專利名稱：制造薄膜晶體管基板的方法和使用該方法的制造系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總地涉及一種制造薄膜晶體管基板的方法和使用該方法的制造 系統(tǒng)。更特別地，本發(fā)明涉及在制造薄膜晶體管基板的工藝期間減少腐蝕性 物質的產生。
背景技術：
隨著LCD的尺寸增大，為了增大開口率和改善LCD的質量，需要減小 薄膜晶體管(TFT)基板的柵極和源極/漏極布線的電阻以及確保以微尺度形 成各布線的方法。
為了進行這樣的改進，當制造TFT基板時，多層薄金屬膜可用于柵極和 源極/漏極布線。薄金屬膜被干法蝕刻且被清潔。
然而，在干法蝕刻和清潔薄金屬膜的工藝期間，殘存在薄金屬膜上的蝕 刻氣體產生了由金屬氧化物引起的腐蝕性物質。這樣的腐蝕性物質導致了有 舉陷的LCD。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種制造TFT基板的方法，其中可減少腐蝕性物質的產生。
本發(fā)明還提供使用上述方法制造TFT基板的系統(tǒng)。
本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中被闡明，且將部分地從該描述而變 得明顯，或者可以通過實踐本發(fā)明而領悟。
本發(fā)明公開一種制造薄膜晶體管基板的方法，該方法包括提供蝕刻單 元和絕緣基板，該絕緣基板包括薄金屬膜，且干法蝕刻該絕緣基板以形成電 路圖案；為等待清潔的絕緣基板提供等待單元；在絕緣基板等待時，通過具 有多個噴嘴的清潔單元執(zhí)行初步清潔操作，且檢查該初步清潔操作；以及基 于檢查結果執(zhí)行關于絕緣基板的主清潔操作。
本發(fā)明還公開一種制造薄膜晶體管基板的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括用于干法蝕 刻絕緣基板和沉積在該絕緣基板上的薄金屬膜以形成電路圖案的蝕刻單元；
用于從蝕刻單元接收該絕緣基板的等待單元；包含多個噴嘴的清潔單元，該
清潔單元用于從等待單元接收該絕緣基板且執(zhí)行主清潔操作；位于等待單元 和清潔單元之間用于傳送該絕緣基板的傳送單元；以及當該絕緣基板在等待 單元中等待時控制清潔單元執(zhí)行初步清潔操作的控制單元，該控制單元檢查 該清潔單元是否正常操作且基于檢查結果決定該絕緣基板的主清潔操作。
應理解，前面的概括描述和下面的詳細描述都是示范性和說明性的，意 在提供對要求保護的本發(fā)明的進一步說明。


附圖被包括來提供對本發(fā)明的進 一 步理解且被引入并構成本說明書的 一部分，附圖示出本發(fā)明的實施例，且與說明書文字部分一起用于說明本發(fā) 明的原理。
圖1是示出制造LCD的工藝的流程圖。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明 一 示范性實施例制造TFT基板的方法的流程圖。 圖3是示出用于圖2所示的方法的制造系統(tǒng)的框圖。 圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13和圖 14是示出根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例制造TFT基板的方法的中間結構的截面圖。
圖15、圖16、圖17、圖18和圖19是示出在才艮據(jù)本發(fā)明另一示范性實 施例的制造TF T基板的方法中的中間結構的截面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的實施例。然而， 本發(fā)明可以以許多不同形式體現(xiàn)，且不應解釋為局限于這里提出的實施例。 相反地，提供這些實施例以使得公開是徹底的，且將向本領域技術人員充分 傳達本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清楚而可放大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。 附圖中相似的附圖標記表示相似的元件。
