專利名稱：半導(dǎo)體光接收器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光接收模塊。
背景技術(shù)：
通信速度和容量的不斷發(fā)展創(chuàng)造出不斷增長(zhǎng)的對(duì)于更小尺寸和更 低價(jià)格的光模塊的需求。在尺寸減小了的光模塊中，半導(dǎo)體電路產(chǎn)生 的熱易于保留在模塊內(nèi)部，因而必須采取措施提高散熱性能，以防止 工作溫度的范圍變窄。另外，光通信市場(chǎng)的擴(kuò)大已促使光模塊越來(lái)越 便宜。圖2示出了 JP-ANo.H07-312430公開的半導(dǎo)體光接收器模塊的透 視圖。在半導(dǎo)體光接收器模塊100中，襯底102安裝在封裝101上。 在襯底102上，配置有半導(dǎo)體光檢測(cè)器103，電容104，以及前置放大 器IC 105。電容104是芯片電容，且連接在地(GND)和半導(dǎo)體光檢 測(cè)器103以及前置放大器IC 105的電源之間，從而消除電源的噪聲。圖3示出了 JP-ANo.H07-312430公開的另一種半導(dǎo)體光接收器模 塊的透視圖。在半導(dǎo)體光接收器模塊200中，在封裝201上安裝有半 導(dǎo)體光檢測(cè)器203，電容204，以及前置放大器IC 205。半導(dǎo)體光接收 器200不包含其上安裝元件的襯底，而前置放大器IC 205直接安裝在 封裝201上。電容204是平行板電容，其連接在地(GND)和半導(dǎo)體 光檢測(cè)器203以及前置放大器IC205的電源之間，從而消除電源的噪 聲。半導(dǎo)體光檢測(cè)器203安裝在電容204上。
除JP-A No.H07-312430夕卜，涉及本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)還包括JP-A No.2003-289149。[專利文獻(xiàn)1] JP-ANo.H07-312430 [專利文獻(xiàn)2] JP-A No.2003-289149然而，在圖2所示的半導(dǎo)體光接收器模塊100中，前置放大器IC 105安裝在由陶瓷等制成的襯底102上，抑制了前置放大器IC 105產(chǎn) 生的熱量有效地穿過封裝101釋放。前置放大器IC的工作溫度范圍被 電路溫度所限制。因此，無(wú)法有效地釋放前置放大器IC所產(chǎn)生的熱導(dǎo) 致了前置放大器IC的溫度升高，從而減小了工作溫度的范圍。與之相反，在圖3所示的半導(dǎo)體光接收器模塊200中，前置放大 器IC 205直接安裝在封裝201上，因而能確保足夠的散熱。然而，作 為旁路電容的平行板電容204是昂貴的元件，其自然導(dǎo)致了成本的增 加。發(fā)明內(nèi)容在一個(gè)實(shí)施例中，提出了一種半導(dǎo)體光接收器模塊，其包含配置 在封裝上的襯底；配置在襯底上的半導(dǎo)體光檢測(cè)器；配置在襯底上的 芯片電容；以及沒有襯底作為中間媒介而配置在封裝上的前置放大器。在這樣構(gòu)造的半導(dǎo)體光接收器模塊中，前置放大器安裝在封裝上， 而沒有襯底作為中間媒介。因此，和圖2所示的半導(dǎo)體光接收器模塊 不同，可以有效地通過封裝釋放前置放大器所產(chǎn)生的熱。另外，由于 用作電容的芯片電容不昂貴，因此與圖3所示的半導(dǎo)體光接收器模塊 情況不同，能抑制成本的增加。因此，本發(fā)明提供了一種光接收器模塊，其能進(jìn)行有效的散熱，
并且不造成成本的增加。


下面結(jié)合附圖，通過對(duì)特定優(yōu)選實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以 及其它目的，優(yōu)點(diǎn)和特性將更加明顯易懂，其中圖l示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體光接收器模塊的平面圖；圖2示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體光接收器模塊的透視圖；圖3示出了另一個(gè)傳統(tǒng)半導(dǎo)體光接收器模塊的透視圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合說(shuō)明性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。本領(lǐng)域的專業(yè)人員將 認(rèn)識(shí)到利用本發(fā)明的教義可以實(shí)現(xiàn)多種替代性實(shí)施例，且本發(fā)明不局 限于為了說(shuō)明性目的而舉例說(shuō)明的實(shí)施例。下面結(jié)合附圖，對(duì)依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體光接收器模塊的例示性實(shí) 施例進(jìn)行描述。在所有的圖中，相同的組成部分被賦予相同的數(shù)字， 且其描述將不再重復(fù)。圖1示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體光接收器模塊的平面圖。 半導(dǎo)體光接收器模塊1包含配置在封裝10上的襯底20，配置在襯底 20上的半導(dǎo)體光檢測(cè)器22，配置在襯底20上的芯片電容24，以及配 置在封裝10上而沒有襯底20作中間媒介的前置放大器IC 30。舉例來(lái)說(shuō)，封裝IO可以是玻璃CAN-PKG。在封裝上安裝有襯底 20和前置放大器IC 30。在襯底20上配置有導(dǎo)體圖案21。在襯底20 上，安裝有半導(dǎo)體光檢測(cè)器22和芯片電容24。在本實(shí)施例中，在襯底 20上僅配置了半導(dǎo)體光檢測(cè)器22和芯片電容24。半導(dǎo)體光檢測(cè)器22 和芯片電容24分別位于襯底20上不同的區(qū)域。半導(dǎo)體光檢測(cè)器22可 以是背面入射型光電二極管。前置放大器IC 30直接安裝在封裝10上。 