專利名稱：多晶硅層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體膜層(semiconductor layer)的制作方法，且特 別是有關(guān)于一種多晶硅層(polysilicon layer)的制作方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)
已成為目前許多平面顯示器中的主流。根據(jù)溝道層材質(zhì)的選擇，薄膜晶體管液 晶顯示器可分為非晶硅薄膜晶體管(amorphous silicon TFT)液晶顯示器及低溫 多晶硅薄膜晶體管 (Low-Temperature PolySilicon Thin Film Transistor, LTPS-TFT)液晶顯示器等兩種。
承上述，由于低溫多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率可以達到200cm2/V-Sec 以上，所以可使薄膜晶體管元件所占面積更小以符合高開口率(aperture)的需 求，進而增進顯示器亮度并減少整體的功率消耗問題。另外，由于電子遷移率 的增加，所以部份驅(qū)動電路可以同時制作于玻璃基板上，可大幅降低面板制造 成本。因此，目前的研究趨勢大多著重于低溫多晶硅薄膜晶體管的開發(fā)上。
一般而言，在低溫多晶硅薄膜晶體管中，作為溝道層的多晶硅層的制作方 法主要有以下兩種。
第一，準分子激光退火制程(Excimer Laser Annealing, ELA)。此方法是以 激光的高能量使基板上的非晶硅層達到幾乎或完全熔融的狀態(tài)。之后，使熔融 硅于冷卻時進行結(jié)晶，進而使非晶硅層轉(zhuǎn)變成多晶硅層。但是，此方法會遭遇 到所需能量較高、形成晶粒較小、多晶硅層的缺陷(defect)較多、均勻性差(poor uniformity)、以及激光掃描面積較小等問題(narrow process window)。
第二，利用退火制程配合金屬誘導(dǎo)結(jié)晶制程(Metal Induced Crystallization, MIC)或金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶制程(Metal Induced Lateral Crystallization, MILC) 的方法。由于上述準分子激光退火制程的缺點不易克服，因此，研發(fā)了此種多晶硅層的制作方法。此制作方法是利用金屬在低溫下與硅反應(yīng)以形成金屬硅化物(metal silicide)。此金屬硅化物會誘導(dǎo)非晶硅進行結(jié)晶，而使非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)?多晶硅°圖1A 圖1E繪示為現(xiàn)有一種多晶硅層的制作方法的制作流程剖面示意 圖。首先，請參照圖1A，在基板100上形成粘著層110、阻障層120與非晶硅 層130。再來，請參照圖1B，在非晶硅層130上形成一金屬催化劑層140。接著，請參照圖1C，利用微影蝕刻制程圖案化此金屬催化劑層140，以形 成一圖案化金屬催化劑層140'。繼而，請參照圖1D,進行退火制程150，使非 晶硅層130轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?60，其中，與圖案化金屬催化劑層140'接觸的非 晶硅層130是經(jīng)由金屬誘導(dǎo)結(jié)晶制程(Metal Induced Crystallization, MIC)而轉(zhuǎn) 變?yōu)槎嗑Ч鑼?62，未與圖案化金屬催化劑層140'接觸的非晶硅層130是經(jīng)由 金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶制程(Metal Induced Lateral Crystallization, MILC)而轉(zhuǎn)變?yōu)?多晶硅層164。之后，請參照圖1E，移除圖案化金屬催化劑層140'，而完成多 晶硅層160的制作。圖2A 圖2F繪示為現(xiàn)有另一種多晶硅層的制作方法的制作流程剖面示意 圖。首先，請參照圖2A，在基板200上形成粘著層210、阻障層220與非晶硅 層230。再來，請參照圖2B，在非晶硅層230上形成一氧化硅層240。接著，請參照圖2C，利用微影蝕刻制程圖案化此氧化硅層240，以形成一 圖案化氧化硅層240'。繼而，請參照圖2D，在基板200上全面形成一金屬催 化劑層250。之后，請參照圖2E，進行退火制程260，使非晶硅層230轉(zhuǎn)變?yōu)?多晶硅層270，其中，與金屬催化劑層250接觸的非晶硅層230是經(jīng)由金屬誘 導(dǎo)結(jié)晶制程(Metal Induced Crystallization, MIC)而轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?72，未與 金屬催化劑層250接觸的非晶硅層230是經(jīng)由金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶制程(Metal Induced Lateral Crystallization, MILC)而轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?74。之后，請參照圖 2F，移除金屬催化劑層250與圖案化氧化硅層240'，而完成多晶硅層270的制 作。然而，上述的方法均需要利用到微影蝕刻制程，以定義出圖案化金屬催化 劑層140'(如圖1C所示)，或是定義出圖案化氧化硅層240'(如圖2C所示)。 所以，在微影步驟中需要使用到光刻膠與光掩模，而在蝕刻步驟中需要使用到蝕刻液或蝕刻氣體。因此，現(xiàn)有的多晶硅層的制作方法的步驟不易簡化、且成 本不易降低。