專利名稱：微波低波段超微型3dB交指電橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種微波集成電路的3dB電橋，特別是一種微波低波段超微型3dB 交指電橋。
背景技術(shù)：
3dB電橋廣泛應(yīng)用于微波集成電路，比如移相器，平衡放大器，功率合成，功率分 配，調(diào)制器，混頻器等多種電路。3dB正交電橋是個四端口網(wǎng)絡(luò)，它具有輸入端、耦合 端、直通端、隔離端，其耦合端與直通端相互隔離，各輸出輸入口輸入功率的50%，并 且輸出信號相位相差90度，電路組成包括信號直通帶線和信號耦合帶線。傳統(tǒng)的工藝使 用兩個8.34dB的鋸齒耦合器串接成一體，實現(xiàn)3dB的緊耦合，這樣就導(dǎo)致電橋的體積大， 插入損耗大；現(xiàn)在市場上使用的3dB電橋常采用分支電橋，要增加分支電橋的帶寬，就 必須增加其節(jié)數(shù)，這就使電橋的體積增大。有的電路采用外接3dB電橋的方法，這就不 利于電路的集成化。理論上要實現(xiàn)兩條耦合線之間3dB的緊耦合，必須使耦合線之間的 縫隙達到幾個微米的工藝精度，使得工藝實現(xiàn)難度大，若采用納米級的半導(dǎo)體工藝來實 現(xiàn)微米級的工藝，其制造設(shè)備成本過高，也不現(xiàn)實。 發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有3dB電橋的缺點，提供一種小體積、 高集成度、低插入損耗、低成本的微波低波段的超微型3dB交指電橋。本實用新型解決其技術(shù)問題的技術(shù)方案是 一種微波低波段超微型3dB交指電橋， 具有輸入端、耦合端、直通端、隔離端四個端口，電路組成包括信號直通帶線和信號耦 合帶線，其特征是所述兩條帶線各自分成兩條細線，其中一條帶線的兩條細線端部相連， 中部扭轉(zhuǎn)180度，另一條帶線的兩條細線端部分離，中部斷開，兩條帶線的細線呈交指 形狀相間排列相互耦合，通過金屬線以橋的形式對應(yīng)連接斷開細線的中部及兩端，以上 電路通過超微細微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上。本實用新型的有益效果如下信號直通帶線與信號耦合帶線采用交指式相間排列 相互耦合的方式，增加了耦合面積，使得耦合線和直通線的縫隙只需要達到幾十微米就 能夠?qū)崿F(xiàn)3dB的緊耦合，降低了工藝加工精度和對設(shè)備性能的要求，降低了加工成本， 加之本電橋的電路通過超微細微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上，更使本電橋產(chǎn)品具有體 積小、易于集成化、插入損耗小、高方向性和易于達到一個倍頻程以上帶寬等優(yōu)點，作 為微波集成電路廣泛使用的部件，本實用新型具有很強的實用性。

圖l為本實用新型的電路原理圖。
具體實施方式
下面參照附圖并結(jié)合實施例對本實用新型進行詳細描述。但是本實用新型不限于所 給出的實施例。如圖1所示，實施例中，本實用新型微波低波段超微型3dB交指電橋具有輸入端IN、 耦合端OH、直通端ZT、隔離端ISO四個端口，電路組成包括信號直通帶線MS1和信號耦合帶線MS2，所述兩條帶線各自分成兩條細線MSla、 MSlb、 MS2a、 MS2b，其中帶線MS1的兩 條細線MSla、 MSlb端部相連，中部扭轉(zhuǎn)180度，帶線MS2的兩條細線MS2a、 MS2b端部分離， 中部斷開，兩條帶線的四條細線MSla、 MSlb、 MS2a、 MS2b呈交指形狀相間排列相互耦合， 通過金屬線W以橋的形式對應(yīng)連接斷開細線MS2a、 MS2b的中部及兩端，以上電路通過超 微細微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片(圖中未畫出)上。實施例中，陶瓷基片為介電常數(shù)9.9、厚度0.5ram的三氧化二鋁陶瓷基片。
權(quán)利要求1、微波低波段超微型3dB交指電橋，具有輸入端、耦合端、直通端、隔離端四個端口，電路組成包括信號直通帶線和信號耦合帶線，其特征是所述兩條帶線各自分成兩條細線，其中一條帶線的兩條細線端部相連，中部扭轉(zhuǎn)180度，另一條帶線的兩條細線端部分離，中部斷開，兩條帶線的細線呈交指形狀相間排列相互耦合，通過金屬線以橋的形式對應(yīng)連接斷開細線的中部及兩端，以上電路通過超微細微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波低波段超微型3dB交指電橋，其特征是 陶瓷基片為介電常數(shù)9.9、厚度0.5mm的三氧化二鋁陶瓷基片。
專利摘要微波低波段超微型3dB交指電橋，具有四個端口，信號直通帶線和信號耦合帶線各自分成兩條細線，其中一條帶線的兩條細線端部相連，中部扭轉(zhuǎn)180度，另一條帶線的兩條細線端部分離，中部斷開，兩條帶線的細線呈交指形狀相間排列相互耦合，通過金屬線以橋的形式對應(yīng)連接斷開細線的中部及兩端，以上電路通過超微細微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上。采用交指式相間排列耦合方式，使得耦合線和直通線的縫隙只需要達到幾十微米就能夠?qū)崿F(xiàn)3dB的緊耦合，降低了加工精度和對設(shè)備性能的要求，電路通過超微細微帶薄膜工藝制作在陶瓷基片上，體積小、集成度高、插入損耗低、帶寬大于一個倍頻程，適用于微波低波段集成電路。
文檔編號H01P5/12GK201117783SQ200720044829
公開日2008年9月17日 申請日期2007年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月14日
發(fā)明者傅陽波, 莊昆杰 申請人:深圳國人通信有限公司;泉州雷克微波有限公司