專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管，尤指一種可減少光源損失進(jìn) 而提高亮度表現(xiàn)的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
如

圖1所示即為一般習(xí)有SMD發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，該發(fā)光 二極管1具有一殼體11，其殼體11并設(shè)有由第一、二邊側(cè)111、 112 所圍成容置空間113，發(fā)光芯片12則設(shè)置于該容置空間113底部，并 有兩分離的支架13、 14設(shè)置于殼體11中，發(fā)光芯片12設(shè)置于其中一 支架13上，該發(fā)光芯片12并藉由導(dǎo)線15分別與兩支架13、 14形成 電性連接，最后再于容置空間113中設(shè)置封裝膠體16，則完成發(fā)光二 極管1的結(jié)構(gòu)。當(dāng)發(fā)光芯片12所發(fā)出的光線射入封裝膠體16與空氣不同的兩介 質(zhì)間時(shí)，會(huì)有部分的光線被空氣所反射回到封裝膠體16而無(wú)法進(jìn)入空 氣中，并反射第一、二邊側(cè)lll、 112上，然而亦有光線會(huì)形成全反射 而射入第一、二邊側(cè)lll、 112,然而，該第一、二邊側(cè)lll、 112傾斜 角度較大，亦即與容置空間113底部所形成的夾角較大，此時(shí)射入第 一、二邊側(cè)lll、 112的光線則容易將光線反射至容置空間113底部， 而無(wú)法有效的離開容置空間113，故導(dǎo)致光線損失、降低光線的使用效 率，進(jìn)而使整體發(fā)光二極管的亮度表現(xiàn)不佳。故有另種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其第一、二邊側(cè)傾斜角度較小，亦 即與容置空間底部所形成的夾角較小以形成較為傾斜的狀態(tài)，其第一、 二邊側(cè)可將由封裝膠體反射的光線朝容置空間上方射出，但其較為傾 斜的第一、二邊側(cè)設(shè)置于容置空間時(shí)，會(huì)造成容置空間底部面積較小 而容置空間開口處面積較大，易產(chǎn)生發(fā)光芯片設(shè)置位置以及導(dǎo)線設(shè)置 位置不易配置等問(wèn)題。
實(shí)用新襌內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種可減少光源損失 進(jìn)而提高亮度表現(xiàn)的發(fā)光二極管。為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管的技術(shù)方案為至少包 含有 一殼體、至少包含一支架、至少一發(fā)光芯片以及封裝膠體，其 殼體中設(shè)有支架，而殼體并形成至少有一凹坑狀的容置部，其容置部 并可使支架外露，該容置部邊側(cè)設(shè)有若干個(gè)不同傾斜角度的反射側(cè)壁， 其發(fā)光芯片則設(shè)于支架上。發(fā)光芯片所發(fā)出的光線經(jīng)由不同反射側(cè)壁 形成不同行進(jìn)方向，可使大部分光線由容置部射出，進(jìn)而提高發(fā)光二 極管的亮度表現(xiàn)。本實(shí)用新型的有益效果為1、 利用不同角度的反射側(cè)壁，使封裝膠體所反射的光線射入該反 射側(cè)壁時(shí)，得以控制光線行進(jìn)方向，并將光線由容置部上方射出，可 減少光線射向容置部底部而減少光線損失，進(jìn)而提高亮度表現(xiàn)。2、 藉由不同角度反射側(cè)壁的設(shè)置，使容置部底部的空間得以有較 佳發(fā)光芯片以及導(dǎo)線的配置。附圍說(shuō)明圖1為習(xí)有發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型中發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型中第一實(shí)施例發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)立體圖；圖4為本實(shí)用新型中各反射側(cè)壁的結(jié)構(gòu)放大示意圖；圖5為本實(shí)用新型中發(fā)光二極管的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型中各反射側(cè)壁的另一結(jié)構(gòu)放大示意圖；圖7為本實(shí)用新型中發(fā)光二極管的另一結(jié)構(gòu)立體圖；圖8為本實(shí)用新型中第二實(shí)施例發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)立體圖；圖9為本實(shí)用新型中第三實(shí)施例發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)立體圖；圖10為本實(shí)用新型中第一、二邊側(cè)以及各反射側(cè)壁的結(jié)構(gòu)示意圖11為本實(shí)用新型中第一 