專利名稱：光源裝置、基板處理裝置、基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一般的半導(dǎo)體裝置的制造、特別是涉及在半導(dǎo)體裝置 的制造工序中使用的光源裝置以及具備這樣的光源裝置的基板處理裝 置。
背景技術(shù)：
在包含液晶顯示裝置的半導(dǎo)體裝置的制造工序中，紫外光源通過 紫外光進(jìn)行在基板上形成的膜等的改性、產(chǎn)生氧自由基或鹵素自由基 等的自由基，因此被廣泛的應(yīng)用。
例如，已知有使用紫外光源激發(fā)氧氣，通過形成的氧自由基對(duì)硅 基板表面進(jìn)行氧化的技術(shù)。而且可以得知使用被紫外光激發(fā)的鹵素自 由基進(jìn)行的蝕刻技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
作為該種紫外光源，廣泛應(yīng)用的有現(xiàn)有的高壓水銀燈、低壓水銀 燈、激元燈等，但是這些是具有管狀形狀的管狀或者點(diǎn)狀的光源，覆 蓋大面積而使其同樣產(chǎn)生紫外光時(shí)，就需要設(shè)置多個(gè)光源，使用使被 處理基板旋轉(zhuǎn)等的復(fù)雜的機(jī)構(gòu)。
而且，目前，這些光源的壽命短，需要頻繁更換，特別是在使用 多個(gè)光源處理大口徑基板的基板處理裝置中，紫外光源的費(fèi)用成為抬 高半導(dǎo)體裝置的制造費(fèi)用的重要原因。
本發(fā)明提供一種能夠覆蓋大面積、進(jìn)行同樣的紫外發(fā)光的紫外光 源裝置，以及具有這樣的紫外光源裝置的基板處理裝置。
專利文獻(xiàn)h日本特開平7—106299號(hào)公報(bào) 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光源裝置，其特征在于，包括 包含等離子體形成區(qū)域，在上述等離子體形成區(qū)域中，通過無電 極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和
劃分在上述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過 上述發(fā)光的光學(xué)窗，其中，
在上述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成上述等離子體的 微波的微波透過窗，
并且在上述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與上述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入 上述微波的微波天線。
根據(jù)本發(fā)明的其他方面，提供一種基板處理裝置，具備
設(shè)置有劃分處理空間，在上述處理空間中保持被處理基板的基板 保持臺(tái)的處理容器；和
在上述處理容器的上部，以與上述基板保持臺(tái)上的被處理基板相 對(duì)的方式設(shè)置的光源裝置，其特征在于，
上述光源裝置包括
包含等離子體形成區(qū)域，在上述等離子體形成區(qū)域中，通過無電 極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和
劃分在上述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過 上述發(fā)光的光學(xué)窗，
在上述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成上述等離子體的 微波的微波透過窗，
在上述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與上述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入上述 微波的微波天線，
上述基板處理裝置還具備
向上述等離子體形成區(qū)域?qū)氲谝粴怏w的第一氣體導(dǎo)入口； 向上述處理空間導(dǎo)入第二氣體的第二氣體導(dǎo)入口； 對(duì)上述處理空間進(jìn)行排氣的排氣口；和
設(shè)置在上述光學(xué)窗的一部分上，連接上述等離子體形成室和上述 處理空間的開口部。
根據(jù)本發(fā)明的其他方面，本發(fā)明提供一種基板處理裝置，具備
設(shè)置有劃分處理空間，在上述處理空間中保持被處理基板的基板 保持臺(tái)的處理容器；和
