專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器及制造其的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣薄膜晶體管("TFT")有機(jī)發(fā)光二極管("OLED，，) 顯示器以及制造其的方法。更具體的，本發(fā)明涉及具有低泄漏電流、改良的 響應(yīng)時(shí)間、簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)以及高可靠性的OLED以及制造其的方法。
背景技術(shù)：
通常的，使用OLED的有源彩色圖象顯示器裝置包括開(kāi)關(guān)(取樣)晶體 管、存儲(chǔ)電容器以及驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)施加到存儲(chǔ)電容器的圖像 信號(hào)電壓控制提供到OLED的電流?，F(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)具體例子是日本專利特 開(kāi)公告No.2002-156923中公開(kāi)的兩個(gè)晶體管-一個(gè)電容器("2T-1C")結(jié)構(gòu)。用于開(kāi)關(guān)晶體管以及驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道通常由非晶硅("a-Si")或多晶 硅("POLY-Si"或"p-Si，，)形成。開(kāi)關(guān)晶體管是開(kāi)關(guān)元件，其提供數(shù)據(jù)電壓 到驅(qū)動(dòng)晶體管并且因而需要低泄漏電壓以及快速的響應(yīng)。驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流到OL ED并且因而當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間維持高電流時(shí)需要高可靠性。非晶硅具有劣化高速運(yùn)行的低電子遷移率，使得非晶硅對(duì)于用作形成開(kāi)關(guān)晶體管的材料無(wú)吸引力。另外，非晶硅在高電流運(yùn)行下突然劣化。因此， 非晶硅不合適于用作形成驅(qū)動(dòng)晶體管的材料。相反，多晶硅具有高電子遷移率，提供了改良的高速性能。在高電流下， 多晶硅比非晶硅對(duì)劣化也相當(dāng)?shù)夭幻舾?。因此，?dāng)用作形成開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū) 動(dòng)晶體管的材料時(shí)多晶硅優(yōu)于非晶硅。遺憾的是，多晶硅由于穿過(guò)晶界的電流的泄漏產(chǎn)生截止電流 (off-current)。進(jìn)一步，多晶硅具有低的結(jié)晶均勻性，其使得難以獲得用于每 個(gè)像素的一致運(yùn)行特性。為補(bǔ)償多晶硅的低的結(jié)晶均勻性，需要電壓程序型 (voltage program type)補(bǔ)償裝置(例如，由Sarnoff制作，SID 98 )、電流程序 型補(bǔ)償裝置(例如，由Sony制作，SIDOl)、或者其它類似裝置。這樣的補(bǔ) 償裝置需要難于設(shè)計(jì)和制造的復(fù)雜電路。這樣的補(bǔ)償裝置也導(dǎo)致新問(wèn)題。因此，需要發(fā)展具有低泄漏電流、快速響應(yīng)時(shí)間、簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)以及高可
靠性的優(yōu)點(diǎn)而不需使用補(bǔ)償電路或其它類似裝置的有機(jī)電致發(fā)光顯示器。 發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例，有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括OLED;驅(qū) 動(dòng)晶體管，其驅(qū)動(dòng)所述OLED;以及開(kāi)關(guān)晶體管，其控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的 操作，其中所述開(kāi)關(guān)晶體管以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層使用具有不同密度 的硅化物來(lái)晶化，從而所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源層比所述開(kāi)關(guān)晶體管的所 述有源層具有更大的晶粒尺寸。根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法包括 在基板上形成非晶硅層；在所述非晶硅層上形成硅化物，所述硅化物在對(duì)應(yīng) 于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域中比在對(duì)應(yīng)于所述開(kāi)關(guān)晶體管的區(qū)域中具有相對(duì) 較低的密度；使用所述硅化物晶化所述非晶硅層從而形成多晶硅層，所述多 晶硅層在對(duì)應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域中比在對(duì)應(yīng)于所述開(kāi)關(guān)晶體管的區(qū) 域中具有相對(duì)更大的晶粒尺寸；圖案化所述多晶硅層從而形成對(duì)應(yīng)于所述開(kāi) 關(guān)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層的硅島；以及使用所述硅島制造所述開(kāi) 關(guān)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管。根據(jù)本發(fā)明的另 一 示例性實(shí)施例，制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法包 括在所述非晶硅層上形成蓋層從而覆蓋至少對(duì)應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū) 域；附著金屬粒子到所述的已形成的結(jié)構(gòu)上；使用退火擴(kuò)散所述金屬粒子到 所述非晶硅層內(nèi)從而形成所述硅化物；以及使用所述硅化物晶化所述非晶硅 層。供選地，蓋層可覆蓋對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管的區(qū)域。在這樣的 示例性實(shí)施例中，蓋層在對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域內(nèi)比在對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)晶體管 的區(qū)域內(nèi)要更厚。硅化物可由鎳制成。


