專利名稱：承載盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)過程中的承載盤。
技術(shù)背景目前，用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)過程中的承載盤多為實(shí)體結(jié)構(gòu)，因此在使用 過程中盤體透氣性差，在承載集成電路芯片過程中，使得芯片上的溢膠及所散發(fā) 出的氣體滯留在承載盤面上，直接影響了大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的在于提供一種可提高大規(guī)模集成電路生產(chǎn)效率的承載盤。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型可采取下述技術(shù)方案本實(shí)用新型所述的承載盤，它包括圓盤體，沿軸向開設(shè)在所述圓盤體外周面 上的V形槽，所述圓盤體由碳化硅陶瓷材料制成；在圓盤體的盤面上沿軸向貫穿 盤面開設(shè)有多個(gè)微孔；所述微孔的孔徑《0. 02mm，孔隙率》30%。本實(shí)用新型由于在所述圓盤體的盤面上沿軸向貫穿盤面開設(shè)有孔徑《 0.02mm的多個(gè)微孔，其微孔的孔隙率》30%，因此，與現(xiàn)有的承載盤對(duì)比，其優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn)1、 流體阻力小，可自由通過各種氣體或液體；2、 孔密度高，比表面積大，可起到過濾凈化作用；3、 耐高溫，熱膨脹系數(shù)小，優(yōu)良好的蓄熱功能；4、 具有更好的抗酸堿腐蝕能力。由于所具有的上述優(yōu)點(diǎn)，從而達(dá)到提高大規(guī)模集成電路生產(chǎn)效率和生產(chǎn)規(guī)模 目的。

圖1是本實(shí)用新型的主視圖。圖2是圖1的A部放大視圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示，本實(shí)用新型所述的承載盤，它包括圓盤體1，沿軸向開設(shè)在所述 圓盤體1外周面上的V形槽2，所述圓盤體1由碳化硅陶瓷材料制成；在圓盤體1 的盤面上沿軸向貫穿盤面開設(shè)有多個(gè)微孔3;所述微孔3的孔徑《0. 02rnm，孔隙率》30%。
權(quán)利要求1、一種承載盤，它包括圓盤體(1)，沿軸向開設(shè)在所述圓盤體(1)外周面上的V形槽(2)，其特征在于所述圓盤體(1)由碳化硅陶瓷材料制成；在圓盤體(1)的盤面上沿軸向貫穿盤面開設(shè)有多個(gè)微孔(3)；所述微孔(3)的孔徑≤0.02mm，孔隙率≥30％。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種承載盤，它包括圓盤體，沿軸向開設(shè)在所述圓盤體外周面上的V形槽，所述圓盤體由碳化硅陶瓷材料制成；在圓盤體的盤面上沿軸向貫穿盤面開設(shè)有多個(gè)微孔；所述微孔的孔徑≤0.02mm，孔隙率≥30％。與現(xiàn)有的承載盤對(duì)比，其優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn)1.流體阻力小，可自由通過各種氣體或液體；2.孔密度高，比表面積大，可起到過濾凈化作用；3.耐高溫，熱膨脹系數(shù)小，優(yōu)良好的蓄熱功能；4.具有更好的抗酸堿腐蝕能力。由于所具有的上述優(yōu)點(diǎn)，從而達(dá)到提高大規(guī)模集成電路生產(chǎn)效率和生產(chǎn)規(guī)模目的。
文檔編號(hào)H01L21/673GK201112364SQ20072009222
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2007年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月18日
發(fā)明者鳴 蔡 申請(qǐng)人:鄭州華碩精密陶瓷有限公司