專利名稱：半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)及其布局的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，尤指一種具有多個(gè)對(duì)稱環(huán)型區(qū)段的金
屬-氧化層-金屬(metal-oxide-metal， MOM)電容結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，利用金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的金 屬電容器已廣泛地運(yùn)用于才及大型集成電^各(Ultra Large Scale Integration, ULSI)的設(shè)計(jì)上。因?yàn)榇朔N金屬電容器具有較低的電阻值以及較不顯著的寄 生效應(yīng)，且沒(méi)有耗盡區(qū)感應(yīng)電壓(Induced Voltage )偏移的問(wèn)題，因此目前 多采用MIM構(gòu)造作為金屬電容器的主要構(gòu)造。
然而，由于MIM的制造技術(shù)所需的制造成本十分昂貴，主要是因?yàn)橹?造過(guò)程中所需使用的額外光掩模，其花費(fèi)隨著工藝技術(shù)日趨先進(jìn)而更加顯 著，因此，僅需使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝(standard CMOS manufacturing process ) 中的金屬層-氧化層-金屬層(MOM )結(jié)構(gòu)的交叉金屬電容(interdigitated metal capacitor),即伴隨著更經(jīng)濟(jì)的半導(dǎo)體電容制造技術(shù)的需求，而被發(fā)展出來(lái)。 目前關(guān)于交叉金屬電容的應(yīng)用，已揭露于美國(guó)專利第6,625,006號(hào)、第 6,784,050號(hào)、第6,885,543號(hào)、第6,974,744號(hào)、第6,819,542號(hào)及臺(tái)灣地區(qū) 專利第1222,089號(hào)等專利中。
舉例來(lái)說(shuō)，于美國(guó)專利案第6,819，542號(hào)中，其定義多層交叉金屬結(jié)構(gòu)， 至少包含多個(gè)奇數(shù)層、多個(gè)偶數(shù)層及多個(gè)介電層，而該多個(gè)奇數(shù)層與該多個(gè) 偶數(shù)層各包含第一型電極及第二型電極。其中，該奇數(shù)層的該第一型電極與 該偶數(shù)層的該第 一型電極通過(guò)第 一導(dǎo)線(First Bus )相連接，而該奇數(shù)層的 該第二型電極與該偶數(shù)層的該第二型電極通過(guò)第二導(dǎo)線(Second Bus)相連 接。
于美國(guó)專利第6,819,542號(hào)(、542號(hào)專利)中，其定義多層交叉金屬結(jié) 構(gòu)。請(qǐng)參考圖1與圖2。圖1為如'542號(hào)專利的圖5B中所示多層交叉金屬 結(jié)構(gòu)的奇數(shù)層10的示意圖。圖2為如、542號(hào)專利的圖6B中所示多層交叉金屬結(jié)構(gòu)的偶數(shù)層20的示意圖。
首先請(qǐng)參考圖1。奇數(shù)層10包含第一型電極11及第二型電極15。第一 型電極ll包含第一部份12及多個(gè)平行的第二部分13。第一部份12包含第 一結(jié)構(gòu)12A及第二結(jié)構(gòu)12B，且第一結(jié)構(gòu)12A及第二結(jié)構(gòu)12B呈L型接合。 多個(gè)平行的第二部分13相隔一預(yù)設(shè)距離分別接合在第一部份12的第 一結(jié)構(gòu) 12A上。第二型電極15包含第一部份16及多個(gè)平行的第二部分17。第一部 份16包含第一結(jié)構(gòu)16A及第二結(jié)構(gòu)16B，且第一結(jié)構(gòu)16A及第二結(jié)構(gòu)16B 呈L型接合。多個(gè)平行的第二部分17相隔一預(yù)設(shè)距離分別接合在第一部份 6的第一結(jié)構(gòu)16A上。而第一型電極11的該多個(gè)第二部分13與第二型電 極5的多個(gè)第二部分17平行交叉。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖2。偶數(shù)層20包含第一型電極21及第二型電型25。第一 型電極21包含第一部份22及多個(gè)平行的第二部分23。第一部份22包含第 一結(jié)構(gòu)22A及第二結(jié)構(gòu)22B，且第一結(jié)構(gòu)22A及第二結(jié)構(gòu)22B呈L型接合。 多個(gè)平行的第二部分23相隔一預(yù)設(shè)距離分別接合在第 一部份22的第 一結(jié)構(gòu) 22A上。第二型電極25包含第一部份26及多個(gè)平行的第二部分27。第一部 份26包含第一結(jié)構(gòu)26A及第二結(jié)構(gòu)26B，且第一結(jié)構(gòu)26A及第二結(jié)構(gòu)26B 呈L型接合。多個(gè)平行的第二部分27相隔一預(yù)設(shè)距離分別接合在第一部份 26的第一結(jié)構(gòu)26A上。而第一型電極21的該多個(gè)第二部分23與第二型電 極25的多個(gè)第二部分27平行交叉。且圖1中的第一型電極11的第二部分 ]3垂直于圖2中的第一型電極21的第二部分23。
