫加速壽命特性在150°C-25V/pm下超過10000秒的層合陶資電容器。(實(shí)施例4)按照表7的組成比例準(zhǔn)備原料，與實(shí)施例l相同地形成電介質(zhì)陶瓷粉末。該實(shí)施例改變Mn的添加量及M的種類，一險證其效果。[表7]<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>*表示在本發(fā)明的范圍以外使用上述電介質(zhì)陶瓷粉末與實(shí)施例1相同地形成層合陶瓷電容器，測定介電常數(shù)、溫度特性(TC)、比電阻及壽命特性，結(jié)果示于表8。[表8]<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>*表示在本發(fā)明的范圍以外由上述結(jié)果可知，Mn在0.05mol~0.4mol范圍時，能得到溫度特性滿足X8R特性且高溫環(huán)境下的比電阻在100MQm以上的電介質(zhì)陶瓷組合物，還能得到高溫加速壽命特性在150°C-25丫/^111下超過10000秒的層合陶瓷電容器。另外，由試樣No.4446可知，即使將Mn置換成V或Cr，也能得到同樣的效果，還可以使用2種金屬元素。(實(shí)施例5)準(zhǔn)備組成比例與試樣No.40相同、BaTi03的粒徑平均值如表9所示的試樣，與實(shí)施例1相同地形成電介質(zhì)陶瓷粉末。然后，使用該電介質(zhì)陶瓷粉末與實(shí)施例1相同地形成層合陶瓷電容器，測定介電常數(shù)、溫度特性(TC)、比電阻及壽命特性，結(jié)果示于表9。[表9]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由上述結(jié)果可知，BaTi03的粒徑平均值在0.23|im~0.35pm的范圍時，能得到溫度特性滿足X8R特性且高溫環(huán)境下的比電阻高于10001VK2m的電介質(zhì)陶瓷組合物，還能得到高溫加速壽命特性在150。C-25V/pm下超過100000秒的層合陶瓷電容器。(實(shí)施例6)使用組成比例與試樣No.40相同的電介質(zhì)陶瓷組合物，與實(shí)施例1相同地形成層合陶瓷電容器。此時按照表10所示改變燒成后降低至室溫時的降溫速度，測定各試樣的介電常數(shù)、溫度特性(TC)、比電阻及壽命特性，結(jié)果示于表10。[表10]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由上述結(jié)果可知，降溫速度為100°C/hr~500°C/hr的范圍時，溫度特性為以25。C為基準(zhǔn)時-55°C~150。C溫度范圍的介電常數(shù)(或靜電電容)的變化率在±10%以內(nèi)。需要說明的是，降溫速度為25°C/hr時也有效果，但從生產(chǎn)效率方面考慮，優(yōu)選在IO(TC/hr~500°C/hr的范圍。由以上結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明能得到具有滿足X8R特性的溫度特性且高溫環(huán)境下的比電阻高于lOOMQm的層合陶瓷電容器及構(gòu)成該層合陶瓷電容器的電介質(zhì)陶瓷組合物。權(quán)利要求1、一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，以BaTiO3+aMgO+bMOx+cReO3/2+dSiO2表示時，相對于100molBaTiO3，0.4mol≤a≤3.0mol0.05mol≤b≤4.0mol6.0mol≤c≤16.5mol3.0mol≤d≤5.0mol2.0≤c/d≤3.3，其中，MgO表示以MgO進(jìn)行換算，MOx表示以1分子中含有1個選自V、Cr及Mn中的至少一種金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，ReO3/2表示以1分子中含有1個選自Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Y中的至少一種稀土類金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，SiO2表示以SiO2進(jìn)行換算。2、如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，用作原料的BaTi03的粒徑平均值為0.23^im0.35(am。3、一種層合陶瓷電容器，具有大致長方體形狀的陶瓷層合體、和在該陶瓷層合體中間隔電介質(zhì)陶瓷相對向且交替引出到不同的端面而形成的內(nèi)部電極、和形成于所述陶瓷層合體的兩端面上并與引出到該端面上的所述內(nèi)部電極分別電連接的外部電極，其特征在于，作為所述電介質(zhì)陶瓷的原料的電介質(zhì)陶瓷組合物以BaTi03+aMgO+bMOx+cRe03,2+dSi02表示時，相對于lOOmolBaTi03，0.4mol^a^3.0mo10.05mol^b巨4.0mo16.0mol^c^16.5mol3.0mol^d^5.0mo1并且所述內(nèi)部電極由Ni或Ni合金形成，其中，MgO表示以MgO進(jìn)行換算，MOx表示以1分子中含有1個選自V、Cr及Mn中的至少一種金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，Re03/2表示以1分子中含有1個選自Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Y中的至少一種稀土類金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，Si02表示以Si02進(jìn)行換算。4、如權(quán)利要求3所述的層合陶瓷電容器，其特征在于，用作所述電介質(zhì)陶瓷的原料的BaTi03的粒徑平均值為0.23[im0.35^im。5、層合陶瓷電容器的制造方法，包括以下步驟將電介質(zhì)陶瓷組合物成型為陶瓷印刷電路基板的步驟；在所述陶瓷印刷電路基板上形成內(nèi)部電極的步驟；層合形成有內(nèi)部電極的所述陶瓷印刷電路基板，形成未燒成陶瓷層合體的步驟；燒成所述未燒成陶瓷層合體的步驟；形成外部電極的步驟；所述制造方法的特征在于，所述電介質(zhì)陶瓷組合物以BaTi03+aMgO+bMOx+cRe03/2+dSi02表示時，相對于100molBaTiO3，0.4mol^a^3.0mo10.05mol^b^4.0mo16.0mol^c^16.5mol3.0mol^d^5.0mo12.0Sc/d〇3.3，其中，MgO表示以MgO進(jìn)行換算，MOx表示以1分子中含有1個選自V、Cr及Mn中的至少一種金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，Re03/2表示以1分子中含有1個選自Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Y中的至少一種稀土類金屬原子的氧化物進(jìn)行換算，Si02表示以Si02進(jìn)行換算。6、如權(quán)利要求5所述的層合陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，在所述燒成未燒成陶瓷層合體的步驟中，由燒成溫度至室溫的降溫過程中，降溫速度為100°C/hr~500°C/hr。全文摘要本發(fā)明涉及電介質(zhì)陶瓷組合物、使用該組合物的層合陶瓷電容器及其制造方法，具體提供具有滿足X8R特性的溫度特性且在高溫環(huán)境下的比電阻高的層合陶瓷電容器及其制造方法。本發(fā)明的特征在于，形成電介質(zhì)陶瓷的電介質(zhì)陶瓷組合物以BaTiO₃+aMgO+bMO_x+cReO_3/2+dSiO₂表示時，相對于100molBaTiO₃，0.4mol≤a≤3.0mol、0.05mol≤b≤4.0mol、6.0mol≤c≤16.5mol、3.0mol≤d≤5.0mol、2.0≤c/d≤3.3。文檔編號H01B3/12GK101162620SQ20071015244公開日2008年4月16日申請日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日發(fā)明者小出信行,小笠原淳,西川潤申請人:太陽誘電株式會社