專利名稱：一種肖特基背結(jié)硅太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池，特別涉及一種肖特基背結(jié)硅太陽能電池。
技術(shù)背景硅太陽能電池的研究和利用是實現(xiàn)可再生能源的主要途徑之一，晶硅電池占光伏市場總份 額的90%以上，其中絕大多數(shù)電池所基于的pn結(jié)是通過高溫擴散工藝制備的，消耗能量大，工 藝復(fù)雜。日本Sanyo公司開發(fā)了 一種HIT (Heterojunction w池Intrinsic Thin Layer )異質(zhì)結(jié)電池。如 美國專利5213628中所述，利用摻雜非晶硅薄膜在晶硅上制作pn結(jié)，并在其間插入一層本征非 晶硅層來鈍化異質(zhì)結(jié)界面。由于非晶硅淀積工藝可以在20(TC以下完成，相比于傳統(tǒng)電池，這種 異質(zhì)結(jié)電池兼有單晶硅電池穩(wěn)定與薄膜硅電池廉價的優(yōu)點采用無高溫擴散的低溫制備過程， 能耗??；材料成本低；制備工藝相對簡單；特別是非晶硅所具有的對晶硅表面優(yōu)越的鈍化能力 大大改善了電池效率?；诖?，美國專利5066340公開了一種在非晶硅和晶體硅異質(zhì)結(jié)之間插 入微晶硅層的電池結(jié)構(gòu)。中國專利申請200510098526.9公開了一種具有TCO/n型納米晶硅/本征 納米晶硅/p型晶體硅結(jié)構(gòu)的太陽能電池及其制備方法。然而，得到性能優(yōu)異的摻雜非晶硅、微晶硅或者納米晶硅等薄膜硅材料并不容易，實現(xiàn)其 光學(xué)和電學(xué)性能上的統(tǒng)一是技術(shù)上的難點，因為摻雜薄膜硅內(nèi)部缺陷多，摻雜層過厚會影響光 吸收效率。并且，從電池結(jié)構(gòu)上來講，HIT電池也仍然有些復(fù)雜。肖特基結(jié)MS (金屬-半導(dǎo)體)硅電池直接將電極制作在硅襯底上，利用肖特基接觸勢壘分 離光生載流子，是一種機理完全不同于pn結(jié)電池的電池。為了改善MS電池性能，特別是抑制 多子電流，常用的做法是在電極和襯底之間插入一層厚度很薄的寬帶隙的半導(dǎo)體層或者絕緣層， 電池從結(jié)構(gòu)上變成MIS (金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)電池。MS和MIS電池從結(jié)構(gòu)上比pn結(jié)電池簡 單得多，實現(xiàn)工藝也更加簡單，卻仍然能夠得到與pn結(jié)電池相比擬的效率。比如，日本專利JP 56088379 -A公開了一種在半導(dǎo)體層和金屬層之間插入非晶硅層的肖特基結(jié)太陽能電池。但是所 釆用的是肖特基結(jié)在太陽能電池迎光面上的結(jié)構(gòu)。然而，對于p型晶體硅襯底來講，制成MS或者M(jìn)IS電池，需要用到功函數(shù)低的材料作M 層，這樣的材料通常是金屬類材料，它們的透光性很差。為了解決這個問題，目前廣泛采用的 辦法是將金屬層做成厚度只有幾個到幾十nm的薄層，或者將其做成柵狀電極，這樣做的結(jié)果都會使電池的電流收集效率下降很多。顯然，如果在電池迎光面上采用透明導(dǎo)電電極，可以大大 減少這方面所造成的光損失。但是，目前的透明導(dǎo)電材料通常都具有高的功函數(shù)，盡管非常適 合在n型硅襯底迎光面上制作肖特基結(jié)，但卻只適合在p型硅襯底上用作少子背場。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中因金屬電極透光性差或透明導(dǎo)電電極功函數(shù)過高而造 成p型硅襯底上肖特基結(jié)太陽電池性能較低的問題，提供一種基于p型硅襯底的肖特基背結(jié)硅 太陽能電池。所述太陽能電池的基本特征在于將肖特基結(jié)置于p型硅襯底的背光面，這樣，就 可以采用功函數(shù)低的背電極作為肖特基結(jié)的金屬層，而不會再有因透光性要求而產(chǎn)生的對金屬 厚度的限制，并且，這種背電極層還可以對未被電池吸收的光起到很好的背反射作用。在本發(fā) 明的太陽能電池迎光面上，高功函數(shù)的常見透明導(dǎo)電電極又剛好可以起到少子背場的作用，從 而提高電池的效率。