專(zhuān)利名稱(chēng)：晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)中使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體的封裝方法，特別是有關(guān)于由在圓片背而 形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志以迸行晶粒重新配置的封裝方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)發(fā)展的相當(dāng)?shù)难杆?，因此微型化的半?dǎo)體晶粒(Dice) 必須具有多樣化的功能的需求，使得半導(dǎo)體晶粒必須要在很小的區(qū)域中配 置更多的輸入/輸出墊(I/Opads)，因而使得金屬接腳(pins)的密度也快速的 提高了。因此，早期的導(dǎo)線(xiàn)架封裝技術(shù)已經(jīng)不適合高密度的金屬接腳；故 發(fā)展出一種球數(shù)組(Ball Grid Array: BGA)的封裝技術(shù)，球數(shù)組封裝除了有 比導(dǎo)線(xiàn)架封裝更高密度的優(yōu)點(diǎn)外，其錫球也比較不容易損害與變形。
隨著3C產(chǎn)品的流行，例如行動(dòng)電話(huà)(Cell Phone)、個(gè)人數(shù)字助理 (PDA)或是iPod等，都必須要將許多復(fù)雜的系統(tǒng)芯片放入一個(gè)非常小的 空間中，因此為解決此一問(wèn)題，一種稱(chēng)為「圓片級(jí)封裝(wafer level package; WLP)」的封裝技術(shù)已經(jīng)發(fā)展出來(lái)，其可以在切割圓片成為一顆顆的晶粒 之前，就先對(duì)圓片進(jìn)行封裝。美國(guó)第5，323,051號(hào)專(zhuān)利即揭露了這種「圓 片級(jí)封裝」技術(shù)。然而，這種「圓片級(jí)封裝」技術(shù)隨著晶粒主動(dòng)面上的焊 墊(pads)數(shù)目的增加，使得焊墊(pads)之間距過(guò)小，除了會(huì)導(dǎo)致訊號(hào)耦合或 訊號(hào)干擾的問(wèn)題外，也會(huì)因?yàn)楹笁|間距過(guò)小而造成封裝的可靠度降低等問(wèn) 題。因此，當(dāng)晶粒再更進(jìn)一步的縮小后，使得前述的封裝技術(shù)都無(wú)法滿(mǎn)足。
為解決此一問(wèn)題，美國(guó)第7,196,408號(hào)專(zhuān)利已揭露了一種將完成半導(dǎo) 體工藝的圓片，經(jīng)過(guò)測(cè)試及切割后，將測(cè)試結(jié)果為良好的晶粒(good die)重新放置于另一個(gè)基板的上，然后再進(jìn)行封裝工藝，如此，使得這些被重 新放置的晶粒間具有較寬之間距，故可以將晶粒上的焊墊適當(dāng)?shù)姆峙?，?br> 如使用橫向延伸(fan out)技術(shù)，因此可以有效解決因間距過(guò)小，除了會(huì)
導(dǎo)致訊號(hào)耦合或訊號(hào)干擾的問(wèn)題。
然而，為使半導(dǎo)體芯片能夠有較小及較薄的封裝結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行圓片切
割前，會(huì)先對(duì)圓片進(jìn)行薄化處理，例如以背磨(backside lapping)方式將 圓片薄化至2~20mil，然后再切割成一顆顆的晶粒。此一經(jīng)過(guò)薄化處理的 晶粒，經(jīng)過(guò)重新配置在另一基板上，再以注模方式將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒形成一封 膠體；由于晶粒很薄，使得封膠體也是非常的薄，故當(dāng)封膠體脫離基板的 后，封膠體本身的應(yīng)力會(huì)使得封膠體產(chǎn)生翹曲，增加后續(xù)進(jìn)行切割工藝的困難。
另外，在圓片切割之后，要將晶粒重新配置在另一個(gè)尺寸較原來(lái)基板 的尺寸還大基板時(shí)，由于需要經(jīng)由取放裝置(pick & place)將晶粒吸起， 然后將晶粒翻轉(zhuǎn)后，以覆晶方式將晶粒的主動(dòng)面貼附于基板上，而在取放 裝置將晶粒翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中，容易會(huì)產(chǎn)生傾斜(tilt)而造成位移，例如傾 斜超過(guò)5微米，故會(huì)使得晶粒無(wú)法對(duì)準(zhǔn)，進(jìn)而使得后續(xù)植球工藝中也無(wú)法 對(duì)準(zhǔn)，而造成封裝結(jié)構(gòu)的可靠度降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)中使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 志的制作方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新配置 的封裝結(jié)構(gòu)及其方法，來(lái)將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒重新進(jìn)行配置并進(jìn)行封裝的方法。 本發(fā)明在圓片切割之前先形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志，然后由對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志進(jìn)行晶粒重新配 置的封裝方法，使得在植球的工藝中可以對(duì)準(zhǔn)之外，封膠體本身可以克服 應(yīng)力而會(huì)使得封膠體在脫離基板后，保持平整，可有效提高制造的良率及可靠度。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒； 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；
切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)悍墊；
貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶 粒的該主動(dòng)面以覆晶方式配置在該基板的該黏著層上；
形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；
覆蓋一模具裝置，用以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層
填滿(mǎn)在該些晶粒之間且包覆住每一該些晶粒；
脫離該模具裝置，用以曝露出該高分子材料層的一上表面；及 脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該些晶粒的該主動(dòng)面，以形成
一封膠體。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，還包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒；
形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；
切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主
動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；
貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶 粒的該主動(dòng)面以覆晶方式配置在該基板的該黏著層上；
形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；
覆蓋一模具裝置，用以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層 填滿(mǎn)在該些晶粒之間且包覆住每一該些晶粒；
脫離該模具裝置，用以曝露出該高分子材料層的一上表面；
脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面上的該些焊墊，以形成一封膠體；
形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；
形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；
形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及
切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每-該些晶粒的五個(gè)面均由該高分子材料層所包覆。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，還包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒； 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；
切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；
貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶 粒的該主動(dòng)面以覆晶方式配置在該基板的該黏著層上；
形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；
覆蓋一模具裝置，并使該模具裝置與每一該晶粒的一下表面接觸，用 以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層填滿(mǎn)在該些晶粒之間；
脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層及每一該晶粒的該下表
面；
脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該些晶粒的該主動(dòng)面上的該些 焊墊，以形成一封膠體；
形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該些 焊墊電性連接；
形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露出該每一個(gè)金屬線(xiàn)段的另一端；
形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及
切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一-該晶粒的四個(gè)面由該高分子材料層所包覆。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，還包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒； 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的x-y方向上；
切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主
動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；
提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋； 貼附該些晶粒至該基板上，將每一該晶粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼附
在該黏著層上，且該些晶粒之間是以該些凸出肋間隔； 形成一高分子材料層在該黏著層及部份該些晶粒上； 覆蓋一模具裝置在該高分子材料層上，以平坦化該高分子材料層，使
得該高分子材料層充滿(mǎn)在該些晶粒之間并包覆住每一該晶粒； 脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面； 脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面及曝露出由
該些凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道于該高分子材料層的該表面上，以形成--
封膠體；
形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；
形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出該每一個(gè)金屬線(xiàn)段的另一端；
形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的五個(gè)面系由該高分子材料層所包覆。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，還包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒；
形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；
切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主
動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；
提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋； 貼附該些晶粒至該黏著層上，系將每一該晶粒的該主動(dòng)面以覆晶方式
貼附在該黏著層上，且該些晶粒之間系以該些凸出肋間隔； 形成一高分子材料層在該黏著層及部份該些晶粒上； 覆蓋一模具裝置在該高分子材料層上，并使該模具裝置與每一該晶粒
的下表面接觸，以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層充滿(mǎn)在該
些晶粒之間；
脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面； 脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面及曝露出由
該些凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道于該高分子材料層的該表面上，以形成一
封膠體；
形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；
形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及該每一該金屬線(xiàn)段并曝 露出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；
形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及
切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的四個(gè)面由該高分子材料層所包覆。本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，還包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒； 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的XX-Y方向上；
切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該i
動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；
貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶
粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼附在該基板的該黏著層上；
形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；
覆蓋一配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋的模具裝置在該高分子材料層上，以平圯 化該高分子材料層，使得該高分子材料層填滿(mǎn)在該些晶粒之間并包覆住每 一該晶粒；
脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面，并形成由該些 凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道在該曝露的高分子材料層的該表面上；
脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面的該些焊 墊，以形成一封膠體；
形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；
形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的該主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝 露出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；
形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及
切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每--該晶粒的五個(gè)面由該高分子材料層所包覆。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，還包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒; 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；
貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶 粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼附在該基板的該黏著層上；
形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；
覆蓋一配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋的模具裝置在該高分子材料層上，并使該 模具裝置與每一該晶粒的下表面接觸，以平坦化該高分子材料層，使得該 高分子材料層填滿(mǎn)在該些晶粒之間；
脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面，并形成由該些
凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道在該曝露的高分子材料層的該表面上；
脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面的該些悍
墊，以形成一封膠體；
形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的復(fù) 數(shù)個(gè)焊墊電性連接；
形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；
