專利名稱：用于襯底的邊緣的蝕刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體裝置或液晶顯示裝置的襯底處理設(shè)備，且更明確地 說，涉及一種用于去除襯底邊緣的薄膜或微粒的蝕刻設(shè)備。
背景技術(shù)：
一般來說，通過將薄膜沉積在襯底(例如晶片或玻璃)的表面上，且接著對所述薄 膜進(jìn)行蝕刻，從而形成薄膜圖案，來制造半導(dǎo)體裝置或平板顯示裝置。
在薄膜的沉積步驟期間，實質(zhì)上將薄膜沉積在襯底的整個表面上。然而，在使用蝕 刻掩模對薄膜進(jìn)行蝕刻步驟期間，主要在襯底的中心區(qū)域上對薄膜進(jìn)行蝕刻。因此，在 襯底的邊緣處，薄膜可能保留，且可能在蝕刻步驟期間產(chǎn)生的副產(chǎn)品或微粒可能積聚。 如果在不去除積聚在襯底邊緣處的這類薄膜或微粒的情況下，進(jìn)行接下來的步驟，那么 薄膜或微?？赡軇兟?，且可能污染襯底的其它區(qū)域?；蛘?，襯底可能彎曲或可能是不對 準(zhǔn)的。
為了解決所述問題，最近，尤其在制造半導(dǎo)體裝置的過程中，已經(jīng)執(zhí)行了對襯底邊 緣進(jìn)行蝕刻的額外工藝。
將一種對襯底邊緣進(jìn)行蝕刻的方法分成使用蝕刻劑的濕式蝕刻和使用由氣體產(chǎn)生的 等離子體的干式蝕刻。圖1說明根據(jù)相關(guān)技術(shù)使用等離子體對襯底邊緣進(jìn)行蝕刻的設(shè)備。
相關(guān)技術(shù)蝕刻設(shè)備IOO包含腔室IO，其界定反應(yīng)空間；襯底支撐物20，其安置在 腔室10中；以及氣體分配板30，其安置在襯底支撐物20上方并具有多個注入孔32。氣 體分配板30密封腔室10的上壁。排氣線12連接到腔室10的下部。襯底支撐物20可通 過上下驅(qū)動單元70向上和向下移動。為了將襯底S的邊緣暴露于等離子體，襯底支撐物 20的直徑可以比襯底S的直徑小。
注入孔32沿氣體分配板30的外圍安置，并連接到蝕刻氣體供應(yīng)線40，從而僅在襯 底S的邊緣周圍注入蝕刻氣體。蝕刻氣體供應(yīng)線40連接到蝕刻氣體供應(yīng)單元50。
另外，惰性氣體供應(yīng)線(未圖示)可連接到氣體分配板30的中心部分。在對襯底S 的邊緣進(jìn)行蝕刻時，惰性氣體供應(yīng)線可注入惰性氣體，且因此可防止襯底S的中心部分被蝕刻。
同時，襯底屏蔽單元31從氣體分配板30的下表面突出。襯底屏蔽單元31覆蓋襯底 S的中心部分，且僅使襯底S的邊緣暴露于等離子體。襯底屏蔽單元31可與氣體分配板 30形成為一體，或可單獨地形成并接著附接到氣體分配板30。襯底屏蔽單元31的形狀 與襯底支撐物20的形狀對稱，且襯底屏蔽單元31的直徑小于或等于襯底S的直徑。
RF(射頻)電源60電連接到襯底支撐物20,且阻抗匹配系統(tǒng)62安置在襯底支撐物 20與RF電源60之間。
下文中，將參考圖2描述使用相關(guān)技術(shù)蝕刻設(shè)備100對襯底邊緣進(jìn)行蝕刻的方法。 圖2說明根據(jù)相關(guān)技術(shù)對襯底邊緣進(jìn)行蝕刻的工藝中的蝕刻設(shè)備。
首先，通過門(未圖示)將襯底S傳送到腔室10中，并將襯底S安置在襯底支撐物 20上。通過真空抽吸，使腔室IO處于真空條件下，且通過上下驅(qū)動單元70將襯底支撐 物20升高到處理位置，如圖2中所示。此時，可將襯底支撐物20升高到一個位置，使 得襯底S與襯底屏蔽單元31之間的距離可以在約0.2 mm到0.5 mm的范圍內(nèi)。這就是為 何防止襯底S的邊緣處產(chǎn)生的等離子體的原子團(tuán)或離子擴(kuò)散到襯底S的中心部分中并不 良地影響已經(jīng)形成在襯底S的中心部分上的薄膜圖案的原因。
在將襯底支撐物20升高到處理位置之后，通過注入孔32將蝕刻氣體注入在氣體分 配板30的外圍處，且同時，RF功率從RF電源60施加到襯底支撐物20，藉此在襯底S 的邊緣周圍產(chǎn)生等離子體。等離子體中的原子團(tuán)或離子蝕刻并去除襯底S的邊緣處所形 成的薄膜。
