專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于WL-CSP (晶片級(jí)芯片尺寸封裝Wafer Level-Chip Size Package)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
最近，伴隨著半導(dǎo)體裝置的高功能化*多功能化，推進(jìn)了WL-CSP(晶 片級(jí)芯片尺寸封裝Wafer Level-Chip Size Package,以下記述為 "WL-CSP")技術(shù)的實(shí)用化。在WL-CSP技術(shù)中，在晶片狀態(tài)下完成封裝 工序，通過(guò)切割切出的各個(gè)芯片尺寸成為封裝尺寸。如圖8所示，適用于WL-CSP技術(shù)的半導(dǎo)體裝置包括由表面保護(hù)膜81 覆蓋表面的半導(dǎo)體芯片82、在表面保護(hù)膜81上層疊的應(yīng)力緩沖層83、以 及設(shè)置在應(yīng)力緩沖層83上的大致球狀的焊料球84。在表面保護(hù)膜81上形 成焊盤(pán)開(kāi)口 86，用于使半導(dǎo)體芯片82的內(nèi)部布線的一部分露出作為電極 焊盤(pán)85。在應(yīng)力緩沖層83上形成貫通孔87，用于使從焊盤(pán)開(kāi)口 86露出 的電極焊盤(pán)85露出。按照覆蓋電極焊盤(pán)85的表面、貫通孔87的內(nèi)面以及應(yīng)力緩沖層83 的表面中的貫通孔87的周邊的方式，形成凸塊基底層88。之后，將焊料 球84設(shè)置在凸塊基底層88表面上，并通過(guò)該凸塊基底層88與電極焊盤(pán) 85電連接。該半導(dǎo)體裝置通過(guò)使焊料球84與安裝基板89上的焊盤(pán)90連 接而實(shí)現(xiàn)安裝在安裝基板89上(相對(duì)于安裝基板電連接和機(jī)械連接)。在半導(dǎo)體裝置被安裝在安裝基板89上的狀態(tài)下，焊料球84在被夾在 半導(dǎo)體芯片82上的凸塊基底層88與安裝基板89上的焊盤(pán)90之間的狀態(tài) 下被固定在其上。但是，在與凸塊基底層88的關(guān)系中，焊料球84只與凸 塊基底層88的表面接觸。因此，當(dāng)由半導(dǎo)體芯片82和安裝基板89的熱 膨脹/熱收縮引起的應(yīng)力在焊料球84上產(chǎn)生時(shí)，由于該應(yīng)力，在焊料球84
的與凸塊基底層88之間的接合界面附近恐怕會(huì)產(chǎn)生裂紋。所以，由于焊料球84和凸塊基底層88之間的接觸面積小，通過(guò)在焊料球84上產(chǎn)生的 應(yīng)力，恐怕焊料球84容易從凸塊基底層88上剝離。特別地，在LGA (Land Grid Array)類(lèi)型的半導(dǎo)體裝置中，由于焊料 球(焊料焊盤(pán))的體積小，因此焊料不會(huì)濕潤(rùn)擴(kuò)散到凸塊基底層的側(cè)面。 因此，在焊料焊盤(pán)上產(chǎn)生的應(yīng)力容易導(dǎo)致裂紋，此外，很難獲得相對(duì)于焊 料焊盤(pán)的凸塊基底層(半導(dǎo)體芯片)的充分的連接強(qiáng)度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，可以緩和在焊料端子上產(chǎn)生的 應(yīng)力，同時(shí)，提高相對(duì)于半導(dǎo)體芯片的連接強(qiáng)度，并且可以防止焊料端子 的剝離。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片；在所述半導(dǎo)體芯片的表面上 形成的電連接用的內(nèi)部焊盤(pán)；在所述半導(dǎo)體芯片上形成的、具有露出所述 內(nèi)部焊盤(pán)的開(kāi)口部的應(yīng)力緩沖層；由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬構(gòu)成的、形成 在所述內(nèi)部焊盤(pán)的與所述開(kāi)口部面對(duì)的部分上的、具有在所述應(yīng)力緩沖層 上突出的突起部的連接焊盤(pán)；由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬構(gòu)成的、包圍所述 突出部的周?chē)?