通過(guò)參照附圖更詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它方面、特 征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見(jiàn)，附圖中圖1A到1C是透視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例使用金 屬誘導(dǎo)晶化("MIC ")的晶化非晶硅的方法；
圖2A和2B是透視圖，示出了如圖1方法所示的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示 例性實(shí)施例使用有差異的金屬擴(kuò)散形成硅化物的方法；圖3A到3F是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例晶化非 晶硅的方法；圖4A和4B是掃描電子顯微鏡("SEM")圖像，示出了根據(jù)本發(fā)明的 示例性實(shí)施例有差異地晶化的多晶硅層；以及圖5A到50是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的制造 有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法。
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí) 施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式實(shí)施并且不局限于下面闡述的實(shí)施例。 更確切地，提供這些實(shí)施例以使得本公開(kāi)全面和完整，并且對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù) 人員全面?zhèn)鬟_(dá)本發(fā)明的范圍。全文中相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件?？梢岳斫猓?dāng)元件被提到在另一元件之"上"時(shí)，該元件可直接在其他 元件之上或者插入元件可在其中間出現(xiàn)。相反，當(dāng)一個(gè)元件被提到"直接" 在另一元件"上，，時(shí)，沒(méi)有插入元件出現(xiàn)。在這里使用時(shí)，詞語(yǔ)"和/或"包 括關(guān)聯(lián)的所列條目中一個(gè)或多個(gè)的任意組合以及所有組合。能夠理解，盡管詞語(yǔ)"第一，，，"第二，，，"第三，，等在這里可用以描述不 同元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分 不應(yīng)被這些詞語(yǔ)所局限。這些詞語(yǔ)只用于把一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部 分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)。因此，下面討論的第一元件、 組件、區(qū)域、層或部分在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)下可被稱為第二元件、組件、 區(qū)域、層或部分。這里使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體實(shí)施例而不是為了作為本發(fā)明的限 制。在這里使用時(shí)，單數(shù)形式的"一個(gè)"、"該"也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下 文清楚地指出。可進(jìn)一步理解，在此說(shuō)明書(shū)中使用的詞語(yǔ)"由…組成"和/ 或"包含"、或者"包括"，確定所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件 和/或組件的存在，但是不排除一個(gè)或更多其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操 作、元件、組件和/或其組的存在或添加。進(jìn)一步，在這里使用的諸如"下面"或"底部"以及"上面"或"頂部"
的相對(duì)性的詞語(yǔ)，用以描述如圖中所示的一個(gè)元件與其它元件的關(guān)系。能夠 理解，相對(duì)性的詞語(yǔ)意圖包括裝置的除了圖中所示方向以外的不同方向。例 如，如果一個(gè)圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件"下部"的元件于是 可定位在其它元件的"上部"。因此，示例性詞語(yǔ)"下部，，根據(jù)圖中的特定 方向能夠包括"下部"和"上部"兩個(gè)方向。類似地，如果一個(gè)圖中的裝置 被翻轉(zhuǎn)，描述為在其它元件"在...下面"或"在...之下"的元件于是可定位 在其它元件的"在...之上"。因此，示例性詞語(yǔ)"在...下面"或"在...之下" 能夠包括上部和下部的兩個(gè)方向。