專利名稱：半導體器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件的制造方法，并且涉及在平面圖中尺寸 與半導體芯片大致相同的半導體器件的制造方法，其中，半導體芯片 以倒裝方式結合到配線圖案上。
背景技術：
在傳統(tǒng)半導體器件中，存在這樣一種稱為芯片尺寸封裝的半導 體器件(例如，參見圖1)，該半導體器件制造成在平面圖中具有與 半導體芯片幾乎相同的尺寸。圖1是傳統(tǒng)半導體器件的橫截面圖。參照圖1，傳統(tǒng)半導體器件100包括半導體芯片101、內部連接 端子102、樹脂層103、配線圖案104、阻焊層106以及外部連接端 子107。半導體芯片101包括薄化的半導體基板110、半導體集成電路 111、多個電極片112以及保護膜113。半導體集成電路111設置在 半導體基板110的頂面上。半導體集成電路lll包括(一個或多個) 擴散層、(一個或多個)絕緣層、(一個或多個)導通孔以及(一個 或多個)配線等。多個電極片112設置在半導體集成電路111之上。 該多個電極片112與設置在半導體集成電路111上的配線電連接。保 護膜113設置在半導體集成電路111之上。保護膜113是用于保護半 導體集成電路111的膜。內部連接端子102設置在電極片112上。內部連接端子102的 頂端從樹脂層103露出。內部連接端子102的頂端與配線圖案104 連接。樹脂層103設置為覆蓋半導體芯片101的設置有內部連接端子 102的表面。配線圖案104設置在樹脂層103上。配線圖案104與內部連接
端子102連接。配線圖案104經由內部連接端子102與電極片112 電連接。配線圖案104具有外部連接端子形成區(qū)域104A，在該區(qū)域 上設置有外部連接端子107。阻焊層106設置在樹脂層103之上，以 覆蓋配線圖案104的除外部連接端子形成區(qū)域104A之外的部分。圖2至圖10示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟。在圖2至圖10 中，與圖1所示傳統(tǒng)半導體器件相同的構成部分由相同的附圖標記表 示。首先，在圖2所示的制造步驟中，在還沒有薄化的半導體基板 IIO之上形成包括半導體集成電路111、多個電極片112和保護膜113 的半導體芯片IOI。接下來，在圖3所示的制造步驟中，在多個電極 片112上形成內部連接端子102。此時，多個內部連接端子102在高 度上有所不同。接下來，在圖4所示的制造步驟中，將平板115壓在多個內部 連接端子102上，以使內部連接端子102的高度齊平。然后，在圖5 所示的制造步驟中，形成樹脂層103，從而覆蓋內部連接端子102以 及半導體芯片101的形成有內部連接端子102的表面。接下來，在圖6所示的制造步驟中，研磨樹脂層103，直到內部 連接端子102的頂面102A從樹脂層103露出為止。此時，進行研磨， 以使樹脂層103的頂面103A與內部連接端子102的頂面102A大致 齊平。接下來，在圖7所示的制造步驟中，在樹脂層103的頂面103A 之上形成配線圖案104。接下來，在圖8所示的制造步驟中，在樹脂 層103之上形成阻焊層106，從而覆蓋配線圖案104的除外部連接端 子形成區(qū)域104A之外的部分。接下來，在圖9所示的制造步驟中，從半導體基板110的底側 研磨半導體基板110，以使半導體基板110變薄。接下來，在圖10 所示的制造步驟中，在外部連接端子形成區(qū)域104A之上形成外部連 接端子107。以這種方式，完成半導體器件100 (參見專利文獻1， 即，日本專禾lj No.3,614,828)。然而，傳統(tǒng)半導體器件100的制造方法需要使多個內部連接端 子102的高度齊平的步驟，以及通過研磨樹脂層103使多個內部連接端子102的頂面102A從樹脂層103露出的步驟，因此存在制造步驟 增多并因此增加制造成本的問題。發(fā)明內容考慮到上述問題而提出本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種能夠 降低制造成本的半導體器件的制造方法。根據本發(fā)明的第一方面，提供了一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板，具 有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端 子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案， 所述方法包括絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接 端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層形成步驟，其用于在所述絕緣樹脂之上形成金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述金屬層而使所述金屬層與 所述內部連接端子壓力結合；以及配線圖案形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻 所述金屬層而形成所述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述絕緣樹脂以覆蓋所述多個內部連接端 子、以及所述多個半導體芯片的形成有所述內部連接端子的表面之 后，通過在所述絕緣樹脂之上形成用于形成所述配線圖案的金屬層， 并且按壓所述金屬層以使所述金屬層與所述多個內部連接端子壓力 結合，就不再需要如下步驟使所述多個內部連接端子的高度齊平的 步驟，以及研磨所述絕緣樹脂以使所述多個內部連接端子的一部分從 所述絕緣樹脂露出的步驟。以這種方式，可以減少制造步驟的數量， 從而能夠降低半導體器件的制造成本。根據本發(fā)明的第二方面，提供了一種半導體器件的制造方法， 所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板、具有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端
子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案， 所述方法包括絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接 端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述絕緣樹脂之上順序層壓第一金 屬層和第二金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第二金屬層而使所述第一 金屬層與所述內部連接端子壓力結合；連接片形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述絕緣樹脂以覆蓋所述多個內部連接端 子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面之 后，通過在所述絕緣樹脂之上順序形成用于形成所述配線圖案的第一 金屬層、以及用于形成所述連接片的第二金屬層，并且按壓所述第二 金屬層以使所述第一金屬層與所述多個內部連接端子壓力結合，就不再需要如下步驟使所述多個內部連接端子的高度齊平的歩驟，以及 研磨所述絕緣樹脂以使所述多個內部連接端子的一部分從所述絕緣 樹脂露出的步驟。以這種方式，可以減少制造步驟的數量，從而能夠 降低半導體器件的制造成本。