然而，如美國(guó)專利第6,819,542號(hào)或是上述其他各個(gè)文獻(xiàn)中所描述的交 叉金屬電容結(jié)構(gòu)，由于在其每一電極中的多個(gè)相互平行的結(jié)構(gòu)體最后均于周 邊以一與其垂直的結(jié)構(gòu)體來(lái)達(dá)到相互電性連結(jié)此一本質(zhì)使然，導(dǎo)致這些交叉金屬電容結(jié)構(gòu)的幾何對(duì)稱性(geometrical symmetry )不盡完美，進(jìn)而使得其 電氣特性不佳。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的之一在于提供一種半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其具有多個(gè)對(duì)稱 環(huán)型區(qū)段，具有優(yōu)選的幾何對(duì)稱性，因而能夠得到優(yōu)選的電容效果，并具有 較高的單位電容值。
依照本發(fā)明的實(shí)施例，揭露一種半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其包含有第三區(qū)段；多個(gè)第一區(qū)段，其中每一第一區(qū)段耦接于該第三區(qū)段，自該第三區(qū)段的一側(cè) 向外延伸，并分別沿著多個(gè)第一輪廓線之一發(fā)展；多個(gè)第二區(qū)段，其中每一 第二區(qū)段耦接于該第三區(qū)段，自該第三區(qū)段的另一側(cè)向外延伸，并分別沿著 多個(gè)第二輪廓線之一發(fā)展；第六區(qū)段；多個(gè)第四區(qū)段，其中每一第四區(qū)段耦 接于該第六區(qū)段，自該第六區(qū)段的一側(cè)向外延伸，并分別沿著多個(gè)第四輪廓 線之一發(fā)展；以及多個(gè)第五區(qū)段，其中每一第五區(qū)段耦接于該第六區(qū)段，自 該第六區(qū)段的另 一側(cè)向外延伸，并分別沿著多個(gè)第五輪廓線之一發(fā)展。


圖1為先前技術(shù)中多層交叉金屬結(jié)構(gòu)的奇數(shù)層的示意圖。
圖2為先前技術(shù)中多層交叉金屬結(jié)構(gòu)的偶數(shù)層的示意圖。
圖3為本發(fā)明中一實(shí)施例的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的奇數(shù)金屬層的示意圖。
圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例與圖3中的奇數(shù)金屬層配合以形成半導(dǎo)
體電容結(jié)構(gòu)的 一種偶數(shù)金屬層的示意圖。
圖5顯示依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例與圖3中的奇數(shù)金屬層配合以形成半
導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的另 一種偶數(shù)金屬層的示意圖。
圖6為本發(fā)明中其他實(shí)施例的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的奇數(shù)金屬層的示意圖。 圖7為本發(fā)明中其他實(shí)施例的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的奇數(shù)金屬層的示意圖。 圖8為本發(fā)明中其他實(shí)施例的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的奇數(shù)金屬層的示意圖。 圖9為本發(fā)明中其他實(shí)施例的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的奇數(shù)金屬層的示意圖。 圖10為本發(fā)明中其他實(shí)施例的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的奇數(shù)金屬層的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
IO奇數(shù)層20偶數(shù)層
11、 21 第一型電極15、25第二型電極
12、 16、 22、 26第一部份13、17、 23、 27
12A、 16A、 22A、 26A第.一結(jié)構(gòu)
12B、 16B、 22B、 26B第.二結(jié)構(gòu)
30奇數(shù)金屬層32第一結(jié)構(gòu)
34第二結(jié)構(gòu)36第一區(qū)段
