專利名稱：加強(qiáng)型封裝構(gòu)造及其加強(qiáng)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝構(gòu)造，且特別是有關(guān)于一種加強(qiáng)型封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
高性能覆晶球柵陣列封裝(High-performance Flip Chip BGA， HFCBGA)
為一加強(qiáng)型的封裝體，其有一金屬環(huán)用來墊高覆蓋用的散熱片。參考圖l，現(xiàn) 有的高性能覆晶球柵陣列封裝構(gòu)造100包含一基板102、一設(shè)置于基板102上表 面108的芯片104、 一環(huán)繞芯片104而設(shè)置于基板上表面108周緣的金屬環(huán)106 以及一設(shè)置于芯片104與金屬環(huán)106上方的散熱片116。 一般來說，芯片104是 通過錫球110與基板102電性連接，錫球110則被底膠(underfill)112所包覆?；?板102下表面設(shè)有若干個(gè)錫球114，以使封裝構(gòu)造100能與外界裝置電性連接。
為封裝上述封裝構(gòu)造IOO，通常需要進(jìn)行多道高溫處理制程步驟，例如進(jìn) 行回焊(reflow)或者是填充底膠112的步驟時(shí)，需要將封裝構(gòu)造100置入高溫的 環(huán)境中。但是，當(dāng)基板102處在高溫的環(huán)境下，很可能因?yàn)檫^熱而產(chǎn)生基板撓 曲的現(xiàn)象，此時(shí)，配置于基板102上的金屬環(huán)106則可增加基板102的強(qiáng)度，避 免基板102產(chǎn)生過大的撓曲。
然而，由于現(xiàn)有封裝構(gòu)造100僅于基板102的上表面108設(shè)置金屬環(huán)106， 當(dāng)基板102的撓曲度過大時(shí)，極有可能發(fā)生金屬環(huán)106剝離的現(xiàn)象。
參考圖2a至圖2b，為解決上述問題，中國臺(tái)灣專利公告第I220306號(hào)，名 稱為「具有保護(hù)基板邊緣的散熱片的封裝結(jié)構(gòu)」，揭示了一種封裝構(gòu)造200， 其主要是將金屬環(huán)206的上部206a配置于基板202的上表面208上，并使位于基 板上表面208的芯片204露出金屬環(huán)上部206a的開口；與金屬環(huán)上部206a相連 的金屬環(huán)側(cè)部206b，則配置于基板202的四個(gè)側(cè)面202a、 202b、 202c及202d上。
此外，參考圖3a至圖3c，上述專利還揭示了另一種封裝構(gòu)造300。封裝構(gòu)
造300具有一八角環(huán)狀的金屬環(huán)306，其包含一金屬環(huán)上部306a、 一金屬環(huán)下 部306c以及與金屬環(huán)上部306a及下部306c相連的金屬環(huán)側(cè)部306b。八角環(huán)狀 金屬環(huán)306的上部306a是配置于基板302的上表面308，并使位于基板上表面 308的芯片304露出金屬環(huán)上部306a的開口；八角環(huán)狀金屬環(huán)306的下部306c是 配置于基板302的下表面314，而金屬環(huán)側(cè)部306b則僅配置于基板302的側(cè)面 302a、 302b、 302c、 302d的部分區(qū)域上，并使基板302的四個(gè)角隅324a-324d 露出于金屬環(huán)306之外。
然而，上述的封裝構(gòu)造200、 300，其金屬環(huán)206、 306雖然覆蓋基板的側(cè) 面，但未能覆蓋基板上表面的大部分區(qū)域，基板仍然有可能發(fā)生翹曲，導(dǎo)致 無法上板以及芯片破裂等問題。
有鑒于此，便有需要提出一種加強(qiáng)型封裝構(gòu)造，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種加強(qiáng)型封裝構(gòu)造及其加強(qiáng)件，可防止基 板發(fā)生翹曲，以避免無法上板以及芯片破裂的問題。
為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種加強(qiáng)件， 用于加強(qiáng)一封裝構(gòu)造，所述封裝構(gòu)造具有一基板以及一設(shè)置于所述基板的上 表面的芯片。所述加強(qiáng)件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)及至少一個(gè)連接桿，其中所 述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán)；及所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)與外環(huán) 用以配置于所述基板的上表面，所述內(nèi)環(huán)圍繞所述芯片。