另一方面，最近，對襯底S的邊緣部分進(jìn)行開槽，以形成凹口區(qū)45。凹口區(qū)45用 于精確對準(zhǔn)，如圖3中所示。當(dāng)使用圖2中的包含襯底屏蔽單元31 (其直徑小于襯底S 的直徑)的蝕刻設(shè)備對襯底S的邊緣進(jìn)行蝕刻時，凹口區(qū)45的內(nèi)側(cè)表面由襯底屏蔽單元 31屏蔽，使得凹口區(qū)45的內(nèi)側(cè)表面上的薄膜或微粒不會被蝕刻。凹口區(qū)45的由襯底屏 蔽單元31屏蔽的區(qū)域被界定為屏蔽區(qū)域47。即，在屏蔽區(qū)域47中的凹口區(qū)45的側(cè)表 面上的薄膜或微粒P不會被蝕刻，且在使用相關(guān)技術(shù)蝕刻設(shè)備的蝕刻工藝之后保留，如 圖4中所示。
圖5展示在使用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的蝕刻設(shè)備的蝕刻工藝之后的凹口區(qū)的視覺圖。如圖 5中所示，不對凹口區(qū)的內(nèi)表面進(jìn)行蝕刻，使得薄膜或微粒在蝕刻工藝之后保留。如上 文所闡釋，如果在不去除積聚在襯底邊緣處的此類薄膜或微粒的情況下進(jìn)行接下來的步 驟，那么薄膜或微?？赡軙兟洌铱赡芪廴疽r底的其它區(qū)域?；蛘撸r底可能彎曲或可能是不對準(zhǔn)的。
另一方面，當(dāng)使用直徑小于200 mm的小型襯底時，切割襯底的邊緣部分以形成平 直區(qū)，而不是對其進(jìn)行開槽以形成凹口區(qū)。在此情況下，像形成凹口區(qū)那樣，平直區(qū)的 內(nèi)側(cè)表面由襯底屏蔽單元屏蔽，使得凹口區(qū)45的內(nèi)側(cè)表面上的薄膜或微粒不會被蝕刻。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對一種蝕刻設(shè)備，其有效地對具有凹口區(qū)和平直區(qū)中的一者的襯底 的邊緣進(jìn)行蝕刻。
本發(fā)明的一 目的是提供一種蝕刻，其用襯底屏蔽單元有效地去除具有凹口區(qū)和平直 區(qū)中的一者的襯底的邊緣上的薄膜或微粒，所述襯底屏蔽單元具有對應(yīng)于凹口區(qū)和平直 區(qū)中的所述一者的部分。
本發(fā)明的額外特征和優(yōu)勢將在下文的描述內(nèi)容中陳述，且將從所述描述內(nèi)容中明了 部分額外特征和優(yōu)勢，或者可通過實踐本發(fā)明來學(xué)習(xí)所述額外特征和優(yōu)勢。將通過本發(fā) 明的書面描述和權(quán)利要求書以及附圖中明確指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和達(dá)成本發(fā)明的目的和其 它優(yōu)勢。
為了實現(xiàn)這些以及其它優(yōu)勢且根據(jù)本發(fā)明的目的(如所實施并廣泛描述)， 一種蝕刻 設(shè)備包括腔室；在所述腔室中的襯底支撐物；襯底，其安置在所述襯底上，且具有凹 口區(qū)和平直區(qū)中的一者，除了在凹口區(qū)和平直區(qū)的所述一者中外，所述襯底具有環(huán)形形 狀緣邊，其中襯底的緣邊在凹口區(qū)中具有凹陷形狀，且在平直區(qū)中具有弦形狀；襯底屏 蔽單元，其形狀實質(zhì)上與襯底的形狀相同，且安置在襯底上方，襯底屏蔽單元具有對應(yīng) 于凹口區(qū)和平直區(qū)中的所述一者的部分，其中襯底屏蔽單元具有小于或等于襯底的第二 直徑的第一直徑；氣體注入裝置，其將氣體供應(yīng)到襯底的外圍上；以及電源單元，其將 RF (射頻)功率供應(yīng)到腔室中。
應(yīng)了解，以上一般描述和以下詳細(xì)描述都是示范性和闡釋性的，且希望提供對如所 主張的本發(fā)明的進(jìn)一步闡釋。