本發(fā)明的太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底，在p型硅襯底背光面上的背電極，在p型硅襯底迎光面上的前透明導(dǎo)電電極。其中，所述的p型硅襯底是CZ單晶硅襯底，F(xiàn)Z單晶硅 襯底或多晶硅襯底，優(yōu)選的，p型硅襯底的厚度在30-500um的范圍，電阻率在0.1-100Q'cm 的范圍。所述硅襯底的表面可以是平面的，也可以是經(jīng)過了如濕法腐蝕或其它工藝處理而具有 了絨面結(jié)構(gòu)的；所述的背電極是功函數(shù)低于4.5 eV的材料；所述的前透明導(dǎo)電電極是功函數(shù)高 于5.0eV的材料。為了改善肖特基結(jié)的界面特性，本發(fā)明的太陽能電池在p型硅襯底和背電極之間還可以含 有第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層。所述的第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層是非晶硅、納米晶硅、微晶硅或者硅碳化物、硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等。第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層的 厚度優(yōu)選范圍為1-50 nm。為了改善少子背場的結(jié)區(qū)界面特性，本發(fā)明的太陽能電池在p型硅襯底和前透明導(dǎo)電電極 之間還可以含有第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層。所述的第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層是非晶硅、 納米晶硅、微晶硅，或者硅碳化物、硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等。的，第二種本征半 導(dǎo)體層或絕緣層的厚度優(yōu)選范圍為1-30nm。在所述的第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層和前透明導(dǎo) 電電極之間還可以進(jìn)一步含有一層p型摻雜半導(dǎo)體層，以起到增強少子背場的作用。所述的p 型摻雜半導(dǎo)體層是非晶硅、納米晶硅、微晶硅，或者硅碳化物。的，p型摻雜半導(dǎo)體層的厚度優(yōu) 選范圍為l-30nm。在本發(fā)明的一些實施方案中，還可以在所述的p型硅襯底和前透明導(dǎo)電電極 之間只含有所述的p型摻雜半導(dǎo)體層。為了增加電流的側(cè)向收集效率和方便電連接，本發(fā)明太陽能電池在前透明導(dǎo)電電極上還可 以具有金屬柵線。柵線的形狀和分布可采用傳統(tǒng)太陽能電池中的設(shè)計。

圖1本發(fā)明所述電池的基本結(jié)構(gòu)示意圖，圖中l(wèi)p型硅襯底，2背電極，3前透明導(dǎo)電電極；圖2a為本發(fā)明具體實施方式
之一的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b是該示例電池理論模擬的在AM1.5 光照射下的I-V特性曲線；圖3a為本發(fā)明具體實施方式
之二的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3b是該示例電池理論模擬的在AM1.5 光照射下的I-V特性曲線；圖4a為本發(fā)明具體實施方式
之三的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4b是該示例電池理論模擬的在AM1.5 光照射下的I-V特性曲線；圖5a為本發(fā)明具體實施方式
之四的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5b是該示例電池理論模擬的在AM1.5 光照射下的I-V特性曲線；圖6a為本發(fā)明具體實施方式
之五的結(jié)構(gòu)示意圖，圖6b是該示例電池理論模擬的在AMI.5 光照射下的I-V特性曲線；圖7a為本發(fā)明具體實施方式
之六的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7b是該示例電池理論模擬的在AM1.5 光照射下的I-V特性曲線；圖8a為本發(fā)明具體實施方式