除非另外定義，這里所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括科技術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明 所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還將理解，術(shù)語(yǔ)，例如一 般使用的字典中定義的那些術(shù)語(yǔ)，應(yīng)被理解為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)和本公 開(kāi)的背景中的意思一致的意思，且將不會(huì)在理想化或過(guò)于正式的意義上來(lái)理 解，除非這里清楚地這樣定義。這里參照剖視圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，剖視圖是本發(fā)明的理想化 實(shí)施例的示意圖。因此，由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的圖示形狀的變化 是可以預(yù)期的。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)被理解為局限于這里示出的區(qū)域 的特定形狀，而是將包括例如制造所導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出或描述 為平坦的區(qū)域一般可具有粗糙和/或非線性特征。此外，示出的尖角可以是圓 的。因此，圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的且其形狀無(wú)意示出區(qū)域的精確 形狀且無(wú)意限制本發(fā)明的范圍。下面，將參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)示例性實(shí)施例的有 機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法。圖1A到1C是透視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例在制造 有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中使用金屬誘導(dǎo)晶化來(lái)晶化非晶硅的方法。參照?qǐng)D1A，非晶硅層2以及由二氧化物("Si02")或其它合適的材料 制成的蓋層3相繼形成在基板1上。參照?qǐng)D1B，鎳(Ni)粒子(Ni particle) 4濺射在蓋層3上。供選地， 鎳粒子可分散在有機(jī)溶劑中并且附著到蓋層3上。參照?qǐng)D1C，多晶硅2'利用來(lái)自爐(fUrnace)中的熱通過(guò)熱處理被晶化，并 且多晶硅2'上的蓋層3被去除。進(jìn)一步參照?qǐng)Dl當(dāng)諸如鎳(或其它合適材料)的催化金屬淀積在蓋層3上并且被熱處理時(shí)，淀積在蓋層3上的催化金屬穿過(guò)蓋層3擴(kuò)散到非晶硅中并且形成鎳硅化物。擴(kuò)散到非晶硅層中的鎳硅化物具有與硅相同的晶體結(jié) 構(gòu)以及晶格參數(shù)，并且因此在非晶硅中充當(dāng)作晶核，并且通過(guò)硅化物晶化的 硅晶體的晶粒尺寸通過(guò)擴(kuò)散到非晶硅中的鎳的數(shù)量控制。因此，鎳硅化物的 數(shù)量可根據(jù)將充當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管以及驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層的所需的晶粒尺寸來(lái)調(diào)整。鎳硅化物的數(shù)量通過(guò)調(diào)整形成在非晶硅上的蓋層3的厚度以調(diào)整擴(kuò) 散到非晶硅中的鎳的密度來(lái)決定。圖2A和2B是透視圖，示出了如圖1中方法所示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示 例性實(shí)施例使用有差異的金屬擴(kuò)散形成硅化物的方法。參照?qǐng)D2A，具有厚的部分3a以及薄的部分3b的蓋層3形成在非晶硅 層2上。蓋層3的厚的部分3a的下部位于將形成驅(qū)動(dòng)晶體管的地方，蓋層3 的薄的部分3b位于將形成開(kāi)關(guān)晶體管的地方。供選地，如圖2B所示，蓋層 3的薄的部分3b可在從將形成開(kāi)關(guān)晶體管的地方省略。換句話說(shuō)，蓋層3 可只形成在將形成驅(qū)動(dòng)晶體管的非晶硅層2上的區(qū)域中。蓋層3的厚的部分 3a的厚度tl以及蓋層3的薄的部分3b的厚度t2滿足不等式"t2〉飼"。圖3A到3F是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例晶化非 晶硅的方法。參照?qǐng)D3A, Si02或其它合適的材料淀積在由玻璃或其它合適的材料形 成的基板1上以形成緩沖層la。非晶硅層2以及蓋層3使用公知方法形成在 緩沖層la上。參照?qǐng)D3B,具有窗口 5a的掩模圖案5形成在蓋層3上，其中蓋層3的 薄的部分3b通過(guò)窗口 5a處理。接著，蓋層3的通過(guò)窗口 5a暴露的部分被 蝕刻。參照?qǐng)D3C,掩模圖案5被去除，并且鎳濺射在蓋層3上。在圖3中， 鎳示出為以粒子形式淀積在蓋層3上。參照?qǐng)D3D,使用熱的退火工藝將非晶硅層2轉(zhuǎn)化為多晶硅層2'。在退 火工藝中，淀積在蓋層3上的鎳通過(guò)蓋層3擴(kuò)散到非晶硅層2內(nèi)并且形成有 助于晶化非晶硅層2的硅化物材料，由此將非晶硅層2轉(zhuǎn)化為多晶硅層2'。參照?qǐng)D3E，多晶硅層2'上的蓋層3被去除，并且在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè) 示例性實(shí)施例制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中使用該多晶硅層2'。多晶硅 層2'包括用作開(kāi)關(guān)晶體管的有源層的部分2a'以及用作驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層
