專利名稱：疊對量測結(jié)構(gòu)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種對位結(jié)構(gòu)與方法，尤其是指一種可以解析材料層與材料 層之間的疊對誤差的一種疊對量測結(jié)構(gòu)及方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組件制造中的疊對量測是用以判斷一印刷層疊對在前一印刷層上 的良好程度。組件各層中所有位置點(diǎn)處每一層的準(zhǔn)確對準(zhǔn)對達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)而言 非常重要，如此方能達(dá)到制造組件所要求的質(zhì)量與效能。由于半導(dǎo)體制程關(guān)鍵
尺寸(Critical Dimension)設(shè)計(jì)的逐年減小，利用傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡判讀半導(dǎo)體 制程中層與層之間的疊對誤差已愈趨困難。因此，快速且精確地量測一晶圓上 兩個(gè)已圖樣化層間的任何疊對誤差對制程效率而言非常地重要。
目前的疊對量測會使用在制造期間被印刷至半導(dǎo)體晶圓各層上的光學(xué)可 判讀目標(biāo)標(biāo)記或圖樣，常見的圖樣為條形碼套條形碼(bar-in-bar)，或是方框 套方框(box-in-box)。這類技術(shù)是以高放大倍率來成像該等圖樣，數(shù)字化該等 影像，并且利用各種已知影像分析算法來處理該影像數(shù)據(jù)以量化疊對誤差便可 量測兩連續(xù)層的相對位移。目前這類條形碼套條形碼(bar-in-bar)，或是方框 套方框(box-in-box)的技術(shù)可參見美國專利US. Pat. No. 7, 160， 657等相關(guān)技 術(shù)。
1988年Chappelow等人提出疊對量測的另一種方法。在此方法中利用線 性光柵作為上層和下層疊對的圖樣。上層和下層的線性光柵具有相同的周期。 量測時(shí)所采用的照明光點(diǎn)遠(yuǎn)大于光柵的線寬。2001年Bischoff等人提出由土 1級繞射的繞射效率差來量測疊對。所采用的圖樣是分別置于上下層的兩個(gè)同 周期的線性光柵重疊而成。當(dāng)一光柵的線中心與另一光柵的線中心或間距中心 完全重合時(shí)，由于對稱性，土l級繞射將會具有相同的振幅。當(dāng)上下層光柵之 間有任何一點(diǎn)位移，對稱性將被破壞，士l級振幅的差將與其位移相關(guān)聯(lián)。
近年來，H.T. Huang等人采用相似的線性光柵標(biāo)靶結(jié)構(gòu)，并對零級繞射光進(jìn)行量測。在此量測中采用了寬波帶的光源，由所測得的零級繞射光的繞射效 率比對可獲得疊對的數(shù)據(jù)。上述所提出的基于對光在周期性圖樣上散射分析的 光學(xué)量測技術(shù)通常稱為散射量測法，而用以量測散射光效率的儀器， 一般稱為 散射儀。利用光柵的散射特性可以獲得比一般圖樣結(jié)構(gòu)更佳的量測分辨率。然 而此方式的量測速度比光學(xué)顯微鏡慢，急需要建立理論模型去比對量測的數(shù)
據(jù)。此類的技術(shù)可見于美國公開申請案US. Pub. No. 20060197951所揭露的技 術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種疊對量測結(jié)構(gòu)，其是由一組位在上下不同層的微結(jié)構(gòu)所構(gòu) 成，而上下層微結(jié)構(gòu)間的錯(cuò)位即是所要量測的疊對誤差。由于反射光特征圖譜 會隨著疊對圖樣的錯(cuò)位量等參數(shù)而改變，因此藉由不同的繞射為基礎(chǔ)的疊對圖 樣設(shè)計(jì)，可以有效的提高疊對量測的靈敏度。
本發(fā)明提供一種疊對量測方法，其是利用雙疊對微結(jié)構(gòu)在邊界的繞射特 性，分別在上層與下層分別放置微結(jié)構(gòu)的圖樣，藉由光學(xué)顯微鏡分析其雙光柵 的邊界強(qiáng)度分布，來獲得層與層之間的疊對誤差，以提升量測疊對誤差的分辨 率。
本發(fā)明提供一種疊對量測方法，其是利用不同的微結(jié)構(gòu)邊界的強(qiáng)度分布， 決定一評價(jià)關(guān)系線。藉由該評價(jià)關(guān)系線，可以應(yīng)用于對位誤差的分析，以提高 在線量測誤差的效率與準(zhǔn)確率。