根據本發(fā)明的第三方面，提供了一種半導體器件的制造方法， 所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板、具 有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端 子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案，所述方法包括絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接 端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面； 層層壓步驟，其用于在所述絕緣樹脂之上順序層壓第一金屬層、第二金屬層、以及用于保護所述第二金屬層的保護層； 壓力結合步驟，其用于在所述層層壓步驟之后通過按壓所述保 護層而使所述第一金屬層與所述內部連接端子壓力結合；保護層除去步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后除去所述保護層；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接 片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述絕緣樹脂以覆蓋所述多個內部連接端 子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面之 后，通過在所述絕緣樹脂之上順序形成用于形成所述配線圖案的第一 金屬層、用于形成所述連接片的第二金屬層、以及用于保護所述第二 金屬層的保護層，并且按壓所述保護層以使所述第一金屬層與所述多 個內部連接端子壓力結合，就不再需要如下步驟使所述多個內部連 接端子的髙度齊平的步驟，以及研磨所述絕緣樹脂以使所述多個內部 連接端子的一部分從所述絕緣樹脂露出的步驟。以這種方式，可以減 少制造步驟的數量，從而能夠降低半導體器件的制造成本。此外，在使所述第一金屬層與所述多個內部連接端子壓力結合 時，通過按壓形成于所述第二金屬層之上的保護層，可以避免損壞所 述第二金屬層。根據本發(fā)明的第四方面，提供了一種半導體器件的制造方法， 所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板、具 有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端 子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案，所述方法包括絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接 端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述絕緣樹脂之上順序層壓第一金 屬層、第二金屬層以及第三金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第三金屬層而使所述第一 金屬層與所述內部連接端子壓力結合；金屬柱形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所 述第三金屬層而形成金屬柱；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接 片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述絕緣樹脂以覆蓋所述多個內部連接端 子、以及所述多個半導體芯片的形成有所述內部連接端子的表面之 后，通過在所述絕緣樹脂之上順序形成用于形成所述配線圖案的第一 金屬層、用于形成所述連接片的第二金屬層、以及用于形成所述金屬 柱的第三金屬層，并且按壓所述第三金屬層以使所述第一金屬層與所 述多個內部連接端子壓力結合，就不再需要如下步驟使所述多個內 部連接端子的高度齊平的步驟，以及研磨所述絕緣樹脂以使所述多個 內部連接端子的一部分從所述絕緣樹脂露出的步驟。以這種方式，可 以減少制造步驟的數量，從而能夠降低半導體器件的制造成本。此外，通過在所述連接片之上形成所述金屬柱，例如，通過將 所述外部連接端子設置于所述金屬柱上，可以減緩當所述外部連接端 子與諸如母板等安裝板連接時可能施加于所述外部連接端子上的應 力。根據本發(fā)明的第五方面，提供了一種半導體器件的制造方法， 所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板、具 有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端 子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案，所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，其用于形成各向異性導電樹脂以 覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部 連接端子的表面；金屬層形成步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上形成金屬層； 壓力結合步驟，其用于通過按壓所述金屬層而使所述金屬層與 所述內部連接端子壓力結合；以及配線圖案形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻 所述金屬層而形成所述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述各向異性導電樹脂以覆蓋所述多個內 部連接端子、以及所述多個半導體芯片的形成有所述內部連接端子的 表面之后，通過在所述各向異性導電樹脂之上形成用于形成所述配線 圖案的金屬層，并且按壓所述金屬層以使所述金屬層與所述多個內部 連接端子壓力結合，就不再需要如下步驟使所述多個內部連接端子 的高度齊平的步驟，以及研磨所述各向異性導電樹脂以使所述多個內 部連接端子的一部分從所述各向異性導電樹脂露出的步驟。以這種方 式，可以減少制造步驟的數量，從而能夠降低半導體器件的制造成本。此外，利用所述各向異性導電樹脂，與使用所述絕緣樹脂的情 況相比，按壓所述金屬層的壓力可以更小，如此可以更容易地制造半 導體器件。根據本發(fā)明的第六方面，提供了一種半導體器件的制造方法， 所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板、具 有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端 子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案，所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，共用于形成各向異性導電樹脂以 覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部 連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上順序層 壓第一金屬層和第二金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第二金屬層而使所述第一 金屬層與所述內部連接端子壓力結合；連接片形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所
述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述各向異性導電樹脂以覆蓋所述多個內 部連接端子、以及所述多個半導體芯片的形成有所述內部連接端子的 表面之后，通過在所述各向異性導電樹脂之上順序形成用于形成所述 配線圖案的第一金屬層、以及用于形成所述連接片的第二金屬層，并 且按壓所述第二金屬層以使所述第一金屬層與所述多個內部連接端 子壓力結合，就不再需要如下步驟使所述多個內部連接端子的高度 齊平的步驟，以及研磨所述各向異性導電樹脂以使所述多個內部連接 端子的一部分從所述各向異性導電樹脂露出的步驟。以這種方式，可 以減少制造步驟的數量，從而能夠降低半導體器件的制造成本。根據本發(fā)明的第七方面，提供了一種半導體器件的制造方法， 所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板、具 有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端 子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案，所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，其用于形成各向異性導電樹脂以 覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部 連接端子的表面；層層壓步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上順序層壓第 一金屬層、第二金屬層、以及用于保護所述第二金屬層的保護層；壓力結合步驟，其用于在所述層層壓步驟之后通過按壓所述保 護層而使所述第一金屬層與所述內部連接端子壓力結合；保護層除去步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后除去所述保護層；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接 片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述各向異性導電樹脂以覆蓋所述多個內 部連接端子、以及所述多個半導體芯片的形成有所述內部連接端子的