為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種加強(qiáng)型 封裝構(gòu)造包含 一基板、 一芯片、 一加強(qiáng)件及一散熱片。其中所述基板具有 一上表面；所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面；所述加強(qiáng)件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)及至少一個(gè)連接桿，所述內(nèi)環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述芯 片；所述外環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述內(nèi)環(huán)；及所述連接桿連接 所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)；及所述散熱片設(shè)置于所述芯片與所述外環(huán)的上方。
為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明還采用如下技術(shù)方案 一種加強(qiáng) 件，用于加強(qiáng)一封裝構(gòu)造，所述封裝構(gòu)造具有一基板與一芯片，所述基板具
有兩相對的上、下表面以及若干個(gè)側(cè)面，所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面。 所述加強(qiáng)件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至少一個(gè)連接桿、 一側(cè)部及一下部，其 中所述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán)；所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)；所述側(cè)部是由 所述外環(huán)的外周緣向下延伸而成的；及所述下部是由所述側(cè)部的底端大致上 朝向水平方向延伸而成的，其中所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)用以配置于所述基板的上表 面，所述內(nèi)環(huán)并圍繞所述芯片，所述側(cè)部用以配置于所述基板的側(cè)面上，所 述下部則用以配置于所述基板的下表面上。
為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明還采用如下技術(shù)方案 一種加強(qiáng) 型封裝構(gòu)造包含 一基板、 一芯片、 一加強(qiáng)件及一散熱片。其中所述基板具 有兩相對的上、下表面以及若干個(gè)側(cè)面；所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面； 所述加強(qiáng)件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至少一個(gè)連接桿、 一側(cè)部及一下部，其 中所述內(nèi)環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述芯片；所述外環(huán)配置于所述 基板的上表面并圍繞所述內(nèi)環(huán)；所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)；所述側(cè)部 是與所述外環(huán)相連并配置于所述基板的側(cè)面上；及所述下部是與所述加強(qiáng)件 的側(cè)部相連并配置于所述基板的下表面上；及所述散熱片設(shè)置于所述芯片與 所述外環(huán)的上方。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明加強(qiáng)型封裝構(gòu)造的加強(qiáng)件設(shè)置有內(nèi)、外環(huán)，所 述內(nèi)、外環(huán)覆蓋基板上表面的大部分區(qū)域，因此可增加基板的強(qiáng)度，達(dá)到減 少基板撓曲的效果。此外，由于額外的加強(qiáng)件側(cè)部覆蓋基板的側(cè)面，加強(qiáng)件 下部覆蓋基板的下表面，因此更能增加基板的強(qiáng)度，避免基板發(fā)生撓曲。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文特舉本 發(fā)明實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下。


圖l為一種現(xiàn)有的高性能覆晶球柵陣列封裝構(gòu)造的剖面圖。 圖2a為一種現(xiàn)有的具有保護(hù)基板邊緣的散熱片的封裝構(gòu)造的上視圖。 圖2b為沿著圖2a的剖面線2b-2b的封裝構(gòu)造的剖面圖。 圖3a為另一種現(xiàn)有具有保護(hù)基板邊緣的散熱片的封裝構(gòu)造的上視圖。
圖3b為沿著圖3a的剖面線3b-3b的封裝構(gòu)造的剖面圖。圖3c為沿著圖3a的剖面線3c-3c的封裝構(gòu)造的剖面圖。圖4a為本發(fā)明一實(shí)施例的用于加強(qiáng)封裝構(gòu)造的加強(qiáng)件的立體圖。圖4b為本發(fā)明一實(shí)施例的用于加強(qiáng)封裝構(gòu)造的加強(qiáng)件的上視圖。圖5為本發(fā)明一實(shí)施例包含圖4的加強(qiáng)件的加強(qiáng)型封裝構(gòu)造的剖面圖。圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的用于加強(qiáng)封裝構(gòu)造的加強(qiáng)件的剖面圖。圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例包含圖6的加強(qiáng)件的加強(qiáng)型封裝構(gòu)造的剖面圖。