在一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種疊對量測結(jié)構(gòu)，其是用以量測層與層間的
對位誤差，該疊對量測結(jié)構(gòu)包括 一材料層，其是具有一第一微結(jié)構(gòu)以及一第 二微結(jié)構(gòu)，該第二微結(jié)構(gòu)與該第一微結(jié)構(gòu)間具有一對位間距。
在另一實(shí)施例中，本發(fā)明更提供一種疊對量測結(jié)構(gòu)，其是用以量測層與層 間的對位誤差，該疊對量測結(jié)構(gòu)包括 一材料層，其是具有一第一光柵微結(jié)構(gòu) 以及一第二光柵微結(jié)構(gòu)，該第二光柵微結(jié)構(gòu)與該第一光柵微結(jié)構(gòu)間具有一對位 間距。
在另 一實(shí)施例中，本發(fā)明更提供一種疊對量測方法，其是包括有下列步驟 (a)分別于一第一材料層以及一第二材料層上形成一對微結(jié)構(gòu)，該對微結(jié)構(gòu)具 有一對位間距；(b)量測該對微結(jié)構(gòu)的光學(xué)影像所具有的光學(xué)強(qiáng)度分布；(C)根據(jù)該光學(xué)強(qiáng)度分布得到一評價(jià)值；(d)改變該第一材料層上的對位間距中心
與該第二材料層上的對位間距中心的距離；以及(e)重復(fù)歩驟(a)至步驟(d)以 根據(jù)所得的多個(gè)評價(jià)值得到 一評價(jià)關(guān)系線。
在又一實(shí)施例中，本發(fā)明更提供一種疊對量測方法，其是包括有下列步驟: 決定一評價(jià)關(guān)系線；分別于一第一待測材料層以及一第二待測材料層上形成一 對微結(jié)構(gòu)，該對微結(jié)構(gòu)具有一對位間距；量測該對微結(jié)構(gòu)的光學(xué)影像所具有的 光學(xué)強(qiáng)度分布；根據(jù)該光學(xué)強(qiáng)度分布得到一評價(jià)值；以及將該評價(jià)值對應(yīng)該評 價(jià)關(guān)系線，以得到該第一待測材料層與該第二待測材料層的疊對誤差。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1A是為本發(fā)明的疊對量測結(jié)構(gòu)實(shí)施例示意圖1B是為本發(fā)明的疊對量測結(jié)構(gòu)另一實(shí)施例示意圖2是為本發(fā)明的疊對量測方法實(shí)施例示意圖3A是為決定該評價(jià)關(guān)系線流程示意圖3B是為求得評價(jià)值的流程圖4是為第一材料層與該第二材料層的堆疊關(guān)系示意圖5是為具有錯(cuò)位50nm的雙疊對微結(jié)構(gòu)的光學(xué)影像；
圖6是為疊對的第一對微結(jié)構(gòu)與第二對微結(jié)構(gòu)的光學(xué)強(qiáng)度分布圖7是為圖6的光學(xué)強(qiáng)度分布的梯度分布圖8是為對位間距區(qū)域的光學(xué)強(qiáng)度分布放大示意圖9為根據(jù)錯(cuò)位及評價(jià)值所繪出的關(guān)系線。
其中，附圖標(biāo)記
1- 疊對量測結(jié)構(gòu)
10- 材料層
11- 第一微結(jié)構(gòu)
12- 第二微結(jié)構(gòu)
13- 實(shí)體結(jié)構(gòu)
2- 疊對量測方法20 25-步驟 201 206-步驟 2040 2041-步驟
30- 基板
31- 第一材料層
32- 第二材料層
33- 二氧化硅層
34- 多晶硅層
35- 抗反射層
36- 微結(jié)構(gòu)
360、 361-微結(jié)構(gòu)
37- 微結(jié)構(gòu)
370、 371-微結(jié)構(gòu)
具體實(shí)施例方式
為對本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，下文特將本發(fā) 明的系統(tǒng)的相關(guān)細(xì)部結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)的理念原由進(jìn)行說明，以了解本發(fā)明的特
點(diǎn)，詳細(xì)說明陳述如下
請參閱圖1A所示，該圖是為本發(fā)明的疊對量測結(jié)構(gòu)實(shí)施例示意圖。該疊 對量測結(jié)構(gòu)是用以量測相互疊對的材料層與材料層間的對位誤差，該疊對量測
