專利名稱：側(cè)墻形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種側(cè)墻形成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制程中，側(cè)墻(spacer )用來(lái)環(huán)繞4冊(cè)極，以防止更大劑量的 源漏(S/D)注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生的源漏穿通。
當(dāng)前，形成所述側(cè)墻的步驟包括提供半導(dǎo)體基底；如圖la和lb所示， 在所述半導(dǎo)體基底10上形成柵極20;以所述柵極20為掩膜，在所述半導(dǎo) 體基底10上形成超淺結(jié)30;在已形成超淺結(jié)30的半導(dǎo)體基底10上形成絕 緣層；刻蝕所述絕緣層，以形成環(huán)繞所述柵極20的側(cè)墻40。
隨著器件臨界尺寸進(jìn)入65納米及其以下，所述超淺結(jié)(ultra shallow junction, USJ)的制作工藝逐漸成為半導(dǎo)體制程中的關(guān)鍵工藝，超淺結(jié) 結(jié)深成為關(guān)鍵工藝參數(shù)。不斷提高的速度和封裝密度的需要，導(dǎo)致器件 在很大程度上要求器件的溝道長(zhǎng)度等比例地減小，為保持器件的電學(xué)性 能，關(guān)鍵的器件要素必須隨之減?。蝗绾慰s小所述超淺結(jié)的結(jié)深成為業(yè) 界追求的目標(biāo)。
然而，實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，應(yīng)用傳統(tǒng)方法形成超淺結(jié)30后，后續(xù)的側(cè)墻40 形成過(guò)程仍包含熱處理操作，通常，根據(jù)選擇的工藝，如形成絕緣層時(shí) 所需的在600 ~ 700攝氏度高溫下持續(xù)3分鐘，或在500 ~ 550攝氏度高溫下 持續(xù)1小時(shí)；而所述超淺結(jié)是經(jīng)由對(duì)所述半導(dǎo)體基底lO執(zhí)行輕摻雜漏注入 (LDD)后形成的，如此高溫將引起所述超淺結(jié)30內(nèi)的摻雜材料從半導(dǎo)體 基底的注入?yún)^(qū)域向外擴(kuò)散。由于這種擴(kuò)散作用，所述超淺結(jié)30的結(jié)深將 因側(cè)墻40的形成而增加，變成超淺結(jié)32。
雖然業(yè)界一直關(guān)注擴(kuò)散引起的結(jié)深增加的問(wèn)題,但解決方案的角度通 常從后續(xù)退火工藝入手。如，2005年10月5日公開(kāi)的公告號(hào)為"CN 1222016C"的中國(guó)專利中提供的一種通過(guò)激光退火和快速加溫退火形成超淺結(jié)的方法。如何進(jìn)一步減少超淺結(jié)內(nèi)的摻雜材料的擴(kuò)散，進(jìn)而減少 結(jié)深的增如成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種側(cè)墻形成方法，可減少超淺結(jié)內(nèi)的摻雜材料的擴(kuò) 散，進(jìn)而減少結(jié)深的增加。
本發(fā)明提供的一種側(cè)墻形成方法，包括
提供半導(dǎo)體基底；
在所述半導(dǎo)體基底上形成柵極；
以所述柵極為掩膜，在所述半導(dǎo)體基底上形成超淺結(jié)；
以乙硅烷作為反應(yīng)氣體，在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體基底上形成絕緣
層；
刻蝕所述絕緣層，以形成環(huán)繞所述4冊(cè)纟及的側(cè)墻。
可選地，所述絕緣層包含氧化層及/或氮化層；可選地，形成所述 絕緣層的工藝包括亞常壓化學(xué)氣相淀積和常壓化學(xué)氣相淀積；可選地， 所述乙硅烷的流速范圍為2~20 sccm;可選地，形成所述氧化層時(shí)，涉 及的反應(yīng)氣體還包含一氧化二氮，所述一氧化二氮的流速范圍為1000 ~ 10000 sccm;可選地，形成所述氮化層時(shí)，涉及的反應(yīng)氣體還包含氨氣， 所述氨氣的流速范圍為1000 - 10000 sccm;可選地，形成所述氧化層或 氧化層及氮化層時(shí)，以氮?dú)庾鳛榫彌_氣體，所述氮?dú)獾牧魉俜秶鸀?1000 ~ 1000() sccm;可選地，形成所述氧化層或氧化層及氮化層時(shí)，反 應(yīng)壓力范圍為100 - 400 torr;可選地，形成所述氧化層時(shí)，反應(yīng)溫度 范圍為500 - 550攝氏度；可選地，形成所述氮化層時(shí)，反應(yīng)溫度范圍 為600 ~ 700攝氏度；可選地，形成所述絕緣層時(shí)，反應(yīng)持續(xù)時(shí)間為1~ 10分鐘。