形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及
切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的四個(gè)面系由該高分子材料層所包覆。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法，還包括
提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒; 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；
切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；
提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復(fù)數(shù)個(gè)第一凸出肋；
貼附該些晶粒在該黏著層上，將每一該晶粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼 附在該黏著層的上，且該些晶粒之間是以該些第一凸出肋間隔； 形成一高分子材料層在該黏著層及部份該晶粒上；
覆蓋一配置有復(fù)數(shù)個(gè)第二凸出肋的模具裝置在該高分子材料層之上， 以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層填滿(mǎn)于該些晶粒之間并包
覆每一該些晶粒；
脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的一第一表面，并形成復(fù)數(shù)
條第一渠道在曝露的該第一表面上；
脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面的該些焊墊 及曝露出該高分子材料層的一第二表面，以形成一封膠體，其中該第二表 面上具有復(fù)數(shù)條第二渠道；
形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；
形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；
形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及
切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的五個(gè)面由該高分子材料層所包覆。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)，包括
一晶粒，具有一主動(dòng)面及一下表面，于該主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊 且于該下表面配置復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；
一封膠體，用以包覆該晶粒的五個(gè)面且曝露出該晶粒的該主動(dòng)面上的 該些焊墊；
復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該些焊墊電性連接；
一保護(hù)層，用以覆蓋該晶粒的該主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露出每 一該金屬線(xiàn)段的另一端；及
復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，設(shè)置于該些扇出的金屬線(xiàn)段的另一端上與該些 焊墊形成電性連接。
本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)，還包括-
一晶粒，具有一主動(dòng)面及一下表面，于該主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊 且于該下表面配置復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；
一封膠體，用以包覆該晶粒的四個(gè)面且曝露出該晶粒的該主動(dòng)面上的 該些焊墊及該晶粒的該下表面；
復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該些焊 墊電性連接；
一保護(hù)層，用以覆蓋該晶粒的該主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露出每 一該金屬線(xiàn)段的另一端；及
復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，設(shè)置于該些金屬線(xiàn)段的另一端上與該些焊墊形 成電性連接。
本發(fā)明在進(jìn)行圓片切割之前，在圓片的背面先形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志(alignment mark)并配合晶粒重新配置的封裝方法，其可以有效地解決植球時(shí)無(wú)法對(duì) 準(zhǔn)以及封膠體產(chǎn)生翹曲的問(wèn)題。


圖l是公知技術(shù)的示意圖2A至圖2B是根據(jù)本發(fā)明所揭露的在具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的圓片的正面 及背面的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖3A至圖3C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新 配置的封裝結(jié)構(gòu)的 一 實(shí)施例的剖視圖；圖4A至圖4B是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新 配置的封裝結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例的剖視圖5A至圖5C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新 配置的封裝結(jié)構(gòu)的又一實(shí)施例的剖視圖6A至圖6B是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新 配置的封裝結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例的剖視圖7A至圖7C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新 配置的封裝結(jié)構(gòu)的又一實(shí)施例的剖視圖8A至圖8B是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新 配置的封裝結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例的剖視圖9A至圖9B是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新 配置的封裝結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例的剖視圖10A至圖10B是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重 新配置的封裝結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例的剖視圖；及
圖11是根據(jù)本發(fā)明所揭露的利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新配置的晶
粒的立體示意圖。
附圖中主要組件符號(hào)說(shuō)明
10圓片
10A主動(dòng)面
10B背面
100基板
102對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志
110晶粒
111焊墊
120金屬線(xiàn)段
130電性連接組件200黏著層
220渠道 400高分子材料層 500模具裝置 510凸出肋 520渠道
具體實(shí)施例方式
為使對(duì)本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征、及其功能有進(jìn)一步的了解，配合 實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下。
本發(fā)明的晶粒重新配置的封裝方法，其可以將12吋圓片所切割出來(lái) 的晶粒重新配置于8吋圓片的基板上，如此可以有效運(yùn)用8吋圓片的即有 的封裝設(shè)備，而無(wú)需重新設(shè)立12吋圓片的封裝設(shè)備，可以降低12吋圓片 的封裝成本。
本發(fā)明的晶粒重新配置的封裝方法，使得進(jìn)行封裝的芯片都是"已知 是功能正常的芯片"(Known good die)，可以節(jié)省封裝材料，故也可以降 低工藝的成本。
根據(jù)以上所述，本發(fā)明提供的晶粒重新配置的封裝方法的封裝結(jié)構(gòu)， 包括 一晶粒，具有一主動(dòng)面及一下表面，于主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊， 及在晶粒的下表面的X-Y方向上具有一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志(alignmentmark); —高 分子材料層，用以包覆住晶粒的五個(gè)面且曝露出晶粒的主動(dòng)面；以及復(fù)數(shù) 個(gè)電性連接組件，系根據(jù)在晶粒的下表面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志與復(fù)數(shù)個(gè)焊墊形成電 性連接。
