專利名稱：在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，更特別涉及一種利用壓 力差的方式，將錫膏擠入晶片的開孔中以形成導(dǎo)電線路的方法。
背景技術(shù)：
由于電子產(chǎn)品越來越輕薄短小，使得用以保護(hù)半導(dǎo)體芯片以及提供外部 電路連接的封裝構(gòu)造也同樣需要輕薄短小化。
隨著微小化以及高操作速度需求的增加，多芯片封裝構(gòu)造在許多電子裝 置越來越吸引人。多芯片封裝構(gòu)造可通過將兩個(gè)或兩個(gè)以上的芯片組合在單 一封裝構(gòu)造中，來使系統(tǒng)運(yùn)作速度的限制最小化。此外，多芯片封裝構(gòu)造可 減少芯片間連接線路的長度而降低信號(hào)延遲以及存取時(shí)間。
參考圖1， 一種已知的堆疊封裝構(gòu)造100包含基板110，基板110上設(shè) 有芯片120，通過多個(gè)凸塊140與基板110電性連接。芯片120上堆疊有另 一芯片130,并通過凸塊150與芯片120電性連接。
參考圖2，為使芯片130能通過位于下方的芯片120與基板110電性連 接，芯片120的內(nèi)部形成有連接有源面122與背面124的通孔126，通孔126 內(nèi)并形成有導(dǎo)電體128,其與位于有源面122與背面124上的凸塊140、 150 電性連接，芯片130則通過此導(dǎo)電通道與基板110電性連接。
一般來說，芯片上的開孔通常通過蝕刻或激光鉆孔的方式形成，并以電 鍍的方式在該開孔內(nèi)形成銅導(dǎo)體。因此，對(duì)于高深寬比的開孔，必須以較好 的電流密度來控制電鍍的工藝，否則無法達(dá)到優(yōu)選的電鍍結(jié)果。舉例而言， 參考圖3，當(dāng)以電鍍的方式在芯片300的開孔310內(nèi)形成銅層320時(shí)，開孔 310上方的周緣會(huì)由于尖端放電的效應(yīng)，致使銅層大量形成于內(nèi)側(cè)壁上，形 成所謂的突懸(overhang)330，進(jìn)而造成隨后的電鍍無法成功地將銅填入開孔 310內(nèi)，這特別容易發(fā)生孔的深寬比大于4的情況。
有鑒于此，便有須提出一種在晶片內(nèi)制造導(dǎo)線的方法，以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，可避免以電 鍍的方式在開孔內(nèi)形成導(dǎo)電線路所引起的突懸問題。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法利用干式蝕刻或 激光燒蝕的方式在晶片上表面形成開孔，再將錫膏涂布于開孔上，并將晶片 置于一真空的環(huán)境內(nèi)且將錫膏加熱融化。破壞此真空環(huán)境^f吏得施加在錫膏上 方的氣體壓力大于開孔內(nèi)氣體的壓力，由此將熔融的錫膏擠入開孔內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，利用壓力差的方式將熔融 的錫膏擠入開孔內(nèi)，避免了以電鍍的方式在導(dǎo)孔內(nèi)形成導(dǎo)電線路所引起的突 懸問題。
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文特舉本 發(fā)明實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下。
圖1為已知堆疊封裝構(gòu)造的剖面圖。
圖2為圖1中下方芯片的放大圖。 圖3為已知以電鍍方式在芯片開孔內(nèi)形成銅層的方法。 圖4a至圖4f為本發(fā)明的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法。 圖5為本發(fā)明的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線^^的方法，另在晶片開孔的上方形 成與開孔內(nèi)的錫膏一體形成的凸塊。
附圖標(biāo)記il明
100堆疊封裝構(gòu)造110基板
120心巧122有源面
124背面126通孔
128導(dǎo)電體130芯片
140凸塊150凸塊
300心巧310開孔
320銅層330突懸
400晶片410上表面
420干膜圖案430開孔
440下表面 450 錫膏
510凸塊 Pl 壓力
P2 壓力
具體實(shí)施例方式
參考圖4a，本發(fā)明的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法為在晶片400的上表 面410形成干膜圖案(dry film pattern)420,并在晶片上表面410以干式蝕刻 的方式，形成多個(gè)開孔430,例如是深寬比大于6的盲孔或是貫通至晶片下 表面440的通孔(見圖4b)。接著，參考圖4c，以例如網(wǎng)板印刷(screenprinting) 的方式，將錫膏450涂布于晶片上表面410，此時(shí)會(huì)有錫膏分布于開孔430 上，并接著將干膜圖案420移除(見圖4d)。此外，亦可以激光燒蝕的方式 形成開孔430，此時(shí)則可不須在晶片上表面410形成干膜圖案420。
參考圖4e，為使錫膏450能擠入晶片400的開孔430內(nèi)，將加熱錫膏 450使其融化，并形成一環(huán)境使得施加在晶片上表面410的氣體壓力Pl大 于開孔430內(nèi)的氣體壓力P2。由于此壓力差，熔融的錫膏450會(huì)被擠入開 孔430內(nèi)(見圖4f)，由此達(dá)到在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的目的。