之七的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8b是該示例電池理論模擬的在AM1.5 光照射下的I-V特性曲線；圖9a為本發(fā)明具體實施方式
之八的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9b是該示例電池理論模擬的在AM1.5 光照射下的I-V特性曲線。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1所示，本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底1，在p型硅襯底1背光面上的背電極2,在p型硅襯底1迎光面上的前透明導(dǎo)電電極3。 p型硅襯底1是CZ單晶硅襯底，F(xiàn)Z單晶硅襯底 或多晶硅襯底，p型硅襯底l的厚度在30-500Pm的范圍，電阻率在0.1-100 Q'cm的范圍，p型 硅襯底1的表面是平面或具有絨面結(jié)構(gòu)；背電極2是功函數(shù)低于4.5 eV的材料；前透明導(dǎo)電電 極3是功函數(shù)高于5.0 eV的材料。在本發(fā)明的太陽能電池中，在p型硅襯底1和背電極2之間可以含有第一種本征半導(dǎo)體層 或絕緣層4;在p型硅襯底1和前透明導(dǎo)電電極3之間還可以含有第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層 5,在第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5和前透明導(dǎo)電電極3之間還可以進(jìn)一步含有一層p型摻雜 半導(dǎo)體層6;或者，還可以在p型硅襯底1和前透明導(dǎo)電電極3之間只含有p型摻雜半導(dǎo)體層6。 所述的第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4、第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5分別選自非晶硅、納米晶硅、微晶硅或者硅碳化物、硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等，第一種本征半導(dǎo)體層或絕 緣層4的厚度在l-50nm的范圍，第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5的厚度在l-30nm的范圍；所 述的p型摻雜半導(dǎo)體層6是非晶硅、納米晶硅、微晶硅或者硅碳化物，p型摻雜半導(dǎo)體層6厚 度在l-30nm的范圍。為了增加電流的側(cè)向收集效率和方便電連接，本發(fā)明的太陽能電池在前透明導(dǎo)電電極3上 還可以具有金屬柵線7。柵線的形狀和分布可采用傳統(tǒng)太陽能電池中的設(shè)計。 實施例l本發(fā)明具體實施方式
之一的電池結(jié)構(gòu)如圖2a中所示，p型硅襯底1是FZ單晶硅襯底，其 厚度為300nm，電阻率為l.OQ-cm，襯底表面具有絨面結(jié)構(gòu)；在p型硅襯底1背光面上是背電 極2，背電極2的功函數(shù)為4.0eV;在p型硅襯底l迎光面上是前透明導(dǎo)電電極3，前透明導(dǎo)電 電極3的功函數(shù)為5.6 eV。迎光面光反射率為5%，不考慮非晶硅中的缺陷，圖2b給出采用 AFORS-HET軟件(德國Hahn-Meitner研究所開發(fā))模擬出的這種電池在AMI.5光譜下的I-V 特性曲線，得到的性能為開路電壓Voc二647mV，短路電流密度Jsc = 33.86 mA/cm2，填充因 子FF = 83.19 %，轉(zhuǎn)換效率il = 18.22 %。 實施例2本發(fā)明具體實施方式
之二的電池結(jié)構(gòu)如圖3a所示，p型硅襯底1是CZ單晶硅襯底，其厚 度為300um，電阻率為0.1Q.cm，襯底表面為平面；在p型硅襯底1背光面上是第一種本征半 導(dǎo)體層或絕緣層4，第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4是二氧化硅，厚度為1 nm;在第一種本征 半導(dǎo)體層或絕緣層4上是背電極2，背電極2的功函數(shù)為4.2 eV;在p型硅襯底1迎光面上是前 透明導(dǎo)電電極3，前透明導(dǎo)電電極3的功函數(shù)為5.6eV。迎光面光反射率為10%,不考慮非晶硅 中的缺陷，圖3b給出理論模擬出的這種電池在AM1.5光譜下的I-V特性曲線，得到的性能為 開路電壓Voc^ 752.8 mV，短路電流密度Jsc = 36.12 mA/cm2，填充因子FF = 84.7 %，轉(zhuǎn)換效率 n = 23.03 %。 實施例3本發(fā)明具體實施方式