根據(jù)以上的封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提供一種晶粒重新配置的封裝方法，包 括:提供一圓片，具有一上表面及一背面；形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在圓片的背 面的X-Y方向上；切割圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一晶粒具有一主動(dòng)面及一下表面，且于主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊及在下表面的X-Y方向上具 有一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；貼附復(fù)數(shù)個(gè)晶粒至基板上，每一晶粒是利用覆晶方式將 主動(dòng)面配置在基板上；形成一高分子材料層在基板以及部份的每一晶粒 上；覆蓋一模具裝置，用以平坦化高分子材料層，使得高分子材料層填滿(mǎn) 在復(fù)數(shù)個(gè)晶粒之間且包覆住每一晶粒；脫離模具裝置，用以曝露出高分子 材料層的一上表面；及脫離基板及黏著層，以曝露出每一顆晶粒的主動(dòng)面
上的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，以形成一封膠體。
本發(fā)明的晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)，包括 一晶粒，具有一主動(dòng)面及
一下表面，于主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，及在晶粒的下表面的x-y方向
上具有至少一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；一高分子材料層，用以包覆住晶粒的五個(gè)面且
曝露出晶粒的主動(dòng)面上的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；及復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，與復(fù)數(shù)個(gè)
焊墊形成電性連接。
本發(fā)明在此所探討的方向?yàn)橐环N晶粒重新配置的封裝方法，將復(fù)數(shù)顆 晶粒重新配置于另一基板上，然后進(jìn)行封裝的方法。為了能徹底地了解本 發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及其組成。顯然地，本發(fā)明的施 行并未限定芯片堆棧的方式的技術(shù)人員所熟悉的特殊細(xì)節(jié)。另一方面，眾 所周知的芯片形成方式以及芯片薄化等后段工藝的詳細(xì)步驟并未描述于 細(xì)節(jié)中，以避免造成本發(fā)明不必要的限制。然而，對(duì)于本發(fā)明的較佳實(shí)施 例，則會(huì)詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以廣泛地 施行在其它的實(shí)施例中，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以申請(qǐng)的權(quán)利要求 范圍為準(zhǔn)。
在現(xiàn)代的半導(dǎo)體封裝工藝中，均是將一個(gè)已經(jīng)完成前段工藝(Front End Process)的圓片(wafer),先在圓片的正面形成一薄的絕緣層(例如 形成一Si02層)，然后再先進(jìn)行薄化處理(Thi皿ingProcess),例如將芯片 的厚度研磨至2 20mil之間；然后，進(jìn)行圓片的切割(sawingprocess)以 形成一顆顆的晶粒110;然后，使用取放裝置(pick and place)將一顆顆的晶粒逐一放置于另一個(gè)基板100上，如圖1所示。很明顯地，基板IOO 上的晶粒間隔區(qū)域比晶粒110大，因此，可以使得這些被重新放置的晶粒 110間具有較寬之間距，故可以將晶粒110上的焊墊適當(dāng)?shù)姆峙?。此外?br> 本實(shí)施例所使用的封裝方法，可以將12吋圓片所切割出來(lái)的晶粒110重 新配置于8吋圓片的基板上，如此可以有效運(yùn)用8吋圓片的即有的封裝設(shè) 備，而無(wú)需重新設(shè)立12吋圓片的封裝設(shè)備，可以降低12吋圓片的封裝成 本。然后要強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明的實(shí)施例并未限定使用8吋圓片大小的基板，
其只要能提供承載的功能者，例如玻璃、石英、陶瓷、電路板或金屬薄 板(metal foil)等，均可作為本實(shí)施例的基板100,因此基板100的形狀 也未加以限制。
首先，圖2A及圖2B，表示具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的圓片的俯視圖。如圖2A 所示，表示在圓片10的上表面10A形成有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒110，且在圓片10 的每一個(gè)晶粒110的背面10B的X-Y方向上，設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志 (alignment mark) 102，如圖2B所示。由先前陳述得知，當(dāng)圓片10經(jīng)切割 的后形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒110，再重新配置至另一基板100時(shí)，由于新的基板 100之間的晶粒間隔區(qū)域比晶粒110大，因此在取放晶粒110的過(guò)程中， 容易產(chǎn)生偏移，而在后續(xù)封裝工藝的植球步驟(ballmount)會(huì)無(wú)法對(duì)準(zhǔn)，而 造成封裝結(jié)構(gòu)的可靠度降低。因此在本具體實(shí)施例中，在圓片10未進(jìn)行 切割的前先將圓片的背面10B朝上，然后在圓片10的背面10B且在每一 晶粒的背面的X-Y方向形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102。接著進(jìn)行圓片切割步驟， 并使每一顆晶粒110的背面朝上；再接著，使用取放裝置(未于圖中顯示) 將每一顆晶粒110吸起并放置于基板100上；由于，每一顆晶粒110的背 面上均已配置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志02，因此，取放裝置可以直接辨識(shí)出每一顆晶 粒IIO其主動(dòng)面上的焊墊111位置；當(dāng)取放裝置要將晶粒IIO放置于基板 上時(shí)，可以再由基板上的參考點(diǎn)(未于圖中顯示)來(lái)計(jì)算出晶粒110的相 對(duì)位置，再加上取放裝置不需要將晶粒110翻轉(zhuǎn)，因此可以將晶粒110精確地放置于基板100上。故當(dāng)復(fù)數(shù)個(gè)晶粒110重新配置在新的基板100上 時(shí)，就不會(huì)因?yàn)闊o(wú)法對(duì)準(zhǔn)而且準(zhǔn)確度以及可靠度的問(wèn)題。在此，形成對(duì)準(zhǔn)
標(biāo)志102的方式可以利用光蝕刻(photo-etching)工藝，在圓片10的背面10B 的X-Y方向上形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102，且其形狀可以為任意幾何形狀， 而在一較佳實(shí)施例中，此一幾何形狀為十字的標(biāo)志。另外，形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志 102的方式還包括利用激光巻標(biāo)(lasermark)工藝，在圓片10的背面10B形 成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102。
緊接著，請(qǐng)參考圖3A，是本發(fā)明相對(duì)圖1的AA線(xiàn)段的剖面示意圖。 如圖3A所示，首先，在基板100上配置有一黏著層200,此黏著層200 為一具有彈性的黏著材料，例如硅橡膠(silicone rubber)、硅樹(shù)脂(silicone resin)、彈性PU、多？L PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber)或晶粒切割膠等。 接著，使用取放裝置(未顯示于圖中)將背面朝上且配置有復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 志102的晶粒110逐一吸起并貼附至基板100上的黏著層200，其中晶粒 110是以主動(dòng)面上的焊墊111與基板100上的黏著層200連接；接著，于 基板100及部份晶粒110上涂布高分子材料層400，并且使用一模具裝置 500將高分子材料層400壓平，使得高分子材料層400形成一平坦化的表 面，并且使得高分子材料層400填滿(mǎn)于晶粒110之間，并且包覆每一顆晶 粒110;此高分子材料層400的材料可以為硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸 (acrylic )、或苯環(huán)丁烯(BCB)等材料。
接著，可以選擇性地對(duì)平坦化的高分子材料層400進(jìn)行一烘烤程序， 以使高分子材料層400固化。再接著，進(jìn)行脫模程序，將模具裝置500與 固化后的高分子材料層400分離，以裸露出平坦化的高分子材料層400的 表面；然后，使用切割刀(未顯示于圖中)在高分子材料層400的表面上 形成復(fù)數(shù)條切割道410，如圖3B所示，其中，每一切割道410的深度為 0.5密爾(mil)至l密爾，而切割道410的寬度則為5微米至25微米。在 一較佳實(shí)施例中，此切割道410可以是相互垂直交錯(cuò)，并且可以作為實(shí)際切割晶粒時(shí)的參考線(xiàn)。