應理解，當提及元件或層在另一元件或層"上"或"連接到"另一元件 或層時，其能直接在另一元件或層上或直接連接到另一元件或層，或者可存 在居間元件或層。相反，當提及元件"直接"在另一元件或層"上"或"直 接連接到"另一元件或層時，沒有居間元件或層存在。
圖1是示出制造LCD的工藝的流程圖。
參照圖1，制造LCD的工藝包括TFT工藝(SIO)、 C/F工藝(S20)、 液晶單元工藝(S30)和模塊工藝(S40)。
在TFT工藝(S10 )期間，可通過在絕緣基板上形成TFT和像素電極來 制造TFT基板。在C/F工藝(S20)期間，可通過在絕緣基板上形成濾色器 (CF)和公共電極來制造濾色器基板。在液晶單元工藝(S30)期間，分別 在TFT工藝(S0)和C/F工藝(S20)期間制造的TFT基板和濾色器基板 彼此結合，在他們之間有間隙，液晶注入在他們之間從而制造液晶面板。在 模塊工藝(S40)期間，在液晶單元工藝(S30)期間制造的液晶面板耦合到 另一模塊以完成LCD。
上述工藝的每個可包括多個詳細步驟。例如，TFT工藝(S10)可包括 用于薄膜形成、沉積、光刻和蝕刻的步驟，其在制造硅半導體的工藝的情況 下被重復，以及在每個步驟之前和之后執(zhí)行的檢查和清潔步驟。
現(xiàn)在將參照圖2至19詳細描述TFT工藝。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例制造TFT基板的方法的流程圖， 圖3是示出使用圖2所示的方法的制造系統(tǒng)的框圖。
參照圖2,制造TFT基板的方法包括在基板上沉積薄金屬膜的步驟 (Slll)、蝕刻薄金屬膜的步驟(S112)、基板等待被清潔的步驟(S113)、 初步清潔步驟(S114)和主清潔步驟(S116)。該方法還可包括在初步清潔 步驟(S114)和主清潔步驟(S116)之間決定清潔操作是否如期望地進行的 步驟(S115)。蝕刻薄金屬膜的步驟(S112)可重復進行。
參照圖3，用于制造TFT基板的系統(tǒng)200可包括蝕刻單元110、等待單 元120、傳送單元130、清潔單元140和控制單元150?？刂茊卧?50可包括 檢測部分(sensing portion) 151、驅動部分152、測量/比較部分153和控制 部分154。清潔單元140可具有用于噴淋清潔液體的多個噴嘴(未示出)。
現(xiàn)在將參照圖2和圖3更詳細地描述制造TFT基板的系統(tǒng)200的操作。
依照預定方法例如濺射，在基板例如由透明玻璃或塑料制成的絕緣基板 上沉積薄金屬膜(Sill )。
在沉積薄金屬膜之后，基板移到蝕刻單元110以蝕刻所沉積的薄金屬膜 (SU2)。蝕刻薄金屬膜的方法可包括干法蝕刻和濕法蝕刻。在本示例性實 施例中，采用干法蝕刻以在微尺度上控制薄金屬膜的蝕刻深度。在蝕刻期間
使用的氣體可以是Cl基氣體。然而，在本發(fā)明中氣體的類型不限于此，且
可選自C1、 HCL、 BC1、 SF6、 CF4、以及這些氣體的至少兩種的組合。
在被獨刻之后，基板移到等待單元120,在其中基板等待被清潔(S113 )。 蝕刻單元110和等待單元120可以是真空室。
當基板在等待單元120中等待被清潔時(S113),清潔單元140被驅動 預定時間以執(zhí)行初步清潔操作(S114)。更特別地，當在蝕刻后基板從蝕刻 單元110移到等待單元120時，控制單元150的檢測部分151檢測等待單元 120內的基板且提供對應信號給驅動部分152。檢測部分151可以是發(fā)光/光 接收二極管。
接收到來自檢測部分151的信號后，在基板移到清潔單元140之前驅動 部分152驅動清潔單元140預定時間以進行初步清潔操作，即通過多個噴嘴 噴淋清潔液體約1-5秒(S114)。
然后控制單元150決定清潔單元140是否正常操作(S115)。特別地， 控制單元150的測量/比較部分153測量在清潔單元140的初步清潔操作期間 噴淋的清潔液體的量，且將所測量的量與參考值比較?；趤碜詼y量/比較部 分153的結果，控制部分154決定是否傳送基板。