38第二區(qū)段40第三區(qū)段
42第四區(qū)段44第五區(qū)段46第六區(qū)段
52第三結(jié)構(gòu) 60偶數(shù)金屬層
54第四結(jié)構(gòu) 62第五結(jié)構(gòu)
50偶數(shù)金屬層
64第六結(jié)構(gòu)
具體實(shí)施例方式
接下來(lái)本發(fā)明的實(shí)施例中所將要描述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)以于標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝中無(wú)需額外成本即可制作的金屬-氧化層-金屬 (metal-oxide-metal, MOM)結(jié)構(gòu)為其優(yōu)選的實(shí)施方式，也就是說(shuō)，以金 屬層作為導(dǎo)電材料，并以氧化層作為介電材料而構(gòu)成的電容器。但是如熟悉 半導(dǎo)體制造技術(shù)的人所廣泛悉知，本發(fā)明的核心概念自不一定如實(shí)施例中所
記載的材料實(shí)現(xiàn)，其他各種常見(jiàn)或創(chuàng)新的導(dǎo)電材料或介電材料亦可以用于實(shí) 現(xiàn)本發(fā)明的電容結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)同時(shí)參考圖3與圖4。圖3為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu) 的奇數(shù)金屬層30的示意圖，以及圖4為該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的偶數(shù)金屬層50 的示意圖。 一般來(lái)說(shuō)，如本實(shí)施例所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)由多個(gè)如圖3所示 的奇數(shù)金屬層30及多個(gè)如圖4所示的偶數(shù)金屬層50層層重迭所組成，也就 是，以奇數(shù)金屬層30的上方設(shè)置有偶數(shù)金屬層50,而于該偶數(shù)金屬層50 的上方又再設(shè)置另一奇數(shù)金屬層30,以此類推，構(gòu)成由多個(gè)奇數(shù)金屬層30 及多個(gè)偶數(shù)金屬層50彼此相互交錯(cuò)重迭而形成的電容結(jié)構(gòu)，而于各個(gè)金屬 層之間，則均設(shè)置有用來(lái)作為介電材料的氧化層。當(dāng)然，熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人 均會(huì)理解，欲構(gòu)成半導(dǎo)體電容，最少僅需一層奇數(shù)金屬層30及一層偶數(shù)金 屬層50就足夠了。
如圖3所示，奇數(shù)金屬層30包含有第一結(jié)構(gòu)32以及第二結(jié)構(gòu)34，其中 第一結(jié)構(gòu)32及第二結(jié)構(gòu)34分別構(gòu)成本實(shí)施例的電容結(jié)構(gòu)的兩電極，而于第 一結(jié)構(gòu)32及第二結(jié)構(gòu)34之間，以氧化層作為介電材料。本實(shí)施例中，第一 結(jié)構(gòu)32包含有多個(gè)相互平行的第一區(qū)段36、多個(gè)相互平行的第二區(qū)段38、 以及第三區(qū)段40，其中，第三區(qū)段40連接于多個(gè)第一區(qū)段36與多個(gè)第二區(qū) 段38，第一區(qū)段36及第二區(qū)段38分別位于第三區(qū)段40的兩側(cè)(于圖3中， 第一區(qū)段36位于第三區(qū)段40的上側(cè)，第二區(qū)段38位于第三區(qū)段40的下側(cè))， 而第一區(qū)段36及第二區(qū)段38均分別沿著特定(轉(zhuǎn)折、彎曲、或其他非直線)的輪廓線(contour)發(fā)展，形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)(ring structure )(于圖3中，正方 形環(huán)狀結(jié)構(gòu))的一部份。
第二結(jié)構(gòu)34包含有多個(gè)相互平行的第四區(qū)段42、多個(gè)相互平行的第五 區(qū)段44以及第六區(qū)段46,第六區(qū)段46連接于多個(gè)第三環(huán)型區(qū)段42與多個(gè) 第四環(huán)型區(qū)段44,第四區(qū)段42及第五區(qū)段44分別位于第六區(qū)段46的兩側(cè) (于圖3中，第四區(qū)段42位于第六區(qū)段46的上側(cè)，第五區(qū)段44位于第六 區(qū)段46的下側(cè))，而第四區(qū)段42及第五區(qū)段44均分別沿著特定(轉(zhuǎn)折、彎 曲、或其他非直線)的輪廓線(contour)發(fā)展，形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)(ring structure ) (于圖3中，正方形或長(zhǎng)方形環(huán)狀結(jié)構(gòu))的一部份。