表面之后，通過在所述各向異性導電樹脂之上順序形成用于形成所述 配線圖案的第一金屬層、用于形成所述連接片的第二金屬層、以及用 于保護所述第二金屬層的保護層，并且按壓所述保護層以使所述第一 金屬層與所述多個內部連接端子壓力結合，就不再需要如下步驟使 所述多個內部連接端子的高度齊平的步驟，以及研磨所述各向異性導 電樹脂以使所述多個內部連接端子的一部分從所述各向異性導電樹 脂露出的步驟。以這種方式，可以減少制造步驟的數量，從而能夠降 低半導體器件的制造成本。此外，在使所述第一金屬層與所述多個內部連接端子壓力結合 時，通過按壓形成于所述第二金屬層之上的保護層，可以避免損壞所 述第二金屬層。根據本發(fā)明的第八方面，提供了一種半導體器件的制造方法， 所述半導體器件包括多個半導體芯片形成于其上的半導體基板、具 有電極片的所述多個半導體芯片、設置在所述電極片上的內部連接端 子以及與所述內部連接端子連接的配線圖案，所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，其用于形成各向異性導電樹脂以 覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部 連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上順序層 壓第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第三金屬層而使所述第一金屬層與所述內部連接端子壓力結合；金屬柱形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所 述第三金屬層而形成金屬柱；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。根據本發(fā)明，在形成所述各向異性導電樹脂以覆蓋所述多個內
部連接端子、以及所述多個半導體芯片的形成有所述內部連接端子的 表面之后，通過在所述各向異性導電樹脂之上順序形成用于形成所述 配線圖案的第一金屬層、用于形成所述連接片的第二金屬層、以及用 于形成所述金屬柱的第三金屬層，并且按壓所述第三金屬層以使所述 第一金屬層與所述多個內部連接端子壓力結合，就不再需要如下步 驟使所述多個內部連接端子的高度齊平的步驟，以及研磨所述各向 異性導電樹脂以使所述多個內部連接端子的一部分從所述各向異性 導電樹脂露出的步驟。以這種方式，可以減少制造步驟的數量，從而 能夠降低半導體器件的制造成本。此外，通過在所述連接片之上形成所述金屬柱，例如，通過將 所述外部連接端子設置于所述金屬柱上，可以減緩當所述外部連接端 子與諸如母板等安裝板連接時可能施加于所述外部連接端子上的應 力。根據本發(fā)明，可以減少制造步驟以使半導體器件的制造成本將 至最低。


圖1是傳統(tǒng)半導體器件的橫截面圖。圖2示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第一步)。 圖3示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第二步)。 圖4示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第三步)。 圖5示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第四步)。 圖6示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第五步)。 圖7示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第六步)。 圖8示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第七步)。 圖9示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第八步)。 圖IO示出傳統(tǒng)半導體器件的制造步驟(第九步)。 圖11示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的橫截面圖。 圖12示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 一步)。
圖13示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 二步)。圖14示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 三步)。圖15示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 四步)。圖16示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 五步)。圖17示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第六步)。圖18示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第七步)。圖19示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 八步)。圖20示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 九步)。圖21示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 十步)。圖22示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制造步驟(第 十一步)。圖23示出半導體基板的平面圖。圖24示出根據本發(fā)明第二實施例的半導體器件的橫截面圖。 圖25示出根據本發(fā)明第二實施例的半導體器件的制造步驟(第 一步)。圖26示出根據本發(fā)明第二實施例的半導體器件的制造步驟(第 二步)。圖27示出根據本發(fā)明第二實施例的半導體器件的制造步驟(第 三步)。圖28示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的橫截面圖。 圖29示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制造步驟(第 一步)。圖30示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制造步驟(第 二步)。圖31示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制造步驟(第 三步)。圖32示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制造步驟(第 四步)。圖33示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制造步驟(第五步)。圖34示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制造步驟(第 六步)。