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      一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器的制作方法

      文檔序號(hào):6879430閱讀:309來源:國(guó)知局
      專利名稱:一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及強(qiáng)耦合器,特別涉及一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器。
      背景技術(shù)
      隨著無線通信技術(shù)的迅速發(fā)展,要求產(chǎn)品小型化,低成本,低損耗。而傳 統(tǒng)微波電路設(shè)計(jì),往往局限于電路板表面的元件分布和設(shè)計(jì),忽略了電路板的
      背面-金屬接地板的開發(fā)和利用。由此在研究光子帶隙(PBG)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上提出 了缺陷地結(jié)構(gòu)(DGS) , DGS是通過在接地板上刻蝕缺陷圖形而成,這種結(jié)構(gòu) 會(huì)擾亂接地板上的屏蔽電流分布,而擾亂的屏蔽電流分布又會(huì)改變傳輸線的特 性,如有效電感和有效電容。
      在傳統(tǒng)帶狀線耦合器設(shè)計(jì)中,針對(duì)強(qiáng)耦合度,高方向性耦合器設(shè)計(jì)需要大 的空間,這樣提高了成本,而在有限可用的系統(tǒng)設(shè)備空間中需要是不允許的, 如果采用減小耦合器副線的有效耦合長(zhǎng)度拉近耦合器主副線間距,在實(shí)際PCB 加工中精度難以保證,產(chǎn)品一致性差。以lOdB強(qiáng)耦合器主副線邊邊耦合間距 為例,如果副線采用八分之波長(zhǎng)(介質(zhì)波長(zhǎng))甚至更短,則主副線距離需要在 O.lmm甚至更小,這在實(shí)際加工中間隙公差難以保證,使得產(chǎn)品一致性差,而 且由于間隙太小,實(shí)際調(diào)試難度也很大,所以在現(xiàn)有強(qiáng)耦合器實(shí)現(xiàn)中實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu) 尺寸比較大,不夠緊湊。
      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種耦 合結(jié)構(gòu)更為緊湊的帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器。
      本實(shí)用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn) 一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的 強(qiáng)耦合器,包括腔體、蓋板、大功率匹配負(fù)載、帶狀線耦合器板、連接器,所 述的蓋板設(shè)在腔體上部,所述的帶狀線耦合器板設(shè)在腔體內(nèi),所述的連接器設(shè)在腔體側(cè)面,其特征在于,所述的帶狀線耦合器板包括上下兩塊,所述的大功 率匹配負(fù)載設(shè)在帶狀線耦合器板下面一塊,所述的帶狀線耦合器板上面一塊上 表面設(shè)有缺陷地結(jié)構(gòu),所述的腔體內(nèi)壁底面設(shè)有缺陷地槽結(jié)構(gòu)。
      所述的缺陷地結(jié)構(gòu)的形狀包括方形、矩形、圓形、三角形、周期性方形、 周期性矩形、周期性圓形、周期性三角形。
      所述的缺陷地槽結(jié)構(gòu)的形狀包括跑道形。
      所述的缺陷地槽結(jié)構(gòu)深為帶狀線厚的3倍。
      所述的帶狀線耦合器板上面一塊到蓋板的高度為帶狀線厚度的3倍。 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有使耦合結(jié)構(gòu)可以更為緊湊,并提高耦合 器的方向性等優(yōu)點(diǎn)。