當通過測量/比較部分153測量的清潔液體的量小于參考值時，控制部分 154不驅動傳送單元130，而是使基板在等待單元120內等待。在糾正清潔 單元140的反常操作(如果有的話)之后，再次執(zhí)行清潔單元140的初步清 潔操作(S114)。現(xiàn)在可執(zhí)行基板的主清潔(S116)。
當通過測量/比較部分153測量的清潔液體的量基本等于或大于參考值 時，控制部分154^吏基板傳送到清潔單元140。控制部分154基于來自測量/ 比較部分153的結果驅動傳送單元130。然后，傳送單元130將基板從等待 單元120移至清潔單元140。
這樣，已被蝕刻單元IIO蝕刻的基板在經歷清潔工藝之前在維持在真空 的等待單元120中等待。這減少了用于清潔工藝的基板暴露到空氣的時間， 且因此減少了殘余在薄金屬膜表面上的氣體產生的腐蝕性物質的量。
傳送單元130可以是機械臂。
清潔單元140從傳送單元130接收基板且執(zhí)行主清潔操作(S116)。通 過清潔單元140的噴嘴噴淋的清潔液體可以是高溫去離子(DI)水，但是本 發(fā)明的清潔液體不限于此。清潔單元140可通過使用具有約80-IO(TC溫度的
I)I水執(zhí)行關于被蝕刻的基板的主清潔操作(S116)。
雖然圖中未示出，但是額外的傳送單元130可位于蝕刻單元IIO和等待 單元120之間以傳送基板。
現(xiàn)在將參照圖2至圖14更詳細地描述上述制造TFT基板的方法。圖4 至圖14是示出根據(jù)本發(fā)明 一 示范性實施例制造TFT基板的方法的中間結構 的截面圖。將參照圖4至圖14以及圖2和3描述當前的示例性實施例。為 了清楚，在下面的描述中假定使用四個掩模來制造TFT基板。圖2所示的根 據(jù)本發(fā)明一示例性實施例制造TFT基板的方法應用于形成需要微尺度布線 圖案的T廠r基板的數(shù)據(jù)布線的工藝。然而，本領域技術人員能夠容易地理解， 本發(fā)明不限于該假設，且還適用于形成柵極布線的工藝。
參照圖4,柵導電層通過預定方法(例如濺射)堆疊在絕緣基板10的前 表面上，且經歷光刻以形成斥冊極布線，4冊極布線包括柵極線(未示出)、柵 極電極24和維持電極線(未示出)。柵極線、柵極電極24和維持電極線可 由包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti )、鉭(Ta )、 或其合金的單層或多層制成。柵導電層可通過上述方法即濕法蝕刻或干法蝕 刻而,皮々蟲刻。
參照圖2、圖4和圖5,在圖4所示產物的前表面上形成柵極絕緣膜30、 未摻雜非晶硅層40和摻雜非晶硅層50。例如，化學氣相沉積(CVD)或等 離子體增強化學氣相沉積(PECVD )可在該步驟期間被使用且被操作作為持 續(xù)沉積或臨場(in situ)的一部分。
柵極絕緣膜30可由氮化硅(SiNx)制成且可具有約1500-5000埃的沉 積厚度。未摻雜非晶硅層40可由非晶硅氫化物制成且可具有約500-2000埃 的沉積厚度。摻雜非晶硅層50可由被摻雜以高水平n型雜質的n+非晶硅氫 化物制成，具有約300-600埃的沉積厚度。
其后，如上所述，在摻雜非晶硅層50上沉積由薄金屬膜制成的數(shù)據(jù)導 電層60(S111)。數(shù)據(jù)導電層60可由包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬 (Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、或其合金的單層或多層形成。優(yōu)選地， 數(shù)據(jù)導電層60由能被千法蝕刻的物質形成。例如，數(shù)據(jù)導電層60可由鉬或 鈦的單層，鈦/鋁雙層，或者鈦/鋁/鈦、鈦/鋁/氮化鈦、或鉬/紹/鉬三層形成。 然而，數(shù)據(jù)導電層60可由各種材料形成，它可具有各種分層結構。可通過 賊射沉積數(shù)據(jù)導電層60。