本發(fā)明包含附圖，以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，且附圖并入本說明書中并構(gòu)成本 說明書的一部分，

本發(fā)明的實施例，且連同描述內(nèi)容一起，用于闡釋本發(fā)明的 原理。在附圖中
圖1說明根據(jù)相關(guān)技術(shù)使用等離子體對襯底邊緣進(jìn)行蝕刻的設(shè)備；
圖2說明根據(jù)相關(guān)技術(shù)對襯底邊緣進(jìn)行蝕刻的工藝中的蝕刻設(shè)備；
圖3是展示由根據(jù)相關(guān)技術(shù)的襯底屏蔽單元屏蔽的襯底的示意平面圖4展示在使用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的蝕刻設(shè)備進(jìn)行的蝕刻工藝之后的襯底的凹口區(qū)；
圖5展示在使用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的蝕刻設(shè)備進(jìn)行的蝕刻工藝之后的凹口區(qū)的視覺圖6是展示根據(jù)本發(fā)明實施例的蝕刻設(shè)備的襯底屏蔽單元的示意透視圖； 圖7說明根據(jù)本發(fā)明的蝕刻設(shè)備的襯底屏蔽單元和襯底支撐物；
圖8A和圖8B分別是展示由根據(jù)本發(fā)明的襯底屏蔽單元屏蔽的襯底的示意平面圖。
圖9A到圖9C分別展示在使用包含根據(jù)本發(fā)明的襯底屏蔽單元的蝕刻設(shè)備進(jìn)行的蝕 刻工藝之后的襯底的凹口區(qū)的視覺圖；以及
圖IO是展示根據(jù)本發(fā)明實施例的蝕刻設(shè)備的襯底屏蔽單元的示意透視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將具體參考優(yōu)選示范性實施例，在附圖中說明所述實施例的實例。
在本發(fā)明中，除襯底屏蔽單元之外的其它元件類似于圖1中所示的元件。因此，對 本發(fā)明的闡釋集中在襯底屏蔽單元上。
圖6是展示根據(jù)本發(fā)明實施例的蝕刻設(shè)備的襯底屏蔽單元的示意透視圖。襯底屏蔽 單元200的側(cè)面處包含凹入部分230。凹入部分230對應(yīng)于襯底的凹口區(qū)。由于襯底屏 蔽單元200的凹入部分230的緣故，相關(guān)技術(shù)中由于凹口區(qū)而造成的問題被解決。艮P， 由于襯底屏蔽單元200包含凹入部分230 (其形成于襯底屏蔽單元200的側(cè)面處，并對 應(yīng)于襯底的凹口區(qū))，所以襯底的凹口區(qū)中的內(nèi)側(cè)表面上的薄膜或微粒被蝕刻。
根據(jù)本發(fā)明的襯底屏蔽單元200包含第一主體210和第二主體220。第一和第二主 體210和220具有圓柱形形狀。第一主體210的直徑小于第二主體220的直徑。凹入部 分230形成于第二主體220的側(cè)面處。第一和第二主體210和220可形成為一體，或可 單獨地形成并接著彼此附接。襯底屏蔽單元可具有單個圓柱形主體。然而，當(dāng)襯底屏蔽 單元230包含第一主體210以及從第一主體210向側(cè)面突出的第二主體220時，有效地 防止了襯底邊緣處所產(chǎn)生的等離子體擴(kuò)散到襯底的中心部分中并不良地影響襯底的中心 部分上的薄膜圖案。因為第二主體220面向襯底，并變得接近襯底，所以第二主體220 的下表面被精細(xì)地整平。然而，第二主體220的其它表面不需要被精細(xì)地整平。 圖7說明根據(jù)本發(fā)明的蝕刻設(shè)備的襯底屏蔽單元和襯底支撐物。 當(dāng)執(zhí)行蝕刻工藝時，將襯底S安置在襯底支撐物250上，且將包含第一主體210和 第二主體220的襯底屏蔽單元200安置在襯底S上方。第二主體200的下部襯底面向襯 底S。襯底支撐物250的直徑小于襯底S的直徑。