專利名稱：柵極控制變?nèi)莨艿闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電子元件。具體說是壓控振蕩器中用來產(chǎn)生振蕩頻率的柵極控制變 容管。
背景技術(shù)：
在微電子行業(yè)都知道，在壓控振蕩器中都設(shè)置有用來產(chǎn)生振蕩頻率的變?nèi)莨?。傳統(tǒng)的變 容管都是P-N結(jié)型變?nèi)荻O管。P-N結(jié)型變?nèi)荻O管雖然可以產(chǎn)生振蕩頻率，但其C-V曲線 不直，工作區(qū)域內(nèi)的頻率分布不均，使得頻率范圍較窄(通常在其中心頻率的±20%左右)。 另外，P-N結(jié)型變?nèi)荻O管的寄生參數(shù)較大，使得其品質(zhì)因數(shù)Q值很低，從而影響到壓控振 蕩器的起振。

實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的問題是提供一種柵極控制變?nèi)莨?。這種柵極控制變?nèi)莨埽l率范寬、 能確保壓控振蕩器的起振。
為解決上述問題，本實用新型采取以下方案
本實用新型的柵極控制變?nèi)莨艿奶攸c是含有埋層、深磷體和場氧體。深磷體為筒狀，其 下端與埋層上表面相連，其上端與場氧體下表面相接，場氧體的下表面中間接有下極板，埋 層、深磷體、下極板和場氧體之間有外延體。與下極板相應(yīng)的場氧體上有開口，且該開口小 于下極板。開口處有柵氧體和多晶體，柵氧體和多晶體的四周與場氧體的開口四周相接。其 中，多晶體的中間部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上有電容控制端子，下表面上有凹 坑。與凹坑相對應(yīng)的柵氧體上有與凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔內(nèi)有場氧體塊，該場氧 體塊的厚度是凹坑的深度和柵氧體的厚度之和，使得場氧體塊的上、下表面分別與凹坑的坑 底和柵氧體相接觸。場氧體邊沿上有通孔，通孔內(nèi)有電源端子，該電源端子為合金材料，其 下端與深磷體的上端相接觸。多晶體一側(cè)的場氧體上亦有通孔，該通孔與下極板的上表面相 對應(yīng)，其內(nèi)有基準電位端子，基準電位端子的下端與下極板的上表面相接觸。
所說埋層、外堰體、深磷體、下極板、場氧體、柵氧體和多晶體分別是用不同濃度的半 導(dǎo)體體材料而制成。
其中的埋層和深磷體為高濃度介質(zhì)。
采取上述方案，具有以下優(yōu)點
由于本實用新型的柵極控制變?nèi)莨芎新駥?、深磷體和場氧體。深磷體為筒狀，其下端 與埋層上表面相連，其上端與場氧體下表面相接，場氧體的下表面中間接有下極板，埋層、 深磷體、下極板和場氧體之間有外延體。與下極板相應(yīng)的場氧體上有開口，且該開口小于下
極板。開口處有柵氧體和多晶體，柵氧體和多晶體的四周與場氧體的開口四周相接；其中， 多晶體的中間部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上有電容控制端子，下表面上有凹坑。 與凹坑相對應(yīng)的柵氧體上有與凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔內(nèi)有場氧體塊，該場氧體塊 的厚度是凹坑的深度和柵氧體的厚度之和，使得場氧體塊的上、下表面分別與凹坑的坑底和 柵氧體相接觸。場氧體邊沿上有通孔，通孔內(nèi)有電源端子，該電源端子為合金材料，其下端 與深磷體的上端相接觸。多晶體一側(cè)的場氧體上亦有通孔，該通孔與下極板的上表面相對應(yīng)， 其內(nèi)有基準電位端子，基準電位端子的下端與下極板的上表面相接觸。其中，下極板與柵氧 體的交界面上會積聚電子，使交界面處發(fā)生積累-耗盡-反型的過程。但通過加合適的基準電 位，可使本實用新型的柵極控制變?nèi)莨苤还ぷ髟诜e累耗盡區(qū)，而不進入反型區(qū)，使C-V曲線 近似于一條直線，整個頻率范圍分布均勻，其工作頻率范圍可實現(xiàn)中心頻率的±50%，從而 拓展了頻率范圍。
又由于埋層和深磷體為高濃度介質(zhì)，可減小寄生串聯(lián)電阻，從而可大大提高本實用新型 的柵極控制變?nèi)莨艿钠焚|(zhì)因數(shù)，確保壓控振蕩器的起振。