之三的電池結(jié)構(gòu)如圖4a所示，p型硅襯底1是多晶硅襯底，其厚度為 30ixm，電阻率為100Q.cm，襯底表面具有絨面結(jié)構(gòu)；在p型硅襯底1背光面上是第一種本征 半導(dǎo)體層或絕緣層4，第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4是本征微晶硅，帶隙寬度為1.35eV，厚 度為25nm;在第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4上是背電極2，背電極2的功函數(shù)為4.2 eV;在 p型硅襯底1迎光面上是第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5，第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5是本 征非晶硅，帶隙寬度為1.72eV，厚度為lnm;在第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5上是前透明導(dǎo) 電電極3，前透明導(dǎo)電電極3的功函數(shù)為5.6eV。迎光面光反射率為5%，不考慮非晶硅中的缺陷，圖4b給出采用AFORS-HET軟件(德國Hahn-Meitner研究所開發(fā))模擬出的這種電池在 AM1.5光譜下的I-V特性曲線，得到的性能為開路電壓Voc: 623.2 mV，短路電流密度Jsc = 37.99 mA/cm2，填充因子FF = 81.66 %，轉(zhuǎn)換效率q= 19.33 %。 實施例4本發(fā)明具體實施方式
之四的電池結(jié)構(gòu)如圖5a所示，p型硅襯底1是FZ單晶硅襯底，其厚 度為500um，電阻率為1.0Q'cm，襯底表面為平面；在p型硅襯底1背光面上是第一種本征半 導(dǎo)體層或絕緣層4，第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4是本征非晶硅，帶隙寬度為1.72eV，厚度 為2nm;在第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4上是背電極2，背電極2的功函數(shù)為4.2 eV;在p 型硅襯底1迎光面上是第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5，第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5是本征 非晶硅，帶隙寬度為1.72eV，厚度為lnm;在第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5上是p型摻雜半 導(dǎo)體層6，p型摻雜半導(dǎo)體層6是p型摻雜納米晶硅，帶隙寬度為1.9 eV，摻雜濃度1.0X 102Q/cm3， 厚度為15nm;在p型摻雜半導(dǎo)體層6上是前透明導(dǎo)電電極3，前透明導(dǎo)電電極3的功函數(shù)為5.6 eV;在前透明導(dǎo)電電極3上是金屬柵線7。迎光面光反射率為10%，不考慮非晶硅中的缺陷， 圖5b給出采用AFORS-HET軟件(德國Hahn-Meitner研究所開發(fā))模擬出的這種電池在AM1.5 光譜下的I-V特性曲線，得到的性能為開路電壓Voc- 667.8 mV，短路電流密度Jsc = 27.61 mA/cm2，填充因子FF-83.64%，轉(zhuǎn)換效率n = 15.42 %。 實施例5本發(fā)明具體實施方式