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的側(cè)墻形成方法，通過(guò)采用乙硅烷作為反應(yīng)氣體，沉積用 以形成側(cè)墻時(shí)的絕緣層，由于乙硅烷中硅氫鍵的鍵能低于傳統(tǒng)反應(yīng)氣體 硅烷中硅氫鍵的鍵能，致使利用乙硅烷替代硅烷作為沉積反應(yīng)氣體時(shí)， 可使縮短反應(yīng)時(shí)間及/或降低反應(yīng)溫度成為可能，使減少超淺結(jié)發(fā)生擴(kuò)散 效應(yīng)的持續(xù)時(shí)間及擴(kuò)散效應(yīng)發(fā)生的程度成為可能，繼而，使減少超淺結(jié)
內(nèi)的摻雜材料的擴(kuò)散成為可能，進(jìn)而，使減少結(jié)深的增加成為可能；
本發(fā)明提供的側(cè)墻形成方法的可選方式，通過(guò)采用單片處理工藝，即 采用亞常壓化學(xué)氣相淀積及/或低壓化學(xué)氣相淀積工藝沉積用以形成側(cè)墻 的絕緣層，可縮短反應(yīng)時(shí)間，繼而，使減少超淺結(jié)內(nèi)的摻雜材料的擴(kuò)散 成為可能，進(jìn)而，使減少結(jié)深的增加成為可能。


圖la和圖lb分別為說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)歷輕^^雜離子注入后和形成 側(cè)墻后形成的超淺結(jié)的結(jié)構(gòu)示意圖2為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的形成側(cè)墻的流程示意圖3為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu)示意圖4為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的形成柵極后的半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu)示意
圖； 圖6為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的形成絕緣層后的半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu)示意
圖7為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的形成氧化物側(cè)墻后的半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu) 示意圖8為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的形成0N側(cè)墻后的半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu)示 意圖9為說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的形成包含側(cè)墻基層及氧化物的側(cè)墻后的半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
盡管下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā) 明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明 而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本 領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛教導(dǎo)，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì) 描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混 亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí) 現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí) 施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和