、形成為比所述突出部在前述?yīng)力緩沖層上的突出量小的厚 度的金屬凸緣部；以及在所述突出部和所述金屬凸緣部上形成的、用于與 外部電連接的焊料端子。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在應(yīng)力緩沖層的開(kāi)口部上設(shè)置的連接焊盤(pán)由具有焊料 濕潤(rùn)性的金屬構(gòu)成，并且被形成為具有從開(kāi)口部在應(yīng)力緩沖層上突出的突 出部的形狀。在突出部的周?chē)?，由具有焊料濕?rùn)性的金屬構(gòu)成的金屬凸緣 部形成為包圍突出部。然后，用于與外部電連接的焊料端子形成在連接焊 盤(pán)的突出部和金屬凸緣部上。由此，突出部的整個(gè)表面(前端面和側(cè)面) 和金屬凸緣部被焊料端子覆蓋。該半導(dǎo)體裝置通過(guò)焊料端子與外部安裝基板上的焊盤(pán)連接而安裝到 該安裝基板上。在該安裝狀態(tài)下，即使由于半導(dǎo)體芯片和安裝基板的熱膨 脹/熱收縮導(dǎo)致的應(yīng)力在焊料端子上產(chǎn)生，通過(guò)焊料端子形成為覆蓋突出 部的整個(gè)表面(前端部和側(cè)面)，由于突出部從焊料端子的內(nèi)部突出，因
此可以由在焊料端子的內(nèi)部突出的突出部緩和一部分該應(yīng)力。為此，可以 防止焊料端子中產(chǎn)生裂紋。此外，由于焊料端子以充分的連接強(qiáng)度與連接 焊盤(pán)連接，因此焊料端子不會(huì)從連接焊盤(pán)上剝離。結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)連接 可靠性高的半導(dǎo)體裝置。而且，在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)形成金屬凸緣部，可以使焊料容易濕潤(rùn)擴(kuò)散 到突出部的周?chē)Ｒ虼?，例如，使用大致半球狀的焊料端?焊料焊盤(pán))，像所謂的LGA (Land Grid Array)類(lèi)型的半導(dǎo)體裝置那樣，即使在必須使 作為焊料端子材料的焊料的量減少的情況下，也可以使該少量的焊料濕潤(rùn) 擴(kuò)散到連接焊盤(pán)的突出部的側(cè)面。就是說(shuō)，即使是小體積的焊料端子，也 可以與突出部的整個(gè)表面(前端部和側(cè)面)連接。結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)連接 可靠性更高的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的上述或者其它目的、特征和效果通過(guò)下面參照附圖對(duì)實(shí)施方 式的描述將變得更為清楚。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖解的底面圖。 圖2是沿著圖1所示的A-A的切斷面切斷的剖面圖。 圖3A是按照工藝順序表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖 面圖。圖3B是按照工藝順序表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖 面圖，并且是表示圖3A的工序之后的工序的圖。圖3C是按照工藝順序表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖 面圖，并且是表示圖3B的工序之后的工序的圖。圖3D是按照工藝順序表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖 面圖，并且是表示圖3C的工序之后的工序的圖。圖3E是按照工藝順序表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖 面圖，并且是表示圖3D的工序之后的工序的圖。圖3F是按照工藝順序表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖 面圖，并且是表示圖3E的工序之后的工序的圖。圖3G是按照工藝順序表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖
面圖，并且是表示圖3F的工序之后的工序的圖。圖4是表示圖1所示半導(dǎo)體裝置的變形例的圖解的剖面圖，其中焊料 焊盤(pán)是其他結(jié)構(gòu)。圖5是表示圖1所示半導(dǎo)體裝置的變形例的圖解的剖面圖，其中連接 焊盤(pán)是其他結(jié)構(gòu)。圖6是表示圖1所示半導(dǎo)體裝置的變形例的圖解的剖面圖，其中連接 焊盤(pán)的突出部是其他結(jié)構(gòu)。圖7是表示圖1所示半導(dǎo)體裝置的變形例的圖解的剖面圖，其中連接 焊盤(pán)的突出部是其他結(jié)構(gòu)。圖8是表示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖解的剖面圖，是表示半 導(dǎo)體裝置安裝在安裝基板上的狀態(tài)的圖。
具體實(shí)施方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖解的底面圖(是表示 向安裝基板的接合面的圖)。圖2是沿著圖1所示的A-A的切斷面切斷時(shí) 的剖面圖。而且，在圖2中，半導(dǎo)體裝置以斷線斷開(kāi)，省略表示其一部分。該半導(dǎo)體裝置是利用WL-CSP技術(shù)制作的半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體 芯片1;覆蓋半導(dǎo)體芯片1的功能面1A (制作半導(dǎo)體芯片1中的功能元件 的面)的表面保護(hù)膜3;在表面保護(hù)膜3上形成的應(yīng)力緩沖層4;在應(yīng)力 緩沖層4上形成的連接焊盤(pán)5;以及與連接焊盤(pán)5連接的、用于與外部電 連接的焊料焊盤(pán)6 (焊料端子)。因此，該半導(dǎo)體裝置通過(guò)各焊料焊盤(pán)6 與安裝基板7上的焊盤(pán)8連接，實(shí)現(xiàn)安裝到安裝基板7上(相對(duì)于安裝基 板7電連接和機(jī)械連接)。半導(dǎo)體芯片1例如是平面視圖為大致矩形形狀的硅芯片，在其功能面 1A上形成多個(gè)電極焊盤(pán)2 (內(nèi)部焊盤(pán))。電極焊盤(pán)2例如是平面視圖為大致矩形形狀的鋁焊盤(pán)，并與在半導(dǎo)體 芯片1的功能面1A上制作的功能元件電連接。此外，電極焊盤(pán)2沿著半 導(dǎo)體芯片l的外周邊，以平面視圖為矩形環(huán)狀并列配置成兩列，在互相鄰 接的電極焊盤(pán)2之間，分別空出適當(dāng)?shù)拈g隔(參照?qǐng)Dl)。表面保護(hù)膜3由氧化硅或氮化硅構(gòu)成。在表面保護(hù)膜3上形成用于露 出各電極焊盤(pán)2的焊盤(pán)開(kāi)口 9。應(yīng)力緩沖層4例如由聚酰亞胺構(gòu)成。應(yīng)力緩沖層4形成為覆蓋表面保 護(hù)膜3的整個(gè)表面區(qū)域，具有吸收和緩和施加于該半導(dǎo)體裝置上的應(yīng)力的 功能。此外，在應(yīng)力緩沖層4上，在與各電極焊盤(pán)2相對(duì)的位置上貫通形 成貫通孔10 (開(kāi)口部)，從焊盤(pán)開(kāi)口 9露出的電極焊盤(pán)2通過(guò)貫通孔10 面向外部。然后，按照覆蓋電極焊盤(pán)2的表面、貫通孔10的內(nèi)面以及應(yīng) 力緩沖層4的表面上的貫通孔10的周邊部11的方式，形成例如由鈦、鉻、 鈦鎢等構(gòu)成的凸塊基底層12。在凸塊基底層12上疊層外周銅膜24。這個(gè)外周銅膜24是使用具有焊 料濕潤(rùn)性的金屬例如銅形成的。此外，外周銅膜24形成為平面視圖為大 致圓形，例如，形成為厚度為2 3um。然后，在外周銅膜24上形成連接焊盤(pán)5。該連接焊盤(pán)5是使用具有焊 料濕潤(rùn)性的金屬例如銅形成的。該連接焊盤(pán)5包括埋設(shè)在貫通孔10中 的埋設(shè)部13;和與該埋設(shè)部13—體形成的、在應(yīng)力緩沖層4上突出的突 出部14。埋設(shè)部13例如形成為圓柱狀，并通過(guò)凸塊基底層12和外周銅膜24 與電極焊盤(pán)2電連接。突出部14例如形成為距離外周銅膜24的表面的高度為10 50 ii m的 圓柱狀。