具體實(shí)施方式
參考圖4a與圖4b，本發(fā)明第一實(shí)施例的用于加強(qiáng)封裝構(gòu)造的加強(qiáng)件400 包含一內(nèi)環(huán)410與一圍繞內(nèi)環(huán)410的外環(huán)420，兩者間并以至少一個(gè)連接桿(tie bar)430連接，以保持兩者的相對位置。參考圖5，本發(fā)明第一實(shí)施例的加強(qiáng)型封裝構(gòu)造500包含一基板510與一設(shè) 置于基板510上表面512的芯片520，芯片520是通過錫球522與基板510電性連 接。內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420貼附于基板上表面512，并使內(nèi)環(huán)410環(huán)繞芯片520;而 一散熱片530則設(shè)于芯片520上方，并貼附于外環(huán)420上。一般來說，為配合基板510的形狀，內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420為矩形。此外，為 使內(nèi)、外環(huán)410、 420彼此不易相對移動(dòng)，連接桿430的較佳數(shù)量為至少四個(gè)。 再者，內(nèi)環(huán)410的厚度最好設(shè)置為小于外環(huán)420的厚度，使內(nèi)環(huán)410不致于頂起 散熱片530，影響外環(huán)420與散熱片530的接合。加強(qiáng)件400最好是以金屬制成， 例如銅、白鐵以及鋁，即加強(qiáng)件400是選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成的群組， 以提高散熱效果。上述具有加強(qiáng)件400的封裝構(gòu)造500，由于內(nèi)、外環(huán)410、 420覆蓋基板510 上表面512的大部分區(qū)域，因而可增加基板510的強(qiáng)度，達(dá)到減少基板510撓曲 的效果。參考圖6，本發(fā)明第二實(shí)施例的用于加強(qiáng)封裝構(gòu)造的加強(qiáng)件600類似加強(qiáng) 件400，該加強(qiáng)件600也具有內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420，所不同的是，加強(qiáng)件600還包 含由外環(huán)420的外周緣向下延伸的側(cè)部640，以及由側(cè)部640的底端642大致上朝向水平方向延伸而形成環(huán)狀的下部650。參考圖7，本發(fā)明第二實(shí)施例的加強(qiáng)型封裝構(gòu)造700類似封裝構(gòu)造500，該 加強(qiáng)型封裝構(gòu)造700也是在基板510的上表面512設(shè)置內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420，并使 內(nèi)環(huán)410環(huán)繞芯片520; —散熱片530設(shè)于芯片520上方，并貼附于外環(huán)420上。 與封裝構(gòu)造500不同的是，加強(qiáng)件600另外包含的側(cè)部640包覆基板510的若干 個(gè)側(cè)面514，而其下部650則貼附于基板510的下表面516上。上述具有加強(qiáng)件600的封裝構(gòu)造700，其內(nèi)、外環(huán)410、 420也是覆蓋基板 上表面512的大部分區(qū)域，同時(shí)由于加強(qiáng)件側(cè)部640包覆基板510的側(cè)面514， 加強(qiáng)件下部650貼附于基板510的下表面516上，因此更能增加基板510的強(qiáng)度， 避免基板510發(fā)生撓曲。同樣地，為了提高散熱效果，加強(qiáng)件600最好能以金 屬制成，例如銅、白鐵以及鋁，即加強(qiáng)件600是選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成 的群組。
權(quán)利要求
1.一種加強(qiáng)件，用于加強(qiáng)一封裝構(gòu)造，所述封裝構(gòu)造具有一基板以及一設(shè)置于所述基板的上表面的芯片，其特征在于所述加強(qiáng)件包含一內(nèi)環(huán)、一外環(huán)及至少一個(gè)連接桿，其中所述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán)；及所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)用以配置于所述基板的上表面，所述內(nèi)環(huán)圍繞所述芯片。
2. 如權(quán)利要求l所述的加強(qiáng)件，其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)為矩形； 所述加強(qiáng)件包含至少四個(gè)連接桿；所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的厚度。
3. 如權(quán)利要求l所述的加強(qiáng)件，其特征在于所述加強(qiáng)件是以金屬制成， 所述金屬選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成的群組。