參照圖5和圖6,在數(shù)據(jù)導電層60上設置光致抗蝕劑膜。光致抗蝕劑膜 可由包4舌光致酸生成劑(photo acid generator, PAG)的正型光致抗蝕劑和/ 或包括光激活交聯(lián)劑(photo active crosslinker, PAC)的負型光致抗蝕劑形 成。為了在隨后工藝中更精確地構圖，考慮到圖案外側的傾斜角接近于直角， 可使用負型光致抗蝕劑。
然后光致抗蝕劑膜被曝光和顯影以定義布線部分、具有第一厚度T,的 第一區(qū)域、溝道部分和具有第二厚度丁2的第二區(qū)域。這提供了第一光致抗 蝕劑圖案IOO。第二厚度丁2比第一厚度T,小。第一光致抗蝕劑膜100的第 一和第二厚度T,和丁2之間的比率取決于蝕刻工藝(稍后描述)所需的工藝 條件。為了形成具有不同厚度的第一光致抗蝕劑圖案100,可以使用狹縫掩 模(slit mask )或半色調4奄沖莫(halftone mask )。
參照圖2、圖3、圖6和圖7,第一光致抗蝕劑圖案100用作蝕刻掩模以 蝕刻暴露的數(shù)據(jù)導電層60且形成圖案化數(shù)據(jù)導電層61 ( S112)?？筛煞ㄎg刻 數(shù)據(jù)導電層60。特別地，其上形成有數(shù)據(jù)導電層60和第一光致抗蝕劑圖案 100的絕緣基板10移到蝕刻單元110，蝕刻單元10使用Cl基氣體并蝕刻數(shù) 據(jù)導電層60從而形成圖案化數(shù)據(jù)導電層61。所得圖案化數(shù)據(jù)導電層61可具 有包括源極和漏極電極65和66的數(shù)據(jù)布線(稍后描述)類型。
參照圖2、圖7和圖8，使用圖7所示產物以蝕刻暴露的摻雜非晶硅層 50和未摻雜非晶硅層40,從而形成電阻接觸層圖案51和半導體層圖案41 (S112)。第一光致抗蝕劑圖案100可以如圖7所示的情況類似地用作蝕刻 掩模。本示例性實施例中的蝕刻工藝與上述用于蝕刻數(shù)據(jù)導電層60的工藝 基本相同，這里將省略其重復描述。
參照圖8和圖9,圖8所示的第一光致抗蝕劑圖案10(H皮回蝕刻以形成 第二光致抗蝕劑圖案101。特別地，移除第一光致抗蝕劑圖案100的第二區(qū) 域從而所得第二光致抗蝕劑圖案101僅具有第一區(qū)域。第二光致抗蝕劑圖案 101的第一區(qū)域的厚度可小于第一光致抗蝕劑圖案100的第一區(qū)域。然后， 執(zhí)行灰化以從溝道區(qū)域中數(shù)據(jù)導電層60的表面移除第一光致抗蝕劑圖案 100的殘余物。
參照圖2、圖9和圖10，第二光致抗蝕劑圖案101用作蝕刻掩模以蝕刻 圖案化數(shù)據(jù)導電層61且形成具有溝道區(qū)域的數(shù)據(jù)布線，例如包括數(shù)據(jù)線(未 示出)、源極電極65和漏極電極66的數(shù)據(jù)布線(S112 )。本示例性實施例的蝕刻工藝可以以與上述蝕刻數(shù)據(jù)導電層60的工藝以及蝕刻非晶硅層50和未 摻雜非晶硅層40的工藝基本相同的方式進行。
參照圖2、圖10和圖11,還進行蝕刻工藝以在溝道區(qū)域中移除并分隔 開電阻接觸層圖案51從而完成電阻接觸層55和56 (S112)。為了完成電阻 接觸層55和56在溝道區(qū)域中的分隔，可部分地過蝕刻在下面的半導體層圖 案41以形成半導體層44。盡管這可以通過使用與蝕刻圖案化數(shù)據(jù)導電層61 的氣體(例如Cl基氣體)相同的氣體而連續(xù)地進行(即以批處理方式)，但 是為了方便，還可以使用除了圖10所示的步驟中使用的氣體之外的氣體以 實現(xiàn)更精確的控制和更迅速的處理，或者可采用其他蝕刻條件。
上面的步驟完成了數(shù)據(jù)布線，其包括數(shù)據(jù)線(未示出)、源極電極65和 漏極電極66。
參照圖2、圖3和圖11，在蝕刻工藝結束之后，絕緣基板10從蝕刻單 元U0移至等待單元120,絕緣基板IO在其中等待被清潔(S113)。應注意， 上述蝕刻工藝可在維持真空的蝕刻單元110內以批處理方式進行。在用于形 成數(shù)據(jù)布線的蝕刻工藝之后，在所有蝕刻工藝結束后執(zhí)行清潔工藝。