結(jié)構(gòu)1是具有一材料層10，該材料層10上具有一第一微結(jié)構(gòu)11以及一第二 微結(jié)構(gòu)12。該第二微結(jié)構(gòu)12與該第一微結(jié)構(gòu)11間具有一對位間距D。在本實(shí) 施例中，該第一微結(jié)構(gòu)11與該第二微結(jié)構(gòu)12是為一光柵微結(jié)構(gòu)。在圖1A中， 該第一微結(jié)構(gòu)11與該第二微結(jié)構(gòu)12具有不同的光柵周期Pl與P2。其中該第 一微結(jié)構(gòu)11的線寬與間隙分別為Ll與Sl;而第二微結(jié)構(gòu)12的線寬與間隙分 別為L2與S2。該第一微結(jié)構(gòu)11的周期、線寬與間隙是可與第二微結(jié)構(gòu)12相 同或者是相異。另外，該微結(jié)構(gòu)亦可如圖1B所示，是為一實(shí)體結(jié)構(gòu)13及14， 兩實(shí)體結(jié)構(gòu)13及14間具有對位間距D。
接下來說明如何利用前述的疊對量測結(jié)構(gòu)來進(jìn)行疊對誤差的解析。請參閱 圖2所示，該圖是為本發(fā)明的疊對量測方法實(shí)施例示意圖。在本實(shí)施例中，該方法2首先進(jìn)行步驟20，決定一評價(jià)關(guān)系線，該評價(jià)關(guān)系線是可為直線或者 是n階曲線。請參閱圖3A所示，該圖是為決定該評價(jià)關(guān)系線流程示意圖。決 定該評價(jià)關(guān)系線的方法首先利用步驟201分別于一第一材料層以及一第二材 料層上形成一對微結(jié)構(gòu)，該對微結(jié)構(gòu)具有一對位間距，該對微結(jié)構(gòu)是可為圖 1A或圖1B的結(jié)構(gòu)。該第一材料層與該第二材料層之間可以為上下層的關(guān)系， 當(dāng)然其中更可以具有至少一層的材料。
請參閱圖4所示，該圖是為第一材料層與該第二材料層的堆疊關(guān)系示意 圖。在圖4中，基板30的材料為硅，第一材料層31上的該對微結(jié)構(gòu)36的材 料為硅，其厚度為300nm。而第二材料層32上的該對微結(jié)構(gòu)37的材料則為光 阻，其厚度為180nm。在該第一材料層31與該第二材料層32之間的層數(shù)為三 層，分別為二氧化硅(SiO》層33，多晶硅(poly-Si)層34，及抗反射層 35(Bottom Anti Reflective Coating, BARC)，其厚度分別為1. 7nm ， lOOnm 與80nm。在光柵的設(shè)計(jì)中，Pl為400nm， Ll為200nm， Sl為200nm，而P2為 700nm， S2為350nm， L2為350nm。該第一材料層31上的對位間距Dl的中心 與第二材料層32上的對位間距D2的中心的橫向位移是為錯(cuò)位OL。不同的錯(cuò) 位0L大小將造成雙疊對微結(jié)構(gòu)在中心邊界處的光學(xué)強(qiáng)度分布的不同。在本實(shí) 施例中，第一材料層31的微結(jié)構(gòu)360的光柵特征是與第二材料層32的微結(jié)構(gòu) 370相同；而第一材料層31的微結(jié)構(gòu)361的光柵特征是與第二材料層32的微 結(jié)構(gòu)371相同。另外，雖然本實(shí)施例的疊對誤差量測是以半導(dǎo)體制程來說明， 但是實(shí)際上實(shí)施亦可以應(yīng)用于具有薄膜沉積的相關(guān)制程，例如液晶面板的制 程，因此并不以本發(fā)明的半導(dǎo)體制程為限。
再回到圖3A所示，隨后進(jìn)行步驟202，擷取該第一材料層以及該第二材 料層上的微結(jié)構(gòu)光學(xué)影像。由于第一材料層與該第二材料層之間具有錯(cuò)位OL 的關(guān)系，會造成雙疊對的微結(jié)構(gòu)在中心邊界處的光學(xué)強(qiáng)度分布的不同。請參閱 圖5所示，該圖是為雙疊對的微結(jié)構(gòu)影像，其是代表著錯(cuò)位50nm的光學(xué)影像。 接著進(jìn)行步驟203，量測該對微結(jié)構(gòu)的對位間距區(qū)域的光學(xué)影像所具有的光學(xué) 強(qiáng)度分布。其結(jié)果請參閱圖6所示，該圖是為疊對的第一對微結(jié)構(gòu)與第二對微 結(jié)構(gòu)的光學(xué)強(qiáng)度分布圖。從圖中可以看出強(qiáng)度分布在對位間距區(qū)域的邊界處有 明顯的變化。