而且，襯底屏蔽單元200的第二主體 220的直徑小于襯底S的直徑。襯底支撐物250的直徑小于或等于襯底屏蔽單元200的 第二主體220的直徑。襯底S的中心與襯底支撐物250的中心彼此對應(yīng)。此外，襯底屏 蔽單元200安置在襯底S上方，使得第二主體220的凹入部分230對應(yīng)于襯底S的凹口 區(qū)245 (圖8)。盡管未圖示，但襯底支撐物250安置在根據(jù)本發(fā)明的蝕刻設(shè)備的腔室的 反應(yīng)空間中。當(dāng)襯底S安置在襯底支撐物250上，且襯底屏蔽單元200變得接近襯底S 時，通過注入孔將蝕刻氣體注入在氣體分配板的外圍處，且同時，將RF功率施加到襯底 支撐物250，藉此在襯底S的邊緣周圍產(chǎn)生等離子體。等離子體中的原子團(tuán)或離子蝕刻 并去除襯底S的邊緣處所形成的薄膜或微粒。襯底屏蔽單元200從氣體分配板向襯底S 突出。
圖8A和圖8B分別是展示由根據(jù)本發(fā)明的襯底屏蔽單元屏蔽的襯底的示意平面圖。 參看圖8A，對襯底S的側(cè)面進(jìn)行開槽，以形成凹口區(qū)245，且還對襯底屏蔽單元200 的側(cè)面進(jìn)行開槽，以形成凹入部分230。換句話說，除了凹口區(qū)245外，襯底S具有環(huán) 形形狀緣邊，且襯底S的緣邊在凹口區(qū)245中具有凹陷形狀。且襯底屏蔽單元200的形 狀實質(zhì)上與襯底S的形狀相同，且襯底S的凹口區(qū)245與襯底屏蔽單元200的凹入部分 230也具有實質(zhì)上相同的形狀，例如半圓形形狀。當(dāng)襯底屏蔽單元200安置在襯底S上 方時，襯底屏蔽單元200的凹入部分230對應(yīng)于襯底S的凹口區(qū)245。襯底S的凹口區(qū) 245具有第一寬度Wl和第一深度Dl，且襯底屏蔽單元200的凹入部分230具有第二寬 度W2和第二深度D2，其中第二寬度W2小于第一寬度W1，且第二深度D2小于第一深 度D1。盡管未圖示，但襯底屏蔽單元的凹入部分的寬度和深度可分別等于襯底的凹口區(qū) 的寬度和深度。
圖9A到圖9C分別展示在使用包含根據(jù)本發(fā)明的襯底屏蔽單元的蝕刻設(shè)備進(jìn)行的蝕 刻工藝之后的襯底的凹口區(qū)的視覺圖。
圖9A展示在使用包含襯底屏蔽單元的蝕刻設(shè)備進(jìn)行蝕刻之后的襯底的凹口區(qū)的視 覺圖，所述襯底屏蔽單元具有寬度約為2mm且深度約為lmm的凹入部分230。用實驗 方法，對約為1.503 mm的寬度和約為1.52 mm的深度內(nèi)的襯底的薄膜或微粒進(jìn)行蝕刻。 在圖9A中，襯底的蝕刻區(qū)域與襯底屏蔽單元的凹入部分230有差異。就寬度來說，襯底 的蝕刻區(qū)域比襯底的凹入部分230小0.479 mm。另一方面，就深度來說，襯底的蝕刻區(qū) 域比襯底的凹入部分230大0.52 mm。
圖9B展示在使用包含襯底屏蔽單元的蝕刻設(shè)備進(jìn)行蝕刻之后的襯底的凹口區(qū)的視 覺圖，所述襯底屏蔽單元具有寬度約為4mm且深度約為2mm的凹入部分230。用實驗 方法，對約為3.711 mm的寬度和約為2.591 mm的深度內(nèi)的襯底的薄膜或微粒進(jìn)行蝕刻。 在圖9B中，襯底的蝕刻區(qū)域也與襯底屏蔽單元的凹入部分230有差異。就寬度來說，襯 底的蝕刻區(qū)域比襯底的凹入部分230小0.289 mm。另一方面，就深度來說，襯底的蝕刻 區(qū)域比襯底的凹入部分230大0.59 mm。
圖9C展示在使用包含襯底屏蔽單元的蝕刻設(shè)備進(jìn)行蝕刻之后的襯底的凹口區(qū)的視 覺圖，所述襯底屏蔽單元具有寬度約為8mm且深度約為2mm的凹入部分230。用實驗 方法，對約為7.46 mm的寬度和約為2.654 mm的深度內(nèi)的襯底的薄膜或微粒進(jìn)行蝕刻。 在圖9A中，襯底的蝕刻區(qū)域也與襯底屏蔽單元的凹入部分230有差異。就寬度來說，襯 底的蝕刻區(qū)域比襯底的凹入部分230小0.54 mm。另一方面，就深度來說，襯底的蝕刻 區(qū)域比襯底的凹入部分230大0.65 mm。