圖35示出根據本發(fā)明第三實施例的修改形式的半導體器件的制 造步驟(第一步)。圖36示出根據本發(fā)明第三實施例的修改形式的半導體器件的制 造步驟(第二步)。圖37示出根據本發(fā)明第三實施例的修改形式的半導體器件的制 造步驟(第三步)。圖38示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的橫截面圖。圖39示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 一步)。圖40示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 二步)。圖41示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 三步)。圖42示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 四步)。圖43示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 五步)。圖44示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 六步)。
圖45示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 七步)。圖46示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 八步)。圖47示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第九步)。圖48示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第十步)。圖49示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造步驟(第 十一步)。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的實施例。第一實施例圖11是根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的橫截面圖。參照圖11,根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件IO包括半導體芯片ll，內部連接端子12，絕緣樹脂13，配線圖案14、 15，阻焊 層16，以及外部連接端子17。半導體芯片11包括半導體基板21、半導體集成電路22、電極 片23以及保護膜24。半導體基板21是用于形成半導體集成電路22 的基板。半導體基板21已經薄化。半導體基板21的厚度L可以是 例如100pm至30(^m。舉例來說，半導體基板21是已經從薄化的硅 (Si)晶片上切下來的單個半導體基板。半導體集成電路22設置在半導體基板21的頂面上。半導體集 成電路22例如包括(一個或多個)擴散層(未示出)，其形成于 半導體基板21中；(一個或多個)絕緣層(未示出)，其層壓在半 導體基板21之上；(一個或多個)導通孔(未示出)，其形成于層 壓的絕緣層中；以及(一個或多個)配線(未示出)等。多個電極片23設置在半導體集成電路22之上。電極片23與設 置在半導體集成電路22上的配線(未示出)電連接。對于電極片23的材料，可以使用例如鋁(Al)。保護膜24形成于半導體集成電路22之上。保護膜24是用于保 護半導體集成電路22的膜。對于保護膜24,可以使用SiN膜、PSG膜等。內部連接端子12形成于電極片23上。內部連接端子12是設置 為電連接半導體集成電路22和配線圖案14的連接端子。內部連接端 子12的高度H,可以是例如10pm至6(^m。對于內部連接端子12， 可以使用例如金(Au)凸點、鍍金(Au)膜或金屬膜，該金屬膜包 括通過無電解鍍方法形成的鎳(Ni)膜和覆蓋鎳(Ni)膜的金(Au) 膜?？梢酝ㄟ^結合方法或鍍覆方法形成金(Au)凸點。絕緣樹脂13形成為覆蓋內部連接端子12的除內部連接端子12 的頂面12A之外的部分以及半導體芯片11。內部連接端子12的頂面 從絕緣樹脂13露出。絕緣樹脂的頂面13A與內部連接端子12的頂 面12A大致齊平。對于絕緣樹脂，可以使用例如粘接性片狀絕緣樹 脂(即，NCF (非導電膜))、或膏狀絕緣樹脂(即，NCP (非導電 膏))。絕緣樹脂13的厚度T2可以是例如lOpm至60|im。配線圖案14設置在絕緣樹脂13的頂面13A之上，從而與內部 連接端子12的頂面12A相接觸。配線圖案14經由內部連接端子12 與半導體集成電路22電連接。配線圖案14具有外部連接端子形成區(qū) 域14A，在該區(qū)域上設置有外部連接端子17。配線圖案15設置在絕緣樹脂13的頂面13A之上。配線圖案15 具有外部連接端子形成區(qū)域15A，在該區(qū)域上設置有外部連接端子 17。對于配線圖案14、 15的材料，可以使用例如銅(Cu)。配線圖 案14、 15的厚度可以是例如12pm。阻焊層16設置在絕緣樹脂13之上，以覆蓋配線圖案14、 15的 除外部連接端子形成區(qū)域14A、 15A之外的部分。阻焊層16具有用 于露出外部連接端子形成區(qū)域14A的開口 16A以及用于露出外部連 接端子形成區(qū)域15A的開口 16B。外部連接端子17設置在配線圖案14、 15的外部連接端子形成
區(qū)域14A、 15A上。外部連接端子17是將要與設置在諸如母板等的 安裝板(未示出)上的電極片電接觸的連接端子。對于外部連接端子17，可以使用例如焊料凸點。圖12至圖22是示出根據本發(fā)明第一實施例的半導體器件的制 造步驟的視圖，圖23是半導體基板的平面圖。在圖12至圖23中， 與第一實施例的半導體器件10的構成部分相同的構成部分由相同的 附圖標記表示。另外，在圖12至圖23中，"C"表示半導體基板31 中將要被切割機切斷的位置(下面稱之為"切斷位置C")首先，在圖12所示的制造步驟中，提供半導體基板31，該半導 體基板具有多個半導體器件形成區(qū)域A和用于將多個半導體器件形 成區(qū)域A隔開的劃線區(qū)域B (參見圖23)。半導體器件形成區(qū)域A 是其中形成半導體器件10的區(qū)域。半導體器件31將被薄化并在切斷 部分C處切斷，以構成前面描述的半導體基板21 (參見圖11)。對 于半導體基板31，可以使用例如硅(Si)晶片。半導體基板31的厚 度丁3可以是例如500pm至775pm。接下來，在圖13所示的制造步驟中，在半導體基板31的與半 導體器件形成區(qū)域A對應的頂面之上形成包括半導體集成電路22、 電極片23和保護膜24的半導體芯片11。對于電極片23的材料，可 以使用例如鋁(Al)。對于保護膜24，可以使用SiN膜、PSG膜等。在圖14所示的制造步驟中，在設置于多個半導體器件形成區(qū)域 A中的多個電極片23之上分別形成內部連接端子。對于內部連接端 子12，可以使用例如金(Au)凸點、鍍金(Au)膜或金屬膜，該金 屬膜包括通過無電解鍍方法形成的鎳(Ni)膜和覆蓋鎳(Ni)膜的金 (Au)膜?？梢酝ㄟ^例如結合方法形成金(Au)凸點。通過圖14所 示的制造步驟形成的多個內部連接端子12在高度上有所不同。之后，在圖15所示的制造步驟中，在內部連接端子12以及多 個半導體芯片11的形成有內部連接端子12的表面(多個半導體芯片 11的頂面)之上形成絕緣樹脂13 (絕緣樹脂形成步驟)。對于絕緣 樹脂13，可以使用例如粘接性片狀絕緣樹脂(即，NCF(非導電膜))、 或膏狀絕緣樹脂(即，NCP (非導電膏))。當使用粘接性片狀絕緣