之五的電池結(jié)構(gòu)如圖6a所示，p型硅襯底1是CZ單晶硅襯底，其厚 度為300Pin，電阻率為1.0Q.cm，襯底表面為平面；在p型硅襯底1背光面上是第一種本征半 導(dǎo)體層或絕緣層4，第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4是本征微晶硅，帶隙寬度為1.35 eV，厚度 為50nm;在第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層4上是背電極2，背電極2的功函數(shù)為4.2 eV;在p 型硅襯底1迎光面上是p型摻雜半導(dǎo)體層6, p型摻雜半導(dǎo)體層6是p型摻雜納米晶硅，帶隙寬 度為1.9eV,摻雜濃度1.0X102D/cm3，厚度為30nm;在p型摻雜半導(dǎo)體層6上是前透明導(dǎo)電電 極3，前透明導(dǎo)電電極3的功函數(shù)為5.6eV。迎光面光反射率為10%,不考慮非晶硅中的缺陷， 圖5b給出采用AFORS-HET軟件(德國Hahn-Mdtoer研究所開發(fā))模擬出的這種電池在AM1.5 光譜下的I-V特性曲線，得到的性能為開路電壓Voc二 630.8 mV，短路電流密度Jsc = 28.94 mA/cm2,填充因子FF = 78.88 。/。，轉(zhuǎn)換效率1\-14.4%。 實施例6本發(fā)明具體實施方式
之六的電池結(jié)構(gòu)如圖7a所示，p型硅襯底1是單晶FZ硅襯底，其厚 度為300um,電阻率為1.0Q.cm，襯底表面為平面；在p型硅襯底1背光面上是背電極2，背 電極2的功函數(shù)為4.0 eV;在p型硅襯底1迎光面上是第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5，第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5是本征非晶硅，帶隙寬度為1.72eV，厚度為2nm;在第二種本征半導(dǎo) 體層或絕緣層5上是前透明導(dǎo)電電極3，前透明導(dǎo)電電極3的功函數(shù)為5.6eV;在前透明導(dǎo)電電 極3上是金屬柵線7。迎光面光反射率為10%，不考慮非晶硅中的缺陷，圖7b給出采用 AFORS-HET軟件(德國Hahn-Meitner研究所開發(fā))模擬出的這種電池在AM1.5光譜下的I-V 特性曲線，得到的性能為開路電壓Vcx^ 646.3 mV，短路電流密度Jsc = 32.87 mA/cm2，填充 因子FF: 83.15%，轉(zhuǎn)換效率n= 17.66°/。。 實施例7本發(fā)明具體實施方式
之七的電池結(jié)構(gòu)如圖8a所示，p型硅襯底1是多晶硅襯底，其厚度為 250nm，電阻率為1.0Q《m，襯底表面具有絨面結(jié)構(gòu)；在p型硅襯底1背光面上是背電極2， 背電極2的功函數(shù)為4.0eV;在p型硅襯底l迎光面上是第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5，第二 種本征半導(dǎo)體層或絕緣層5是本征非晶硅，帶隙寬度為1.72eV，厚度為2nm;在第二種本征半 導(dǎo)體層或絕緣層5上是p型摻雜半導(dǎo)體層6， p型摻雜半導(dǎo)體層6是p型摻雜非晶硅，帶隙寬度 為1.74eV，摻雜濃度1.0X10^/cm3,厚度為1 nm;在p型摻雜半導(dǎo)體層6上是前透明導(dǎo)電電極 3，前透明導(dǎo)電電極3的功函數(shù)為5.6 eV;在前透明導(dǎo)電電極3上是金屬柵線7。迎光面光反射 率為5%，不考慮非晶硅中的缺陷，圖8b給出采用AFORS-HET軟件(德國Hahn-Meitner研究 所開發(fā))模擬出的這種電池在AM1.5光譜下的I-V特性曲線，得到的性能為開路電壓Voc爿649.6 mV，短路電流密度Jsc = 35.89 mA/cm2，填充因子FF = 82.98 %，轉(zhuǎn)換效率il= 19.35 %。 實施例8本發(fā)明具體實施方式
之八的電池結(jié)構(gòu)如圖9a所示，p型硅襯底1是FZ單晶硅襯底，其厚 度為300ym，電阻率為1.0Q.cm，襯底表面具有絨面結(jié)構(gòu)；在p型硅襯底1背光面上是背電極 2，背電極2的功函數(shù)為4.0 eV;在p型硅襯底1迎光面上是p型摻雜半導(dǎo)體層6， p型摻雜半 導(dǎo)體層6是p型摻雜納米晶硅，帶隙寬度為1.9eV，摻雜濃度1.0X102Q/cm3，厚度為5 nm;在 p型摻雜半導(dǎo)體層6上是前透明導(dǎo)電電極3，前透明導(dǎo)電電極3的功函數(shù)為5.26￥;在前透明導(dǎo) 電電極3上是金屬柵線7。迎光面光反射率為5°/。，不考慮非晶硅中的缺陷，圖9b給出采用 AFORS-HET軟件(德國Hahn-Meitner研究所開發(fā))模擬出的這種電池在AM1.5光譜下的I-V 特性曲線，得到的性能為開路電壓Voc^ 646.6 mV，短路電流密度Jsc = 33.19 mA/cm2，填充 因子FF-83.16%，轉(zhuǎn)換效率11= 17.85%。