規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列 說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均 釆用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助 說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
當(dāng)前，在半導(dǎo)體器件制程中，通常需在形成超淺結(jié)后，順序執(zhí)行形成 側(cè)墻的操作。形成所述側(cè)墻的操作包括在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體基底上 形成絕緣層和刻蝕所述絕緣層的操作。形成所述側(cè)墻的操作均為熱處理
操作，如，沉積所述絕緣層的操作可利用爐管或單片沉積工藝進(jìn)行；通 常，所述絕緣層材料可包含氧化硅及/或氮化硅，利用爐管沉積所述絕緣 層時(shí)，工藝條件為530攝氏度和持續(xù)時(shí)間為1小時(shí)，沉積所述絕緣層的反 應(yīng)物可包含TEOS或BABTS;而利用單片沉積工藝，如利用亞常壓化學(xué)氣相 淀積A/或低壓化學(xué)氣相淀積工藝沉積所述絕緣層時(shí)，工藝條件為675攝氏 度和持續(xù)時(shí)間為3分鐘，沉積所述絕緣層的反應(yīng)氣體包含硅烷。上述熱處理操作涉及的高溫將引起所述超淺結(jié)內(nèi)的摻雜材料從半導(dǎo)體基底的注入 區(qū)域向外擴(kuò)散，這種擴(kuò)散作用將導(dǎo)致所述超淺結(jié)的結(jié)深因側(cè)墻的形成而 增力口。
為減少所述超淺結(jié)內(nèi)摻雜材料的擴(kuò)散,通常要求形成所述側(cè)墻的過(guò)程 反應(yīng)溫度低且持續(xù)時(shí)間短，但是，應(yīng)用上述兩種方法形成所述側(cè)墻時(shí)， 均無(wú)法同時(shí)滿足上述要求。
本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)歷分析與實(shí)踐后，提出了一種側(cè)墻形成方法，應(yīng)用 所述方法，可在形成所述側(cè)墻的過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)低反應(yīng)溫度和低熱處理操 作持續(xù)時(shí)間的結(jié)合，繼而，減少擴(kuò)散發(fā)生的程度，進(jìn)而，可使減少擴(kuò)散
現(xiàn)象的發(fā)生成為可能。
應(yīng)用本發(fā)明提供的方法形成側(cè)墻的具體步驟包括 結(jié)合圖2及圖3所示，步驟201:提供半導(dǎo)體基底IOO。
所述半導(dǎo)體基底100為已完成淺溝槽隔離、繼而確定有源區(qū)的半導(dǎo)體 襯底(substrate )。
晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe ),也可以是絕緣體上硅(SOI )。 所述半導(dǎo)體村底還可包含氧化層或氮氧化硅層，所述氧化層材料包含二 氧化硅(SiOJ、摻雜鉿(Hf )的二氧化硅或二氧化鉿(HfOJ。
結(jié)合圖2及圖4所示，步驟202:在所述半導(dǎo)體基底100上形成柵 極120。
所述柵極120可包含摻雜多晶硅、由多晶硅與金屬硅化物形成的疊 層組合物或者金屬。
結(jié)合圖2及圖5所示，步驟303:以所述柵極120為掩膜，在所述半導(dǎo)體 基底100上形成超淺結(jié)140。
所述超淺結(jié)140用以形成輕摻雜漏注入(Lightly Doped Drain, LDD ) 區(qū)，及/或袋式(Pocket)離子注入?yún)^(qū)，均用以定義MOS器件的源漏擴(kuò)展區(qū)。LDD雜質(zhì)位于柵極下方半導(dǎo)體基底內(nèi)緊貼溝道區(qū)邊緣，Pocket雜質(zhì)位 于半導(dǎo)體基底內(nèi)l^DD區(qū)下方緊貼溝道區(qū)邊緣，均為源漏區(qū)提供雜質(zhì)濃度梯 度。
所述超淺結(jié)140利用離子注入工藝形成；涉及的摻雜粒子包含硼(B)、 氟化亞硼(BF2)、砷(As)、磷(P)或其它可摻雜材料中的一種。
結(jié)合圖2及圖6所示，步驟304:以乙硅烷作為反應(yīng)氣體，在已形成超 淺結(jié)140的半導(dǎo)體基底100上形成絕緣層160。
所述絕緣層16 0包含氧化層及/或氮化層。
作為本發(fā)明的第一實(shí)施例，所述絕緣層為氧化層時(shí)，經(jīng)歷后續(xù)刻蝕操 作后，形成氧化物側(cè)墻，如圖7所示。