樹脂時，通過將片狀絕緣樹脂貼附到圖14所示結構的頂面之上來形 成絕緣樹脂13。當使用膏狀絕緣樹脂作為絕緣樹脂13時，通過印刷 方法在圖15所示結構的頂面上形成膏狀絕緣樹脂，然后將絕緣樹脂 預烤至半固化狀態(tài)。該半固化絕緣樹脂是粘接性的。絕緣樹脂13的 厚度丁4可以是例如20pm至lOO)im。接下來，在圖16所示的制造步驟中，在絕緣樹脂13的頂面13A 上形成金屬層33 (金屬層形成步驟)。金屬層33是將要在后面參照 圖18所述的制造步驟中進行蝕刻以構成配線圖案14、 15的金屬層。 更具體地說，提供銅(Cu)箔作為金屬層33，該銅(Cu)箔附著在 絕緣樹脂13的頂面13A上。金屬層33的厚度T5可以是例如10pm。接下來，在圖17所示的制造步驟中，在加熱圖16所示結構的 同時，從金屬層33的頂面33A按壓金屬層33，以使金屬層的底面 33B與多個內部連接端子12的頂面12A相接觸，并且使金屬層33 與內部連接端子12壓力結合(壓力結合步驟)。另外，通過加熱圖 17所示的結構，絕緣樹脂13將固化。在壓力結合步驟之后，絕緣樹 脂13的厚度丁2可以是例如10pm至6(^m。以這種方式，通過在絕緣樹脂13之上形成用于形成配線圖案 14、 15的金屬層33，并且按壓金屬層33以使金屬層33與多個內部 連接端子12壓力結合，就不再需要在傳統(tǒng)方法中使用的如下步驟 使多個內部連接端子12的高度齊平的步驟，以及研磨絕緣樹脂13 以使多個內部連接端子12的頂部從絕緣樹脂13露出的步驟。以這種 方式，可以減少制造半導體器件IO所需的制造步驟的數量，從而能 夠降低半導體器件10的制造成本。接下來，在圖18所示的制造步驟中，通過蝕刻方法使金屬層33 圖案化，以便在多個半導體器件形成區(qū)域A中形成配線圖案14、 15 (配線圖案形成步驟)，之后，執(zhí)行配線圖案14、 15的粗糙化處理。更具體地說，當在金屬層33之上形成圖案化的抗蝕膜之后，利 用抗蝕膜作為掩模蝕刻金屬層33，以形成配線圖案14、 15?？梢酝?過黑氧化方法或粗糙化蝕刻方法來執(zhí)行配線圖案14、 15的粗糙化處 理。執(zhí)行粗糙化處理以增強配線圖案14、 15與將要形成于配線圖案14、 15的頂面和側面上的阻焊層16的結合力。接下來，在圖19所示的制造步驟中，形成阻焊層16，從而覆蓋絕緣樹脂13以及配線圖案14、 15的除外部連接端子形成區(qū)域14A、 15A之外的部分。接下來，在圖20所示的制造步驟中，從半導體基板31的背面 側磨削或研磨半導體基板31，以使半導體基板31變薄。在薄化半導 體基板31的過程中，可以使用例如背側研磨機。薄化之后的半導體 基板31的厚度丁6可以是例如100pm至300nm。接下來，在圖21所示的制造步驟中，在配線圖案14、 15的外 部連接端子形成區(qū)域14A、 15A上形成外部連接端子17。以這種方 式，在多個半導體器件形成區(qū)域A中形成與半導體器件IO相當的結 構。接下來，在圖22所示的制造步驟中，沿著切斷部分C切斷半導 體基板31。以這種方式，完成多個半導體器件IO。根據該實施例的制造方法，在形成絕緣樹脂13以覆蓋多個內部 連接端子12以及多個半導體芯片11的形成有內部連接端子12的表 面(多個半導體芯片11的頂面)之后，通過在絕緣樹脂13之上形成 用于形成配線圖案14、 15的金屬層33，并且按壓該金屬層以使金屬 層33與多個內部連接端子12壓力結合，就不再需要如下步驟使多 個內部連接端子12的高度齊平的步驟，以及研磨絕緣樹脂13以使多 個內部連接端子12的頂部從絕緣樹脂露出的步驟，如此可以減少制 造步驟的數量，從而能夠降低半導體器件10的制造成本。第二實施例圖24是示出根據本發(fā)明第二實施例的半導體器件的橫截面圖。 參照圖24，除了在半導體器件10上使用各向異性導電樹脂41代替絕緣樹脂13之外，第二實施例的半導體器件40按照與第一實施例的半導體器件IO相似的方式構造。對于各向異性導電樹脂41，可以使用例如粘接性片狀各向異性導電樹脂(即，ACF (各向異性導電膜))、或膏狀各向異性導電樹 脂(即，ACP (各向異性導電膏))等。ACP和ACF是環(huán)氧樹脂基 絕緣樹脂，其含有由分散于其中的鎳(Ni) /金(Au)覆蓋的小樹脂 球，ACP和ACF是在豎直方向具有導電性并且在水平方向具有絕緣 性的樹脂。各向異性導電樹脂41的厚度丁7可以是例如1(Him至60pm。圖25至圖27是示出根據本發(fā)明第二實施例的半導體器件的制 造步驟的視圖。在圖25至圖27中，與第二實施例的半導體器件40 的構成部分相同的構成部分由相同的附圖標記表示?，F(xiàn)在將參照圖25至圖27描述根據本發(fā)明第二實施例的半導體 器件40的制造方法。首先，執(zhí)行與第一實施例中描述的圖12至圖 14所示步驟類似的制造步驟，從而形成圖14所示的結構。接下來，在圖25所示的制造步驟中，形成各向異性導電樹脂41， 從而覆蓋內部連接端子12以及多個半導體芯片11的設置有內部連接 端子12的表面(多個半導體芯片11的頂面)(各向異性導電樹脂形 成步驟)。對于各向異性導電樹脂，可以使用粘接性片狀各向異性導 電樹脂(即，ACF (各向異性導電膜))、或膏狀各向異性導電樹脂 (即，ACP (各向異性導電膏))等。當使用膏狀各向異性導電樹脂(即，ACP (各向異性導電膏)) 作為各向異性導電樹脂41時，通過印刷方法形成膏狀各向異性導電 樹脂，然后將膏狀各向異性導電樹脂預烤至半固化狀態(tài)。該半固化各 向異性導電樹脂具有作為粘接劑的功能。各向異性導電樹脂41的厚 度Ts可以是例如20pm至100pm。接下來，在圖26所示的制造步驟中，在各向異性導電樹脂41 的頂面41A之上形成金屬層33 (金屬層形成步驟)。更具體地說， 提供銅(Cu)箔作為金屬層33，該銅(Cu)箔附著在各向異性導電 樹脂41的頂面41A上。金屬層33的厚度Ts可以是例如10pm。接下來，在圖27所示的制造步驟中，在加熱圖26所示結構的 同時，從金屬層33的頂面33A按壓金屬層33，以使金屬層的底面 33B與多個內部連接端子12的頂面12A相接觸，并且使金屬層33 與內部連接端子12壓力結合(壓力結合步驟)。另外，通過加熱圖 26所示的結構，各向異性導電樹脂41將固化。在壓力結合步驟之后
的各向異性導電樹脂41的厚度丁7可以是例如10pm至60nm。以這種方式，在形成各向異性導電樹脂41以覆蓋內部連接端子 12以及多個半導體芯片11的設置有內部連接端子12的表面(多個 半導體芯片11的頂面)之后，通過在各向異性導電樹脂41之上形成 用于形成配線圖案14、 15的金屬層33，并且按壓金屬層33以使金 屬層33與多個內部連接端子12壓力結合，其中在按壓金屬層33時 施加的壓力可以小于在使用絕緣樹脂的情況下所施加的壓力，如此可 以更容易地制造半導體器件40。之后，通過執(zhí)行與結合第一實施例描述的圖18至圖22所示步 驟類似的制造步驟，完成多個半導體器件40。根據該實施例的制造方法，在形成各向異性導電樹脂41以覆蓋 多個內部連接端子12以及多個半導體芯片11的形成有內部連接端子 12的表面(多個半導體芯片11的頂面)之后，通過在各向異性導電 樹脂41之上形成用于形成配線圖案14、 15的金屬層33，并且按壓 該金屬層以使金屬層33與多個內部連接端子12壓力結合，就不再需 要如下步驟使多個內部連接端子12的高度齊平的步驟，以及研磨 各向異性導電樹脂41以使多個內部連接端子12的頂部從各向異性導 電樹脂露出的步驟，如此可以減少制造步驟的數量，從而能夠降低半 導體器件40的制造成本。此外，通過提供各向異性導電樹脂41來代替第一實施例的半導 體器件10上設置的絕緣樹脂13，當按壓金屬層33時施加的壓力可 以更小，如此可以更容易地制造半導體器件40。第三實施例圖28是示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的橫截面圖。 參照圖28，除了向半導體器件IO添加連接片51之外，第三實施例的半導體器件50按照與第一實施例的半導體器件10相似的方式構造。連接片51設置在配線圖案14、15的外部連接端子形成區(qū)域14A、 15A上。連接片51從形成于阻焊層16中的開口 16A、 16B露出。外
