專利名稱：一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置的制造方法，特別涉及一種去除氧化物-氮化物 -氧化物層的方法。
背景技術(shù)：
在閃存的制造過程中，在蝕刻的時候，由于底部多晶介電質(zhì)的側(cè)部的氧化
物-氮化物-氧化物(ONO)不容易被清除干凈，這樣很容易形成ONO圍籬(ONO Fence),如圖1所示，由于有ONO Fence的存在，會對底部的多晶介電質(zhì)產(chǎn)生 一種保護，從而產(chǎn)生多晶介電質(zhì)殘留。多晶介電質(zhì)殘留會嚴重影響產(chǎn)品的合格 率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種移除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，以便有效去除蝕 刻時殘留的多晶介電質(zhì)，增加產(chǎn)品合格率。
鑒于上述目的，本發(fā)明提出了一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，包
括以下步驟
步驟l，在基底上沉積底層多晶介電質(zhì)， 步驟2，再沉積氧化物-氮化物-氧化物層，
步驟3，對氧化物-氮化物-氧化物層進行蝕刻，去除部分氧化物-氮化物-氧
化物層，
步驟4，再沉積頂層多晶介電質(zhì)，對頂層多晶介電質(zhì)和底層多晶介電質(zhì)進行 蝕刻。作為優(yōu)選，上述底層多晶介電質(zhì)為單級階梯狀。
作為優(yōu)選，上述多晶介電質(zhì)為多晶硅，上述氧化物-氮化物-氧化物層為氧化 硅-氮化硅-氧化硅層。
利用本發(fā)明的方法蝕刻，可以有效地清除ONO，避免ONO Fence的形成， 提高產(chǎn)品合格率，使后續(xù)制造變得容易。
下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步的詳細說明。對于所屬 技術(shù)領域的技術(shù)人員而言，從對本發(fā)明的詳細說明中，本發(fā)明的上述和其他目 的、特征和優(yōu)點將顯而易見。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜結(jié)構(gòu)蝕刻示意圖。
圖2為本發(fā)明 一較佳實施例的底部多晶介電質(zhì)和氧化物-氮化物-氧化物示意圖。
圖3為本發(fā)明一較佳實施例的最終形成的薄膜結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明所述的移除氧化物-氮化物-氧化物層 的方法作進一步的詳細說明。
如圖2所示，首先在基底14上形成底部多晶介電質(zhì)13，該多晶介電質(zhì)可以 是多晶硅，而后在底部多晶介電質(zhì)13上形成氧化物-氮化物-氧化物層(ONO 層)12，該氧化物-氮化物-氧化物層可以是氧化硅-氮化硅-氧化硅層，其中底部多 晶介電質(zhì)13為多個單階梯狀，底部多晶介電質(zhì)13上的ONO層12也是單階梯 狀，由于傳統(tǒng)的制造方法中，在沉積頂部多晶介電質(zhì)ll后才進行蝕刻，而多晶 介電質(zhì)蝕刻時對ONO的選擇比較高，因此ONO蝕刻時對多晶介電質(zhì)的選擇比 基本上是1比1，這就使得蝕刻過后，底部多晶介電質(zhì)13在低處會形成ONO 圍籬fence,圍籬fence處有可能形成多晶介電質(zhì)的殘留，而本發(fā)明在沉積ONO 層12之后，便進行蝕刻，首先蝕刻部分ONO層，蝕刻的部分ONO層的區(qū)域與 蝕刻的底部多晶介電質(zhì)13和頂部多晶介電質(zhì)11的區(qū)域是一樣的，從而在生成單元門(cell gate)的時候不會存在ONO Fence,從而減少甚至避免因多晶介電 質(zhì)的殘留而使電路失效。在進行ONO蝕刻時，采取相應的設備和方法，而后再 沉積頂部多晶介電質(zhì)ll，如圖3所示，之后進行單元門蝕刻時，由于應當蝕刻 的ONO層已被蝕刻，僅需蝕刻底部多晶介電質(zhì)13和頂部多晶介電質(zhì)11，不會 產(chǎn)生多余的多晶介電質(zhì)殘留。采用此種方法，可以有效地去除ONO,避免后續(xù) 制造的困難。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限定本發(fā)明的實施范圍；如 果不脫離本發(fā)明的精神和范圍，對本發(fā)明進行修改或者等同替換的，均應涵蓋 在本發(fā)明的權(quán)利要求的保護范圍當中。
權(quán)利要求
1. 一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，其特征在于包括以下步驟步驟1，在基底上沉積底層多晶介電質(zhì)，步驟2，再沉積氧化物-氮化物-氧化物層，步驟3，對氧化物-氮化物-氧化物層進行蝕刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物層，步驟4，再沉積頂層多晶介電質(zhì)，對頂層多晶介電質(zhì)和底層多晶介電質(zhì)進行蝕刻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，其特征在于上述底層多晶介電質(zhì)為單級階梯狀。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法,其特征在于上述多晶介電質(zhì)為多晶硅，上述氧化物-氮化物-氧化物層為氧化硅-氮化 硅-氧化硅層。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，包括以下步驟步驟1，在基底上沉積底層多晶介電質(zhì)，步驟2，再沉積氧化物-氮化物-氧化物層，步驟3，對氧化物-氮化物-氧化物層進行蝕刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物層，步驟4，再沉積頂層多晶介電質(zhì)，對頂層多晶介電質(zhì)和底層多晶介電質(zhì)進行蝕刻。利用本發(fā)明的方法蝕刻，可以有效地清除ONO，避免ONO Fence的形成，提高產(chǎn)品合格率，使后續(xù)制造變得容易。
文檔編號H01L21/02GK101414556SQ20071018202
公開日2009年4月22日 申請日期2007年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月17日
發(fā)明者張建偉, 海 曾, 李秋德, 洪文田 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司