專利名稱：改善集成電路器件中接觸窗因短路漏電的方法及其接觸窗的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路器件，且特別涉及一種改善集成電路器件中接觸 窗因短路漏電的方法及由此形成的接觸窗。
背景技術(shù)：
在一些集成電路(IC)器件(device)生產(chǎn)工藝制造過程中，由于前 層工藝留下了導體殘渣(residue),從而引起接觸窗(contact)內(nèi)填充的導 體和前層工藝留下的導體殘渣連接導通，導致整個器件電性測試有漏電現(xiàn) 象，器件的功能測試失敗。
圖lA示出了現(xiàn)有的接觸窗的橫截面的示意圖，其包括襯底(substmte) 1，襯底上部的層間介電質(zhì)(Inter Layer Dielectrics, ILD) 2，層間介電質(zhì)中 間形成的接觸窗3。在接觸窗3中例如4的部位，常常有前層工藝留下的 導體殘渣，當接觸窗3內(nèi)填充有導體后，便可能產(chǎn)生接觸窗3內(nèi)的導體與 導體殘渣連接導通，從而導致整個器件電性測試有漏電現(xiàn)象，器件的功能 測試失敗，影響產(chǎn)品的合格率。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，本發(fā)明的一個目的在于提供一種改善集 成電路器件生產(chǎn)工藝中接觸窗因短路漏電的方法。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種改善集成電路器件生產(chǎn)工藝中接 觸窗因短路漏電的新類型接觸窗。
為實現(xiàn)上述目的本發(fā)明的技術(shù)方案為
一種改善集成電路器件中接觸窗因短路漏電的方法，包括下列步驟步驟2，在蝕刻后形成接觸窗的晶片(wafer)表面沉積一層絕緣體薄
膜；
步驟3,平坦化蝕刻，在接觸窗側(cè)壁形成一層絕緣體薄膜，以形成一 種新類型的接觸窗。
一種由上述方法形成的集成電路器件的接觸窗。
本發(fā)明通過在現(xiàn)有的接觸窗側(cè)壁內(nèi)形成一層絕緣薄膜，從而阻絕了導 體殘渣與接觸窗直接接觸，在接觸窗內(nèi)填充導體后，便不會與導體殘渣連 接導通，因此可以明顯的改善集成電路器件生產(chǎn)工藝中接觸窗因短路漏 電，從而提高產(chǎn)品的合格率。本發(fā)明可以在工序和成本增加很少的情況下， 改善集成電路器件生產(chǎn)工藝中接觸窗因短路漏電的發(fā)生，帶來集成電路器 件的合格率的提高。


圖1A表示現(xiàn)有的接觸窗的橫截面的示意圖； 圖1B表示本發(fā)明的一個實施例的接觸窗的橫截面的示意圖； 圖2A表示現(xiàn)有的接觸窗在透射電子顯微鏡(TEM)下的橫截面的照
片；
圖2B表示使用本發(fā)明方法形成的接觸窗在TEM下的橫截面的照片； 圖2C表示使用本發(fā)明方法形成的接觸窗在TEM下的橫截面的照片。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步的詳細說明。對于 所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，從對本發(fā)明的詳細說明中，本發(fā)明的上述 和其他目的、特征和優(yōu)點將顯而易見。
參照圖1B，其表示本發(fā)明的一個實施例的接觸窗的橫截面的示意圖。 其包括襯底l，形成于其上的層間介電質(zhì)2，形成于層間介電質(zhì)2中接觸窗31，在該接觸窗31的側(cè)壁上沉積有一層絕緣體薄膜5。
本發(fā)明的一個實施例的方法包括
首先，形成一層襯底l，在該襯底1上形成層間介電質(zhì)2，蝕刻該層間
介電質(zhì)2以形成接觸窗31。
然后，蝕刻該接觸窗31，在蝕刻后的該接觸窗31表面沉積一層絕緣體 薄膜5。
最后，平坦化蝕刻該絕緣體薄膜5，在接觸窗31側(cè)壁留下一層絕緣體。
本發(fā)明通過在接觸窗31的側(cè)壁形成一層絕緣體薄膜5，可以阻絕例如 殘留在4位置處的導體殘渣與在后續(xù)工藝中接觸窗中填入的導體(圖中未 示出)直接接觸，從而使器件不會漏電。
參照圖2A，其表示現(xiàn)有的接觸窗在TEM下的橫截面的照片。圖中虛
線是申請人為清楚說明本發(fā)明而標注，原照片中并沒有。可見，在接觸窗 32的底側(cè)部會有前層工藝留下的導體殘渣6。
參照圖2B,其表示使用本發(fā)明方法形成的接觸窗在TEM下的橫截面的 照片。圖中線段(包括虛線和實線)為申請人為清楚說明本發(fā)明而標注， 原照片中并沒有?？梢娡ㄟ^在接觸窗32的側(cè)壁上形成一層絕緣體薄膜51， 前層工藝殘留的導體殘渣6被絕緣體薄膜51隔離，而不會與接觸窗32內(nèi)填 入的導體(圖中未示出)直接連接。
參照圖2C，其表示使用本發(fā)明方法形成的接觸窗在TEM下的橫截面的 照片。圖中虛線為申請人為清楚說明本發(fā)明而標注，原照片中并沒有。其 中示出了經(jīng)過本發(fā)明的方法的處理后，在接觸窗32的側(cè)壁上形成了一層絕 緣體薄膜52。
雖然，本發(fā)明已通過以上實施例及其附圖而清楚說明，然而在不背離 本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明 作出各種相應(yīng)的變化和修正，但這些相應(yīng)的變化和修正都應(yīng)屬于本發(fā)明的 權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1. 一種改善集成電路器件中接觸窗因短路漏電的方法，其特征在于包括下列步驟步驟1，蝕刻后形成接觸窗；步驟2，在蝕刻后形成接觸窗的晶片表面沉積一層絕緣體薄膜；步驟3，平坦化蝕刻，在接觸窗側(cè)壁形成一層絕緣體薄膜。
2. —種由權(quán)利要求l所述的方法形成的集成電路器件的接觸窗。
全文摘要
本發(fā)明涉及集成電路器件，且特別涉及一種改善集成電路器件中接觸窗因短路漏電的方法及由此形成的接觸窗。此種改善集成電路器件中接觸窗因短路漏電的方法包括步驟1，蝕刻后形成接觸窗；步驟2，在蝕刻后形成接觸窗的晶片表面沉積一層絕緣體薄膜；步驟3，平坦化蝕刻，在接觸窗側(cè)壁形成一層絕緣體薄膜。本發(fā)明通過在現(xiàn)有的接觸窗側(cè)壁形成一層絕緣體薄膜，從而阻絕了導體殘渣與接觸窗直接接觸，在接觸窗內(nèi)填充導體后，便不會與導體殘渣連接導通，因此可以明顯的改善集成電路器件生產(chǎn)工藝中接觸窗因短路漏電，從而提高產(chǎn)品的合格率。
文檔編號H01L21/70GK101419934SQ20071016342
公開日2009年4月29日 申請日期2007年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月22日
發(fā)明者任丙振, 張進剛, 李詠絮 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司