部連接端子n設置在連接片5i之上。對于連接片51的材料，可以 使用錫(Sn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)等。連接片51的厚度可以是例 如2,。圖29至圖34是示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制 造步驟的視圖。在圖29至圖34中，與第三實施例的半導體器件50 的構成部分相同的構成部分由相同的附圖標記表示?，F(xiàn)在將參照圖28至圖34描述根據本發(fā)明第三實施例的半導體 器件50的制造方法。首先，執(zhí)行與第一實施例中描述的圖12至圖 15所示步驟類似的制造步驟，從而形成圖15所示的結構。接下來，在圖29所示的制造步驟中，在絕緣樹脂13的頂面13A 上順序形成第一金屬層54和第二金屬層55 (金屬層層壓步驟)。第 一金屬層54是將要通過蝕刻而圖案化以構成配線圖案14、15的金屬 層。另外，在蝕刻第二金屬層55時第一金屬層用作阻蝕層。第二金 屬層55是將要通過蝕刻而圖案化以構成連接片51的金屬層。當使用例如錫(Sn)層、鎳(Ni)層、鈦(Ti)層作為第二金 屬層55時，可以使用銅(Cu)層等作為第一金屬層54。更具體地說， 通過將片狀金屬箔附著在絕緣樹脂13的頂面13A上來形成第一金屬 層和第二金屬層，在該片狀金屬箔中，錫(Sn)層(相當于第二金 屬層)層壓在銅(Cu)箔(相當于第一金屬層)上。第一金屬層54 的厚度T9可以是例如l(Him。第二金屬層55的厚度T^可以是例如 2fim。接下來，在圖30所示的制造步驟中，在加熱圖29所示結構的 同時，按壓第二金屬層55，以使第一金屬層54的底面54A與多個內 部連接端子12的頂面12A相接觸，從而使第一金屬層54與內部連 接端子12壓力結合(壓力結合步驟)。另外，通過加熱圖29所示的 結構，絕緣樹脂13將固化。在壓力結合步驟之后的絕緣樹脂13的厚 度丁2可以是例如10nm至60pm。以這種方式，通過按壓第二金屬層55以使第一金屬層54與多 個內部連接端子12壓力結合，就不再需要如下步驟使多個內部連 接端子12的高度齊平的步驟，以及研磨絕緣樹脂13以使多個內部連
接端子12的頂部從絕緣樹脂露出的步驟，如此可以減少制造步驟的 數量，從而能夠降低半導體器件50的制造成本。接下來，在圖31所示的制造步驟中，通過蝕刻方法使第二金屬層55圖案化，以便在與半導體器件形成區(qū)域14A、 15A對應的部分 中于第一金屬層54之上形成連接片51 (連接片形成步驟)。更具體 地說，在第二金屬層55之上形成圖案化的抗蝕膜，利用抗蝕膜作為 掩模，通過各向異性蝕刻方法蝕刻第二金屬層55，從而形成連接片 51。此時，第一金屬層54在第二金屬層55的蝕刻過程中用作阻蝕 層，如此可以避免蝕刻絕緣樹脂13。接下來，在圖32所示的制造步驟中，在圖31所示的結構之上 形成圖案化的抗蝕膜57?？刮g膜57是在蝕刻第一金屬層54以形成 配線圖案14、 15時所用的掩模。接下來，在圖33所示的制造步驟中，利用抗蝕膜57作為掩模 蝕刻第一金屬層54，以形成配線圖案14、 15(配線圖案形成步驟)。接下來，在圖34所示的制造步驟中，除去抗蝕膜57。之后，通 過執(zhí)行與結合第一實施例描述的圖20至圖22所示步驟類似的制造步 驟，完成多個半導體器件50。根據該實施例的半導體器件的制造方法，在形成絕緣樹脂13以 覆蓋多個內部連接端子12以及多個半導體芯片ll的形成有內部連接 端子12的表面(多個半導體芯片11的頂面)之后，通過在絕緣樹脂 13之上順序形成用于形成配線圖案14、 15的第一金屬層54、以及用 于形成連接片51的第二金屬層55，并且按壓第二金屬層55以使第 一金屬層54與多個內部連接端子12壓力結合，就不再需要如下步驟 使多個內部連接端子12的高度齊平的步驟，以及研磨絕緣樹脂13 以使多個內部連接端子12的頂部從絕緣樹脂露出的步驟，如此可以 減少制造步驟的數量，從而能夠降低半導體器件50的制造成本。在該實施例的半導體器件50中，描述的是在配線圖案14、 15 與半導體芯片11之間設置絕緣樹脂13的情況，然而，可以使用根據 第二實施例所描述的各向異性導電樹脂41來代替絕緣樹脂13。在這 種情況下，可以獲得與根據第二實施例的半導體器件40的制造方法 所獲得的效果類似的效果。圖35至圖37示出根據本發(fā)明第三實施例的半導體器件的制造 步驟的修改形式。在圖35至圖37中，與圖29所示半導體器件的構 成部分相同的構成部分由相同的附圖標記表示?，F(xiàn)在將參照圖35至圖37描述根據本發(fā)明第三實施例的半導體 器件50的制造方法的修改形式。首先，通過執(zhí)行與結合第一實施例 所描述的圖12至圖15所示步驟相同的制造步驟，形成圖15所示的 結構。接下來，在圖35所示的制造步驟中，在絕緣樹脂13的頂面13A 上形成第一金屬層54、第二金屬層55和保護層61 (層層壓步驟)。 保護層61是用于保護第二金屬層55的層。保護層61利用具有低粘 合力的粘接劑附著在第二金屬層55上。因此，保護層61構造成容易 從第二金屬層55剝離。對于保護層61，可以使用例如銅(Cu)箔。 此外，保護層61的厚度Tu可以是例如35pm至100pm。接下來，在圖36所示的制造步驟中，在加熱圖35所示結構的 同時，按壓保護層61，以使第一金屬層54的底面54A與多個內部連 接端子12的頂面12A相接觸，從而使第一金屬層54與內部連接端 子12壓力結合(壓力結合步驟)。另外，通過加熱圖35所示的結構， 絕緣樹脂13將固化。在壓力結合步驟之后的絕緣樹脂13的厚度T2 可以是例如10pm至60pm。以這種方式，通過按壓設置在第二金屬層55之上的保護層61， 以使將要構成配線圖案14、15的第一金屬層54與多個內部連接端子 12壓力結合，可以避免損壞厚度較小的第二金屬層。接下來，在圖37所示的制造步驟中，除去保護層61(保護層除 去步驟)。之后，通過執(zhí)行與參照圖31至圖34所述的步驟類似的制 造步驟，然后執(zhí)行與結合第一實施例參照圖20至圖22所描述的步驟 類似的制造步驟，完成多個半導體器件50。根據該實施例的半導體器件的制造方法的修改形式，通過在第 二金屬層55之上形成保護層61，并且按壓該保護層61以使用于形 成配線圖案14、 15的第一金屬層54與多個內部連接端子12壓力結 合，可以避免損壞厚度較小的第二金屬層。第四實施例圖38是根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的橫截面圖。參照圖38，除了具有代替阻焊層16的封裝樹脂72并且還包括 金屬柱71之外，第四實施例的半導體器件70按照與第三實施例的半 導體器件50相似的方式構造。金屬柱71設置在連接片51之上。金屬柱71的側面被封裝樹脂 72覆蓋。金屬柱71的頂面71A從封裝樹脂72中露出。金屬柱71 的頂面71A與封裝樹脂72的頂面72A大致齊平。外部連接端子17 設置在金屬柱71的頂面71A上。金屬柱71與外部連接端子17和連接片51電連接。金屬柱71 具有這樣的功能減緩當外部連接端子17與諸如母板等安裝板(未 示出)連接時外部連接端子17可能受到的應力。對于金屬柱71的材 料，可以使用例如銅(Cu)。金屬柱71的高度H2可以是例如50pm 至100,。封裝樹脂72設置在絕緣樹脂13之上，以覆蓋配線圖案14、 15、 連接片51以及金屬柱71的側面。對于封裝樹脂72，可以使用例如 通過轉移成型方法或壓縮成型方法形成的環(huán)氧樹脂。圖39至圖49是示出根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制 造步驟的視圖。在圖39至圖49中，與圖35所示結構中的構成部分 相同的構成部分由相同的附圖標記表示?，F(xiàn)在將參照圖39至圖49描述第四實施例的半導體器件70的制 造方法。首先，執(zhí)行與參照第一實施例描述的圖12至圖15所示步驟 類似的制造步驟，從而形成圖15所示的結構。接下來，在圖39所示的制造步驟中，在絕緣樹脂13的頂面13A 順序上形成第一金屬層54、第二金屬層55和第三金屬層74 (金屬層 層壓步驟)。在蝕刻第二金屬層55以構成連接片51時，第一金屬層 54用作阻蝕層。對于第一金屬層54的材料，可以使用例如銅(Cu)。