如圖3所示，多個(gè)第一區(qū)段36及多個(gè)第四區(qū)段42平行交叉，而多個(gè)第 二區(qū)段38及多個(gè)第五區(qū)段44平行交叉。更具體地說(shuō)明，于圖3中奇數(shù)金屬 層30的布局圖案(layout pattern )沿著多個(gè)由外到內(nèi)、由大到小的正方形(或 長(zhǎng)方形)環(huán)狀輪廓而形成，其中該多個(gè)第二區(qū)段38中位于最外圍的分支沿 著上述環(huán)狀輪廓中最外圍(即最大)者、于第三區(qū)段40及第六區(qū)段46的下 側(cè)形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的一部份。同樣地，該多個(gè)第四區(qū)段42中位于最外圍的分 支亦沿著上述環(huán)狀輪廓中最外圍(即最大)者、于第三區(qū)段40及第六區(qū)段 46的上側(cè)形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的一部份。由于如上所述的第二區(qū)段38的分支及第 四區(qū)段42的分支沿著同一環(huán)狀輪廓(即最外圍者)發(fā)展，所以于幾何關(guān)系 上，此二分支所貢獻(xiàn)的電容效應(yīng)將遠(yuǎn)較過(guò)去的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)來(lái)得對(duì)稱。
再者，該多個(gè)第一區(qū)段36中位于最外圍的分支沿著上述環(huán)狀輪廓中次 外圍(即次大)者、于第三區(qū)段40及第六區(qū)段46的上側(cè)形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的一 部份。同樣地，該多個(gè)第五區(qū)段44中位于最外圍的分支亦沿著上述環(huán)狀輪 廓中次外圍(即次大)者、于第三區(qū)段40及第六區(qū)段46的下側(cè)形成環(huán)狀結(jié) 構(gòu)的一部份。由于如上所述的第一區(qū)段36的分支及第五區(qū)段44的分支沿著 同一環(huán)狀輪廓(即次外圍者)發(fā)展，所以于幾何關(guān)系上，此二分支所貢獻(xiàn)的
如圖所示，依此類推，第二區(qū)段38及第四區(qū)段42的各個(gè)分支、與第一 區(qū)段36及第五區(qū)段44的各個(gè)分支就這樣依序輪流形成于不同的環(huán)狀輪廓 上，而于第三區(qū)段40及第六區(qū)段46的上側(cè)形成由多個(gè)第一區(qū)段36及多個(gè) 第四區(qū)段42沿著特定輪廓線所構(gòu)成的平行交叉結(jié)構(gòu)，并于第三區(qū)段40及第 六區(qū)段46的下側(cè)形成由多個(gè)第二區(qū)段38及多個(gè)第五區(qū)段44沿著特定輪廓線所構(gòu)成的平行交叉結(jié)構(gòu)。于本實(shí)施例中，由于具有相互交叉的各個(gè)區(qū)段的 分支沿著特定環(huán)狀輪廓發(fā)展的特征，所以能夠達(dá)到最佳的幾何對(duì)稱性，以及 具有最大的單位電容值。
如圖4所示，于本實(shí)施例中，偶數(shù)金屬層50包含有第三結(jié)構(gòu)52及第四 結(jié)構(gòu)54，其中第三結(jié)構(gòu)52具有與奇數(shù)金屬層30中的第一結(jié)構(gòu)32相同的幾 何布局圖案配置，且與第一結(jié)構(gòu)32對(duì)齊并位于其上方(及/或下方)，而第四 結(jié)構(gòu)54亦具有與奇數(shù)金屬層30中的第二結(jié)構(gòu)34相同的幾何布局圖案配置， 且與第二結(jié)構(gòu)34對(duì)齊并位于其上方(及/或下方)，也就是說(shuō)，于本實(shí)施例中， 偶數(shù)金屬層50中的電容結(jié)構(gòu)為奇數(shù)金屬層30中的電容結(jié)構(gòu)的復(fù)制版 (duplicate )。又于本實(shí)施例中，奇數(shù)金屬層30中的第一結(jié)構(gòu)32與偶數(shù)金屬 層50中第三結(jié)構(gòu)52于第三區(qū)段40的位置上(例如左側(cè)突出之處)通過(guò)插 塞(via plug)相互電性連接，以形成該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的第一電極。同樣地， 奇數(shù)金屬層30中的第二結(jié)構(gòu)34與偶數(shù)金屬層50中第四結(jié)構(gòu)54于第六區(qū)段 46的位置上(例如右側(cè)突出之處)通過(guò)插塞相互電性連接，以形成該半導(dǎo)體 電容結(jié)構(gòu)的第二電極。如是，各金屬層的電容值即可通過(guò)并聯(lián)而加總。