如圖11所示，在被蝕刻薄金屬膜(例如數(shù)據(jù)布線)的截面上可殘余有 氣體(例如C1氣體)。當絕緣基板IO在清潔期間暴露到空氣時，Cl氣體可 產生腐蝕性物質，例如鋁氬化物(Al(OH)3),如下面給出的反應定義的那樣。
A1 + C1仏"> HC1 + A1(0H)3
慮及此，根據(jù)本示例性實施例，用于測試清潔單元140的操作的初步清 潔步驟(S114)位于用于清潔被蝕刻的絕緣基板10的主清潔步驟(S116) 之前。這縮短了絕緣基板IO暴露到空氣的時間。
更特別地，當絕緣基板IO在等待單元120中等待被清潔(S113)時， 清潔單元140進行初步清潔操作(S114)?？刂茊卧?50纟全查清潔單元140 的清潔操作(SU5)。如果清潔操作正常，則絕緣基板IO通過傳送單元130 移至清潔單元140并經歷主清潔操作(S116X如果清潔操作不正常，則絕 緣基板IO保留在等待單元120中(S113)。
如上所述，這最小化了絕緣基板10在清潔期間暴露到空氣的時間，且 減少了形成在被蝕刻的薄金屬膜例如數(shù)據(jù)布線上的腐蝕性物質。
雖然未在圖2中示出，但是在絕緣基板10的主清潔操作(S116)之后 可執(zhí)行用于干燥殘余在絕緣基板10上的清潔液體的工藝。
參照圖11和圖12,在清潔絕緣基板10之后，通過使用光致抗蝕劑圖案 剝離劑從絕緣基板10完全移除第二光致抗蝕劑圖案101。
參照圖12和圖13，通過使用CVD或PECVD在圖12所示產物的前表 面上堆疊保護膜70。
圖案化保護膜70以形成部分地暴露漏極電極66的接觸孔76。
最后，參照圖13和圖14，具有400-500埃厚度的導電膜(例如ITO層) 堆疊在圖13所示的產物上且被構圖以形成連接到漏極電極66的像素電極 82。這完成了如圖14所示的TFT基板。
雖然已經參照用于TFT基板的四掩模工藝描述了根據(jù)本發(fā)明一示例性 實施例的制造TFT基板的方法，但是本發(fā)明不以任何方式局限于此?，F(xiàn)在將 參照用于TFT基板的五掩模工藝描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的制造 'n'T基板的方法。
圖15至圖19是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例制造TFT基板的方法 的中間結構的截面圖。
如圖4所示，在絕緣基板10上形成柵極布線，其包括柵極線(未示出)、 柵極電極24和維持電極線(未示出)。
參照圖15,在絕緣基板10的前表面上形成柵極絕緣膜30、未摻雜非晶 硅層40和摻雜非晶硅層50以覆蓋柵極電極24。形成柵極布線、柵極絕緣膜 30、未摻雜非晶硅層40和摻雜非晶硅層50的方法可基本類似于關于前面的 示例性實施例描述的方法。
參照圖15和圖16,蝕刻摻雜非晶硅層50和未摻雜非晶硅層40以形成 電阻接觸層圖案51和半導體層圖案41。特別地，光致抗蝕劑膜被應用到圖 15所示的產物，且通過光刻/蝕刻工藝被構圖。所得光致抗蝕劑膜用作蝕刻 掩模以通過千法蝕刻工藝蝕刻摻雜非晶硅層50和未摻雜非晶硅層40，但是 蝕刻類型不限于此。
參照圖2、圖16和圖17，在圖16所示產物上沉積數(shù)據(jù)導電層60(S1U)。 如上所述，數(shù)據(jù)導電層60可由包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、 鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、或其合金的單層或多層形成。
光致抗蝕劑膜設置在所沉積的數(shù)據(jù)導電層60上且被圖案化以形成第三 光致抗蝕劑圖案103，其可被圖案化以暴露數(shù)據(jù)導電層60的溝道區(qū)域。
參照圖2、圖3、圖17和圖18，第三光致抗蝕劑圖案103用作蝕刻掩模
以蝕刻暴露的數(shù)據(jù)導電層60以形成具有溝道區(qū)域的數(shù)據(jù)布線，例如包括數(shù)