最后，將高分子材料層400與黏著層200分離，例如將高分子材料層
400與基板100 —起置入具有去離子水的槽中，使高分子材料層400與黏 著層200分離，以形成一個(gè)封膠體；此封膠體包覆每一顆晶粒110，并丄j. 只曝露出每一顆晶粒110的主動(dòng)面上的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊111。由于封膠體的相 對(duì)于晶粒110的主動(dòng)面的下表面上有復(fù)數(shù)條切割道410,因此，當(dāng)高分子 材料層400與基板100剝離后，封膠體上的應(yīng)力會(huì)被這些切割道410所形 成的區(qū)域所抵消，故可有效地解決封膠體翹曲的問(wèn)題。
由于每一晶粒110的背面均已配置有復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102，因此，在 晶粒110已經(jīng)準(zhǔn)確地放置于基板100上，可以計(jì)算出每一晶粒110上的焊 墊111位置，故可以將每一晶粒上的焊墊lll曝露出來(lái)；接著，再使用傳 統(tǒng)的重布線(xiàn)工藝(Redistribution Layer; RDL)于晶粒110的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊 lll上形成復(fù)數(shù)個(gè)扇出(fan out)的金屬線(xiàn)段120;接著，以半導(dǎo)體工藝于 金屬線(xiàn)段120上形成一保護(hù)層140并于每一個(gè)金屬線(xiàn)段120的另一端上形 成復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口 (opening)。最后，再于每一開(kāi)口上形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電組件130， 以便作為晶粒110對(duì)外電性連接的接點(diǎn)，其中，此電性連接組件130可以 是金屬凸塊(metalbump)或是錫球(solderball)，如圖3C所示。然后，即可 對(duì)封膠體進(jìn)行最后的切割，以形成一顆顆完成封裝工藝的晶粒。很明顯地， 在本實(shí)施例中的每一顆晶粒110的5個(gè)面都被高分子材料層400所包覆， 僅有晶粒110的主動(dòng)面曝露出來(lái)。同時(shí)，也由對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102的配置，使得 金屬線(xiàn)段120及導(dǎo)電組件130均可精確地與焊墊111連接，可使完成封裝 的晶粒110的可靠度提高。
此外，本發(fā)明接著揭露另一個(gè)具體實(shí)施例，是在基板100及部份晶粒 110上涂布適量的高分子材料層400，在此，所涂布的高分子材料層400 的量少于圖3B所涂布的量，同樣地使用一模具裝置500將高分子材料層 400壓平，在此要強(qiáng)調(diào)，在本實(shí)施例中，模具裝置500與晶粒110的背面是接觸在一起的，因此當(dāng)高分子材料層400所形成一平坦化的表面后，會(huì) 使得高分子材料層400僅填滿(mǎn)于晶粒110之間而曝露出晶粒110的背面，
如圖4A所示。
接著，可以選擇性地對(duì)平坦化的高分子材料層400進(jìn)行一烘烤程序， 以使高分子材料層400固化。再接著，進(jìn)行脫模程序，將模具裝置500與 固化后的高分子材料層400分離，以裸露出在晶粒110之間具平坦化的高 分子材料層400的表面以及裸露出每一個(gè)晶粒110的下表面。然后，使用 切割刀(未顯示于圖中)在高分子材料層400的表面上形成復(fù)數(shù)條切割道 410。其中，每一切割道410的深度為0.5密爾(mil)至1密爾，而切割 道410的寬度則為5微米至25微米。在一較佳實(shí)施例中，此切割道410 可以是相互垂直交錯(cuò)，并且可以作為實(shí)際切割晶粒時(shí)的參考線(xiàn)。
最后，將高分子材料層400與黏著層200分離，例如將高分子材料層 400與基板100 —起置入具有去離子水的槽中，使高分子材料層400與黏 著層200分離，形成一個(gè)封膠體；此封膠體包覆每一顆晶粒110，并且曝 露出每一晶粒110的主動(dòng)面，如圖4B所示。由于封膠體的相對(duì)于晶粒110 的主動(dòng)面的下表面上有復(fù)數(shù)條切割道410，因此當(dāng)高分子材料層400與基 板100剝離后，封膠體上的應(yīng)力會(huì)被這些切割道410所形成的區(qū)域所抵消， 故可有效地解決封膠體翹曲的問(wèn)題。此外，由于晶粒IIO己經(jīng)準(zhǔn)確地放置 于基板上，故可以計(jì)算出每一晶粒110上的焊墊lll位置，接著，再使用 傳統(tǒng)的重布線(xiàn)工藝(RedistributionLayer; RDL)于晶粒110的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊 lll上形成復(fù)數(shù)個(gè)扇出(fan out)的金屬線(xiàn)段120，其中每一金屬線(xiàn)段120 的一端與焊墊lll電性連接；接著，以半導(dǎo)體工藝于金屬線(xiàn)段120上形成 一保護(hù)層140并于每一個(gè)金屬線(xiàn)段120的另一端上形成復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口 (opening)。最后，再于每一開(kāi)口上形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電組件130，以便作為 晶粒110對(duì)外電性連接的接點(diǎn)，其中，此電性連接組件130可以是金屬凸 塊(metalbump)或是錫球(solderball)，如圖3C所示。然后，即可對(duì)封裝體進(jìn)行最后的切割，以形成一顆顆完成封裝工藝的晶粒。因此，經(jīng)由本實(shí)施 例所完成封裝的晶粒110的可靠度可以有效地提高。
在上述的實(shí)施例中，形成平坦化的高分子材料400的方式可以選擇使
用注模方式(molding process)來(lái)形成。此時(shí)，可將一模具裝置500覆蓋 至基板100上，并且使模具裝置500與晶粒110間保持一空間，因此可以 將高分子材料層400，例如環(huán)氧樹(shù)脂模封材料(Epoxy Molding Compound; EMC)，注入模具裝置500與晶粒110的空間中，使得高分子材料層400 形成一平坦化的表面并且使得高分子材料層400填滿(mǎn)于晶粒110之間并包 覆每一晶粒110，如圖3C所示；此外，亦可將模具裝置500與晶粒110 的背面接觸在一起，以使得晶粒110的背面未被高分子材料層400包覆， 如圖4B所示。由于，使用注模方式來(lái)包覆每一顆晶粒110之后，其制造 過(guò)程與前述方式相同，故不再贅述。
接下來(lái)，請(qǐng)參考圖5A，是本發(fā)明的晶粒重新配置封裝方法的另一實(shí) 施例。如圖5A所示，在基板100上配置有一黏著層200，此黏著層200 為一具有彈性的黏著材料，同時(shí)，于黏著層200上再形成復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋
(ribs) 210。在一較佳實(shí)施例，此復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋210是以相互垂直交錯(cuò)的 方式形成；而此黏著層200可以是硅橡膠(siliconembber)、硅樹(shù)脂(silicone resin)、彈性PU、多孔PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber)或晶粒切割膠等 材料所形成；而凸出肋210則可以是硅橡膠(silicone rubber)、硅樹(shù)脂
(silicone resin)、彈性PU、多孔PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber)、polyimide 或晶粒切割膠等材料所形成。接著，使用取放裝置(未顯示于圖中)將背 面朝上且配置有復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102的晶粒110逐一吸起并貼附至基板 100上的黏著層200，其中晶粒110是以主動(dòng)面上的焊墊111與基板上的 黏著層200連接；接著，于基板IOO及部份晶粒110上涂布高分子材料層 400，并且使用一模具裝置500將高分子材料層400壓平，使得高分子材 料層400形成一平坦化的表面并且使得高分子材料層400充滿(mǎn)于晶粒110之間并包覆每一晶粒110;此高分子材料層400可以為硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、
丙烯酸(acrylic)、或苯環(huán)丁烯(BCB)等材料。
此外，高分子材料層400也可以選擇使用注模方式(molding process) 來(lái)形成。同樣地，將模具裝置500覆蓋至基板100上，并且使模具裝置500 與晶粒110間保持一空間，因此可以將高分子材料層400，例如環(huán)氧樹(shù)脂 模封材料(Epoxy Molding Compound; EMC)，注入模具裝置500與晶粒110 的空間中，使得高分子材料層400形成一平坦化的表面并且使得高分子材 料層400填滿(mǎn)于晶粒110之間并包覆每一晶粒110。