      圖1為本實(shí)用新型一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式

      如圖1所示, 一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器包括腔體1,蓋板2,終端 50Q大功率匹配負(fù)載3,帶狀線耦合器板4 (分為上下兩塊,便于實(shí)際調(diào)試), 連接器5,在帶狀線耦合器主副線背面接地面刻蝕成一特定形狀形成缺陷地結(jié) 構(gòu)。在腔體相應(yīng)內(nèi)壁底面開一特定形狀的槽,槽深一般為帶狀線厚度的3倍以 上,帶狀線耦合器板上方留至少3倍帶狀線厚度的空間。
      上述在帶狀線上刻蝕成的特定形狀可以是方形,矩形,圓形,三角形或周 期性方形,周期性矩形,周期性圓形,周期性三角形等形狀
      上述在腔體內(nèi)壁底部開槽形狀為加工方便一般為規(guī)則形狀,如跑道形形狀。
      在耦合器中運(yùn)用缺陷地結(jié)構(gòu)使得耦合結(jié)構(gòu)更為緊湊,適當(dāng)拉遠(yuǎn)在強(qiáng)耦合中 (如10dB耦合)主副線的間距。在有限同樣空間中主副線間距可以拉遠(yuǎn),比 如不采用缺陷地結(jié)構(gòu)時(shí)用八分之波長(zhǎng)邊邊耦合時(shí)間距需要在O.lmm甚至 0.05mm,這在實(shí)際制板時(shí)精度難以保證,而采用了缺陷地這種新型設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)時(shí) 主副線間距可以變寬到0.3mm以上。這樣使得在有限空間中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)耦合變成現(xiàn) 實(shí)。另外由于缺陷地結(jié)構(gòu)(DGS)是通過在接地板上刻蝕缺陷圖形而成,這種結(jié)構(gòu)會(huì)擾亂接地板上的屏蔽電流分布,而擾亂的屏蔽電流分布又會(huì)改變傳輸線 的特性,如有效電感和有效電容。通過這種有效電感和有效電容可以提高耦合 器的方向性,實(shí)現(xiàn)高方向性,尤其是利用周期性規(guī)則形狀形成的缺陷地結(jié)構(gòu)對(duì) 改善方向性更為有效。
      權(quán)利要求1.一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器,包括腔體、蓋板、大功率匹配負(fù)載、帶狀線耦合器板、連接器,所述的蓋板設(shè)在腔體上部,所述的帶狀線耦合器板設(shè)在腔體內(nèi),所述的連接器設(shè)在腔體側(cè)面,其特征在于,所述的帶狀線耦合器板包括上下兩塊,所述的大功率匹配負(fù)載設(shè)在帶狀線耦合器板下面一塊,所述的帶狀線耦合器板上面一塊上表面設(shè)有缺陷地結(jié)構(gòu),所述的腔體內(nèi)壁底面設(shè)有缺陷地槽結(jié)構(gòu)。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器,其特征在于, 所述的缺陷地結(jié)構(gòu)的形狀包括方形、矩形、圓形、三角形、周期性方形、周期 性矩形、周期性圓形、周期性三角形。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器,其特征在于, 所述的缺陷地槽結(jié)構(gòu)的形狀包括跑道形。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器,其特征在于, 所述的缺陷地槽結(jié)構(gòu)深為帶狀線厚的3倍。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器,其特征在于, 所述的帶狀線耦合器板上面一塊到蓋板的高度為帶狀線厚度的3倍。
      專利摘要本實(shí)用新型涉及一種帶有缺陷地結(jié)構(gòu)的強(qiáng)耦合器,包括腔體、蓋板、大功率匹配負(fù)載、帶狀線耦合器板、連接器,所述的蓋板設(shè)在腔體上部,所述的帶狀線耦合器板設(shè)在腔體內(nèi),所述的連接器設(shè)在腔體側(cè)面,所述的帶狀線耦合器板包括上下兩塊,所述的大功率匹配負(fù)載設(shè)在帶狀線耦合器板下面一塊,所述的帶狀線耦合器板上面一塊上表面設(shè)有缺陷地結(jié)構(gòu),所述的腔體內(nèi)壁底面設(shè)有一槽。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有使耦合結(jié)構(gòu)可以更為緊湊,并提高耦合器的方向性等優(yōu)點(diǎn)。
      文檔編號(hào)H01P5/18GK201134494SQ20072007742
      公開日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日
      發(fā)明者梁文超, 明 熊, 慶 羅 申請(qǐng)人:奧雷通光通訊設(shè)備(上海)有限公司
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