據(jù)線(未示出)、源極電極65和漏極電極66的數(shù)據(jù)布線(S112)。特別地， 其中形成有數(shù)據(jù)導電層60和第三光致抗蝕劑圖案103的絕緣基板IO移到蝕 刻單元110,其使用氣體(例如C1基氣體)干法蝕刻數(shù)據(jù)導電層60且形成
數(shù)據(jù)布線。
參照圖2、圖3、圖18和圖19，還進行蝕刻工藝以在溝道區(qū)域中移除并 分隔開電阻接觸層圖案51從而完成電阻接觸層55和56 (S112)。為了在溝 道區(qū)域中完全分隔電阻接觸層55和56,可部分地過蝕刻在下面的半導體層 圖案41以形成半導體層44。
如上參照圖11所述，氣體(例如C1氣體)可殘余在被蝕刻的數(shù)據(jù)布線 的截面上。因此，執(zhí)行清潔工藝以移除殘余在數(shù)據(jù)布線的截面上的氣體。
特別地，在絕緣基板IO被蝕刻單元IIO蝕刻之后，其移至等待單元120 且等待被清潔(S113)。在這期間清潔單元140執(zhí)行初步清潔操作(S114)。 然后控制單元15(H全查清潔單元140的清潔操作(S115)。如果清潔操作正 常，則絕緣基板10通過傳送單元130傳送至清潔單元140從而能執(zhí)行主清 潔操作(S116)。如果清潔單元140的清潔操作不正常，則絕緣基板10在等 待單元120中等待時(S113)糾正反常的操作。然后工藝從初步清潔操作 (S114)繼續(xù)。
如上所述，這最小化了絕緣基板10在清潔期間暴露到空氣的時間，且 減少了形成在被蝕刻的數(shù)據(jù)布線上的腐蝕性物質。
清潔工藝結束后，絕緣基板10經歷與參照圖12、 13和14描述的制造 T1T基板的工藝基本相同的工藝。這完成了如圖14所示的TFT基板。
如上所述，本發(fā)明的制造TFT基板的方法和在該方法中使用的制造系統(tǒng) 具有如下優(yōu)點。
第一，可以減少在制造TFT基板的工藝期間腐蝕性物質的產生。這降低
了 LCD的缺陷率。
第二，在制造工藝期間能有效地安排TFT基板等待被清潔的時段。
對本領域技術人員顯然的是，在本發(fā)明中可進行各種修改和變型而不偏
離本發(fā)明的思想和范圍。因此，本發(fā)明意在覆蓋發(fā)明的修改和變型，只要他
們落在所附權利要求及其等價物的范圍內。
權利要求
1、一種制造薄膜晶體管基板的方法，該方法包括提供蝕刻單元和包括薄金屬膜的絕緣基板，且干法蝕刻該絕緣基板以形成電路圖案；為等待被清潔的該絕緣基板提供等待單元；在該絕緣基板等待時通過具有多個噴嘴的清潔單元執(zhí)行初步清潔操作，且檢查該初步清潔操作；以及基于檢查結果對該絕緣基板執(zhí)行主清潔操作。
2、 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中執(zhí)行該初步清潔操作包括 在該等待單元中檢測該絕緣基板；當該絕緣基板在該等待單元中時，通過該清潔單元的噴嘴噴淋清潔液體 以執(zhí)行該初步清潔操作；和觀'J量在該初步清潔操作期間噴淋的該清潔液體的量且將該量與參考值比較。
3、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中通過該清潔單元執(zhí)行該初步清潔 操作，且當該清潔單元未被提供有該絕緣基板時，通過噴嘴噴淋該清潔液體 約1-5秒。
4、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中當測量的該清潔液體的量基本等 于或大于參考值時，該絕緣基板被傳送到該清潔單元以用于該主清潔操作。
5、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中當測量的該清潔液體的量小于參 考值時，該絕緣基板保留在該等待單元中。
6、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中該清潔液體是高溫去離子水。
7、 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中當通過該蝕刻單元干法蝕刻該絕 緣基板時使用Cl基氣體。
