專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種具有較佳散熱效果的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
目前，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)因具光質(zhì)佳及發(fā)光效率高等特性而逐 漸取代冷陰極熒光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)，成為照明裝置中的發(fā)光元 件，具體可參閱Michael S. Shur等人在文獻(xiàn)Proceedings of the IEEE， Vol. 93， No. 10 (2005年10月)中發(fā)表的"Solid-State Lighting: Toward Superior Illumination" ^^文。
發(fā)光二極管在使用過程中的穩(wěn)定性容易受周圍溫度的影響，例如，當(dāng)溫度過高時(shí)，發(fā)光 二極管芯片的發(fā)光強(qiáng)度容易發(fā)生衰減，從而導(dǎo)致其使用壽命變短。
有鑒于此，提供一種可獲得較佳散熱效率的發(fā)光二極管實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容
下面將以實(shí)施例說明一種具有較佳散熱效率的發(fā)光二極管。
一種發(fā)光二極管，其包括一個(gè)發(fā)光二極管芯片， 一個(gè)第一導(dǎo)電塊， 一個(gè)第二導(dǎo)電塊以及 一個(gè)透明封裝體。該發(fā)光二極管芯片具有一第一電極和一第二電極，該第一導(dǎo)電塊上形成一 碗杯以容納承載該發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的第一電極與該第一導(dǎo)電塊形成電性 連接，以使該第一導(dǎo)電塊作為該發(fā)光二極管的第一電極。該第二導(dǎo)電塊與該第一導(dǎo)電塊電絕 緣，該發(fā)光二極管芯片的第二電極與該第二導(dǎo)電塊形成電性連接，以使該第二導(dǎo)電塊作為該 發(fā)光二極管的第二電極。該透明封裝體覆蓋在該發(fā)光二極管芯片，第一導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊 之上。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明本發(fā)明的發(fā)光二極管利用在塊狀的第一導(dǎo)電塊上形成碗杯以容 納承載該發(fā)光二極管芯片，且利用該第一導(dǎo)電塊以及第二導(dǎo)電塊作為該發(fā)光二極管的第一電 極及第二電極，因此，其并不需要對(duì)該第一導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊進(jìn)行彎折，從而不存在應(yīng)力 的問題。且由于該發(fā)光二極管芯片是設(shè)置在該塊狀的第一導(dǎo)電塊上的，因此，該第一導(dǎo)電塊 可以對(duì)發(fā)光二極管芯片進(jìn)行散熱以降低該發(fā)光二極管芯片的溫度，從而延長該發(fā)光二極管芯 片的壽命，并使該發(fā)光二極管具有較佳的散熱效率。進(jìn)一步地，由于該該發(fā)光二極管芯片是 設(shè)置在該塊狀的第一導(dǎo)電塊的碗杯上的，而該塊狀的第一導(dǎo)電塊是同種材質(zhì)一體成型的，因 此，該第一導(dǎo)電塊的熱膨脹系數(shù)相同，在使用中不會(huì)由于熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生裂痕，導(dǎo)致水氣沿裂痕進(jìn)入該碗杯中腐蝕該發(fā)光二極管芯片。


圖l是本發(fā)明第一實(shí)施例所提供的一種發(fā)光二極管的示意圖。
圖2是如圖1所示的發(fā)光二極管的仰視圖。
圖3是如圖1所示的發(fā)光二極管安裝在一電路板上的示意圖。
圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例所提供的一種發(fā)光二極管的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請(qǐng)參閱圖1及圖2，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管100，該發(fā)光二極管100包括 一個(gè)發(fā)光二極管芯片110， 一個(gè)第一導(dǎo)電塊120， 一個(gè)第二導(dǎo)電塊130，以及一個(gè)透明封裝體 140。
該發(fā)光二極管芯片lIO上具有一個(gè)第一電極I 11以及一個(gè)第二電極l 12。在該第一電極 111以及第二電極l 12上施加一定的電壓可使該發(fā)光二極管芯片l IO發(fā)光。
該第一導(dǎo)電塊120為一塊狀結(jié)構(gòu)，其上形成一碗杯121以容納承載該發(fā)光二極管芯片110 。具體的，在該第一導(dǎo)電塊120的一表面上開設(shè)一凹槽，從而形成該碗杯121。該碗杯121可 通過對(duì)該第一導(dǎo)電塊120進(jìn)行沖壓、蝕刻、擠制、切削或其他成型方式而形成。該第一導(dǎo)電 塊120與該發(fā)光二極管芯片110的第一電極111間形成電性連接，以使該第一導(dǎo)電塊120作為該 發(fā)光二極管100的第一電極。在本實(shí)施例中，該第一導(dǎo)電塊120通過一導(dǎo)線161與該發(fā)光二極 管芯片110的第一電極111間形成電性連接。該第一導(dǎo)電塊120可采用鋁、銅等導(dǎo)電材料制成 。優(yōu)選的，該第一導(dǎo)電塊120的碗杯121上可涂敷一層反射層，其可采用銀或其他高反射率物 質(zhì)而制成，以增加增個(gè)發(fā)光二極管100的發(fā)光效率。該發(fā)光二極管芯片110可通過一粘膠粘附 在該第一導(dǎo)電塊120的碗杯121上。