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提供一種多晶硅層的制作方法，搭配表面處理技術(shù)(surface treatment)、分子自組裝技術(shù)(self-assembled monolayer, SAM)與金 屬誘導(dǎo)結(jié)晶(metal induced crystallizarion, MIC)技術(shù)以進行多晶硅層的制作，進而可簡化制程并降低成本?；谏鲜?，本發(fā)明提供一種多晶硅層的制作方法，包括下列步驟。首先， 提供基板。接著，于基板上形成非晶硅層。再來，提供圖案化光掩模(patterned photomask),此圖案化光掩模包括透光區(qū)與遮光區(qū)，且以圖案化光掩模為罩幕， 對非晶硅層照射一光線，其中，對應(yīng)透光區(qū)的非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水性 (hydrophilic)的非晶硅層，而對應(yīng)遮光區(qū)的非晶硅層為疏水性(hydrophobic) 的非晶硅層。繼而，提供親水性金屬催化劑(hydrophilic metal catalyst)，配 置在親水性的非晶硅層上。之后，進行退火制程(annealing process)，使親水 性金屬催化劑形成為一金屬催化劑層，并且，經(jīng)由金屬催化劑層的作用使非晶 硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?。在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的光線的波長介于400 800納 米之間。在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的提供親水性金屬催化劑的方法 包括噴墨法或轉(zhuǎn)印法。在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的親水性金屬催化劑包括金屬納 米粒子。在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的親水性金屬催化劑的材質(zhì)是選 自于鎳、銅、銀、金及其組合。在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的與金屬催化劑層接觸的非晶硅 層經(jīng)由金屬催化劑層的誘導(dǎo)(metal induced crystallizarion)而轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼樱?未與金屬催化劑層接觸的非晶硅層則進行金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶(metal induced lateral crystallizarion)而轉(zhuǎn)變成多晶硅層。在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的于基板上形成非晶硅層之前， 還包括于基板上形成一粘著層與一阻障層，其中，粘著層設(shè)置于基板上，而阻 障層設(shè)置于粘著層上。形成粘著層與阻障層的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。粘 著層的材質(zhì)例如是氮化硅。阻障層的材質(zhì)例如是氧化硅。
在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的在非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?后，還包括移除金屬催化劑層。
本發(fā)明再提出一種多晶硅層的制作方法，包括下列步驟。首先，提供基板。 接著，于基板上形成非晶硅層。再來，于非晶硅層上形成圖案化親水性材料層。 繼而，提供親水性金屬催化劑，配置在圖案化親水材料層上。之后，進行退火 制程，使親水性金屬形成為一金屬催化劑層，并且，經(jīng)由金屬催化劑層的作用 使非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼印?br> 在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的提供圖案化親水性材料層的方 法包括轉(zhuǎn)印法或噴墨法。
在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的提供親水性金屬催化劑的方法 包括噴墨法。
在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的親水性金屬催化劑包括金屬納 米粒子。
在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的親水性金屬催化劑的材質(zhì)是選 自于鎳、銅、銀、金及其組合。
在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的與金屬催化劑層接觸的該非晶 硅層經(jīng)由金屬催化劑層的誘導(dǎo)而轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼樱磁c金屬催化劑層接觸的非 晶硅層則進行金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶而轉(zhuǎn)變成多晶硅層。
在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的于基板上形成非晶硅層之前， 還包括于基板上形成一粘著層與一阻障層，其中，粘著層設(shè)置于基板上，而阻 障層設(shè)置于粘著層上。形成粘著層與阻障層的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。粘 著層的材質(zhì)例如是氮化硅。阻障層的材質(zhì)例如是氧化硅