的部分2b'。對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管的部分2b'比對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)晶體管的部分2a'具 有更大的晶粒尺寸。參照?qǐng)D3F，鎳的有差異的擴(kuò)散可通過(guò)去除3a部分(圖3B中所示)從 而在需要具有相對(duì)小的晶粒尺寸的多晶硅的非晶硅層區(qū)域中直接淀積鎳而 得到。對(duì)于有差異的擴(kuò)散的任何方法，鎳的濺射可用將鎳?yán)訑U(kuò)散到有機(jī)溶劑 并且附著鎳到蓋層3來(lái)代替。圖4A和4B是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有差異地晶化的多晶硅層 的掃描電子顯微鏡圖像。圖4A示出了具有大約200微米的晶粒尺寸的多晶 硅層以及圖4B示出了具有大約IO微米的晶粒尺寸的多晶硅層。下面，將參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的 具有由不同晶粒尺寸的多晶硅層形成的開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的有機(jī)電 致發(fā)光顯示器的制造方法。圖5A到50是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī) 電致發(fā)光顯示器的制造方法。參照?qǐng)D5A,由Si02形成的緩沖層12形成在由 石英、玻璃、塑料或其它合適材料形成的基板11上。參照?qǐng)D5B，非晶硅層13在緩沖層12上形成至大約500A的厚度。非晶 硅層13使用化學(xué)汽相淀積("CVD，，)或物理汽相淀積("PVD")來(lái)淀積， 優(yōu)選PVD。 PVD工藝可包括作為濺射目標(biāo)的硅、大約每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘 米的速率的氬氣、以及大約5m托的大氣壓。參照?qǐng)D5C,非晶硅層13通過(guò)硅化物被晶化，硅化物通過(guò)如這里描述的 鎳的有差異的擴(kuò)散而形成從而形成具有小晶粒尺寸的多晶硅部分13a以及具 有大晶粒尺寸的多晶硅部分13b。這個(gè)工藝可為參照?qǐng)D3A到3E的根據(jù)本發(fā)明的 一 個(gè)示例性實(shí)施例描述的方法。參照?qǐng)D5D,多晶硅部分13a和13b使用公知的諸如干蝕刻方法或其它合適的方法被圖案化以得到硅島13a'和13b'，其分別被用作開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管。硅島13a'和13b'的寬度設(shè)置為大約4微米并且它們的長(zhǎng)度被設(shè)置為大約4微米或更大。參照?qǐng)D5E，形成由Si02制成的柵極絕緣層14以覆蓋硅島13a'和13b'。 參照?qǐng)D5F，使用淀積法、濺射法或其它合適的方法由鉬(Mo)、鎢(W) 方法來(lái)圖案化以形成X線Xs、柵極Qlg和Q2g以及存儲(chǔ)電容器的下電極 Cma，其中柵極Qlg連接到X線Xs，并且柵極Q2g連接到下電極Cma。參照?qǐng)D5G,磷(P)離子使用離子注入方法或其它合適的方法被注入到 未被柵極Qlg覆蓋的硅島13a'的兩端，以得到開(kāi)關(guān)晶體管Q1的源極Qls以 及漏極Qld。磷離子使用離子注入方法或其它合適的方法注入到未被柵極 Q2g覆蓋的硅島13b'的兩端，以得到驅(qū)動(dòng)晶體管Q2的源極Q2s以及漏極 Q2d。如果驅(qū)動(dòng)晶體管Q2在前面的工藝中用N型摻雜劑摻雜，N型摻雜劑利 用P+離子充分摻雜轉(zhuǎn)化為P型摻雜劑。當(dāng)摻雜完成后，開(kāi)關(guān)晶體管Ql以 及驅(qū)動(dòng)晶體管Q2的多晶硅島13a和13b分別通過(guò)退火被活化。換句話說(shuō)， 示例實(shí)施例使用P型摻雜劑。參照?qǐng)D5H, Si02使用CVD或其它合適的方法淀積在所形成的結(jié)構(gòu)上以 形成層間電介質(zhì)("ILD")層14。接著，接觸孔14a形成在ILD層14內(nèi)以 將開(kāi)關(guān)晶體管Ql電連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Q2。參照?qǐng)D51,金屬層形成在ILD層14上并且然后被圖案化以形成Y線 Ys、 Z線Zd、開(kāi)關(guān)晶體管Q1的漏極電極Qlde和源極電極Qlse、驅(qū)動(dòng)晶體 管Q2的漏極電極Q2de和源極電極Q2se、以及存儲(chǔ)電容器Cm的上電極 Cmb。參照?qǐng)D5J，由Si02制成的第二絕緣層17形成在已形成的結(jié)構(gòu)上并且接 觸孔17a形成在第二絕緣層17內(nèi)以暴露驅(qū)動(dòng)晶體管Q2的漏極電極Q2de。參照?qǐng)D5K,銦錫氧化物("ITO")或其它合適的材料形成的導(dǎo)電層形成 在第二絕緣層17上并且然后被圖案化以形成OLED的陽(yáng)極An。參照?qǐng)D5L,第三絕緣層18形成在已形成的結(jié)構(gòu)上，并且然后窗口 18a 形成在第三絕緣層18內(nèi)以暴露OLED的陽(yáng)極An。參照?qǐng)D5M，空穴傳輸層("HTL，，)形成在已形成的結(jié)構(gòu)上。參照?qǐng)D5N,光發(fā)射層(EM)以及電子傳輸層("ETL")相繼形成在HTL上。參照?qǐng)D50,作為OLED的陰極的公共電極K形成在包括ETL的已形成 的結(jié)構(gòu)上，并且第四絕緣層19形成在公共電極K上?？傊?，已經(jīng)描述了在基板上制造用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的像素的 具有不同的晶粒尺寸的兩個(gè)晶體管以及電容器的工藝。如上所述的根據(jù)本發(fā)