附圖是本實用新型的柵極控制變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

如附圖所示，本實用新型的柵極控制變?nèi)莨芎新駥?0、深磷體7和場氧體5。深磷體 7為圓筒狀，其下端與埋層10的上表面形成為一體，其上端與場氧體5的下表面形成為一體。 場氧體5的下表面中間接有下極板6，埋層IO、深磷體7、下極板6和場氧體5之間設(shè)置有 外延體8。與下極板6相對應(yīng)的場氧體5上加工有開口，該開口小于下極板6。開口處設(shè)置有 柵氧體9和多晶體4，柵氧體9和多晶體4的四周與場氧體5的開口四周相連接。其中，多 晶體4的中間部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上設(shè)置有電容控制端子1,下表面上加 工有凹坑。與凹坑相對應(yīng)的柵氧體9上加工有與凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔內(nèi)設(shè)置有 場氧體塊，該場氧體塊的厚度是凹坑的深度和柵氧體9的厚度之和，使得場氧體塊的上、下 表面分別與凹坑的坑底和柵氧體9相接觸。場氧體5的邊沿上加工有通孔，通孔內(nèi)安裝有電 源端子2。所說電源端子2為合金材料制成，其下端與深磷體7的上端相接觸。多晶體4一 側(cè)的場氧體5上亦有通孔，該通孔與下極板6的上表面相對應(yīng)，其內(nèi)安裝有基準電位端子3， 基準電位端子3的下端與下極板6的上表面相接觸。
所說埋層IO、外堰體8、深磷體7、下極板6、場氧體5、柵氧體9和多晶體4分別是用 不同濃度的半導(dǎo)體體材料而制成。
其中的埋層10和深磷體7為高濃度介質(zhì)。
權(quán)利要求1.柵極控制變?nèi)莨?，其特征在于含有埋?10)、深磷體(7)和場氧體(5)；深磷體(7)為筒狀，其下端與埋層(10)上表面相連，其上端與場氧體(5)下表面相接，場氧體(5)的下表面中間接有下極板(6)，埋層(10)、深磷體(7)、下極板(6)和場氧體(5)之間有外延體(8)；與下極板(6)相應(yīng)的場氧體(5)上有開口，且該開口小于下極板(6)；開口處有柵氧體(9)和多晶體(4)，柵氧體(9)和多晶體(4)的四周與場氧體(5)的開口四周相接；其中，多晶體(4)的中間部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上有電容控制端子(1)，下表面上有凹坑；與凹坑相對應(yīng)的柵氧體(9)上有與凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔內(nèi)有場氧體塊，該場氧體塊的厚度是凹坑的深度和柵氧體(9)的厚度之和，使得場氧體塊的上、下表面分別與凹坑的坑底和柵氧體(9)相接觸；場氧體(5)邊沿上有通孔，通孔內(nèi)有電源端子(2)，該電源端子為合金材料，其下端與深磷體(7)的上端相接觸；多晶體(4)一側(cè)的場氧體(5)上亦有通孔，該通孔與下極板(6)的上表面相對應(yīng)，其內(nèi)有基準電位端子(3)，基準電位端子(3)的下端與下極板(6)的上表面相接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極控制變?nèi)莨埽涮卣髟谟诼駥?10)、外堰體(8)、深磷 體(7)、下極板(6)、場氧體(5)、柵氧體(9)和多晶體(4)分別是用不同濃度的半導(dǎo)體 體材料而制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柵極控制變?nèi)莨埽涮卣髟谟诼駥?10)和深磷體(7) 為高濃度介質(zhì)。
專利摘要本實用新型公開的是壓控振蕩器中用來產(chǎn)生振蕩頻率的柵極控制變?nèi)莨埽撟內(nèi)莨芎新駥?、深磷體和場氧體。深磷體為筒狀，其下、上端分別與埋層上表面和場氧體下表面相接，場氧體的下表面中間有下極板，埋層、深磷體、下極板和場氧體之間有外延體。與下極板相應(yīng)的場氧體上有開口，開口處有柵氧體和多晶體。多晶體上表面上有電容控制端子，下表面上有凹坑。與凹坑相對應(yīng)的柵氧體上有通孔，凹坑和通孔內(nèi)有場氧體塊，場氧體塊的上、下表面分別與凹坑的坑底和柵氧體相接觸。場氧體邊沿上有電源端子，該電源端子與深磷體相接觸。多晶體一側(cè)的場氧體上亦有通孔，通孔內(nèi)有基準電位端子，基準電位端子與下極板相接觸。本實用新型頻率范寬、能確保壓控振蕩器的起振。
文檔編號H01L29/66GK201007994SQ200720033609
公開日2008年1月16日 申請日期2007年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月15日
發(fā)明者丁國華, 燁 周, 周金風, 斌 胡, 潔 賀 申請人:無錫硅動力微電子股份有限公司