因此，當(dāng)使用包含具有寬度和深度的凹入部分的襯底屏蔽單元對襯底邊緣進(jìn)行蝕刻 時，襯底的蝕刻區(qū)域的寬度比凹入部分的寬度小，且深度比凹入部分的深度大。SP，已 知凹入部分的寬度和深度與襯底的蝕刻區(qū)域具有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)襯底的凹口區(qū) 的寬度和深度來確定襯底屏蔽單元的凹入部分的寬度和深度。
參看圖8B，對襯底S的側(cè)面進(jìn)行開槽以形成凹口區(qū)245，且還對襯底屏蔽單元200 的側(cè)面進(jìn)行開槽以形成凹入部分230。襯底屏蔽單元200的凹入部分230的形狀實質(zhì)上 與襯底S的凹口區(qū)245的形狀相同。不同于圖8A中的襯底屏蔽單元200,凹入部分230 具有第四寬度W4和第四深度D4，其中第四寬度W4大于襯底S的凹口區(qū)245的第三寬 度W3，且第四深度D4小于襯底S的凹口區(qū)245的第三深度D3。如從圖9A到圖9C所 知，當(dāng)用具有凹入部分(其具有預(yù)定寬度和預(yù)定深度)的襯底屏蔽單元來對襯底進(jìn)行蝕 刻時，襯底的蝕刻區(qū)域的寬度小于凹入部分的寬度，且深度大于凹入部分的深度。因此， 盡管凹入部分230的第四深度D4小于凹口區(qū)245的第三深度D3，但凹口區(qū)245的內(nèi)側(cè) 部分還是被蝕刻。此外，盡管凹入部分230的第四寬度W4大于凹口區(qū)245的第三寬度 W3，但襯底的用襯底屏蔽單元200覆蓋的外圍部分不被蝕刻。因此，在襯底S上獲得所 需的蝕刻區(qū)域。
圖IO是展示根據(jù)本發(fā)明實施例的蝕刻設(shè)備的襯底屏蔽單元的示意透視圖。 參看圖IO，與圖6中的襯底屏蔽單元類似，襯底屏蔽單元300包含第一主體320和 第二主體320。在圖10中，襯底屏蔽單元300具有平直側(cè)部分330。襯底S具有平直區(qū) 345，如凹口區(qū)245 (圖8A和圖8B)那樣，用于精確對準(zhǔn)。除了平直區(qū)345外，襯底S 具有環(huán)形形狀緣邊，且襯底S的緣邊在平直區(qū)中具有弦形狀。襯底屏蔽單元300 (明確
地說第二主體)具有實質(zhì)上與襯底S相同的形狀，且平直側(cè)部分330具有實質(zhì)上與平直 區(qū)345相同的形狀。當(dāng)襯底屏蔽單元330安置在襯底S上方時，襯底屏蔽單元300的平 直側(cè)部分330對應(yīng)于襯底S的平直區(qū)345。由于襯底屏蔽單元300的平直側(cè)部分330的 緣故，可對襯底S的對應(yīng)于由于平直區(qū)345而形成的襯底S的側(cè)面和邊緣的平直區(qū)域355 上的薄膜和微粒進(jìn)行蝕刻。
在根據(jù)本發(fā)明的蝕刻設(shè)備中，襯底上的通過形成凹口區(qū)或平直區(qū)而產(chǎn)生的側(cè)表面或 邊緣被有效地蝕刻，因為襯底屏蔽單元具有對應(yīng)于凹口區(qū)的凹入部分或?qū)?yīng)于平直區(qū)的 平直側(cè)部分。
因此，防止了由于使薄膜和微粒保留在凹口區(qū)或平直區(qū)中的內(nèi)側(cè)表面上而導(dǎo)致的問題。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了，可在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在所述設(shè) 備中作出各種修改和改變。