明的一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器采用頂柵極型TFT。供選地，本發(fā)明的另 一示例性實(shí)施例可采用有源層設(shè)置在柵極下面的底柵極型TFT。 底柵極型TFT的結(jié)構(gòu)以及制造底柵極型TFT的方法可容易地實(shí)現(xiàn)并且因此 不限制所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器能夠被設(shè)計(jì)以滿足開(kāi)關(guān)晶 體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的要求。換句話說(shuō)，能夠得到具有不同晶粒尺寸的多晶硅島。這樣，能夠制造低遷移率的有源層和由于低遷移率的有源層而具有低泄 漏電流的開(kāi)關(guān)晶體管、以及高遷移率的有源層和由于該高遷移率而具有快速 響應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管。盡管本發(fā)明已參照其示例性實(shí)施例進(jìn)行了特定示出和描述，本領(lǐng)域一般 技術(shù)人員能夠理解，在不脫離本發(fā)明所附權(quán)利要求定義的精神和范圍下可進(jìn) 行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括有機(jī)發(fā)光二極管；驅(qū)動(dòng)晶體管，其驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光二極管；以及開(kāi)關(guān)晶體管，其控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的操作，其中所述開(kāi)關(guān)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層使用具有不同密度的硅化物來(lái)晶化，從而所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源層比所述開(kāi)關(guān)晶體管的所述有源層具有更大的晶粒尺寸。
2. —種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，該有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括 驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)晶體管及驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的開(kāi)關(guān)晶體管，該 方法包括在基板上形成非晶硅層；在所述非晶硅層上形成硅化物，所述硅化物在對(duì)應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的 區(qū)域中比在對(duì)應(yīng)于所述開(kāi)關(guān)晶體管的區(qū)域中具有相對(duì)較低的密度；使用所述硅化物晶化所述非晶硅層從而形成多晶硅層，所述多晶硅層在 對(duì)應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域中比在對(duì)應(yīng)于所述開(kāi)關(guān)晶體管的區(qū)域中具有 相對(duì)更大的晶粒尺寸；圖案化所述多晶硅層從而形成對(duì)應(yīng)于所述開(kāi)關(guān)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體 管的有源層的硅島；以及使用所述硅島制造所述開(kāi)關(guān)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管。
3. 如權(quán)利要求2的方法，其中形成所述硅化物包括 在所述非晶硅層上形成蓋層從而覆蓋至少對(duì)應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域；附著金屬粒子到所得結(jié)構(gòu)上；使用退火擴(kuò)散所述金屬粒子到所述非晶硅層內(nèi)從而形成所述硅化物；以及使用所述硅化物晶化所述非晶硅層。
4. 如權(quán)利要求3的方法，其中所述蓋層覆蓋對(duì)應(yīng)于所述開(kāi)關(guān)晶體管和 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域，并且在對(duì)應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的區(qū)域中比在對(duì)應(yīng)于 所述開(kāi)關(guān)晶體管的區(qū)域中更厚。
5. 如權(quán)利要求2的方法，其中所述硅化物由鎳形成。
6. 如權(quán)利要求3的方法，其中所述硅化物由鎳形成。
7. 如權(quán)利要求4的方法，其中所述硅化物由鎳形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器以及制造其的方法，該有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括有機(jī)發(fā)光二極管；驅(qū)動(dòng)晶體管，其驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光二極管；以及開(kāi)關(guān)晶體管，其控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的操作，其中所述開(kāi)關(guān)晶體管以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層使用具有不同密度的硅化物來(lái)晶化，從而所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源層比所述開(kāi)關(guān)晶體管的所述有源層具有更大的晶粒尺寸。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101150142SQ20071015478
公開(kāi)日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2007年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月19日
發(fā)明者樸敬培, 權(quán)章淵, 鄭智心, 金鐘萬(wàn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社