4. 一種加強(qiáng)型封裝構(gòu)造，其包含 一基板、 一芯片、 一加強(qiáng)件及一散熱 片，其中所述基板具有一上表面；所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面；其特 征在于所述加強(qiáng)件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)及至少一個(gè)連接桿，所述內(nèi)環(huán)配 置于所述基板的上表面并圍繞所述芯片；所述外環(huán)配置于所述基板的上表面 并圍繞所述內(nèi)環(huán)；及所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)；所述散熱片設(shè)置于所 述芯片與所述外環(huán)的上方。
5. 如權(quán)利要求4所述的加強(qiáng)型封裝構(gòu)造，其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán) 為矩形；所述加強(qiáng)件包含至少四個(gè)連接桿；所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的 厚度。
6. —種加強(qiáng)件，用于加強(qiáng)一封裝構(gòu)造，所述封裝構(gòu)造具有一基板與一芯 片，所述基板具有兩相對的上、下表面以及若干個(gè)側(cè)面，所述芯片設(shè)置于所 述基板的上表面，其特征在于所述加強(qiáng)件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至少一 個(gè)連接桿、 一側(cè)部及一下部，其中所述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán)；所述連接桿連接 所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)；所述側(cè)部是由所述外環(huán)的外周緣向下延伸而成的；及所述 下部是由所述側(cè)部的底端大致上朝向水平方向延伸而成的，其中所述內(nèi)環(huán)與 外環(huán)用以配置于所述基板的上表面，所述內(nèi)環(huán)并圍繞所述芯片，所述側(cè)部用 以配置于所述基板的側(cè)面上，所述下部則用以配置于所述基板的下表面上。
7. 如權(quán)利要求6所述的加強(qiáng)件，其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)為矩形； 所述加強(qiáng)件包含至少四個(gè)連接桿；所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的厚度；所 述下部形成環(huán)狀。
8. 如權(quán)利要求6所述的加強(qiáng)件，其特征在于所述加強(qiáng)件是以金屬制成， 所述金屬選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成的群組。
9. 一種加強(qiáng)型封裝構(gòu)造，其包含 一基板、 一芯片、 一加強(qiáng)件及一散熱 片，其中所述基板具有兩相對的上、下表面以及若干個(gè)側(cè)面；所述芯片設(shè)置 于所述基板的上表面；其特征在于所述加強(qiáng)件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至 少一個(gè)連接桿、 一側(cè)部及一下部，其中所述內(nèi)環(huán)配置于所述基板的上表面并 圍繞所述芯片；所述外環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述內(nèi)環(huán)；所述連 接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)；所述側(cè)部是與所述外環(huán)相連并配置于所述基板的 側(cè)面上；及所述下部是與所述加強(qiáng)件的側(cè)部相連并配置于所述基板的下表面 上；及所述散熱片設(shè)置于所述芯片與所述外環(huán)的上方。
10. 如權(quán)利要求9所述的加強(qiáng)型封裝構(gòu)造，其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán) 為矩形；所述加強(qiáng)件包含至少四個(gè)連接桿；所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的 厚度；所述下部形成環(huán)狀。
全文摘要
本發(fā)明公開一種加強(qiáng)型封裝構(gòu)造，其加強(qiáng)件的內(nèi)環(huán)配置于基板的上表面并圍繞芯片，而加強(qiáng)件的外環(huán)則配置于基板的上表面并圍繞內(nèi)環(huán)，同時(shí)外環(huán)是通過連接桿與內(nèi)環(huán)相連。由于加強(qiáng)件的內(nèi)、外環(huán)覆蓋基板的上表面的部分區(qū)域，從而能夠增加基板的強(qiáng)度，達(dá)到減少基板撓曲的效果。
文檔編號(hào)H01L23/00GK101150095SQ20071016723
公開日2008年3月26日 申請日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者王靜君, 黃東鴻 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司