請(qǐng)參閱圖5，其顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，與圖3中的奇數(shù)金屬層30 配合以形成半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的另一種偶數(shù)金屬層60的示意圖。于圖5中， 偶數(shù)金屬層60的幾何布局圖案配置實(shí)則為圖3中的奇數(shù)金屬層30沿著第三 區(qū)段40及第六區(qū)段46的延伸軸線上下翻轉(zhuǎn)所形成，而同樣地與奇數(shù)金屬層 30的布局圖案對(duì)齊并位于其上方(及/或下方)。相似地，奇數(shù)金屬層30中 的第一結(jié)構(gòu)32與偶數(shù)金屬層60中第五結(jié)構(gòu)62于第三區(qū)段40的位置上(例 如左側(cè)突出之處)通過(guò)插塞相互電性連接，以形成該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的第一 電極。奇數(shù)金屬層30中的第二結(jié)構(gòu)34與偶數(shù)金屬層60中第六結(jié)構(gòu)64于第 六區(qū)段46的位置上(例如右側(cè)突出之處)通過(guò)插塞相互電性連接，以形成 該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的第二電極。如是，除了各金屬層的電容值即可通過(guò)并聯(lián)
而加總，各金屬層之間更會(huì)因上下層所形成的交叉結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生更大的寄生電容值。
雖然于前述的實(shí)施例中，以沿著正方形或長(zhǎng)方形的環(huán)狀輪廓發(fā)展的電容 結(jié)構(gòu)為例說(shuō)明，但是熟悉此項(xiàng)技術(shù)者均應(yīng)理解，本發(fā)明并不以此為限。舉例 來(lái)說(shuō)，如前所述位于奇數(shù)金屬層30中的多個(gè)第一區(qū)段36、多個(gè)第二區(qū)段38、 多個(gè)第一區(qū)段36、多個(gè)第二區(qū)段38，以及其位于偶數(shù)金屬層50中的對(duì)應(yīng)部份，也可以是沿著菱形的環(huán)狀輪廓發(fā)展，如圖6所示，或沿著六邊形的環(huán)狀
輪廓發(fā)展，如圖7所示的，或沿著八邊形的環(huán)狀輪廓發(fā)展，如圖8所示，或 沿著圓形的環(huán)狀輪廓發(fā)展，如圖9所示，或沿著橢圓形的環(huán)狀輪廓發(fā)展，如 圖10所示。在此請(qǐng)注意，以上所述的形狀僅用于舉例說(shuō)明，并非本發(fā)明的
限制條件。
另外請(qǐng)注意，上述第一金屬層30及第二金屬層50所使用的材料，視所 采用的半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不同，可以為鋁、銅、甚至是金，或者是其它金屬 或非金屬材料，均屬本發(fā)明的范疇。
本發(fā)明的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)于第一金屬層30與第二金屬層50之間形成氧 化層，并且于第一金屬層30之上或第二金屬層50之下繼續(xù)交錯(cuò)形成多個(gè)氧 化層與多個(gè)金屬層，以完成金屬-氧化層-金屬電容結(jié)構(gòu)。制作金屬-氧化層-金屬結(jié)構(gòu)不需要使用額外的光掩模，工藝費(fèi)用較便宜，此外，由于半導(dǎo)體工 藝的進(jìn)步，因此可以迭加數(shù)目相當(dāng)大的金屬層，而且因?yàn)榻饘賹又g的距離 也變得愈來(lái)愈小，所以可以得到愈來(lái)愈高的單位電容值。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變 化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其包含有第一金屬層，包含有第一結(jié)構(gòu)，其包含有多個(gè)相互平行的第一區(qū)段，該多個(gè)第一區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；多個(gè)相互平行的第二區(qū)段，該多個(gè)第二區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；第三區(qū)段，耦接于該多個(gè)第一區(qū)段與該多個(gè)第二區(qū)段；第二結(jié)構(gòu)，其包含有多個(gè)相互平行的第四區(qū)段，該多個(gè)第四區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；多個(gè)相互平行的第五區(qū)段，該多個(gè)第五區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；第六區(qū)段，耦接于該多個(gè)第四區(qū)段與該多個(gè)第五區(qū)段；其中該多個(gè)第一區(qū)段及該多個(gè)第四區(qū)段平行交叉，該多