該第二導(dǎo)電塊130為一個(gè)塊狀結(jié)構(gòu)，其與該第一導(dǎo)電塊120電絕緣。具體的，該第二導(dǎo)電 塊130與第一導(dǎo)電塊120之間設(shè)置一絕緣體150，以電絕緣該第二導(dǎo)電塊130與該第一導(dǎo)電塊 120，該絕緣體150可采用塑膠材質(zhì)制成。該第二導(dǎo)電塊130與該發(fā)光二極管芯片110的第二電 極112之間形成電性連接，以使該第二導(dǎo)電塊130作為該發(fā)光二極管100的第二電極。在本實(shí) 施例中，該第二導(dǎo)電塊130通過另一導(dǎo)線162與該發(fā)光二極管110的第二電極112之間形成電性 連接。該第二導(dǎo)電塊130可為一個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)，其橫截面可為矩形，正方形，三角形，多邊形 或圓形等等。該第二導(dǎo)電塊130可采用鋁、銅等導(dǎo)電材料制成。
該透明封裝體140覆蓋住該發(fā)光二極管芯片110，第一導(dǎo)電塊120以及第二導(dǎo)電塊130上以
5將其封裝在一起。該透明封裝體140可采用環(huán)氧樹脂(印oxy)、硅樹脂(silicone或其它透明 絕緣材質(zhì)制成。該透明封裝體140內(nèi)可摻入熒光粉，以將該發(fā)光二極管芯片110所發(fā)出的光轉(zhuǎn) 換為其他顏色的光，如白光。該透明封裝體140具有一相對(duì)于該發(fā)光二極管芯片的表面141， 該表面141可為圓弧形或平板形，以對(duì)該發(fā)光二極管芯片110所發(fā)出的光產(chǎn)生聚光作用，然后 出射。且該發(fā)光二極管的第一導(dǎo)電塊120以及第二導(dǎo)電塊130均位于該透明封裝體140的覆蓋 區(qū)域內(nèi)(如圖2所示)。
請(qǐng)一并參閱圖3，該發(fā)光二極管100的第一導(dǎo)電塊120及第二導(dǎo)電塊130可以通過表面黏著 方式設(shè)置在一電路板200上。具體地，該電路板200的第一表面210上涂敷有對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)電 塊120的第一導(dǎo)電膠220，以及對(duì)應(yīng)于第二導(dǎo)電塊130的第二導(dǎo)電膠230，將該發(fā)光二極管IOO 的第一導(dǎo)電塊120及第二導(dǎo)電塊130對(duì)應(yīng)設(shè)置在該電路板200的第一導(dǎo)電膠220及第二導(dǎo)電膠 230上，然后通過一錫爐，從而將該發(fā)光二極管100安裝在該電路板200上。該電路板200的第 二表面240上可設(shè)置一散熱元件250以對(duì)該發(fā)光二極管100及該電路板200進(jìn)行散熱。優(yōu)選的， 該第一導(dǎo)電膠220及第二導(dǎo)電膠230可為錫膏。
本發(fā)明的發(fā)光二極管100利用在塊狀的第一導(dǎo)電塊120上形成碗杯121以容納承載該發(fā)光 二極管芯片IIO，且利用該第一導(dǎo)電塊120以及第二導(dǎo)電塊130作為該發(fā)光二極管100的第一電 極及第二電極，因此，其并不需要對(duì)該第一導(dǎo)電塊120及第二導(dǎo)電塊130進(jìn)行彎折，從而不存 在應(yīng)力的問題。且由于該發(fā)光二極管芯片110是設(shè)置在該塊狀的第一導(dǎo)電塊120上的，因此， 該第一導(dǎo)電塊120可以對(duì)發(fā)光二極管芯片110進(jìn)行散熱以降低該發(fā)光二極管芯片110的溫度， 從而延長該發(fā)光二極管芯片110的壽命。進(jìn)一步地，由于該該發(fā)光二極管芯片110是設(shè)置在該 塊狀的第一導(dǎo)電塊l20的碗杯121上的，而該塊狀的第一導(dǎo)電塊l20是同種材質(zhì)一體成型的， 因此，該第一導(dǎo)電塊120的熱膨脹系數(shù)相同，在使用中不會(huì)由于熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生裂痕 ，導(dǎo)致水氣沿裂痕進(jìn)行碗杯121，腐蝕該發(fā)光二極管芯片IIO。
請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管300，該發(fā)光二極管300與第一實(shí) 施例所提供的發(fā)光二極管100大致相同，其不同在于，該發(fā)光二極管300進(jìn)一步包括一次黏著 基臺(tái)370，該發(fā)光二極管芯片310以覆晶方式(Flip chip)設(shè)置在該次黏著基臺(tái)370上。
具體的，該次黏著基臺(tái)370包括一絕緣基板(未標(biāo)示)以及一形成在該絕緣基板上的金屬 電路(圖未示)。該發(fā)光二極管芯片310的第一電極311及第二電極312通過金屬凸塊380接合在 該次黏著基臺(tái)370上，該金屬凸塊380可為錫球。通過該次黏著基臺(tái)370上的金屬電路及連接 該次黏著基臺(tái)370與該第一導(dǎo)電塊320及第二導(dǎo)電塊330的導(dǎo)線390，該發(fā)光二極管芯片310的 第一電極311與第二電極312分別與該第一導(dǎo)電塊320及第二導(dǎo)電塊330形成電性連接。該絕緣基板可采用硅，氮化鋁，氧化鈹，二氧化硅，鉆石，類鉆石等材質(zhì)制成。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效 果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
