專利名稱：具有隔離墻和超薄P⁺陽(yáng)極的快軟恢復(fù)二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)的快軟恢復(fù)二極管芯片，屬快速整流器件技 術(shù)領(lǐng)域。
技術(shù)背景中國(guó)專利200420109301.X公開(kāi)了一種名稱為《整流二極 管、專用于制造整流二極管的芯片》，該專利在芯片的周邊垂直激光穿孔， 沉積P型雜質(zhì)源，擴(kuò)散形成隔離墻，并在隔離墻上端內(nèi)側(cè)與陰極之間設(shè)置 有槽型鈍化臺(tái)面，將芯片的陽(yáng)極電壓通過(guò)P型隔離墻的導(dǎo)體作用引至與陰 極同一平面上來(lái)，其雖然較好地解決了傳統(tǒng)整流二極管芯片陰、陽(yáng)電極焊 接容易短路的缺陷，但是，由于濃硼擴(kuò)散區(qū)P+層較厚(80—100um)，這 一結(jié)構(gòu)僅適用于普通整流二極管芯片。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種反向恢復(fù)時(shí)間短、反向恢復(fù)電荷少， 正向通態(tài)電壓小、反向耐壓高、高溫特性好、動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)良的具有隔離墻 和超薄P+陽(yáng)極的快軟恢復(fù)二極管芯片。
其技術(shù)方案是 一種具有隔離墻和超薄P+陽(yáng)極的快軟恢復(fù)二極管芯 片，包括基區(qū)，依次設(shè)置在基區(qū)上面的磷擴(kuò)散區(qū)和陰極，依次設(shè)置在基區(qū) 下面的濃硼擴(kuò)散區(qū)和陽(yáng)極，基區(qū)周邊與陰極和陽(yáng)極之間設(shè)置的槽型玻璃鈍 化臺(tái)面，其特征在于所述基區(qū)的周邊為無(wú)激光孔隔離區(qū)域，通過(guò)P型雜 質(zhì)源擴(kuò)散形成隔離墻，無(wú)激光孔隔離區(qū)域的上端內(nèi)側(cè)與陰極之間設(shè)置槽型玻璃鈍化臺(tái)面；且濃硼擴(kuò)散區(qū)的厚度為10—50um。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，其技術(shù)效果是由于本快軟恢復(fù)二極管的基區(qū)周邊 釆用無(wú)激光孔的P型隔離區(qū)域，使P型雜質(zhì)源在芯片的陰、陽(yáng)極面周邊擴(kuò) 散，形成隔離墻；同時(shí)，.由于濃硼擴(kuò)散區(qū)采用超薄陽(yáng)極，從而使臺(tái)面電壓 建立在隔離墻與陰極之間，使快軟恢復(fù)二極管的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)反向恢復(fù) 時(shí)間達(dá)到50—200ns，而正向峰值電壓在1.4-2.5V范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了快軟 恢復(fù)二極管芯片反向恢復(fù)時(shí)間短、反向恢復(fù)電荷少，正向峰值電壓小、反 向耐壓高、高溫特性好、動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)良的目的。另外，由于基區(qū)周邊釆用 無(wú)激光孔的P型隔離區(qū)域和超薄型的濃硼擴(kuò)散區(qū)，使其結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)單，制 作更為簡(jiǎn)便，還節(jié)省了原材料，降低了成本費(fèi)用。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

如圖1所示，快軟恢復(fù)二極管芯片，其芯片中間為基區(qū)N,依次設(shè)置 在基區(qū)上面的磷擴(kuò)散區(qū)N+和陰極K (陰極K由多層金屬化構(gòu)成)，依次設(shè) 置在基區(qū)下面的濃硼擴(kuò)散區(qū)P +和陽(yáng)極A (陽(yáng)極A由多層金屬化構(gòu)成)。濃 硼擴(kuò)散區(qū)P+的厚度設(shè)定為10—50um，其最佳厚度為20—30um?；鶇^(qū)的 周邊采用無(wú)激光孔的隔離區(qū)域，使P型雜質(zhì)源在芯片的陰、陽(yáng)極片周邊擴(kuò) 散，形成隔離墻。無(wú)激光孔的隔離區(qū)域上端內(nèi)側(cè)與陰極之間設(shè)置槽型坡璃 鈍化臺(tái)面。槽型玻璃鈍化臺(tái)面的槽深為20—50um,最佳槽深為35um。
權(quán)利要求1、一種具有隔離墻和超薄P+陽(yáng)極的快軟恢復(fù)二極管芯片，包括基區(qū)N，依次設(shè)置在基區(qū)上面的磷擴(kuò)散區(qū)N+和陰極K，依次設(shè)置在基區(qū)下面的濃硼擴(kuò)散區(qū)P+和陽(yáng)極A，基區(qū)周邊與陰極和陽(yáng)極之間設(shè)置的槽型玻璃鈍化臺(tái)面，其特征在于所述基區(qū)N的周邊為無(wú)激光孔隔離區(qū)域，通過(guò)P型雜質(zhì)源擴(kuò)散形成隔離墻，無(wú)激光孔隔離區(qū)域的上端內(nèi)側(cè)與陰極之間設(shè)置槽型玻璃鈍化臺(tái)面；且濃硼擴(kuò)散區(qū)P+的厚度為10-50um。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有隔離墻和超薄P+陽(yáng)極的快軟恢復(fù) 二極管芯片，其特征在于所述濃硼擴(kuò)散區(qū)P+的最佳厚度為20—30um。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有隔離墻和超薄P+陽(yáng)極的快軟恢復(fù) 二極管芯片，其特征在于所述無(wú)激光孔隔離區(qū)域的上端內(nèi)側(cè)與陰極之間 設(shè)置槽型玻璃鈍化臺(tái)面的槽深為20—50um。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種具有隔離墻和超薄P+陽(yáng)極的快軟恢復(fù) 二極管芯片，其特征在于所述槽型玻璃鈍化臺(tái)面的最佳槽深為35um。
專利摘要一種具有隔離墻和超薄P⁺陽(yáng)極的快軟恢復(fù)二極管芯片，屬快速整流器件技術(shù)領(lǐng)域。其目的是提供一種反向恢復(fù)時(shí)間短、反向恢復(fù)電荷少，正向通態(tài)電壓小、反向耐壓高、高溫特性好、動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)良的快軟恢復(fù)二極管芯片。其技術(shù)要點(diǎn)芯片基區(qū)的周邊為無(wú)激光孔隔離區(qū)域，通過(guò)P型雜質(zhì)源擴(kuò)散形成隔離墻，無(wú)激光孔隔離區(qū)域的上端內(nèi)側(cè)與陰極之間設(shè)置槽型玻璃鈍化臺(tái)面；且濃硼擴(kuò)散區(qū)的厚度為10-50um。由于芯片的基區(qū)周邊采用無(wú)激光孔的P型隔離區(qū)域，使P型雜質(zhì)源在芯片的陰、陽(yáng)極片周邊擴(kuò)散，形成隔離墻；濃硼擴(kuò)散區(qū)采用超薄陽(yáng)極，使快軟恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間達(dá)到50-200ns，而正向峰值電壓在1.4-2.5V范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L29/66GK201134435SQ20072013174
公開(kāi)日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2007年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月19日
發(fā)明者王日新 申請(qǐng)人:王日新