在上述處理容器的上部，以與上述基板保持臺(tái)上的被處理基板相 對(duì)的方式設(shè)置的光源裝置，其特征在于，
上述光源裝置包括
包含等離子體形成區(qū)域，在上述等離子體形成區(qū)域中，通過無電 極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和
劃分在上述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過 上述發(fā)光的光學(xué)窗，
在上述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成上述等離子體的 微波的微波透過窗，
在上述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與上述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入上述 微波的微波天線，
上述基板處理裝置還具備
向上述等離子體形成室導(dǎo)入第一氣體的第一氣體入口 ；
向上述處理空間導(dǎo)入第二氣體的第二氣體入口； 對(duì)上述等離子體形成室進(jìn)行排氣的第一排氣口；和 對(duì)上述處理空間進(jìn)行排氣的第二排氣口。
根據(jù)本發(fā)明的其他方面，提供一種基板處理方法，是通過下述基 板處理裝置進(jìn)行的基板處理方法，該基板處理裝置具備
設(shè)置有劃分處理空間，在上述處理空間中保持被處理基板的基板 保持臺(tái)的處理容器；和
在上述處理容器的上部，以與上述基板保持臺(tái)上的被處理基板相 對(duì)的方式設(shè)置的光源裝置，
上述光源裝置包括
包含等離子體形成區(qū)域，在上述等離子體形成區(qū)域中，通過無電 極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和
劃分在上述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過 上述發(fā)光的光學(xué)窗，
在上述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成上述等離子體的 微波的微波透過窗，
在上述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與上述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入上述 微波的微波天線，
上述基板處理裝置還具備
向上述等離子體形成室導(dǎo)入第一氣體的第一氣體入口；向上述處理空間導(dǎo)入第二氣體的第二氣體入口； 對(duì)上述等離子體形成室進(jìn)行排氣的第一排氣口 ； 對(duì)上述處理空間進(jìn)行排氣的第二排氣口 ； 設(shè)置在上述第一排氣口的第一閥； 設(shè)置在上述第二排氣口的第二閥；
使上述等離子體形成室與上述處理空間結(jié)合的連通路；和
設(shè)置在上述連通路的第三閥，
上述基板處理方法包含下述工序的至少一個(gè)
在關(guān)閉上述第三閥、打開上述第一閥和第二閥的狀態(tài)下，在上述 等離子體形成區(qū)域中形成等離子體，使上述被處理基板表面相對(duì)于等 離子體發(fā)光而曝光的第一工序；和
在打開上述第二和第三閥、關(guān)閉上述第一閥的狀態(tài)下，通過伴隨 上述等離子體產(chǎn)生的自由基，在上述處理空間中，對(duì)上述被處理基板 表面進(jìn)行處理的第二工序。
根據(jù)本發(fā)明，通過與光學(xué)窗相對(duì)的微波透過窗，在等離子體形成 區(qū)域中，通過微波天線的無線電放電形成等離子體，將伴隨形成的等 離子體的發(fā)光從光學(xué)窗放射，由此能夠?qū)崿F(xiàn)覆蓋大面積的同樣的發(fā)光， 獲得長壽命的大口徑光源。通過使用該種光源，能夠?qū)崿F(xiàn)廉價(jià)進(jìn)行高 品質(zhì)的基板處理。該種光源能夠與使用等離子體的基板處理裝置實(shí)現(xiàn) 一體化。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的其他的圖。
圖3是從圖1的光源放射出的Xe的光譜圖。
圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光源裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖6是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的其他的光源裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖7是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖8A是圖6的基板處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)模式圖。
圖8B是圖6的基板處理裝置的其他的運(yùn)轉(zhuǎn)模式的圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的、具備微波等離子體光源裝
置的基板處理裝置50的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D1，基板處理裝置50包含處理容器51，在上述處理容器51 中，設(shè)置有保持被處理基板W的基板保持臺(tái)52。上述處理容器51在 排氣口 51D,通過以包圍上述基板保持臺(tái)52的方式形成的空間51C進(jìn)
行排氣。
上述基板保持臺(tái)52設(shè)置有加熱器52A,上述加熱器52A由電源 52C，通過驅(qū)動(dòng)線52B被驅(qū)動(dòng)。
在上述處理容器51中，配置有與上述被處理基板W相面對(duì)，由 透過紫外線的電介質(zhì)等的石英玻璃、A1N、八1203或￥203構(gòu)成的光學(xué)窗 61A，通過上述光學(xué)窗61A，上述處理容器內(nèi)的空間被分成上方的等離 子體形成空間51A和下方的處理空間51B。在圖示的實(shí)施方式中，上 述等離子體形成空間51A和處理空間51B，通過在上述被處理基板W 的外側(cè)設(shè)置于上述光學(xué)窗61A上的開口部61a連通。
開口部61a形成為多個(gè)孔或狹縫狀。只要能夠連通其可以是任何 形狀。
在上述處理容器51的上部，形成有與上述光學(xué)窗61A相面對(duì)的開 口部，上述開口部通過由電介質(zhì)等的石英玻璃、A1N、八1203或Y203 構(gòu)成的頂板53被氣密地塞住。而且在上述頂板53的下方，上述光學(xué) 窗61A的上方設(shè)置有氣環(huán)等的氣體導(dǎo)入部54，該氣體導(dǎo)入部54設(shè)置 有空氣入口以及與其連通的多個(gè)噴嘴開口部，氣體導(dǎo)入部54A將Ar、 Kr、 Xe、 He、 Ne等的稀有氣體導(dǎo)入上述等離子體形成空間51A中。
另外，在上述處理容器51中，在上述光學(xué)窗61A之下設(shè)置有其他 的氣環(huán)54B，例如，氧氣、氮?dú)?、N20氣體、NO氣體、N02氣體、碳 氫化合物氣體、碳氟化合物氣體、稀有氣體等以上述被處理基板W的 基板處理為目的而被導(dǎo)入上述處理空間51B。
在此，上述頂板53作為微波透過窗發(fā)揮作用，在上述頂板53的 上部，設(shè)置有構(gòu)成徑向線隙縫天線55C的天線部55。也可以取代上述
微波天線使用喇叭形天線。
在圖示的例子中，形成由徑向線隙縫天線55C構(gòu)成的平面狀的天
線，因此上述天線部55包括平坦的導(dǎo)體部55A和滯波板55B和平面 天線板55C。滯波板55B以覆蓋平面天線板55C的方式設(shè)置，由石英 或氧化鋁等的電介質(zhì)構(gòu)成。
平面天線板55C形成有在圖4中說明的多個(gè)狹縫55a、 55b，而且 天線55與由外部波導(dǎo)通路56A和內(nèi)部波導(dǎo)通路56B構(gòu)成的同軸波導(dǎo) 管56連接、結(jié)合，上述外部波導(dǎo)通路56A與上述天線55的導(dǎo)體部55A 連接，并且，上述內(nèi)部波導(dǎo)通路56B貫通上述滯波板55B與上述平面 天線板55C連接、結(jié)合。
上述內(nèi)部波導(dǎo)通路通過模式轉(zhuǎn)換部110A與矩形截面的波導(dǎo)通路 110B連接，上述波導(dǎo)通路110B通過阻抗匹配器111與微波源112結(jié) 合。在上述微波源112中形成的微波通過矩形波導(dǎo)管110B和同軸波導(dǎo) 管56供應(yīng)給天線55。
此外，在圖1的結(jié)構(gòu)中，在上述導(dǎo)體部55A上設(shè)置有冷卻單元55D。
圖2詳細(xì)表示上述徑向線隙縫天線55C的結(jié)構(gòu)。但是圖2是上述 平面天線板55C的俯視圖。
