專利名稱：陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型為有關(guān)于一種陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，特別是指憑借電容值 測(cè)量裝置測(cè)量陶瓷電容器的電容值，且傳送給激光加工主機(jī)，使激光加工主機(jī)對(duì) 陶瓷電容器加工，使本實(shí)用新型具有提高容值精準(zhǔn)度以及品質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。
背景技術(shù)：
陶瓷電容器具有高溫穩(wěn)定性、不產(chǎn)生有害氣體、良好化學(xué)穩(wěn)定性以及較高的 機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)，因此在許多的電子產(chǎn)品幾乎都可以見到陶瓷電容器的使用，例 如通訊電子產(chǎn)品、資訊電子產(chǎn)品與消費(fèi)性電子產(chǎn)品等都可以見到陶瓷電容器的蹤 跡，也因此陶瓷電容器產(chǎn)業(yè)無不積極的想盡方法以期能增加效率同時(shí)降低成本， 以提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，努力在這高度成長(zhǎng)與高度競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)代里領(lǐng)先電子同業(yè)。
請(qǐng)參閱圖l，圖示為陶瓷電容器的側(cè)視圖，所述的陶瓷電容器9，是包括一用 鈦酸鋇(BaTi03)制成的陶瓷主體91 ，兩分別憑借涂布方法形成在陶瓷主體91兩 側(cè)面的電極層92，以及兩分別焊接在電極層92外側(cè)面的引線端子93，其中，陶 瓷電容器結(jié)構(gòu)9的電容值決定在兩電極層92之間的距離以及面積大小的關(guān)系。
目前業(yè)者在制造陶瓷電容器結(jié)構(gòu)時(shí)，都會(huì)因?yàn)榉N種因素，產(chǎn)生電容值不易精 確掌控問題，而所述的產(chǎn)品的處理方式， 一般是全檢，再分等級(jí)， 一批產(chǎn)品往往 無法確實(shí)生產(chǎn)出所設(shè)定的生產(chǎn)數(shù)量，如此一來，便造成許多生產(chǎn)上的問題，且目 前材料的價(jià)格上漲且昂貴，良品比例更造成制造成本的上升，殊不理想。
因此，如何開發(fā)一種得以解決上述現(xiàn)有的技術(shù)各種缺點(diǎn)的陶瓷電容器的容值 調(diào)整裝置，以發(fā)展出生產(chǎn)中可調(diào)整以及增加可靠性的實(shí)用性實(shí)用新型，實(shí)為目前 亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的主要目的是提供一種提高容值精 準(zhǔn)度以及品質(zhì)的陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是-
一種陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，是用來調(diào)整陶瓷電容器的電容值，其特征 在于包含有
一電容值測(cè)量裝置，是電連接前述的陶瓷電容器，用來測(cè)量陶瓷電容器的電 容值；以及
一激光加工主機(jī)，電連接電容值測(cè)量裝置，包括有一激光源、 一工作臺(tái)、一 控制裝置以及一移動(dòng)裝置，所述的工作臺(tái)是用來承置陶瓷電容器，而控制裝置是 電連接電容值測(cè)量裝置，且接收由電容值測(cè)量裝置所測(cè)量到的陶瓷電容器的電容 值，并電連接移動(dòng)裝置以及激光源，用來控制移動(dòng)裝置以及激光源的動(dòng)作，所述 的移動(dòng)裝置用來使激光源與陶瓷電容器作相對(duì)移動(dòng)，而激光源是用來射出激光。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，采用上述技術(shù)方案的本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)在于可以 改進(jìn)現(xiàn)有缺失而具有提高容值精準(zhǔn)度以及品質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。