權(quán)利要求
1、一種肖特基背結(jié)太陽能電池，其特征在于肖特基結(jié)處于該太陽能電池的背面，所述太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底(1)，在p型硅襯底(1)背光面上的低功函數(shù)的背電極(2)，以及在p型硅襯底(1)迎光面上的高功函數(shù)的前透明導(dǎo)電電極(3)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基背結(jié)太陽能電池，其特征在于所述的p型硅襯底(1)是 CZ單晶硅襯底、FZ單晶硅襯底或多晶硅襯底，表面是平面或具有絨面結(jié)構(gòu)；所述的背電極(2) 是功函數(shù)低于4.5eV的材料；所述的前透明導(dǎo)電電極(3)是功函數(shù)高于5.0eV的材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的肖特基背結(jié)太陽能電池，其特征在于在p型硅襯底(1)和 背電極(2)之間可以添加第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層(4);在p型硅襯底(1)和前透明導(dǎo) 電電極(3)之間可以添加第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層(5)，在第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層(5)和前透明導(dǎo)電電極(3)之間可以添加p型摻雜半導(dǎo)體層(6);或者，在p型硅襯底(1) 和前透明導(dǎo)電電極(3)之間可以只添加p型摻雜半導(dǎo)體層(6)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的肖特基背結(jié)太陽能電池，其中，所述的第一種本征半導(dǎo)體層或絕 緣層(4)是非晶硅、納米晶硅、微晶硅或者硅碳化物、硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物；所 述的第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層(5)是非晶硅、納米晶硅、微晶硅或者硅碳化物、硅氮化物、 硅氧化物、硅氮氧化物；所述的p型摻雜半導(dǎo)體層(6)是非晶硅、納米晶硅、微晶硅或者硅碳 化物。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的肖特基背結(jié)太陽能電池，其特征在于在前透明導(dǎo)電電極(3) 上可以含有增加電流側(cè)向收集效率的金屬柵線(7)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的肖特基背結(jié)太陽能電池，其特征在于在前透明導(dǎo)電電極(3)上 可以含有增加電流側(cè)向收集效率的金屬柵線(7)。
全文摘要
一種肖特基背結(jié)太陽能電池，包括p型硅襯底(1)，在p型硅襯底(1)背光面上的低功函數(shù)的背電極(2)，以及在p型硅襯底(1)迎光面上的高功函數(shù)的前透明導(dǎo)電電極(3)。在p型硅襯底(1)和背電極(2)之間可加入第一種本征半導(dǎo)體層或絕緣層(4)；亦可在p型硅襯底(1)和前透明導(dǎo)電電極(3)之間加入第二種本征半導(dǎo)體層或絕緣層(5)和/或p型摻雜半導(dǎo)體層(6)；在前透明導(dǎo)電電極(3)上還可以具有金屬柵線(7)。
文檔編號H01L31/07GK101262023SQ200710304229
公開日2008年9月10日 申請日期2007年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月26日
發(fā)明者刁宏偉, 王文靜, 雷 趙 申請人:中國科學(xué)院電工研究所