在本發(fā)明的多晶硅層的制作方法中，上述的在非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?后，還包括移除圖案化親水材料層與金屬催化劑層。
本發(fā)明的多晶硅層的制作方法因采用表面處理、分子自組裝與金屬誘導(dǎo)結(jié)晶等技術(shù)以進行多晶硅層的制作。所以，不需采用現(xiàn)有較多步驟與使用較多化 學(xué)試劑的微影蝕刻制程，即可以完成多晶硅層的制作。因此，上述的多晶硅層 的制作方法可達到簡化制程與降低成本的功效。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā) 明的具體實施方式
作詳細說明，其中圖1A 圖1E繪示為現(xiàn)有一種多晶硅層的制作方法的制作流程剖面示意圖。圖2A 圖2F示為現(xiàn)有另一種多晶硅層的制作方法的制作流程剖面示意圖。圖3A 圖3E繪示為本發(fā)明一實施例的多晶硅層的制作方法的制作流程剖 面示意圖。圖4A 圖4E繪示為本發(fā)明另一實施例的多晶硅層的制作方法的制作流程 剖面示意圖。主要元件符號說明100、200、 300、 400:基板110、210、 310、 410:粘著層120、220、 320、 420:阻障層130、230、 330、 430:非晶硅層140、250、 360'、 450，:金屬催化劑層140，圖案化金屬催化劑層150、260、 370、 460:退火制程160、162、 164、 270、 272、 274:多晶240:氧化硅層240，圖案化氧化硅層330a:親水性的非晶硅層330b:疏水性的非晶硅層340:圖案化光掩模342:透光區(qū)
344:遮光區(qū)
350:光線
360、 450:親水性金屬催化劑
380、 382、 384、 470、 472、 474:多晶硅層
440:圖案化親水性材料層
具體實施方式
第一實施例
圖3A 圖3E繪示為本發(fā)明一實施例的多晶硅層的制作方法的制作流程剖 面示意圖。首先，請參照圖3A，提供一基板300。此基板300可以是玻璃基板 或石英基板。
接著，請再參照圖3A,于基板300上形成一非晶硅層330。此非晶硅層 330的形成方法例如是采用化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)。在一實施例中，于基板300上形成非晶硅層330之前，還包括于基板 300上形成一粘著層310與一阻障層320，其中，粘著層310設(shè)置于基板300 上，而阻障層320設(shè)置于粘著層310上。形成粘著層310與阻障層320的方法 例如是化學(xué)氣相沉積法。粘著層310的材質(zhì)例如是氮化硅。阻障層320的材質(zhì) 例如是氧化硅。
承上述，粘著層310具有將阻障層320與非晶硅層330粘著于基板300上 的效果。另外，阻障層320可以防止來自基板300的雜質(zhì)污染非晶硅層330， 特別是，阻障層320具有蓄熱的效果，可利于后續(xù)的退火制程370中，使非晶 硅層330保持在可轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?80的溫度。當然，非晶硅層330也可直接 形成于基板300上。
再來，請參照圖3B，提供一圖案化光掩模340，此圖案化光掩模340包括 一透光區(qū)342與一遮光區(qū)344，且以圖案化光掩模340為罩幕，對非晶硅層330 照射一光線350，其中，對應(yīng)透光區(qū)342的非晶硅層330轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水性 (hydrophilic)的非晶硅層330a，而對應(yīng)遮光區(qū)344的非晶硅層330為疏水性 (hydrophobic)的非晶硅層330b。特別是，光線350的波長例如是介于400 800納米之間。簡言之，利用照光的技術(shù)進行非晶硅層330的表面處理，使一 部份的非晶硅層330轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水性的非晶硅層330a，另一部份的非晶硅層仍為 疏水性的非晶硅層330b。
繼的，請參照圖3C，提供一親水性金屬催化劑360，配置在親水性的非晶 硅層330a上。提供親水性金屬催化劑360的方法例如是噴墨法或轉(zhuǎn)印法。并且， 此親水性金屬催化劑360例如是金屬納米粒子，而親水性金屬催化劑360的材 質(zhì)例如是選自于鎳、銅、銀、金及其組合。更詳細而言，由于親水性金屬催化 劑360與親水性的非晶硅層330a之間具有強的作用力，所以，親水性金屬催化 劑360能夠進行分子自組裝作用而形成在親水性的非晶硅層330a上。
之后，請參照圖3D，進行一退火制程370，使親水性金屬催化劑360形成 為一金屬催化劑層360'，并且，經(jīng)由金屬催化劑層360'的作用使非晶硅層330 轉(zhuǎn)變?yōu)橐欢嗑Ч鑼?80。此退火制程370的溫度例如是介于450'C 75(TC之間。 此時，阻障層320可發(fā)揮蓄熱的效果，使非晶硅層330保持在可轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?層380的溫度。特別是，與金屬催化劑層360'接觸的非晶硅層330經(jīng)由金屬催 化劑層360'的誘導(dǎo)而轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?82，未與金屬催化劑層360'接觸的非晶 硅層330則進行金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶而轉(zhuǎn)變成多晶硅層384。至此，完成多晶硅 層380的制作。