也就是說(shuō)，半導(dǎo)體光檢測(cè)器22和芯片電容24經(jīng)由襯底20配置在封裝10上，而前置放大器IC30配置在封裝10上，在它們之間沒有插入襯 底20。半導(dǎo)體光接收器模塊1還包含配置在封裝10上的電源端子40。 電源端子40包含向半導(dǎo)體光檢測(cè)器22提供電壓的電源端子40a (第一 電源端子)，以及向前置放大器IC30提供電壓的電源端子40b (第二 電源端子)。芯片電容24連接在每個(gè)電源端子40a， 40b和地之間，用 于減小電源的噪聲。更詳細(xì)地說(shuō)，芯片電容24包含連接到電源端子24a 的芯片電容24a (第一芯片電容)，以及連接到電源端子40b的芯片電 容24b(第二芯片電容)。芯片電容24a和24b與放置在其間的半導(dǎo)體 光檢測(cè)器22對(duì)準(zhǔn)。芯片電容24a通過導(dǎo)體圖案21與半導(dǎo)體光檢測(cè)器 22相連接。這里，導(dǎo)體圖案21包含接地圖案和電源端子的圖案，其中前者與 封裝10的上表面電連接，而后者不與其電連接。在本實(shí)施例中，接地 圖案通過形成在襯底20中的通路與封裝10的上表面電連接?？商娲?地，也可以由側(cè)敷金屬層提供電連接。也就是說(shuō)，接地圖案可以通過 襯底20的金屬化的側(cè)面與封裝10的上表面電連接。在半導(dǎo)體光接收器模塊l中，當(dāng)向用于半導(dǎo)體光檢測(cè)器22的電源 端子40a和用于前置放大器IC 30的電源端子40b施加電壓時(shí)，入射在 半導(dǎo)體光檢測(cè)器22上的光信號(hào)被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并作為電壓信號(hào)從輸 出端子42， 44輸入。在該過程中，芯片電容24a和24b分別作為用于 半導(dǎo)體光檢測(cè)器22的電源的噪聲濾波器和用于前置放大器IC 30的電 源的噪聲濾波器。前述的實(shí)施例具有下述優(yōu)點(diǎn)。在半導(dǎo)體光接收器模塊1中，前置 放大器IC30安裝在封裝10上，而沒有襯底20作為中間媒介。因此， 與圖2所示的半導(dǎo)體光接收器模塊100不同，前置放大器IC30所產(chǎn)生 的熱可以有效地通過封裝IO釋放。另外，與圖3所示的半導(dǎo)體光接收 器模塊200的情況不同，由于采用不昂貴的芯片電容24a， 24b作為電 容，能抑制成本的增加。因此，半導(dǎo)體光接收器模塊1能進(jìn)行有效的 散熱，并且不會(huì)造成成本增加。本實(shí)施例提出了能防止溫度特性惡化 的不昂貴的光檢測(cè)器模塊。同時(shí)，與不包含襯底的模塊相比，含有襯底20可能造成成本的增 加。然而，在采用如半導(dǎo)體光檢測(cè)器22的背面入射型元件的情況下， 用于在其上安裝光探測(cè)器的襯底是無(wú)論如何不可省略的。因此，即使存在成本的增加，也僅僅是最小的。明顯地，本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例，在不違背本發(fā)明范圍和精 神的基礎(chǔ)上可以進(jìn)行修改和改變。例如，雖然在前述實(shí)施例中，前置 放大器IC30直接安裝在封裝IO上，但是，除了襯底20之外的材料可 以插入在封裝IO和前置放大器IC 30之間。在這種情況下，優(yōu)選地， 該材料在散熱方面優(yōu)于襯底20。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體光接收器模塊，包含襯底，其配置在封裝上；半導(dǎo)體光檢測(cè)器，其配置在所述襯底上；芯片電容，其配置在所述襯底上；以及前置放大器，其配置在所述封裝上而沒有所述襯底作為中間媒介。
2. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體光接收器模塊，進(jìn)一步包含 電源端子，其配置在所述封裝上；其中所述芯片電容連接在所述電源端子和地之間，用于減少電源 的噪聲。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光接收器模塊，其中所述電源端子包括向所述半導(dǎo)體光檢測(cè)器提供電壓的第一 電源端子，以及向所述前置放大器提供電壓的第二電源端子。
4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體光接收器模塊，其中所述芯片電容包含第一芯片電容，其連接在所述第一電源 端子和地之間，以及第二芯片電容，其連接在所述第二電源端子和地 之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體光接收器模塊，其中所述第一和所述第二芯片電容與在它們之間放置的所述半導(dǎo) 體光檢測(cè)器對(duì)準(zhǔn)。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光接收器模塊，其中所述半導(dǎo)體光檢測(cè)器是背面入射型。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體光接收器模塊，其能進(jìn)行有效的散熱，并且不造成成本的增加。該半導(dǎo)體光接收器模塊包含配置在封裝上的襯底，配置在襯底上的半導(dǎo)體光檢測(cè)器，配置在襯底上的芯片電容，以及沒有襯底作為中間媒介而配置在封裝上的前置放大器IC。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101165893SQ20071018186
公開日2008年4月23日 申請(qǐng)日期2007年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月19日
發(fā)明者御田村和宏, 栗原佑介 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司