接著，在完成高分子材料層400的程序后，可以選擇性地對(duì)平坦化的 高分子材料層400進(jìn)行一烘烤程序，以使高分子材料層400固化。再接著， 進(jìn)行脫模程序，將模具裝置500與固化后的高分子材料層400分離，以裸 露出平坦化的高分子材料層400的表面，如圖5B所示。最后，將高分子 材料層400與黏著層200分離，例如將高分子材料層400與基板100 —起 放入去離子水的槽中，使高分子材料層400與黏著層200分離，形成一個(gè) 封膠體；此封膠體包覆每一顆晶粒110，并且曝露出每一晶粒110的主動(dòng) 面以及由復(fù)數(shù)條凸出肋210所形成的渠道220于高分子材料表面上，如圖 5C所示。由于封膠體的高分子材料層400與基板100剝離后，封膠體上 的應(yīng)力會(huì)被復(fù)數(shù)條渠道220所抵消，故可有效地解決封膠體翹曲的問(wèn)題。 同樣地，由于晶粒110已經(jīng)準(zhǔn)確地放置于基板上，故可以計(jì)算出每一晶粒 110上的焊墊111位置，接著，再使用傳統(tǒng)的重布線(xiàn)工藝(Redistribution Layer; RDL)于晶粒110的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊111上形成復(fù)數(shù)個(gè)扇出(fan out) 的金屬線(xiàn)段120;接著，以半導(dǎo)體工藝于金屬線(xiàn)段120上形成一保護(hù)層140 并于每一個(gè)金屬線(xiàn)段120的另一端上形成復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口 (opening)。最后， 再于每一開(kāi)口上形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電組件130，以便作為晶粒110對(duì)外電性連 接的接點(diǎn)，其中，此電性連接組件130可以是金屬凸塊(metal bump)或是 錫球(solder ball)，如圖5C所示。然后，即可對(duì)封裝體進(jìn)行最后的切割，以形成一顆顆完成封裝工藝的晶粒。很明顯地，在本實(shí)施例中的每一顆晶
粒110的5個(gè)面都被高分子材料層400所包覆每一顆晶粒110，僅有晶粒 110的主動(dòng)面曝露出來(lái)。
很明顯地，本實(shí)施例也可以選擇性以注模方式形成如圖6A與如圖6B 所示，由于其形成的過(guò)程與圖4A及圖4B相同，故不再贅述。
接下來(lái)，請(qǐng)參考圖7A，是本發(fā)明的晶粒重新配置封裝方法的再一實(shí) 施例。如圖7A所示，在基板100上配置有一黏著層200，此黏著層200 為一具有彈性的黏著材料，而此黏著層200可以是硅橡膠(silicone rubber )、 硅樹(shù)脂(silicone resin)、彈性PU、多孔PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber) 或晶粒切割膠等材料所形成。接著，使用取放裝置(未顯示于圖中)將背 面朝上且配置有復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102的晶粒110逐一吸起并貼附至基板 100上的黏著層200，其中晶粒110是以主動(dòng)面上的焊墊111與基板上的 黏著層200連接；接著，于基板100及部份晶粒110上涂布高分子材料層 400，并且使用一個(gè)具有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋510的模具裝置500將高分子材料 層400壓平，使得高分子材料層400充滿(mǎn)于晶粒110之間并包覆每一晶粒 110;此高分子材料層400可以為硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸(aciylic)、或 苯環(huán)丁烯(BCB)等材料。
此外，高分子材料層400也可以選擇使用注模方式(molding process) 來(lái)形成圖5B所示的結(jié)果，即將一個(gè)具有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋510的模具裝置500 覆蓋至基板100上，并且使具有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋510的模具裝置500與晶粒 110間保持一空間，因此可以將高分子材料層400，例如環(huán)氧樹(shù)脂模封材 料(Epoxy Molding Compound; EMC)，注入具有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋510的模具 裝置500與晶粒110的空間中，使得高分子材料層400填滿(mǎn)于晶粒110之 間并包覆每一晶粒110。
接著，在完成高分子材料層400的程序后，可以選擇性地對(duì)平坦化的 高分子材料層400進(jìn)行一烘烤程序，以使高分子材料層400固化。再接著，進(jìn)行脫模程序，將具有復(fù)數(shù)條凸出肋510的模具裝置500與固化后的高分
子材料層400分離，在高分子材料層400的表面上裸露出由復(fù)數(shù)條凸出肋 510所形成的渠道520。最后，將高分子材料層400與黏著層200分離， 例如將高分子材料層400與基板100 —起放入去離子水的槽中，使高分子 材料層400與黏著層200分離，形成一個(gè)封膠體。此封膠體包覆每一晶粒 110，并且曝露出每一晶粒110的主動(dòng)面，而在晶粒110的背面的高分子 材料表面上則有復(fù)數(shù)條渠道520，如圖7C所示。由于封膠體的高分子材 料層400與基板100剝離后，封膠體上的應(yīng)力會(huì)被復(fù)數(shù)渠道520所抵消， 故可有效地解決封膠體翹曲的問(wèn)題。
由于晶粒110已經(jīng)準(zhǔn)確地放置于基板100上，故可以計(jì)算出每一晶粒 110上的焊墊111位置，接著，再使用傳統(tǒng)的重布線(xiàn)工藝(Redistribution Layer; RDL)于晶粒110的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊111上形成復(fù)數(shù)個(gè)扇出(fan out) 的金屬線(xiàn)段120;接著，以半導(dǎo)體工藝于金屬線(xiàn)段120上形成一保護(hù)層140 并于每一個(gè)金屬線(xiàn)段120的另一端上形成復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口 (叩ening)。最后， 再于每一開(kāi)口上形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電組件130，以便作為晶粒IIO對(duì)外電性連 接的接點(diǎn)，其中，此電性連接組件130可以是金屬凸塊(metal bump)或是 錫球(solder ball),如圖7C所示。然后，即可對(duì)封裝體進(jìn)行最后的切割， 以形成一顆顆完成封裝工藝的晶粒。很明顯地，在本實(shí)施例中的每一顆晶 粒110的5個(gè)面都被高分子材料層400所包覆，僅有晶粒110的主動(dòng)面曝 露出來(lái)。同時(shí)，也由對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102的配置，使得金屬線(xiàn)段120及導(dǎo)電組件 130均可精確地與焊墊111連接，可使完成封裝的晶粒110的可靠度提高。
此外，亦可將模具裝置500與晶粒110的背面接觸在一起，以使得高 分子材料層400僅填滿(mǎn)于晶粒110之間而晶粒110的背面則未被高分子材 料層400包覆，如圖8A所示。由于晶粒110己經(jīng)準(zhǔn)確地放置于基板100 上，故可以計(jì)算出每一晶粒110上的焊墊111位置，接著，再使用傳統(tǒng)的 重布線(xiàn)工藝(RedistributionLayer; RDL)于晶粒110的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊111上形成復(fù)數(shù)個(gè)扇出(fan out)的金屬線(xiàn)段120;接著，以半導(dǎo)體工藝于金屬 線(xiàn)段120上形成一保護(hù)層140并于每一個(gè)金屬線(xiàn)段120的另一端上形成復(fù) 數(shù)個(gè)開(kāi)口 (opening)。最后，再于每一開(kāi)口上形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電組件130， 以便作為晶粒110對(duì)外電性連接的接點(diǎn)，其中，此電性連接組件130可以 是金屬凸塊(metalbump)或是錫球(solderball)，如圖8B所示。然后，即可 對(duì)封裝體進(jìn)行最后的切割，以形成一顆顆完成封裝工藝的晶粒。故可使完 成封裝的晶粒110的可靠度提高。
在此要強(qiáng)調(diào)的是，在本實(shí)施例進(jìn)行注模的過(guò)程中，使用具有復(fù)數(shù)個(gè)凸 出肋510的模具裝置500覆蓋至基板100上，因?yàn)楫?dāng)模流注入后，由于大 氣壓力的原因，會(huì)在凸出肋510的每一個(gè)封閉的角落上形成氣室，使得模 流無(wú)法注入，而形成近似圓弧形的鈍角115結(jié)構(gòu)，如圖8B所示。