接下來進(jìn)行步驟204，根據(jù)圖6的光學(xué)強(qiáng)度分布得到關(guān)于該錯(cuò)位大小的一評價(jià)值。請參閱圖3B所示，該圖是為求得評價(jià)值的流程圖。首先進(jìn)行步驟2040， 先取得圖6的光學(xué)強(qiáng)度分布的梯度值(gradient)分布，其結(jié)果如圖7所示。步 驟2040的目的在強(qiáng)化對位間距的強(qiáng)度變化。接下來進(jìn)行歩驟2041，根據(jù)該梯 度值分布決定出多個(gè)特征點(diǎn)以定義出該評價(jià)值。為了說明特征點(diǎn)，請參閱圖8 所示，該圖是為對位間距區(qū)域的光學(xué)強(qiáng)度分布放大示意圖。從圖中定出三個(gè)特 征點(diǎn)，分別為主峰A點(diǎn)及主峰兩邊的谷點(diǎn)B， C。由A， B， C三點(diǎn)所代表的強(qiáng) 度，計(jì)算其評價(jià)值(Merit Value)，該評價(jià)值的定義是如式(1)所示，但不以此 為限，使用者可以根據(jù)需要訂出評價(jià)值的關(guān)系式。以圖三所定義的特征點(diǎn)A、 B與C為例，計(jì)算出錯(cuò)位50nm的雙疊對光柵的評價(jià)值為3. 9。 評價(jià)值二IA-(B+C)1……(1)
求出評價(jià)值之后，再進(jìn)行圖3A的步驟205，改變該第一材料層上的對位 間距中心與該第二材料層上的對位間距中心的距離，亦即改變錯(cuò)位OL的大小。 然后進(jìn)行步驟206，重復(fù)進(jìn)行步驟201至205的內(nèi)容，以得到多筆評價(jià)值。在 本實(shí)施例中，步驟205中的錯(cuò)位范圍為Onm至100nm。也就是在進(jìn)行步驟201 至205多次之后，可計(jì)算出錯(cuò)位從Onm至100nm的各個(gè)評價(jià)值，然后利用數(shù)值 分析的方法去找出評價(jià)關(guān)系線。圖9即為根據(jù)錯(cuò)位及評價(jià)值所繪出的關(guān)系線。 由圖中可以看出錯(cuò)位間隔為5nm的情況下具有良好的靈敏度，且量測數(shù)據(jù)近似 線性分布，由此關(guān)系線可以獲得在不同疊對誤差下的評價(jià)值，以用于量測上的 分析。該評價(jià)關(guān)系線除了線性關(guān)系亦可為多階的曲線。
請參閱圖2所示，在決定出該評價(jià)關(guān)系線之后，可以進(jìn)行制程上的疊對誤 差量測。透過步驟21，分別于一第一待測材料層以及一第二待測材料層上形 成一對微結(jié)構(gòu)，每對微結(jié)構(gòu)具有一對位間距。該第一待測材料層以及該第二待 測材料層是為制程上任一需要偵測疊對誤差的材料層。接著透過步驟22，擷 取該相互疊對的微結(jié)構(gòu)的光學(xué)影像。接著進(jìn)行步驟23，量測該光學(xué)影像所具 有的光學(xué)強(qiáng)度分布。接著進(jìn)行步驟24，根據(jù)該光學(xué)強(qiáng)度分布得到一評價(jià)值。 該步驟22至24是類似于前述的步驟203至204，因此在此不作贅述。
接著進(jìn)行步驟25，將計(jì)算所得的評價(jià)值對應(yīng)先前所決定的評價(jià)關(guān)系線， 以得到該第一待測材料層與該第二待測材料層的堆疊誤差。例如以圖9為例， 如果第一待測材料層與該第二待測材料層經(jīng)由步驟22至步驟24之后所得到的 評價(jià)值為4.2，則對應(yīng)出來的誤差為60nm。如此，檢測人員即可得知第一待測材料層與該第二待測材料層的誤差為60nm。利用圖2的程序可以在半導(dǎo)體或 者是面板制程中檢測層與層間的對位誤差，以提高在線量測誤差的效率與準(zhǔn)確 率。
綜合上述，本發(fā)明的疊對量測結(jié)構(gòu)及方法，可以有效的提高疊對量測的靈 敏度以及分辨率。因此可以滿足業(yè)界的需求，進(jìn)而提高該產(chǎn)業(yè)的競爭力。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種疊對量測結(jié)構(gòu)，其是用以量測層與層間的對位誤差，其特征在于，該疊對量測結(jié)構(gòu)包括一材料層，其是具有一第一微結(jié)構(gòu)以及一第二微結(jié)構(gòu)，該第二微結(jié)構(gòu)與該第一微結(jié)構(gòu)間具有一對位間距。