、二邊側(cè)以及各反射側(cè)壁的另 一結(jié)構(gòu)示意圖圖號(hào)說(shuō)明1-發(fā)光二極管111——第一邊側(cè)113——容置空間13、 14-支架16-#裝膠體21--殼體2111—第一邊側(cè) 221、 222—支架32-第二反射側(cè)壁23-發(fā)光芯片25-封裝膠體11--殼體112——第二邊側(cè)12-發(fā)光芯片15-導(dǎo)線2-發(fā)光二極管211——容置部 2112—第二邊側(cè)31-第一反射側(cè)壁33-第三反射側(cè)壁24-導(dǎo)線26-穿孔具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型發(fā)光二極管，其發(fā)光二極管2，如圖2所示，至少包含有一殼體21，其殼體21中設(shè)有支架221、 222,而殼體21并形成有 一凹坑狀的容置部211，其容置部211底部并可使支架221、 222外露， 該容置部211邊側(cè)設(shè)有若干個(gè)不同傾斜角度的反射側(cè)壁，請(qǐng)同時(shí)參閱 圖3所示，該容置部211具有兩兩相對(duì)的第一、二邊側(cè)2111、 2112， 其第一邊側(cè)2111的長(zhǎng)度小于第二邊側(cè)2112，而該第一邊側(cè)2111則設(shè) 有若千個(gè)不同傾斜角度的反射側(cè)壁，如圖所示的實(shí)施例中，其第一邊 側(cè)2111設(shè)有第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33，請(qǐng)同時(shí)參閱圖3所示， 該容置部211由底部向上設(shè)置的反射側(cè)壁傾斜角度漸增，亦即第一、 二、三反射側(cè)壁31、 32、 33與水平面的傾斜角度分別為Al、 A2、 A3， 而A1〈A2〈A3;當(dāng)然，該第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33亦可設(shè) 于第二邊倒2112上，如圖8所示。
支架221、 222,其中一支架221可供置方文發(fā)光芯片23。 至少一發(fā)光芯片23，設(shè)于其中一支架221上，并藉由導(dǎo)線24與各 支架221、 222形成電性連接。封裝膠體25，設(shè)置于容置部211中。當(dāng)發(fā)光芯片23所發(fā)出的光線射入封裝膠體25與空氣不同的兩介 質(zhì)間時(shí)，會(huì)有部分的光線被空氣所反射回到封裝膠體25而無(wú)法進(jìn)入空 氣中，并反射至第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33上，然而亦有光線 會(huì)形成全反射而射入第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33,因第一、二 反射側(cè)壁31、 32的傾斜角度較小，使射入的光線得以往容置部211上 方射出，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的亮度表現(xiàn)；其中，若干個(gè)不同傾斜角 度的反射側(cè)壁可如圖3的第一實(shí)施例中設(shè)于第一邊側(cè)2U1上，亦可如 圖8的第二實(shí)施例中設(shè)于第二邊側(cè)2112上，當(dāng)然，也可以如圖9的第 三實(shí)施例中，設(shè)于第一、二邊側(cè)2111、 2112上，同樣可以提高發(fā)光二 極管的亮度表現(xiàn)，而設(shè)于第一、二邊側(cè)2111、 2112的第一、二、三反 射側(cè)壁31、 32、 33可以形成相對(duì)應(yīng)的傾斜角度，亦即第一邊側(cè)第一反 射側(cè)壁31的傾斜角度Al，與第二邊側(cè)第一反射側(cè)壁31的傾斜角度al 相同，如圖IO所示，亦可如圖ll所示，該第一、二邊側(cè)2111、 2112 的第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33為不相同的傾斜角度，亦即第一 邊側(cè)第一反射側(cè)壁31的傾斜角度Al，與第二邊側(cè)第一反射側(cè)壁31的 傾斜角度al不同。如圖4及圖5所示為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，該容置部211邊 側(cè)同樣設(shè)有第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33,該容置部211由底部 向上設(shè)置的反射側(cè)壁傾斜角度漸減，亦即第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33與水平面的傾斜角度分別為Al、 A2、 A3，而A1〉A(chǔ)2〉A(chǔ)3。當(dāng)發(fā)光芯片23所發(fā)出的光線射入封裝膠體25與空氣不同的兩介 質(zhì)間時(shí)，部分的光線反射至第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33上，或 者形成全反射而射入第一、二、三反射側(cè)壁31、 32、 33,因第二、三 反射鑭壁32、 33的傾斜角度較小，使射入的光線得以往容置部211上 方射出，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的亮度表現(xiàn)。