接下來(lái)，請(qǐng)參考圖9A，是本發(fā)明的晶粒重新配置封裝方法的再一實(shí) 施例。如圖9A所示，是將圖5A與圖7A的實(shí)施例合并使用，而其形成的 過(guò)程不再贅述。很明顯地，本實(shí)施例可以在高分子材料層400的正面與背 面均形成復(fù)數(shù)條渠道210/510，故封膠體上的應(yīng)力會(huì)被復(fù)數(shù)條渠道220/520 所抵消，故可有效地解決封膠體翹曲的問(wèn)題。同樣地，由于晶粒110已經(jīng) 準(zhǔn)確地放置于基板上，故可以計(jì)算出每一晶粒110上的焊墊111位置，接 著，再使用傳統(tǒng)的重布線(xiàn)工藝(Redistribution Layer; RDL)于晶粒110 的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊111上形成復(fù)數(shù)個(gè)扇出(fan out)的金屬線(xiàn)段120;接著， 以半導(dǎo)體工藝于金屬線(xiàn)段120上形成一保護(hù)層140并于每一個(gè)金屬線(xiàn)段 120的另一端上形成復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口 (叩ening)。最后，再于每一開(kāi)口上形成 復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電組件130，以便作為晶粒110對(duì)外電性連接的接點(diǎn)，其中，此 電性連接組件130可以是金屬凸塊(metal bump)或是錫球(solder ball)。然 后，即可對(duì)封膠體進(jìn)行最后的切割，以形成一顆顆完成封裝工藝的晶粒， 如圖9B所示。很明顯地，在本實(shí)施例中的每一顆晶粒110的5個(gè)面都被 高分子材料層400所包覆，僅有晶粒110的主動(dòng)面曝露出來(lái)。同時(shí)，也由對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102的配置，使得金屬線(xiàn)段120及導(dǎo)電組件130均可精確地與焊
墊111連接，可使完成封裝的晶粒110的可靠度提高。
此外，亦可將模具裝置500與晶粒110的背面接觸在一起，如圖10A 所示，以使得高分子材料層400僅填滿(mǎn)于晶粒110之間而晶粒110的背面 則未被高分子材料層400包覆。由于晶粒110已經(jīng)準(zhǔn)確地放置于基板上， 故可以計(jì)算出每一晶粒110上的焊墊111位置，接著，再使用傳統(tǒng)的重布 線(xiàn)工藝(RedistributionLayer; RDL)于晶粒110的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊111上形成 復(fù)數(shù)個(gè)扇出(fan out)的金屬線(xiàn)段120，其中每一金屬線(xiàn)段120的一端與 焊墊111電性連接，并且再于金屬線(xiàn)段120的另一端上形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電組 件130，如圖10B所示，故可使完成封裝的晶粒110的可靠度提高。
圖11表示根據(jù)上述利用圓片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的晶粒重新配置的封裝方法， 經(jīng)切割之后所得到的完成封裝的晶粒的剖面示意圖。在圖11中，其晶粒 110的下表面具有一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102，并且在晶粒110的主動(dòng)面具有復(fù)數(shù) 個(gè)電性連接組件(未在圖中表示)，這些電性連接組件可由在晶粒110背面 的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志102而準(zhǔn)確的形成在晶粒110的焊墊(未在圖中表示)上，以增 加封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。
雖然本發(fā)明以上述較佳實(shí)施例描述，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng) 域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍須視本發(fā)明所申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒；形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶粒的該主動(dòng)面以覆晶方式配置在該基板的該黏著層上；形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置，用以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層填滿(mǎn)在該些晶粒之間且包覆住每一該些晶粒；脫離該模具裝置，用以曝露出該高分子材料層的一上表面；及脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該些晶粒的該主動(dòng)面，以形成一封膠體。
2、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒;形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶 粒的該主動(dòng)面以覆晶方式配置在該基板的該黏著層上；形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置，用以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層 填滿(mǎn)在該些晶粒之間且包覆住每一該些晶粒；脫離該模具裝置，用以曝露出該高分子材料層的一上表面；脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面上的該些焊 墊，以形成一封膠體；形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該些晶粒的五個(gè)面均由該高分子材料層所包覆。
3、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒； 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶 粒的該主動(dòng)面以覆晶方式配置在該基板的該黏著層上；形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置，并使該模具裝置與每一該晶粒的一下表面接觸，用 以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層填滿(mǎn)在該些晶粒之間；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層及每一該晶粒的該下表面；脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該些晶粒的該主動(dòng)面上的該些 焊墊，以形成一封膠體；形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該些 焊墊電性連接；形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出該每一個(gè)金屬線(xiàn)段的另一端；形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每- 該晶粒的四個(gè)面由該高分子材料層所包覆。
4、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒；形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋； 貼附該些晶粒至該基板上，將每一該晶粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼附在該黏著層上，且該些晶粒之間是以該些凸出肋間隔； 形成一高分子材料層在該黏著層及部份該些晶粒上； 覆蓋一模具裝置在該高分子材料層上，以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層充滿(mǎn)在該些晶粒之間并包覆住每一該晶粒； 脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面； 脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面及曝露出由該些凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道于該高分子材料層的該表面上，以形成一封膠體；形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出該每一個(gè)金屬線(xiàn)段的另一端；形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的五個(gè)面系由該高分子材料層所包覆。
5、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒;形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋； 貼附該些晶粒至該黏著層上，系將每一該晶粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼附在該黏著層上，且該些晶粒之間系以該些凸出肋間隔； 形成一高分子材料層在該黏著層及部份該些晶粒上； 覆蓋一模具裝置在該高分子材料層上，并使該模具裝置與每一該晶粒的下表面接觸，以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層充滿(mǎn)在該些晶粒之間；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面； 脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面及曝露出由該些凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道于該高分子材料層的該表面上，以形成一封膠體；形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及該每一該金屬線(xiàn)段并曝 露出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一該晶粒的四個(gè)面由該高分子材料層所包覆。