個(gè)第二區(qū)段及該多個(gè)第五區(qū)段平行交叉；第二金屬層，包含有第三結(jié)構(gòu)，其包含有多個(gè)相互平行的第七區(qū)段，該多個(gè)第七區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；多個(gè)相互平行的第八區(qū)段，該多個(gè)第八區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；第九區(qū)段，耦接于該多個(gè)第七區(qū)段與該多個(gè)第八區(qū)段；第四結(jié)構(gòu)，其包含有多個(gè)相互平行的第十區(qū)段，該多個(gè)第十區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；多個(gè)相互平行的第十一區(qū)段，該多個(gè)第十一區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲；第十二區(qū)段，耦接于該多個(gè)第十區(qū)段與該多個(gè)第十一區(qū)段；其中該多個(gè)第七區(qū)段及該多個(gè)第十區(qū)段平行交叉，該多個(gè)第八區(qū)段及該多個(gè)第十一區(qū)段平行交叉；以及介電層，形成于該第一金屬層與該第二金屬層之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該第一結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu) 上下對(duì)稱，該第二結(jié)構(gòu)及該第四結(jié)構(gòu)上下對(duì)稱，該第一結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu)構(gòu) 成該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的第一電極的一部份，以及該第二結(jié)構(gòu)及該第四結(jié)構(gòu)構(gòu) 成該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的第二電極的一部份。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該第一結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu)上下對(duì)稱，該第二結(jié)構(gòu)及該第四結(jié)構(gòu)上下對(duì)稱，該第一結(jié)構(gòu)及該第四結(jié)構(gòu)構(gòu) 成該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的第一電極的一部份，以及該第二結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu)構(gòu) 成該半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的第二電極的 一部份。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)第一區(qū)段、該多個(gè) 第二區(qū)段、該多個(gè)第四區(qū)段、該多個(gè)五區(qū)段、該多個(gè)第七區(qū)段、該多個(gè)八區(qū) 段、該多個(gè)第十區(qū)段與該多個(gè)第十一區(qū)段的形狀構(gòu)成多邊形、橢圓形、或圓 形的一部4分。
5. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬層的材料為鋁、銅、或金。
6. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該第二金屬層的材料為鋁、銅、或金。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)為金屬-氧化層-金屬電容結(jié)構(gòu)。
8. —種用于半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)的金屬層布局，其包含有 金屬層，包含有第一結(jié)構(gòu)，其包含有多個(gè)相互平行的第 一 區(qū)段，該多個(gè)第 一 區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲； 多個(gè)相互平行的第二區(qū)段，該多個(gè)第二區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲； 第三區(qū)段，耦接于該多個(gè)第一區(qū)段與該多個(gè)第二區(qū)段；以及第二結(jié)構(gòu)，其包含有多個(gè)相互平行的第四區(qū)段，該多個(gè)第四區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲； 多個(gè)相互平行的第五區(qū)段，該多個(gè)第五區(qū)段具有轉(zhuǎn)折或彎曲； 第六區(qū)段，耦接于該多個(gè)第四區(qū)段與該多個(gè)第五區(qū)段；其中該多個(gè)第一區(qū)段及該多個(gè)第四區(qū)段平行交叉，該多個(gè)第二區(qū)段及 該多個(gè)第五區(qū)段平行交叉。