2. 如權(quán)利要求1所述的疊對量測結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一微結(jié)構(gòu) 是為一光柵結(jié)構(gòu)。
3. 如權(quán)利要求1所述的疊對量測結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二微結(jié)構(gòu) 是為一光柵結(jié)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求1所述的疊對量測結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一微結(jié)構(gòu) 是為一實(shí)體結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求1所述的疊對量測結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二微結(jié)構(gòu)是為一實(shí)體結(jié)構(gòu)。
6. ~-種疊對量測結(jié)構(gòu)，其是用以量測層與層間的對位誤差，其特征在于，該疊對量測結(jié)構(gòu)包括一材料層，其是具有一第一光柵微結(jié)構(gòu)以及一第二光柵微結(jié)構(gòu)，該第二光 柵微結(jié)構(gòu)與該第一光柵微結(jié)構(gòu)間具有一對位間距。
7. 如權(quán)利要求6所述的疊對量測結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一光柵微結(jié)構(gòu)的周期是可與該第二光柵微結(jié)構(gòu)的周期相同或者是不相同。
8. 如權(quán)利要求6所述的疊對量測結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一光柵微 結(jié)構(gòu)的光柵線寬是可與該第二光柵微結(jié)構(gòu)的光柵線寬相同或者是不相同。
9. 一種疊對量測方法，其特征在于，其是包括有下列步驟(a) 分別于一第一材料層以及一第二材料層上形成一對微結(jié)構(gòu)，該對微結(jié) 構(gòu)具有一對位間距；(b) 量測該對微結(jié)構(gòu)的光學(xué)影像所具有的光學(xué)強(qiáng)度分布；(c) 根據(jù)該光學(xué)強(qiáng)度分布得到一^^價(jià)值；(d) 改變該第一材料層上的對位間距中心與該第二材料層上的對位間距中 心的距離；(e) 重復(fù)步驟(a)至步驟(d)以根據(jù)所得的多個(gè)評價(jià)值得到一評價(jià)關(guān)系線。
10. 如權(quán)利要求9所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該步驟(C)更 具有下列步驟(Cl)取得該光學(xué)強(qiáng)度分布的梯度值分布；(c2)根據(jù)該梯度值分布決定出多個(gè)特征點(diǎn)以定義出該評價(jià)值。
11. 如權(quán)利要求10所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該多個(gè)特征 點(diǎn)是為該梯度分布的主峰值以及主峰值兩側(cè)的谷點(diǎn)。
12. 如權(quán)利要求9所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對微結(jié)構(gòu)是 為一對光柵微結(jié)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求12所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對光柵微結(jié)構(gòu)的周期是可相同或者是不相同。
14. 如權(quán)利要求12所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對光柵微 結(jié)構(gòu)的光柵線寬是可相同或者是不相同。
15. 如權(quán)利要求9所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對微結(jié)構(gòu)是 為一對實(shí)體微結(jié)構(gòu)。