第一金屬層54的厚度T9可以是例如10pm。在蝕刻第三金屬層74以構成金屬柱71時，第二金屬層55用作 阻蝕層。對于第二金屬層55的材料，可以使用例如錫(Sn)、鎳(Ni) 或鈦(Ti)。第二金屬層55的厚度T,o可以是例如2|im。第三金屬層74是將要在通過蝕刻而圖案化之后構成金屬柱71 的金屬層。對于第三金屬層74的材料，可以使用例如銅(Cu)。第 三金屬層74的厚度丁12可以是例如50|im至100pm。例如，通過將片狀金屬箔附著在絕緣樹脂13的頂面13A上來形 成第一金屬層54、第二金屬層55和第三金屬層74，該片狀金屬箔由 銅(Cu)箔(相當于第一金屬層54)、錫(Sn)層(相當于第二金 屬層55)以及另一銅(Cu)箔(相當于第三金屬層74)的層壓制品 構成。接下來，在圖40所示的制造步驟中，在加熱圖39所示結構的 同時，按壓第三金屬層74，以使第一金屬層54的底面54A與多個內 部連接端子12的頂面12A相接觸，從而使第一金屬層54與內部連 接端子12壓力結合(壓力結合步驟)。另外，通過加熱圖39所示的 結構，絕緣樹脂13將固化。在壓力結合步驟之后的絕緣樹脂13的厚 度丁2可以是例如101im至60iim。以這種方式，在形成絕緣樹脂13以覆蓋多個內部連接端子12 以及多個半導體芯片11的設置有內部連接端子12的表面之后，通過 在絕緣樹脂13之上順序形成用于形成配線圖案14、 15的第一金屬層 54、第二金屬層55以及第三金屬層74，并且按壓第三金屬層74以 使第一金屬層54與多個內部連接端子12壓力結合，就不再需要如下 步驟使多個內部連接端子12的高度齊平的步驟，以及研磨絕緣樹 脂13以使多個內部連接端子12的一部分從絕緣樹脂13露出的步驟， 如此可以減少制造步驟的數量，從而能夠降低半導體器件70的制造 成本。接下來，在圖41所示的制造步驟中，在第三金屬層74的與金 屬柱71的形成區(qū)域對應的部分之上形成圖案化的抗蝕膜76。然后， 在圖42所示的制造步驟中，利用抗蝕膜76作為掩模，蝕刻第三金屬
層74，以便在抗蝕膜76之下的部分中形成金屬柱71 (金屬柱形成步驟)。此時，第二金屬層55在第三金屬層74的蝕刻過程中用作阻蝕 層，如此可以避免在蝕刻第三金屬層74時蝕刻第二金屬層55。接下來，在圖43所示的制造步驟中，利用抗蝕膜76作為掩模， 蝕刻第二金屬層55，從而形成連接片51 (連接片形成步驟)。此時，第一金屬層54在第二金屬層55的蝕刻過程中用作阻蝕 層，如此可以避免在蝕刻第二金屬層55時蝕刻第一金屬層54。接下來，在圖44所示的制造步驟中，除去抗蝕膜76。然后，在 圖45所示的制造步驟中，在圖44所示的結構之上形成圖案化的抗蝕 膜78?？刮g膜78是用于通過蝕刻第一金屬層54而形成配線圖案14、 15的掩模。接下來，在圖46所示的制造步驟中，利用抗蝕膜78作為掩模 蝕刻第一金屬層54，以形成配線圖案14、 15(配線圖案形成步驟)。 然后，在圖47所示的制造步驟中，除去抗蝕膜78。接下來，在圖48所示的制造步驟中，形成封裝樹脂72，以覆蓋 圖47所示結構的頂面。封裝樹脂72可以例如通過轉移成型方法或壓 縮成型方法形成。對于封裝樹脂72，可以使用例如環(huán)氧樹脂。接下來，在圖49所示的制造步驟中，除去封裝樹脂72的多余 部分，以使金屬柱71的頂面71A與封裝樹脂72的頂面72A大致齊 平。更具體地說，例如通過等離子灰化除去封裝樹脂72的多余部分。之后，通過執(zhí)行與參照第一實施例描述的圖20至圖22所示步 驟類似的制造步驟，完成多個半導體器件70。根據該實施例的半導體器件的制造方法，在形成絕緣樹脂13以 覆蓋多個內部連接端子12以及多個半導體芯片11的形成有內部連接 端子12的表面之后，通過在絕緣樹脂13之上順序形成用于形成配線 圖案14、 15的第一金屬層54、第二金屬層55以及第三金屬層74， 并且按壓第三金屬層74以使第一金屬層54與多個內部連接端子12 壓力結合，就不再需要如下步驟使多個內部連接端子12的高度齊 平的步驟，以及研磨絕緣樹脂13以使多個內部連接端子12的一部分 從絕緣樹脂13露出的步驟，如此可以減少制造步驟的數量，從而能 夠降低半導體器件70的制造成本。此外，通過在外部連接端子17與連接片51之間形成金屬柱71， 可以減緩施加于外部連接端子17上的應力。在該實施例的半導體器件70中，描述的是在配線圖案14、 15 與半導體芯片11之間設置絕緣樹脂13的情況，然而，可以使用第二 實施例中所描述的各向異性導電樹脂41來代替絕緣樹脂13。在這種 情況下，可以獲得與根據第二實施例的半導體器件40的制造方法所 獲得的效果類似的效果。在各個實施例中，如果半導體基板是具有8英寸直徑的晶片， 則通過在壓力結合步驟中在15(TC至20(TC溫度下施加ll,OOOkg或更 大的壓力，可以達到本發(fā)明的目的。盡管至此己經描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，然而本發(fā)明不限于 所公開的任何具體的實施例，可以在權利要求書所述的本發(fā)明的范圍 和精髓內進行各種變化和修改。本發(fā)明適用于在平面圖中尺寸與半導體芯片大致相同的半導體 器件的制造方法，其中，半導體芯片以倒裝方式結合到配線圖案上。
權利要求
1.一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括半導體基板，多個半導體芯片形成于其上；所述多個半導體芯片，其具有電極片；內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及配線圖案，其與所述內部連接端子連接，所述方法包括絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層形成步驟，其用于在所述絕緣樹脂上形成金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述金屬層而使所述金屬層與所述內部連接端子壓力結合；以及配線圖案形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所述金屬層而形成所述配線圖案。
2. —種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括 半導體基板，多個半導體芯片形成于其上； 所述多個半導體芯片，其具有電極片； 內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及 配線圖案，其與所述內部連接端子連接，所述方法包括 絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述絕緣樹脂之上順序層壓第一金 屬層和第二金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第二金屬層而使所述第一 金屬層與所述內部連接端子壓力結合；連接片形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所 述第二金屬層而形成連接片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所述配線圖案。
3. 根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第一金屬層是蝕刻所述第二金屬層時的阻蝕層。
4. 一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括 半導體基板，多個半導體芯片形成于其上； 所述多個半導體芯片，其具有電極片； 內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及 配線圖案，其與所述內部連接端子連接， 所述方法包括絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接 端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；層層壓步驟，其用于在所述絕緣樹脂之上順序層壓第一金屬層、 第二金屬層、以及用于保護所述第二金屬層的保護層；壓力結合步驟，其用于在所述層層壓步驟之后通過按壓所述保 護層而使所述第一金屬層與所述內部連接端子壓力結合；保護層除去步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后除去所述保護層；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接 片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。
5. 根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第一金屬層是蝕刻所述第二金屬層時的阻蝕層。