9. 如權(quán)利要求8所述的金屬層布局，其中該多個(gè)第一區(qū)段、該多個(gè)第二 區(qū)段、該多個(gè)第四區(qū)段、及該多個(gè)第五區(qū)段的形狀構(gòu)成多邊形、橢圓形、或 圓形的一部份。
10. 如權(quán)利要求8所述的金屬層布局，其中該金屬層的材料為鋁、銅、或金。
11. 一種半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其包含有多個(gè)第一區(qū)段，其中每一第一區(qū)段耦接于該第三區(qū)段，自該第三區(qū)段的一側(cè)向外延伸，并分別沿著多個(gè)第一輪廓線之一發(fā)展；多個(gè)第二區(qū)段，其中每一第二區(qū)段耦接于該第三區(qū)段，自該第三區(qū)段的另 一側(cè)向外延伸，并分別沿著多個(gè)第二輪廓線之一發(fā)展； 第六區(qū)段；多個(gè)第四區(qū)段，其中每一第四區(qū)段耦接于該第六區(qū)段，自該第六區(qū)段的 一側(cè)向外延伸，并分別沿著多個(gè)第四輪廓線之一發(fā)展；以及多個(gè)第五區(qū)段，其中每一第五區(qū)段耦接于該第六區(qū)段，自該第六區(qū)段的 另一側(cè)向外延伸，并分別沿著多個(gè)第五輪廓線之一發(fā)展。
12. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)第一區(qū)段及該 多個(gè)第四區(qū)段相互交叉，該多個(gè)第二區(qū)段及該多個(gè)第五區(qū)段相互交叉。
13. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)第一區(qū)段相互 平行，該多個(gè)第二區(qū)段相互平行，該多個(gè)第四區(qū)段相互平行，該多個(gè)第五區(qū) 段相互平行。
14. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該第一輪廓線之一及 該第五輪廓線之一為同一環(huán)狀輪廓的一部份。
15. 如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)其中該環(huán)狀輪廓為正方形或長(zhǎng)方形
16.橢圓形。
17. 的多邊形
18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該環(huán)狀輪廓為圓形或如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該環(huán)狀輪廓為偶數(shù)邊其中該第一區(qū)段、該第二 I—部份，該第四區(qū)段、該第如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu) 區(qū)段、及該第三區(qū)段為該電容結(jié)構(gòu)的第一電極的. 五區(qū)段、及該第六區(qū)段為該電容結(jié)構(gòu)的第二電極的一部份。
19. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該第一區(qū)段、第二區(qū) 段、第三區(qū)段、第四區(qū)段、第五區(qū)段、及第六區(qū)段均以金屬材料構(gòu)成。
20. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)，其中該第一輪廓線、該第 二輪廓線、該第四輪廓線、及該第五輪廓線均具有轉(zhuǎn)折或彎曲。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體電容結(jié)構(gòu)及其布局，其提供一種具有多個(gè)對(duì)稱環(huán)型區(qū)段的金屬-氧化層-金屬電容結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的金屬-氧化層-金屬電容結(jié)構(gòu)不需要使用額外的光掩模，工藝費(fèi)用較便宜。此外，由于半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，因此可以迭加數(shù)目相當(dāng)大的金屬層，而且因?yàn)榻饘賹又g的距離也變得愈來(lái)愈小，所以可以得到愈來(lái)愈高的單位電容值。
文檔編號(hào)H01L27/08GK101436593SQ20071018677
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者葉達(dá)勛, 康漢彰 申請(qǐng)人:瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司