本發(fā)明的發(fā)明人分析后認(rèn)為，乙硅烷(SiA)中硅和氫之間的鍵能小 于傳統(tǒng)技術(shù)中應(yīng)用的硅烷(SilU中硅和氫之間的鍵能，致使對(duì)于沉積反 應(yīng)而言，乙硅烷將具有更大的活性，即在相同的溫度條件下，利用乙硅 烷將使反應(yīng)進(jìn)行得更充分；或者，利用相同工藝參數(shù)的乙硅烷可使反應(yīng) 在更低的溫度下進(jìn)行。
形成所述氧化層的工藝包括亞常壓化學(xué)氣相淀積(SACVD)和常壓化 學(xué)氣相淀積(APCVD),以實(shí)現(xiàn)單片沉積，繼而，可減少熱處理操作持續(xù) 時(shí)間，進(jìn)而，可使減少擴(kuò)散現(xiàn)象的發(fā)生成為可能。
作為示例，應(yīng)用乙硅烷(Si2H6)形成所述氧化層的工藝參數(shù)包括 Si2H6的流速范圍為2 ~ 20 sccm,如5 sccm、 10 sccm、 12 sccm或15 sccnr, 涉及的輔助反應(yīng)氣體N20的流速范圍為1000 ~ 10000 sccm,如2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm;涉及的緩沖氣體N2的流速范圍 為1000 — 10000 sccm,4口 2000 sccm、4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm; 反應(yīng)月空內(nèi)壓力范圍為100 — 400 torr，如150 torr、 200 torr、 250 torr 或300 torr;反應(yīng)溫度范圍為500 ~ 550攝氏度，如510攝氏度、520 攝氏度、525攝氏度或535攝氏度；所述反應(yīng)持續(xù)時(shí)間為1 ~ 10分鐘，
9如2分鐘、3分鐘或5分鐘。
步驟305:刻蝕所述絕緣層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻。
作為本發(fā)明的第二實(shí)施例，沉積和刻蝕所述絕緣層的步驟包含間隔沉 積氧化層和氮化層后順序刻蝕所述氧化層和氮化層的操作；即，將間隔 沉積于所述半導(dǎo)體基底上的氧化層和氮化層分別稱為第一氧化層、第一
氮化層、第二氧化層、第二氮化層........第N氧化層/第N氮化層時(shí)，沉
積和刻蝕所述絕緣層的步驟包含順序形成第一氧化層、第一氮化層、第
二氧化層、第二氮化層........第N氧化層/第N氮化層后，再順序刻蝕第
N氧化層/第N氮化層........第二氮化層、第二氧化層、第一氮化層、第
一氧化層的操作。
此外，沉積和刻蝕所述絕緣層的步驟還包含間隔沉積及刻蝕氧化層和 氮化層的操作；即，將間隔沉積于所述半導(dǎo)體基底上的氧化層和氮化層
分別稱為第一氧化層、第一氮化層、第二氧化層、第二氮化層........
第N氧化層/第N氮化層時(shí)，沉積和刻蝕所述絕緣層的步驟包含沉積所述第 一氧化層后，刻蝕所述第一氧化層；繼而，沉積所述第一氮化層，所述 第一氮化層覆蓋刻蝕后的所述第一氧化層；進(jìn)而，刻蝕所述第一氮化 層；……；直至沉積第N氧化層/第N氮化層后，刻蝕所述第N氧化層/第N 氮化層。
所述氧化層的數(shù)目大于或等于所述氮化層的數(shù)目；所述氧化層和氮化 層用以經(jīng)歷后續(xù)刻蝕操:作形成組合側(cè)墻(即0N/0N0側(cè)墻)，作為示例， 形成的0N側(cè)墻184如圖8所示。
形成所述氧化層和氮化層的工藝包括亞常壓化學(xué)氣相淀積(SACVD ) 和常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)。
作為示例，應(yīng)用乙硅烷(SiA)形成所述氧化層的工藝參數(shù)包括Si2H6 的流速范圍為2 20 sccm， 如5 sccm、 10 sccm、 12 sccm或15 sccm; 涉 及的輔助反應(yīng)氣體化0的流速范圍為1000 ~ 10000 sccm,如2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm;涉及的緩沖氣體N2的流速范圍為1000 1000G sccm，力口2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm;反應(yīng) 月空內(nèi)壓力范圍為100 400 torr,如150 torr、 200 torr、 250 torr或300 torr;反應(yīng)溫度范圍為500 ~ 550攝氏度，如510攝氏度、520攝氏度、525 攝氏度或535攝氏度；所述反應(yīng)持續(xù)時(shí)間為1-10分鐘，如2分鐘、3分鐘 或5分鐘。