16. —種疊對量測方法，其特征在于，其是包括有下列步驟 決定一評價(jià)關(guān)系線；分別于一第一待測材料層以及一第二待測材料層上形成一對微結(jié)構(gòu)，該對 微結(jié)構(gòu)具有一對位間距；量測該對微結(jié)構(gòu)的光學(xué)影像所具有的光學(xué)強(qiáng)度分布； 根據(jù)該光學(xué)強(qiáng)度分布得到一評價(jià)值；將該評價(jià)值對應(yīng)該評價(jià)關(guān)系線，以得到該第一待測材料層與該第二待測材 料層的堆疊誤差。
17. 如權(quán)利要求16所述的疊對量測方法，其特征在于，其中決定該評價(jià) 值更包括有下列步驟取得該光學(xué)強(qiáng)度分布的梯度值分布；根據(jù)該梯度值分布決定出多個(gè)特征點(diǎn)以定義出該評價(jià)值。
18. 如權(quán)利要求17所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該多個(gè)特征 點(diǎn)是為該梯度分布的主峰值以及主峰值兩側(cè)的谷點(diǎn)。
19. 如權(quán)利要求16所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對微結(jié)構(gòu) 是為一對光柵微結(jié)構(gòu)。
20. 如權(quán)利要求19所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對光柵微 結(jié)構(gòu)的周期是可相同或者是不相同。
21. 如權(quán)利要求19所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對光柵微 結(jié)構(gòu)的光柵線寬是可相同或者是不相同。
22. 如權(quán)利要求16所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該對微結(jié)構(gòu) 是為一對實(shí)體微結(jié)構(gòu)。
23. 如權(quán)利要求16所述的疊對量測方法，其特征在于，其中決定該評價(jià) 關(guān)系線更包括有下列步驟(a) 分別于一第一材料層以及一第二材料層上形成一對微結(jié)構(gòu)，該對微結(jié) 構(gòu)具有一對位間距；(b) 量測該對微結(jié)構(gòu)的光學(xué)影像所具有的光學(xué)強(qiáng)度分布；(C)根據(jù)該光學(xué)強(qiáng)度分布得到一評價(jià)值；(d) 改變該第一材料層上的對位間距中心與該第二材料層上的對位間距中 心的距離；(e) 重復(fù)步驟(a)至步驟(d)以根據(jù)所得的多個(gè)評價(jià)值得到一評價(jià)關(guān)系線。
24. 如權(quán)利要求23所述的疊對量測方法，其特征在于，其中該步驟(c)更 具有下列步驟(cl)取得該光學(xué)強(qiáng)度分布的梯度值分布；(c2)根據(jù)該梯度值分布決定出多個(gè)特征點(diǎn)以定義出該評價(jià)值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種疊對量測結(jié)構(gòu)，其是利用雙疊對微結(jié)構(gòu)邊界的散射特性，分別在上下層材料間形成一對微結(jié)構(gòu)，藉由光學(xué)顯微鏡分析其微結(jié)構(gòu)邊界的光學(xué)強(qiáng)度分布，以得到層與層間的疊對誤差。此外，本發(fā)明利用該疊對量測結(jié)構(gòu)建構(gòu)出一種疊對量測方法，利用不同的微結(jié)構(gòu)邊界的強(qiáng)度分布，決定一評價(jià)關(guān)系線。藉由該評價(jià)關(guān)系線，可以應(yīng)用于對位誤差的分析，以提高在線量測誤差的效率與準(zhǔn)確率。
文檔編號H01L21/66GK101436580SQ20071017033
公開日2009年5月20日 申請日期2007年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月12日
發(fā)明者徐得銘, 顧逸霞 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院