6、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒； 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的XX-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該晶 粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼附在該基板的該黏著層上；形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋的模具裝置在該高分子材料層上，以平坦 化該高分子材料層，使得該高分子材料層填滿(mǎn)在該些晶粒之間并包覆住每 一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面，并形成由該些 凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道在該曝露的高分子材料層的該表面上；脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面的該些焊 墊，以形成一封膠體；形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的該主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并嚼 露出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的五個(gè)面由該高分子材料層所包覆。
7、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒;形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，且該基板上配置有一黏著層，將每一該品粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼附在該基板的該黏著層上； 形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一配置有復(fù)數(shù)個(gè)凸出肋的模具裝置在該高分子材料層上，并使該 模具裝置與每一該晶粒的下表面接觸，以平坦化該高分子材料層，使得該 高分子材料層填滿(mǎn)在該些晶粒之間；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料層的一表面，并形成由該些 凸出肋所構(gòu)成的復(fù)數(shù)條渠道在該曝露的高分子材料層的該表面上；脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面的該些焊 墊，以形成一封膠體；形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的復(fù) 數(shù)個(gè)焊墊電性連接；形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的四個(gè)面系由該高分子材料層所包覆。
8、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供一圓片，具有一上表面及一背面，且該圓片上配置有復(fù)數(shù)個(gè)晶粒; 形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在該圓片的每一該晶粒的該背面的X-Y方向上；切割該圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一該晶粒具有一主動(dòng)面并于該主 動(dòng)面上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復(fù)數(shù)個(gè)第一凸出肋；貼附該些晶粒在該黏著層上，將每一該晶粒的該主動(dòng)面以覆晶方式貼 附在該黏著層的上，且該些晶粒之間是以該些第一凸出肋間隔； 形成一高分子材料層在該黏著層及部份該晶粒上；覆蓋一配置有復(fù)數(shù)個(gè)第二凸出肋的模具裝置在該高分子材料層之上，以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層填滿(mǎn)于該些晶粒之間并包 覆每一該些晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的一第一表面，并形成復(fù)數(shù) 條第一渠道在曝露的該第一表面上；脫離該基板及該黏著層，以曝露出每一該晶粒的該主動(dòng)面的該些焊墊 及曝露出該高分子材料層的一第二表面，以形成一封膠體，其中該第二表 面上具有復(fù)數(shù)條第二渠道；形成復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該 些焊墊電性連接；形成一保護(hù)層，以覆蓋每一該晶粒的主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露 出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，將該些電性連接組件與該些金屬線(xiàn)段的另 一端電性連接；及切割該封膠體，以形成復(fù)數(shù)個(gè)各自獨(dú)立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的五個(gè)面由該高分子材料層所包覆。
9、 一種晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)，包括一晶粒，具有一主動(dòng)面及一下表面，于該主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊且于該下表面配置復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；一封膠體，用以包覆該晶粒的五個(gè)面且曝露出該晶粒的該主動(dòng)面上的 該些焊墊；復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該些焊 墊電性連接；一保護(hù)層，用以覆蓋該晶粒的該主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露出每一該金屬線(xiàn)段的另一端；及復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，設(shè)置于該些扇出的金屬線(xiàn)段的另一端上與該些 焊墊形成電性連接。
10、 一種晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)，包括一晶粒，具有一主動(dòng)面及一下表面，于該主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊且于該下表面配置復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；一封膠體，用以包覆該晶粒的四個(gè)面且曝露出該晶粒的該主動(dòng)面上的 該些焊墊及該晶粒的該下表面；復(fù)數(shù)條扇出的金屬線(xiàn)段，該些金屬線(xiàn)段的一端與該些晶粒上的該些'席 墊電性連接；一保護(hù)層，用以覆蓋該晶粒的該主動(dòng)面及每一該金屬線(xiàn)段并曝露出每 一該金屬線(xiàn)段的另一端；及復(fù)數(shù)個(gè)電性連接組件，設(shè)置于該些金屬線(xiàn)段的另一端上與該些焊墊形 成電性連接。
全文摘要
一種在晶粒重新配置的封裝結(jié)構(gòu)中使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的制作方法，包括提供圓片并形成復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在圓片背面的x-y方向上；切割圓片，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒且每一顆晶粒的主動(dòng)面上配置有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊以及在下表面的x-y方向上配置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；貼附復(fù)數(shù)個(gè)晶粒至基板上，并在基板以及部分的晶粒上涂布高分子材料層；以模具裝置進(jìn)行一封膠工藝以包覆住每一顆晶粒；在脫離模具裝置及基板后，可形成一封膠體。
文檔編號(hào)H01L23/31GK101436554SQ20071018870
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2007年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日
發(fā)明者傅文勇 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司