權(quán)利要求1一種發(fā)光二極管，其包括一個(gè)發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一第一電極和一第二電極；一個(gè)第一導(dǎo)電塊，該第一導(dǎo)電塊上形成一碗杯以容納承載該發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的第一電極與該第一導(dǎo)電塊形成電性連接，以使該第一導(dǎo)電塊作為該發(fā)光二極管的一第一電極；一個(gè)第二導(dǎo)電塊，其與該第一導(dǎo)電塊電絕緣，該發(fā)光二極管芯片的第二電極與該第二導(dǎo)電塊形成電性連接，以使該第二導(dǎo)電塊作為該發(fā)光二極管的一第二電極，該第一導(dǎo)電塊與該第二導(dǎo)電塊均為一塊狀結(jié)構(gòu)；一個(gè)透明封裝體，其覆蓋在該發(fā)光二極管芯片，第一導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊上。
2 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，進(jìn)一步包括一絕緣 體，其設(shè)置在該第一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊之間以將該第一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊電絕緣。
3 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片 的第一電極通過一導(dǎo)線與該第一導(dǎo)電塊形成電性連接，該發(fā)光二極管芯片的第二電極通過另 一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)電塊形成電性連接。
4 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管的第 一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊以表面黏著方式設(shè)置在一 電路板上。
5 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管的第 一導(dǎo)電塊與第二導(dǎo)電塊均位于該透明封裝體的覆蓋區(qū)域內(nèi)。
6 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一導(dǎo)電塊的碗 杯上涂覆一反射層。
7 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片 通過一粘膠設(shè)置在該第一導(dǎo)電塊的碗杯上。
8 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，進(jìn)一步包括一次黏 著基臺(tái)以及分別連接該次黏著基臺(tái)與該第一導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊的導(dǎo)線，該發(fā)光二極管芯片 以覆晶方式設(shè)置在該次黏著基臺(tái)上，且通過該次黏著基臺(tái)及導(dǎo)線，該發(fā)光二極管芯片的第一 電極與第二電極分別與該第一導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊形成電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片 通過金屬凸塊接合在該次黏著基臺(tái)上。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該次黏著基臺(tái)包 括一絕緣基板以及一形成在該絕緣基板上的金屬電路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，其包括一個(gè)發(fā)光二極管芯片，一個(gè)第一導(dǎo)電塊，一個(gè)第二導(dǎo)電塊以及一個(gè)透明封裝體。該發(fā)光二極管芯片具有一第一電極和一第二電極，該第一導(dǎo)電塊上形成一碗杯以容納承載該發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的第一電極與該第一導(dǎo)電塊形成電性連接，以使該第一導(dǎo)電塊作為該發(fā)光二極管的第一電極。該第二導(dǎo)電塊與該第一導(dǎo)電塊電絕緣，該發(fā)光二極管芯片的第二電極與該第二導(dǎo)電塊形成電性連接，以使該第二導(dǎo)電塊作為該發(fā)光二極管的第二電極。該透明封裝體覆蓋在該發(fā)光二極管芯片，第一導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊之上。
文檔編號(hào)H01L33/62GK101465395SQ20071020332
公開日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2007年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者徐弘光, 王君偉 申請(qǐng)人:富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)(上海)有限公司;沛鑫半導(dǎo)體工業(yè)股份有限公司