此外，突出部14形成為在與半導(dǎo)體芯片1和應(yīng)力緩沖層4的疊 層方向(下面簡(jiǎn)單稱(chēng)為"疊層方向")垂直的方向上的寬度(直徑)比貫 通孔10的同方向上的開(kāi)口寬度(直徑)大(寬度更寬)。由此，突出部 14的周邊部15在與疊層方向垂直的方向上伸出，并通過(guò)介入凸塊基底層 12和外周銅膜24，與應(yīng)力緩沖層4的表面在疊層方向上對(duì)置。而且，突 出部14形成為在與疊層方向垂直的方向上的寬度(直徑)比外周銅膜24 的同方向上的寬度(直徑)更小。由此，外周銅膜24的周邊部21在突出 部14的側(cè)方伸出，包圍突出部14的周?chē)?，?gòu)成被形成為比突出部14在 應(yīng)力緩沖層4上的突出量更小的厚度的金屬凸緣部。焊料焊盤(pán)6使用焊料而被形成為例如大致半球狀，并覆蓋連接焊盤(pán)5 的突出部14的整個(gè)表面(前端面14A和側(cè)面14B)以及外周銅膜24的周 邊部21的表面21A。
圖3A 圖3G是表示圖1所示半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖解的剖面圖。 在制造該半導(dǎo)體裝置時(shí)，如圖3A所示，首先，制作多個(gè)半導(dǎo)體芯片1， 并制備其整個(gè)表面區(qū)域被表面保護(hù)膜3覆蓋的半導(dǎo)體晶片W。而且，在表 面保護(hù)膜3上形成露出電極焊盤(pán)2的焊盤(pán)開(kāi)口 9。在該半導(dǎo)體晶片W的狀 態(tài)下，在表面保護(hù)膜3上形成應(yīng)力緩沖層4。然后，如圖3B所示，在應(yīng)力緩沖層4上形成貫通孔10。 形成貫通孔10之后，如圖3C所示，在半導(dǎo)體晶片W上，利用例如濺 射法等，依次形成凸塊基底層12和銅膜25。接著，如圖3D所示，在銅膜25上，形成光刻膠16和金屬層17。具 體地說(shuō)，首先，利用公知的光刻技術(shù)，在銅膜25上形成光刻膠16，該光 刻膠16在應(yīng)該形成連接焊盤(pán)5的突出部14的區(qū)域上具有開(kāi)口部18。形成 光刻膠16之后，在半導(dǎo)體晶片W的整個(gè)區(qū)域上，利用濺射法等形成由用 作連接焊盤(pán)5的材料的銅構(gòu)成的金屬層17。之后，通過(guò)除去光刻膠16， 將金屬層17的不要部分(連接焊盤(pán)5以外的部分)與光刻膠16 —起移去。 由此，形成連接焊盤(pán)5。然后，如圖3E所示，通過(guò)刻蝕除去從連接焊盤(pán)5露出的銅膜25和凸 塊基底層12的不要部分(應(yīng)該形成外周銅膜24的部分以外的部分)。由 此，形成由包圍連接焊盤(pán)5的突出部14的外周銅膜24的周邊部21構(gòu)成 的金屬凸緣部。接著，如圖3F所示，通過(guò)使焊料粘接在連接焊盤(pán)5的突出部14的整 個(gè)表面(前端面14A和側(cè)面14B)和外周銅膜24的周邊部21的表面21A 上，形成覆蓋突出部14的整個(gè)表面(前端面14A和側(cè)面14B)以及外周銅 膜24的周邊部21的表面21A的焊料焊盤(pán)6。之后，如圖3G所示，沿著在 半導(dǎo)體晶片W內(nèi)的各半導(dǎo)體芯片1之間設(shè)置的切割線L，切斷(切割)半 導(dǎo)體晶片W。由此，得到圖l所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。如上所述，在該半導(dǎo)體裝置中，在應(yīng)力緩沖層4的貫通孔10上設(shè)置 的連接焊盤(pán)5由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬(例如銅)構(gòu)成，并形成為包括從 貫通孔10在應(yīng)力緩沖層4上突出的突出部14的形狀。在突出部14的周 圍，形成由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬(例如銅)構(gòu)成的外周銅膜24的周邊 部21，并且周邊部21包圍突出部14。然后，焊料焊盤(pán)6被形成在突出部14的整個(gè)表面(前端面1.4A和側(cè)面14B)以及外周銅膜24的周邊部21上。 