作為示例，應(yīng)用乙硅烷(SiA)形成所述氮化層的工藝參數(shù)包括 Si2H6的流速范圍為2 ~ 20 sccm,如5 sccm、 10 sccm、 12 sccm或15 sccm; 涉及的輔助反應(yīng)氣體冊(cè)3的流速范圍為1000 ~ 10000 sccm,如2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm;涉及的i爰沖氣體N2的流速范圍 為1000 — 10000 sccm,i口 2000 sccm、4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm; 反應(yīng)腔內(nèi)壓力范圍為100 - 400 torr,如150 torr、 200 torr、 250 torr 或300 torr;反應(yīng)溫度范圍為600 ~ 700攝氏度，如620攝氏度、650 攝氏度、675攝氏度或685攝氏度；所述反應(yīng)持續(xù)時(shí)間為1 ~ 10分鐘， 如2分鐘、3分鐘或5分鐘。
作為本發(fā)明的第三實(shí)施例，沉積和刻蝕所述絕緣層的步驟包含間隔沉 積及刻蝕氮化層和氧化層的操作。所述氮化層的數(shù)目大于或等于所述氧 化層的數(shù)目；相應(yīng)地，將間隔沉積于所述半導(dǎo)體基底上的氮化層和氧化
層分別稱為第一氮化層、第一氧化層、第二氮化層、第二氧化層........
第N氧化層/第N氮化層；沉積和刻蝕所述絕緣層的步驟包含沉積所述第一 氮化層后，刻蝕所述第一氮化層；繼而，沉積所述第一氧化層，所述第 一氧化層覆蓋刻蝕后的所述第一氮化層；進(jìn)而，刻蝕所述第一氧化 層；……；直至沉積第N氮化層/第N氧化層后，刻蝕所述第N氮化層/第N 氧化層。所述第一氮化層的厚度小于或等于所述第N氧化層及/或所述第N 氮化層的厚度；所述第一氮化層用以經(jīng)歷后續(xù)刻蝕操作形成側(cè)墻基層；
所述第一氧化層至第N氧化層/第N氮化層用以經(jīng)歷后續(xù)刻蝕^:作后與所
述側(cè)墻基層共同形成側(cè)墻186,如圖9所示。
形成所述氮化層和氧化層的工藝包括亞常壓化學(xué)氣相淀積(SACVD ) 和常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)。作為示例，應(yīng)用乙硅烷(Si2lU形成所述氮化層的工藝參數(shù)包括Si2H6 的流速范圍為2 20 sccm, 如5 sccm、 10 sccm、 12 sccrq或15 sccm; 涉 及的輔助反應(yīng)氣體NH3的流速范圍為1000 10000 sccm,如2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或綱O sccm;涉及的纟爰沖氣體N2的流速范圍為1000 10000 sccm，如2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm;反應(yīng) 月空內(nèi)壓力范圍為100 400 torr,如150 torr、 200 torr、 250 torr或300 torr;反應(yīng)溫度范圍為600 ~ 700攝氏度，如620攝氏度、650攝氏度、675 攝氏度或685攝氏度；所述反應(yīng)持續(xù)時(shí)間為1 10分鐘，如2分鐘、3分鐘 或5分鐘。
作為示例，應(yīng)用乙硅烷(SiA)形成所述氧化層的工藝參數(shù)包括Si2H6 的;^充速范圍為2 20 sccm,》口5 sccm、 10 sccm、 12 sccm或15 sccm; 涉 及的輔助反應(yīng)氣體&0的流速范圍為1000 ~ 10000 sccm，如2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm;涉及的《爰沖氣體N2的流速范圍為1000 10000 sccm,如2000 sccm、 4000 sccm、 5000 sccm或8000 sccm;反應(yīng) 腔內(nèi)壓力范圍為100 400 torr,如150 torr、 200 torr、 250 torr或300 torr;反應(yīng)溫度范圍為500 ~ 550攝氏度，如510攝氏度、520攝氏度、525 攝氏度或535攝氏度；所述反應(yīng)持續(xù)時(shí)間為1 10分鐘，如2分鐘、3分鐘 或5分鐘。
考慮到，通常，在形成所述側(cè)墻基層之后執(zhí)行形成所述超淺結(jié)的操作， 形成所述第一氮化層的操作可應(yīng)用傳統(tǒng)工藝進(jìn)行。需強(qiáng)調(diào)的是，未加說(shuō) 明的步驟均可采用傳統(tǒng)的方法獲得，且具體的工藝參數(shù)根據(jù)產(chǎn)品要求及 工藝條件確定。