在另一實施例中，也可以在非晶硅層330轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?80后，繼續(xù)移 除金屬催化劑層360，，如圖3E所繪示。進而，此多晶硅層380可以進行后續(xù) 的應(yīng)用，例如是將多晶硅層380作為薄膜晶體管(未繪示)的溝道層，并繼續(xù) 制作薄膜晶體管的柵極、保護層等的構(gòu)件。
因此，上述如圖3A 圖3E的多晶硅層的制作方法不需要利用到現(xiàn)有的微 影蝕刻制程，而有利于制程步驟的簡化與制程成本的降低。
第二實施例
圖4A 圖4E繪示為本發(fā)明另一實施例的多晶硅層的制作方法的制作流程 剖面示意圖。首先，請參照圖4A，提供一基板400。此基板400可以是玻璃基
板或石英基板。
接著，請再參照圖4A，于基板400上形成一非晶硅層430。此非晶硅層430的形成方法例如是采用化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)。在一實施例中，于基板400上形成非晶硅層430之前，還包括于基板 400上形成一粘著層410與一阻障層420，其中，粘著層410設(shè)置于基板400 上，而阻障層420設(shè)置于粘著層410上。形成粘著層410與阻障層420的方法 例如是化學(xué)氣相沉積法。粘著層410的材質(zhì)例如是氮化硅。阻障層420的材質(zhì) 例如是氧化硅。粘著層410與阻障層420的作用已于第一實施例中所述，在此 不予以重述。
再來，請參照圖4B，于非晶硅層430上形成一圖案化親水性材料層440。 提供圖案化親水性材料層440的方法例如是轉(zhuǎn)印法或噴墨法。也就是，對非晶 硅層430的表面進行處理，使非晶硅層430的表面上形成親水性的區(qū)域與疏水 性的區(qū)域。另外，此圖案化親水性材料層440的材質(zhì)例如是含NH2官能基、SH 官能基、COH官能基或COOH官能基的一的親水官能團。
繼而，請參照圖4C，提供一親水性金屬催化劑450，配置在圖案化親水材 料層440上。此提供親水性金屬催化劑450的方法例如是噴墨法。并且，此親 水性金屬催化劑450例如是金屬納米粒子，而親水性金屬催化劑450的材質(zhì)是 選自于鎳、銅、銀、金。更詳細而言，由于親水性金屬催化劑450與圖案化親 水材料層440之間具有強的作用力，所以，能夠進行分子自組裝作用而形成在 圖案化親水材料層440上。
之后，請參照圖4D，進行一退火制程460，使親水性金屬450形成為一金 屬催化劑層450'，并且，經(jīng)由金屬催化劑層450'的作用使非晶硅層430轉(zhuǎn)變?yōu)?一多晶硅層470。此退火制程460的溫度例如是介于450r 75(TC之間。特別 是，與金屬催化劑層450'接觸的該非晶硅層430經(jīng)由金屬催化劑層450'的誘導(dǎo) 而轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?72，未與金屬催化劑層450'接觸的非晶硅層430則進行金 屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶而轉(zhuǎn)變成多晶硅層474。至此，完成多晶硅層470的制作。
在另一實施例中，也可以在非晶硅層430轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?70后，繼續(xù)移 除圖案化親水材料層440與金屬催化劑層450'，如圖4E所繪示。
因此，上述如圖4A 圖4E的多晶硅層的制作方法不需要利用到現(xiàn)有的微 影蝕刻制程，而有利于制程步驟的簡化與制程成本的降低。
綜上所述，本發(fā)明的多晶硅層的制作方法至少具有下列優(yōu)點利用表面處理技術(shù)對非晶硅層表面進行處理并且使金屬催化層與經(jīng)過處 理的表面進行反應(yīng)，而可以省略現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻制程，進而不需使用蝕刻液 與蝕刻氣體，而達到簡化制程步驟與降低成本的效果。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的修改和完善， 因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求書所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅層的制作方法，其特征在于包括提供一基板；于該基板上形成一非晶硅層；提供一圖案化光掩模，該圖案化光掩模包括一透光區(qū)與一遮光區(qū)，且以該圖案化光掩模為罩幕，對該非晶硅層照射一光線，其中，對應(yīng)該透光區(qū)的該非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水性的該非晶硅層，而對應(yīng)該遮光區(qū)的該非晶硅層為疏水性的該非晶硅層；提供一親水性金屬催化劑，配置在親水性的該非晶硅層上；以及進行一退火制程，使該親水性金屬催化劑形成為一金屬催化劑層，并且，經(jīng)由該金屬催化劑層的作用使該非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)橐欢嗑Ч鑼印?br> 2. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該光線的波長 介于400 800納米之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，提供該親水性 金屬催化劑的方法包括噴墨法或轉(zhuǎn)印法。
4. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該親水性金屬 催化劑包括金屬納米粒子。
5. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該親水性金屬 催化劑的材質(zhì)是選自于鎳、銅、銀、金及其組合。
6. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，與該金屬催化 劑層接觸的該非晶硅層經(jīng)由該金屬催化劑層的誘導(dǎo)而轉(zhuǎn)變?yōu)樵摱嗑Ч鑼?，未與 該金屬催化劑層接觸的該非晶硅層則進行金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶而轉(zhuǎn)變成該多晶 硅層。
7. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，于該基板上形 成該非晶硅層之前，還包括于該基板上形成一粘著層與一阻障層，其中，該粘 著層設(shè)置于該基板上，而該阻障層設(shè)置于該粘著層上。
8. 如權(quán)利要求7所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，形成該粘著層 與該阻障層的方法包括化學(xué)氣相沉積法。
9. 如權(quán)利要求7所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該粘著層的材 質(zhì)包括氮化硅。
10. 如權(quán)利要求7所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該阻障層的材質(zhì)包括氧化硅。
11. 如權(quán)利要求l所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，在該非晶硅層 轉(zhuǎn)變?yōu)樵摱嗑Ч鑼雍?，還包括移除該金屬催化劑層。
12. —種多晶硅層的制作方法，其特征在于包括 提供一基板；于該基板上形成一非晶硅層； 于該非晶硅層上形成一圖案化親水性材料層；提供一親水性金屬催化劑，配置在該圖案化親水材料層上；以及 進行一退火制程，使該親水性金屬形成為一金屬催化劑層，并且，經(jīng)由該 金屬催化劑層的作用使該非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)橐欢嗑Ч鑼印?br> 13. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，提供該圖案 化親水性材料層的方法包括轉(zhuǎn)印法或噴墨法。
14. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，提供該親水 性金屬催化劑的方法包括噴墨法。
15. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該親水性金 屬催化劑包括金屬納米粒子。
16. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該親水性金 屬催化劑的材質(zhì)是選自于鎳、銅、銀、金及其組合。
17. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，與該金屬催 化劑層接觸的該非晶硅層經(jīng)由該金屬催化劑層的誘導(dǎo)而轉(zhuǎn)變?yōu)樵摱嗑Ч鑼?，?與該金屬催化劑層接觸的該非晶硅層則進行金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶而轉(zhuǎn)變成該多晶娃層。
18. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，于該基板上 形成該非晶硅層之前，還包括于該基板上形成一粘著層與一阻障層，其中，該 粘著層設(shè)置于該基板上，而該阻障層設(shè)置于該粘著層上。
19. 如權(quán)利要求18所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，形成該粘著層與該阻障層的方法包括化學(xué)氣相沉積法。
20. 如權(quán)利要求18所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該粘著層的 材質(zhì)包括氮化硅。
21. 如權(quán)利要求18所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，該阻障層的材質(zhì)包括氧化硅。
22. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅層的制作方法，其特征在于，在該非晶硅 層轉(zhuǎn)變?yōu)樵摱嗑Ч鑼雍螅€包括移除該圖案化親水材料層與該金屬催化劑層。
全文摘要
一種多晶硅層的制作方法。首先，提供基板。接著，于基板上形成非晶硅層。再來，提供圖案化光掩模，此圖案化光掩模包括透光區(qū)與遮光區(qū)，且以圖案化光掩模為罩幕，對非晶硅層照射一光線，其中，對應(yīng)透光區(qū)的非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水性的非晶硅層，而對應(yīng)遮光區(qū)的非晶硅層為疏水性的非晶硅層。繼而，提供親水性金屬催化劑，配置在親水性的非晶硅層上。之后，進行退火制程，使親水性金屬催化劑形成為金屬催化劑層，并且，經(jīng)由金屬催化劑層的作用使非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼印?br> 文檔編號H01L21/20GK101409230SQ20071018113
公開日2009年4月15日 申請日期2007年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月8日
發(fā)明者丘紹裕, 游培甄, 蔡依蕓, 馬佳萱 申請人:中華映管股份有限公司