圖1所示是陶瓷電容器的側(cè)視圖2所示是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的外觀平面圖3所示是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的動(dòng)作流程圖4所示是陶瓷電容器的電極層形成至少一絕緣切割線的平面圖5所示是陶瓷電容器的電極層形成至少一絕緣切割線以及至少一打點(diǎn)孔的
平面圖6所示是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的外觀平面圖。
附圖標(biāo)記說明l-電容值測(cè)量裝置；2-激光加工主機(jī)；21-激光源；22-工作臺(tái)； 221-治具；23-控制裝置；231-微處理器；232-記憶體；24-移動(dòng)裝置；9-陶瓷電容 器；91-陶瓷主體；92-電極層；921-絕緣切割線；922-打點(diǎn)孔；93-引線端子。
具體實(shí)施方式
有關(guān)于本實(shí)用新型所采用的技術(shù)、手段以及其達(dá)成功效，茲舉較佳實(shí)施例并 配合圖式詳細(xì)說明如后，相信當(dāng)可由的得深入而具體的了解。
請(qǐng)配合參閱圖2所示，本實(shí)用新型陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置的較佳實(shí)施例，
是用來調(diào)整陶瓷電容器9的電容值，包含有一電容值測(cè)量裝置l，是電連接前述的陶瓷電容器9，用來測(cè)量陶瓷電容器9 的電容值；以及
一激光加工主機(jī)2，電連接電容值測(cè)量裝置l，包括有一激光源21、 一工作 臺(tái)22、 一控制裝置23以及一移動(dòng)裝置24，所述的工作臺(tái)22是具有一治具221， 所述的治具221是用來承置陶瓷電容器9;而控制裝置23是電連接電容值測(cè)量裝 置l，且接收由電容值測(cè)量裝置1所測(cè)量到的陶瓷電容器9的電容值，并電連接 移動(dòng)裝置24以及激光源21，用來控制移動(dòng)裝置24以及激光源21的動(dòng)作，包括 有一用來處理計(jì)算以及控制程序的微處理器231，以及一用來儲(chǔ)存程序以及儲(chǔ)存 操作指令的記憶體232，所述的記憶體232是預(yù)先載入一分析處理軟體，所述的 分析處理軟體可將陶瓷電容器9的電容值與使用者所設(shè)定的基準(zhǔn)電容值做比較； 然后，得到一電容補(bǔ)償值，并將電容補(bǔ)償值轉(zhuǎn)換成一程序指令，憑借所述的程序 指令控制移動(dòng)裝置24以及激光源21的動(dòng)作，所述的移動(dòng)裝置24是控制激光源 21動(dòng)作，用來使激光源21與陶瓷電容器9作相對(duì)移動(dòng)，而激光源21是用來射出 激光。
有關(guān)于上述構(gòu)件的組合結(jié)構(gòu)請(qǐng)參閱圖2至圖5所示，本實(shí)用新型陶瓷電容器 的容值調(diào)整裝置的較佳實(shí)施例使用時(shí)，是預(yù)先在控制裝置23內(nèi)載入一基準(zhǔn)電容 值；接著，提供一陶瓷電容器9置在治具221上，所述的陶瓷電容器9包括一陶 瓷主體91，兩分別形成在陶瓷主體91兩側(cè)面的電極層92，以及兩分別焊接在電 極層92外側(cè)面的引線端子93，所述的引線端子93是電連接電容值測(cè)量裝置1， 上述的容值調(diào)整裝置的使用步驟至少包括a、電容值測(cè)量裝置是測(cè)量陶瓷電容器 的電容值(s301); b、電容值傳送到控制裝置，所述的控制裝置判斷且得到一電容 補(bǔ)償值并轉(zhuǎn)換成一程序指令(s302);程序指令傳送至移動(dòng)裝置以及激光源對(duì)陶瓷電 容器作一切割或打點(diǎn)的補(bǔ)償動(dòng)作(s303);再次測(cè)量陶瓷電容器的電容值(s304);以 及收料(s305)。