8、 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中該蝕刻單元和該等待單元處于真 空狀態(tài)。
9、 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中該薄金屬膜具有包含Al的多層結構。
10、 根據(jù)權利要求9所述的方法，其中該薄金屬膜是Al/Mo雙層膜或 Mo/Al/Mo三層膜。
11、 根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括在干法蝕刻該絕緣基板以形成 該電路圖案之前在該絕緣基板的上表面上形成柵極布線和柵極絕緣膜，該電 路圖案是形成在該柵極絕緣膜的上部分上的數(shù)據(jù)布線。
12、 一種用于制造薄膜晶體管基板的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括蝕刻單元，用于干法蝕刻絕緣基板和沉積在該絕緣基板上的薄金屬膜以形成電路圖案；等待單元，用于從該蝕刻單元接收該絕緣基板；包含多個噴嘴的清潔單元，該清潔單元用于從該等待單元接收該絕緣基板且執(zhí)行主清潔操作；位于該等待單元和該清潔單元之間以傳送該絕緣基板的傳送單元；以及 當該絕緣基板在該等待單元中等待時控制該清潔單元執(zhí)行初步清潔操作的控制單元，該控制單元用于檢查該清潔單元是否操作正常且基于檢查結果決定該絕緣基板的主清潔操作。
13、 根據(jù)權利要求12所述的系統(tǒng)，其中該控制單元包括 當該絕緣基板在該等待單元中時用于檢測的檢測部分； 當該絕緣基板在該等待單元中時用于開始該清潔單元的該初步清潔操作的驅動部分；用于測量通過該清潔單元的該噴嘴噴淋的清潔液體的量且將該量與參 考值比較的測量/比較部分；以及用于基于該測量/比較部分的比較結果向該傳送單元提供信號使得該絕 緣基板的傳送被控制的控制部分。
14、 根據(jù)權利要求13所述的系統(tǒng)，其中該驅動部分用來通過該噴嘴噴 淋該清潔液體約1-5秒。
15、 根據(jù)權利要求13所述的系統(tǒng)，其中該清潔液體是高溫去離子水。
16、 根據(jù)權利要求13所述的系統(tǒng)，其中當通過該噴嘴噴淋的該清潔液 體的量基本等于或大于參考值時，該控制部分用來驅動該傳送單元使得該絕 緣基板被傳送至該清潔單元。
17、根據(jù)權利要求13所述的系統(tǒng)，其中當通過該噴嘴噴淋的該清潔液 體的量小于參考值時，該控制部分不驅動該傳送單元，使得該絕緣基板在該 等待單元中等待。
18、根據(jù)權利要求12所述的系統(tǒng)，其中該蝕刻單元和該等待單元處于真空狀態(tài)。
19、 根據(jù)權利要求12所述的系統(tǒng)，其中該薄金屬膜是包含A1的多層， 且該蝕刻單元使用Cl基氣體蝕刻該薄金屬膜。
20、 根據(jù)權利要求12所述的系統(tǒng)，其中在該絕緣基板的上表面上形成柵極布線和柵極絕緣膜，且該電路圖案是形成在該柵極絕緣膜的上部分上的 數(shù)據(jù)布線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造薄膜晶體管基板的方法和使用該方法的制造系統(tǒng)，其中在制造薄膜晶體管基板的工藝期間減少了腐蝕性物質的產生。該方法包括提供蝕刻單元和其上已沉積有薄金屬膜的絕緣基板，且干法蝕刻該絕緣基板以形成預定電路圖案；為等待被清潔的該絕緣基板提供等待單元；在該絕緣基板等待時通過具有多個噴嘴的清潔單元執(zhí)行初步清潔操作，且檢查該初步清潔操作；以及基于檢查結果對該絕緣基板執(zhí)行主清潔操作。
文檔編號H01L21/00GK101174555SQ20071019446
公開日2008年5月7日 申請日期2007年11月5日 優(yōu)先權日2006年11月3日
發(fā)明者丁有光, 吳旼錫, 宋仁虎, 崔升夏, 秦洪基, 金基鉉, 金湘甲 申請人:三星電子株式會社