由此，突出部14的整個(gè)表面(前端面14A和側(cè)面14B)以及外周銅膜24 的周邊部21被焊料焊盤(pán)6覆蓋。通過(guò)焊料焊盤(pán)6與外部的安裝基板7上的焊盤(pán)8連接，將該半導(dǎo)體裝 置安裝在該安裝基板7上。在該安裝狀態(tài)下，即使由于半導(dǎo)體芯片l和安 裝基板7的熱膨脹/熱收縮導(dǎo)致在焊料焊盤(pán)6上產(chǎn)生應(yīng)力，通過(guò)焊料焊盤(pán)6 被形成為覆蓋突出部14的整個(gè)表面(前端面14A和側(cè)面14B)，由于突出 部14突出到焊料焊盤(pán)6的內(nèi)部，因此通過(guò)在焊料焊盤(pán)6的內(nèi)部突出的突 出部14而緩和一部分該應(yīng)力。因此，可以防止焊料焊盤(pán)6中產(chǎn)生裂紋。 此外，由于焊料焊盤(pán)6以充分的連接強(qiáng)度與連接焊盤(pán)5連接，因此焊料焊 盤(pán)6不會(huì)從連接焊盤(pán)5上剝離。結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)連接可靠性高的半導(dǎo)體 裝置。此外，在這種半導(dǎo)體裝置中，通過(guò)形成外周銅膜24的周邊部21，可 以使焊料很容易濕潤(rùn)擴(kuò)散到突出部14的周?chē)?周邊部21)。因此，例如， 像這種半導(dǎo)體裝置那樣，使用半球狀的焊料焊盤(pán)6，如所謂的LGA (Land Grid Array)類(lèi)型的半導(dǎo)體裝置那樣，即使在需要作為焊料焊盤(pán)6的材料 的焊料的量減少的情況下，這種少量的焊料也可以濕潤(rùn)擴(kuò)散到連接焊盤(pán)5 的突出部14的側(cè)面14B上。就是說(shuō)，即使是小體積焊料焊盤(pán)6，也可以與 突出部14的整個(gè)表面(前端面14A和側(cè)面14B)粘接。結(jié)果是，可以更進(jìn) 一步實(shí)現(xiàn)連接可靠性高的半導(dǎo)體裝置。此外，突出部14的周邊部15向應(yīng)力緩沖層4的貫通孔10的周邊部 ll伸出。由此，在由突出部14緩和應(yīng)力時(shí)，能夠使該突出部14經(jīng)受的應(yīng) 力逃逸到應(yīng)力緩沖層4。因此，即使在焊料焊盤(pán)6上產(chǎn)生大應(yīng)力，也可以 通過(guò)連接焊盤(pán)5和應(yīng)力緩沖層4良好地緩和該應(yīng)力，并且可以防止在半導(dǎo) 體芯片1中產(chǎn)生裂紋。此外，由于連接焊盤(pán)5的突出部14被形成為圓柱狀，因此在其側(cè)面 14B上沒(méi)有角部。因此，焊料焊盤(pán)6上產(chǎn)生的應(yīng)力可以在突出部14(圓柱) 的側(cè)面14B分散吸收。而且，在上述實(shí)施方式中，盡管與連接焊盤(pán)5連接的焊料端子是大致 半球狀的焊料焊盤(pán)6，但只要是可以與安裝基板7上的焊盤(pán)8連接的焊料
端子，其形狀不限于大致半球狀。例如，如圖4所示，可以是形成為大致球狀的焊料球20。盡管以上已經(jīng)說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明還可以用其它方 式實(shí)施。例如，在上述實(shí)施方式中，盡管連接焊盤(pán)5采用銅形成，但是不限于 銅，只要是具有焊料濕潤(rùn)性的金屬即可。例如，連接焊盤(pán)5可以采用金形 成。在這種情況下，例如，如圖5所示，在連接焊盤(pán)5的突出部14和焊 料焊盤(pán)6的界面上，優(yōu)選形成用于防止金擴(kuò)散的、由鎳構(gòu)成的擴(kuò)散防止層 19.此外，例如，在上述實(shí)施方式中，盡管連接焊盤(pán)5的突出部14被形 成為圓柱狀，例如，如圖6所示，連接焊盤(pán)5還可以被形成為半橢圓球狀。 此外，例如，如圖7所示，代替連接焊盤(pán)5，還可以形成金屬焊盤(pán)29，該 金屬焊盤(pán)29包括由在疊層方向在應(yīng)力緩沖層4 一側(cè)上配置的上側(cè)突出部 27以及在上側(cè)突出部27的下側(cè)一體地形成的下側(cè)突出部28構(gòu)成的突出部 26。此外，在上述實(shí)施方式中，連接焊盤(pán)5和外周銅膜24盡管被單獨(dú)形 成，但它們也可以用同一種材料一體地形成。