盡管通過(guò)在此的實(shí)施例描述說(shuō)明了本發(fā)明，和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì)地描 述了實(shí)施例，申請(qǐng)人不希望以任何方式將權(quán)利要求書(shū)的范圍限制在這種 細(xì)節(jié)上。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)另外的優(yōu)勢(shì)和改進(jìn)是顯而易見(jiàn)的。因 此，在較寬范圍的本發(fā)明不限于表示和描述的特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的設(shè)備和 方法和說(shuō)明性例子。因此，可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請(qǐng)人總的發(fā)明 概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
1. 一種側(cè)墻形成方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體基底；在所述半導(dǎo)體基底上形成柵極；以所述柵極為掩膜，在所述半導(dǎo)體基底上形成超淺結(jié)；以乙硅烷作為反應(yīng)氣體，在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體基底上形成絕緣層；刻蝕所述絕緣層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于所述絕緣 層包含氧化層或氧化層及氮化層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述 絕緣層的工藝包括亞常壓化學(xué)氣相淀積和常壓化學(xué)氣相淀積。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于所述乙硅 烷的流速范圍為2 20 sccm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述 氧化層時(shí)，涉及的反應(yīng)氣體還包含一氧化二氮，所述一氧化二氮的流速 范圍為1000 - 10000 sccm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述 氮化層時(shí)，涉及的反應(yīng)氣體還包含氨氣，所述氨氣的流速范圍為1000 ~ 1000G sccm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述 氧化層或氧化層及氮化層時(shí)，以氮?dú)庾鳛榫彌_氣體，所述氮?dú)獾牧魉俜?圍為1000 - 10000 sccm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述 氧化層或氧化層及氮化層時(shí)，反應(yīng)壓力范圍為100 - 400 torr。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述氧化層時(shí)，反應(yīng)溫度范圍為500 - 550攝氏度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述 氮化層時(shí)，反應(yīng)溫度范圍為600 - 700攝氏度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于形成所述 絕緣層時(shí)，反應(yīng)持續(xù)時(shí)間為1 ~ 10分鐘。
全文摘要
一種側(cè)墻形成方法，包括提供半導(dǎo)體基底；在所述半導(dǎo)體基底上形成柵極；以所述柵極為掩膜，在所述半導(dǎo)體基底上形成超淺結(jié)；以乙硅烷作為反應(yīng)氣體，在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體基底上形成絕緣層；刻蝕所述絕緣層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻?？蓽p少超淺結(jié)內(nèi)的摻雜材料的擴(kuò)散，進(jìn)而減少結(jié)深的增加。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101447430SQ20071017166
公開(kāi)日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2007年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者張子瑩 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司