上述的電容值測(cè)量裝置1是用來測(cè)量陶瓷電容器9的電容值，且電容值測(cè)量 裝置1另外電連接控制裝置23，所述的控制裝置23是接收由電容值測(cè)量裝置1 所傳送的電容值，且控制裝置23是比較基準(zhǔn)電容值以及由電容值測(cè)量裝置1所傳 送的電容值，并如此判斷且得到一陶瓷電容器9所需的電容補(bǔ)償值，且控制裝置 23將電容補(bǔ)償值轉(zhuǎn)換成一程序指令，并憑借所述的程序指令控制移動(dòng)裝置24以 及激光源21對(duì)陶瓷電容器9作一切割或打點(diǎn)的補(bǔ)償動(dòng)作，使陶瓷電容器9的電極層92形成至少一絕緣切割線921(如圖4)，或者在電極層92上形成至少一打點(diǎn)孔 922(如圖5)，并憑借絕緣切割線921以及打點(diǎn)孔922對(duì)電極層92的作用，降低陶 瓷電容器9的電容值；然后，電容值測(cè)量裝置1再一次的測(cè)量陶瓷電容器9的電 容值，如果電容值正常，也完成陶瓷電容器9的容值調(diào)整動(dòng)作，并將陶瓷電容器 9由治具221取下，完成收料的動(dòng)作；如果陶瓷電容器9的電容值不正常，也重 復(fù)控制裝置23、移動(dòng)裝置24以及激光源21的動(dòng)作；的后，電容值測(cè)量裝置l又 一次的測(cè)量陶瓷電容器9的電容值，直到陶瓷電容器9的電容值正常后，完成收 料的動(dòng)作。
另外，請(qǐng)參閱圖6所示，本實(shí)用新型陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置的另一較佳 實(shí)施例與上一較佳實(shí)施例基本結(jié)構(gòu)相同，不同點(diǎn)在于本較佳實(shí)施例的移動(dòng)裝置24 是控制工作臺(tái)22的治具221動(dòng)作，用來使激光源21與陶瓷電容器9作相對(duì)移動(dòng)。
以上說明對(duì)本實(shí)用新型而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、 變化或等效，但都將落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求可限定的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，是用來調(diào)整陶瓷電容器的電容值，其特征在于包含有一電容值測(cè)量裝置，是電連接前述的陶瓷電容器，用來測(cè)量陶瓷電容器的電容值；以及一激光加工主機(jī)，電連接電容值測(cè)量裝置，包括有一激光源、一工作臺(tái)、一控制裝置以及一移動(dòng)裝置，所述的工作臺(tái)是用來承置陶瓷電容器，而控制裝置是電連接電容值測(cè)量裝置，且接收由電容值測(cè)量裝置所測(cè)量到的陶瓷電容器的電容值，并電連接移動(dòng)裝置以及激光源，用來控制移動(dòng)裝置以及激光源的動(dòng)作，所述的移動(dòng)裝置用來使激光源與陶瓷電容器作相對(duì)移動(dòng)，而激光源是用來射出激光。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，其特征在于工作臺(tái)是更具有一治具，所述的治具是用來承置陶瓷電容器。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，其特征在于控制裝 置包括有一用來處理計(jì)算以及控制程序的微處理器，以及一用來儲(chǔ)存程序以及儲(chǔ) 存操作指令的記憶體。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，其特征在于移動(dòng)裝 置是控制激光源動(dòng)作，用來使激光源與陶瓷電容器作相對(duì)移動(dòng)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，其特征在于移動(dòng)裝 置是控制治具動(dòng)作，用來使激光源與陶瓷電容器作相對(duì)移動(dòng)。
專利摘要本實(shí)用新型是一種陶瓷電容器的容值調(diào)整裝置，是用來調(diào)整陶瓷電容器的電容值，包含有一電容值測(cè)量裝置以及一激光加工主機(jī)，所述的電容值測(cè)量裝置是電連接陶瓷電容器，而激光加工主機(jī)是電連接電容值測(cè)量裝置，并憑借電容值測(cè)量裝置測(cè)量陶瓷電容器的電容值，且傳送給激光加工主機(jī)，使激光加工主機(jī)對(duì)陶瓷電容器加工，令陶瓷電容器的電容值正確，如此可使本實(shí)用新型具有提高容值精準(zhǔn)度以及品質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01G4/12GK201142277SQ20072017537
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月11日
發(fā)明者林進(jìn)誠(chéng) 申請(qǐng)人:沛鑫科技有限公司