此外，在上述實(shí)施方式中，關(guān)于半導(dǎo)體芯片1中的電極焊盤(pán)2的配置 形態(tài)，電極焊盤(pán)2沿著半導(dǎo)體芯片1的外周邊，以平面視圖為矩形環(huán)狀并 列配置成兩列，但是，如果是在半導(dǎo)體芯片1的功能面1A上被規(guī)則地配 置的形態(tài)，不限于矩形環(huán)狀，例如，還可以配置成矩陣形狀等。此外，在上述實(shí)施方式中，盡管以WL-CSP的半導(dǎo)體裝置為例進(jìn)行了 說(shuō)明，但除了 WL-CSP的半導(dǎo)體裝置以外，本發(fā)明還可以適用于相對(duì)于安 裝基板與半導(dǎo)體芯片的表面對(duì)置、并且以露出半導(dǎo)體芯片的背面的狀態(tài)安 裝(裸晶片安裝)的半導(dǎo)體裝置。盡管前面已經(jīng)詳細(xì)介紹了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是這些只不過(guò)是用于 明確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的具體例，本發(fā)明不能被解釋限定成這些具體例， 本發(fā)明的精神和范圍應(yīng)該僅僅由所附權(quán)利要求范圍來(lái)限定。本申請(qǐng)對(duì)應(yīng)于2006年12月25日在日本特許廳提出的特許公開(kāi) 2006-348570號(hào)，這里引用其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體芯片；在所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成的電連接用的內(nèi)部焊盤(pán)；在所述半導(dǎo)體芯片上形成的、具有露出所述內(nèi)部焊盤(pán)的開(kāi)口部的應(yīng)力緩沖層；由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬構(gòu)成的連接焊盤(pán)，所述連接焊盤(pán)在所述內(nèi)部焊盤(pán)的與所述開(kāi)口部面對(duì)的部分上形成、并且具有在所述應(yīng)力緩沖層上突出的突出部；由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬構(gòu)成的金屬凸緣部，所述金屬凸緣部包圍所述突出部的周?chē)?、并且被形成為比所述突出部在所述?yīng)力緩沖層上的突出量小的厚度；和形成在所述突出部和所述金屬凸緣部上的、用于與外部電連接的焊料端子。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片；在所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成的電連接用的內(nèi)部焊盤(pán)；在所述半導(dǎo)體芯片上形成的、具有露出所述內(nèi)部焊盤(pán)的開(kāi)口部的應(yīng)力緩沖層；由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬構(gòu)成的、在所述內(nèi)部焊盤(pán)的與所述開(kāi)口部面對(duì)的部分上形成的、具有在所述應(yīng)力緩沖層上突出的突出部的連接焊盤(pán)；由具有焊料濕潤(rùn)性的金屬構(gòu)成的、包圍所述突出部的周?chē)?、并且被形成為比所述突出部在所述?yīng)力緩沖層上的突出量小的厚度的金屬凸緣部；和形成在所述突出部和所述金屬凸緣部上的、用于與外部電連接的焊料端子。
文檔編號(hào)H01L23/485GK101211876SQ20071016112
公開(kāi)日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2007年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月25日
發(fā)明者奧村弘守, 新開(kāi)寬之 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司