6. —種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括 半導體基板，多個半導體芯片形成于其上； 所述多個半導體芯片，其具有電極片； 內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及 配線圖案，其與所述內部連接端子連接， 所述方法包括絕緣樹脂形成步驟，其用于形成絕緣樹脂以覆蓋所述內部連接 端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述絕緣樹脂之上順序層壓第一金 屬層、第二金屬層以及第三金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第三金屬層而使所述第一 金屬層與所述內部連接端子壓力結合；金屬柱形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所 述第三金屬層而形成金屬柱；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接 片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。
7. 根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第二金屬層是蝕刻所述第三金屬層時的阻蝕層。
8. 根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第一金屬層是蝕刻所述第二金屬層時的阻蝕層。
9. 一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括 半導體基板，多個半導體芯片形成于其上； 所述多個半導體芯片，其具有電極片； 內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及 配線圖案，其與所述內部連接端子連接，所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，其用于形成各向異性導電樹脂以 覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部 連接端子的表面；金屬層形成步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上形成金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述金屬層而使所述金屬層與 所述內部連接端子壓力結合；以及配線圖案形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻 所述金屬層而形成所述配線圖案。
10. —種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括 半導體基板，多個半導體芯片形成于其上；所述多個半導體芯片，其具有電極片；內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及 配線圖案，其與所述內部連接端子連接，所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，其用于形成各向異性導電樹脂以 覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上順序層 壓第一金屬層和第二金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第二金屬層而使所述第一 金屬層與所述內部連接端子壓力結合；連接片形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所 述第二金屬層而形成連接片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。
11. 根據權利要求IO所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第一金屬層是蝕刻所述第二金屬層時的阻蝕層。
12. —種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括半導體基板，多個半導體芯片形成于其上； 所述多個半導體芯片，其具有電極片； 內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及 配線圖案，其與所述內部連接端子連接， 所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，其用于形成各向異性導電樹脂以 覆蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部 連接端子的表面；層層壓步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上順序層壓第 一金屬層、第二金屬層、以及用于保護所述第二金屬層的保護層；壓力結合步驟，其用于在所述層層壓步驟之后通過按壓所述保 護層而使所述第一金屬層與所述內部連接端子壓力結合；保護層除去步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后除去所述保護層；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接 片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。
13. 根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第一金屬層是蝕刻所述第二金屬層時的阻蝕層。
14. 一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件包括 半導體基板，多個半導體芯片形成于其上； 所述多個半導體芯片，其具有電極片； 內部連接端子，其設置在所述電極片上；以及 配線圖案，其與所述內部連接端子連接， 所述方法包括各向異性導電樹脂形成步驟，用于形成各向異性導電樹脂以覆 蓋所述內部連接端子、以及所述多個半導體芯片的設置有所述內部連接端子的表面；金屬層層壓步驟，其用于在所述各向異性導電樹脂之上順序層 壓第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層；壓力結合步驟，其用于通過按壓所述第三金屬層而使所述第一 金屬層與所述內部連接端子壓力結合；金屬柱形成步驟，其用于在所述壓力結合步驟之后通過蝕刻所 述第三金屬層而形成金屬柱；連接片形成步驟，其用于通過蝕刻所述第二金屬層而形成連接 片；以及配線圖案形成步驟，其用于通過蝕刻所述第一金屬層而形成所 述配線圖案。
15.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第二金屬層是蝕刻所述第三金屬層時的阻蝕層。
16.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其中， 所述第一金屬層是蝕刻所述第二金屬層時的阻蝕層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導體器件的制造方法，在平面圖中所述半導體器件的尺寸與半導體芯片的尺寸大致相同，半導體芯片以倒裝方式結合到配線圖案上，本發(fā)明的目的是提供一種半導體器件的制造方法，該制造方法能夠減少制造步驟的數量，以實現(xiàn)制造成本的最小化。形成絕緣樹脂(13)以覆蓋多個內部連接端子(12)、以及多個半導體芯片(11)的形成有所述內部連接端子的表面，然后在絕緣樹脂(13)之上形成用于形成配線圖案的金屬層(33)，并且通過按壓金屬層(33)而使金屬層(33)與多個內部連接端子(12)壓力結合。
文檔編號H01L21/60GK101154606SQ20071015419
公開日2008年4月2日 申請日期2007年9月24日 優(yōu)先權日2006年9月26日
發(fā)明者山野孝治, 荒井直 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社