因此，希望只要對本發(fā)明的修改和改變在所附權(quán)利要求書及 其均等物的范圍內(nèi)，本發(fā)明就涵蓋這些修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種蝕刻設(shè)備，其包括腔室；在所述腔室中的襯底支撐物；襯底，其安置在所述襯底上，且具有凹口區(qū)和平直區(qū)中的一者，除了在所述凹口區(qū)和所述平直區(qū)中的所述一者中外，所述襯底具有環(huán)形形狀的緣邊，其中所述襯底的緣邊在所述凹口區(qū)中具有凹陷形狀，且在所述平直區(qū)中具有弦形狀；襯底屏蔽單元，其具有實質(zhì)上與所述襯底相同的形狀，且安置在所述襯底上方，所述襯底屏蔽單元具有對應(yīng)于所述凹口區(qū)和所述平直區(qū)中的所述一者的部分，其中所述襯底屏蔽單元具有第一直徑，所述第一直徑小于或等于所述襯底的第二直徑；氣體注入裝置，其將氣體供應(yīng)到所述襯底的外圍上；以及電源單元，其將RF(射頻)功率供應(yīng)到所述腔室中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中所述襯底屏蔽單元包括第一主體；以及第二主體，其具有所述第一直徑，所述第一直徑大于所述第一主體的直徑， 其中在所述第二主體的側(cè)面處形成所述襯底屏蔽單元的所述部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述第一和第二主體集成為單個主體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中當(dāng)所述襯底具有所述凹口區(qū)時，所述襯底屏蔽單 元的所述部分比所述凹口區(qū)具有更大的寬度和更小的深度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中當(dāng)所述襯底具有所述凹口區(qū)時，所述襯底屏蔽單 元的所述部分比所述凹口區(qū)具有更小的寬度和更小的深度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中所述氣體注入裝置安置在所述腔室的上側(cè)上，以 密封所述腔室，且所述襯底屏蔽單元從所述氣體注入裝置向所述襯底突出。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述氣體注入裝置包含多個氣體注入孔，所述氣 體注入孔安置在所述襯底屏蔽單元的側(cè)面處。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述氣體注入裝置可上下移動。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中所述襯底支撐物具有小于所述第二直徑的第三直 徑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述第三直徑小于或等于所述第一直徑。
全文摘要
一種蝕刻設(shè)備包括腔室；在所述腔室中的襯底支撐物；襯底，其安置在所述襯底上，且具有凹口區(qū)和平直區(qū)中的一者，除了在所述凹口區(qū)和所述平直區(qū)的所述一者中外，所述襯底具有環(huán)形形狀的緣邊，其中所述襯底的緣邊在所述凹口區(qū)中具有凹陷形狀，且在所述平直區(qū)中具有弦形狀；襯底屏蔽單元，其具有實質(zhì)上與所述襯底相同的形狀，且安置在所述襯底上方，所述襯底屏蔽單元具有對應(yīng)于所述凹口區(qū)和所述平直區(qū)中的所述一者的部分，其中所述襯底屏蔽單元具有小于或等于所述襯底的第二直徑的第一直徑；氣體注入裝置，其將氣體供應(yīng)到所述襯底的外圍上；以及電源單元，其將RF(射頻)功率供應(yīng)到所述腔室中。
文檔編號H01L21/00GK101197251SQ200710164348
公開日2008年6月11日 申請日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月30日
發(fā)明者全大植, 宋明坤, 李政范, 林慶辰, 車城昊, 金德鎬 申請人:周星工程股份有限公司