上述在開孔430內(nèi)外制造不同壓力的方法，可將晶片400置于一真空環(huán) 境內(nèi)，例如4由真空的真空腔體內(nèi)，并在晶片上表面410涂布錫膏450,再加 熱錫膏450使其融化，接著突然將真空環(huán)境破壞，此時(shí)施加在錫膏450上方 的壓力Pl會(huì)大于施加在錫膏450下方的壓力P2,熔融的錫膏450會(huì)因此壓 力差被沖齊入開孔430內(nèi)。
為使錫膏450更容易充滿于貫通晶片上下表面的通孔430內(nèi)，可在晶片 下表面440施加一罩體(圖未示)，罩蓋通孔430的下方，當(dāng)真空環(huán)境被破 壞的瞬間，通孔430內(nèi)仍能保持相對(duì)較低的壓力P2，施加在錫膏450上方 的壓力Pl將因此迫使熔融的錫膏450擠入開孔430內(nèi)。此外，參考圖5, 由于熔融的錫膏450會(huì)因內(nèi)聚力形成球狀，可利用此一物理現(xiàn)象并根據(jù)開孔 430的大小適度地增加錫膏450的量，使得錫膏450充滿開孔430后還可在 開孔430的上方形成^M犬的凸塊510,如此，可省卻后續(xù)柏J求(ball mount)的 步驟。另外，本發(fā)明的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，可應(yīng)用于具有電路的 晶片或空白晶片(dummy wafer)。上述晶片經(jīng)切割后可分別形成各具功能的芯 片或作為間隔用的虛芯片(dummy chip)。
根據(jù)本發(fā)明的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，利用壓力差的方式將熔融 的錫膏擠入開孔內(nèi)，避免了以電鍍的方式在導(dǎo)孔內(nèi)形成導(dǎo)電線路所《1起的突
懸問題。
雖然本發(fā)明已以前述優(yōu)選實(shí)施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與 修改。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種在片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，包含下列步驟提供一晶片；自該晶片的上表面形成多個(gè)開孔；將錫膏涂布于這些開孔上；將這些錫膏加熱融化；及最該晶片得上表面形成有第一氣壓的環(huán)境，且自這些開孔內(nèi)形成有第二氣壓的環(huán)境，其中該第一氣壓大于第二氣壓，由此將這些熔融的錫膏擠入這些開孔內(nèi)。
2、 如權(quán)利要求1的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，其中使該第一氣壓 大于該第二氣壓的步驟包含在錫膏涂布前將該晶片置于一真空的環(huán)境內(nèi)；及 在錫膏加熱融化時(shí)-皮壞該真空的環(huán)境。
3、 如權(quán)利要求2的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，其中這些開孔為貫 通至該晶片下表面的通孔，該使該第一氣壓大于該第二氣壓的步驟還包含在該晶片置于該真空環(huán)境前施加一罩體，罩蓋于該晶片的下表面。
4、 如權(quán)利要求1的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，其中這些開孔通過 激光燒蝕的方式形成。
5、 如權(quán)利要求1的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，其中這些開孔通過 干式蝕刻的方式形成，該在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法還包含在這些開孔形成之前先在該晶片的上表面形成一干膜圖案；及 在這些開孔形成之后移除該干膜圖案。
6、 如權(quán)利要求1的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，還包含步驟 在這些開孔的上方形成多個(gè)與這些開孔內(nèi)的錫膏一體形成的凸塊。
7、 如權(quán)利要求1的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，其中這些錫膏通過 網(wǎng)板印刷的方式涂布于這些開孔上。
8、 如權(quán)利要求1的在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，其中這些開孔的深 寬比大于6。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在晶片內(nèi)形成導(dǎo)電線路的方法，利用干式蝕刻或激光燒蝕的方式在晶片上表面形成開孔，再將錫膏涂布于開孔上，并將晶片置于一真空的環(huán)境內(nèi)且將錫膏加熱融化。破壞此真空環(huán)境使得施加在晶片上表面的氣體壓力大于開孔內(nèi)的氣體壓力，由此將熔融的錫膏擠入開孔內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101388357SQ200710154229
公開日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2007年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月11日
發(fā)明者楊學(xué)安 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司