再者，該支架221、 222露出于殼體21處可設(shè)置有穿孔26,如圖 7所示，該穿孔26的設(shè)置可以減少支架221、 222折彎時(shí)的應(yīng)力。 值得一提的是，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管具有下列優(yōu)點(diǎn)1、 利用不同角度的反射側(cè)壁，使封裝膠體所反射的光線射入該反 射側(cè)壁時(shí)，得以控制光線行進(jìn)方向，并將光線由容置部上方射出，可 減少光線射向容置部底部而減少光線損失，進(jìn)而提高亮度表現(xiàn)。2、 藉由不同角度反射側(cè)壁的設(shè)置，使容置部底部的空間得以有較 佳發(fā)光芯片以及導(dǎo)線的配置。如上所述，本實(shí)用新型提供一種較佳可行發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，爰依 法提呈新型專利的申請(qǐng)；惟，以上的實(shí)施說(shuō)明及圖式所示，本實(shí)用新 型較佳實(shí)施例者，并非以此局限本實(shí)用新型，是以，舉凡與本實(shí)用新 型的構(gòu)造、裝置、特征等近似或相雷同者，均應(yīng)屬本實(shí)用新型的創(chuàng)設(shè) 目的及申請(qǐng)專利范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種發(fā)光二極管，其特征在于，其至少包含有一殼體，其殼體中設(shè)有支架，而殼體并形成至少有一凹坑狀的容置部，其容置部并可使支架外露，該容置部邊側(cè)設(shè)有若干個(gè)不同傾斜角度的反射側(cè)壁；至少包含一支架可供置放發(fā)光芯片；至少一發(fā)光芯片，設(shè)于支架上；封裝膠體，設(shè)置于容置部中。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 容置部由底部向上設(shè)置的反射側(cè)壁傾斜角度漸增。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 容置部由底部向上設(shè)置的反射側(cè)壁傾斜角度漸減。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 容置部具有兩兩相對(duì)的第一、二邊側(cè)，該第一邊側(cè)的長(zhǎng)度小 于第二邊側(cè)，其反射側(cè)壁則設(shè)置于第一邊側(cè)上。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 容置部具有兩兩相對(duì)的第一、二邊側(cè)，該第一邊側(cè)的長(zhǎng)度小 于第二邊側(cè)，其反射側(cè)壁則設(shè)置于第二邊側(cè)上。
6、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 容置部具有兩兩相對(duì)的第一、二邊側(cè)，該第一邊側(cè)的長(zhǎng)度小 于第二邊側(cè)，其反射側(cè)壁則設(shè)置于第一、二邊側(cè)上。
7、 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 第一、二邊側(cè)的若干反射側(cè)壁形成相對(duì)應(yīng)的傾斜角度。
8、 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 第一、二邊側(cè)的若干反射側(cè)壁形成不同的傾斜角度。
9、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該 支架露出于殼體處設(shè)置有穿孔。
專利摘要本實(shí)用新型發(fā)光二極管至少包含有一殼體、至少包含一支架、至少一發(fā)光芯片以及封裝膠體，其殼體中設(shè)有支架，而殼體并形成至少有一凹坑狀的容置部，其容置部并可使支架外露，該容置部邊側(cè)設(shè)有若干個(gè)不同傾斜角度的反射側(cè)壁，其發(fā)光芯片則設(shè)于其中一支架上，發(fā)光芯片所發(fā)出的光線經(jīng)由不同反射側(cè)壁形成不同行進(jìn)方向，可使大部分光線由容置部射出，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的亮度表現(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L33/00GK201054361SQ20072014328
公開日2008年4月30日 申請(qǐng)日期2007年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月11日
發(fā)明者陳偉安 申請(qǐng)人:凱鼎科技股份有限公司