參照?qǐng)D2，可知在上述平面天線板55C上多個(gè)狹縫55a、 55b形成 為同心圓狀，且鄰接的狹縫55a和55b處于垂直的方向。上述狹縫55a、 55b既可以是螺旋狀又可以是直線狀。
因此，從同軸波導(dǎo)管56向該徑向線隙縫天線55C供給微波時(shí)，微 波從天線55C中徑向展開而傳播，此時(shí)通過上述滯波板55B受到波長 壓縮。因此，微波從上述狹縫55a、 55b， 一般的在與平面天線板55C 大概垂直的方向上，作為圓偏振波被放射。
在動(dòng)作時(shí)，在上述處理容器51內(nèi)的等離子體形成空間51A和處理 空間51B，通過上述排氣口 51C的排氣，設(shè)定為規(guī)定的壓力，Ar、 Kr、 Xe、 Ne等的稀有氣體，從上述氣體導(dǎo)入部54A被導(dǎo)入至上述等離子體 形成空間51A中。
接著，頻率是l 20GHz，例如2.45 GHz的微波，從上述微波源 112通過天線55導(dǎo)入上述處理空間51A，其結(jié)果，在上述被處理基板 W的表面激發(fā)等離子體密度為1011 1013/^113的高密度等離子體。這樣由通過天線導(dǎo)入的微波激發(fā)的等離子體，以0.5 7eV或者在上述范圍 以下的低的電子溫度為特征。
伴隨該種等離子體激發(fā)，在上述等離子體形成空間51A中，形成 有在圖3中所示的具有Xe連續(xù)光譜的紫外光。優(yōu)選紫外光區(qū)域在10 400nm，在使用石英窗的情況下，優(yōu)選在200nm以上。這樣，就能夠 根據(jù)發(fā)光強(qiáng)度激起處理氣體而進(jìn)行基板處理。而且，因?yàn)楦鶕?jù)激起氣 體的發(fā)光強(qiáng)度波長不同，故最好選擇最合適的效率優(yōu)良的發(fā)光氣體。 因此，在圖1、 2的基板處理裝置50中，能夠?qū)⒃谏鲜龅入x子體形成 空間51A中來自無電極放電的等離子體發(fā)光作為光源，在上述處理空 間51B中進(jìn)行基板處理。這種情況下，在上述光學(xué)窗61A上方的部分， 構(gòu)成微波等離子體光源裝置。
在圖1的結(jié)構(gòu)中，上述等離子體形成空間51A因?yàn)橥ㄟ^上述處理 空間51B和上述開口部61a連通，故上述等離子體形成空間51A與上 述處理空間同時(shí)排氣。
根據(jù)圖1、2的結(jié)構(gòu)，等離子體通過大口徑的微波天線均勻地形成， 通過伴隨等離子體的紫外光，在具有大面積的被處理體上的單一的光 源，能夠均勻照射，不需要通過排列多個(gè)壽命短的放電管而構(gòu)成光源， 也不需要使被處理基板旋轉(zhuǎn)。其結(jié)果，在紫外光處理或使用氧自由基 的氧化處理，蝕刻處理等中，能夠?qū)崿F(xiàn)大幅度降低基板處理費(fèi)用。
圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施方式，表示具備無電極放電光源裝置的 基板處理裝置50A的結(jié)構(gòu)。但是在圖中，對(duì)與先前說明過的部分相對(duì)
應(yīng)的部分付與相同的參照符號(hào)，省略說明。
參照?qǐng)D4，在本實(shí)施方式中，取代上述光學(xué)窗61A，在上述等離子 體形成空間51A和處理空間51B之間未形成連通部，而是設(shè)置有分離 的石英光學(xué)窗61B，而且在上述處理容器51中，形成有對(duì)上述等離子 體形成區(qū)域51A進(jìn)行排氣的排氣口 51E。
在圖4的結(jié)構(gòu)中，這樣，上述等離子體形成區(qū)域51A相對(duì)上述處 理空間51B獨(dú)立，在上述光學(xué)窗61B的上方，形成有與處于上述光學(xué) 窗61B的下方的基板處理裝置相獨(dú)立的光源裝置。將稀有氣體等的等 離子體氣體從氣環(huán)54A導(dǎo)入等離子體處理裝置50A中而生成等離子體，從而生成紫外光。
該情況下，在上述處理空間51B中，通過伴隨在上述等離子體形
成區(qū)域51A中形成的等離子體產(chǎn)生的紫外光，從上述氣體入口 54B供 應(yīng)的處理氣體被激發(fā)，其結(jié)果通過形成的上述處理氣體的活性自由基， 進(jìn)行被處理基板W的基板處理。
另外，在圖4的結(jié)構(gòu)中，也能夠使只有光源裝置部分如圖5所示 分離，構(gòu)成獨(dú)立的光源裝置70。而且，如圖6所示，也能夠在上述光 源裝置70中，省略氣體入口 54A和排氣口 51E，在上述等離子體形成 區(qū)域51A中，構(gòu)成密封有Ar、 Kr、 Xe、 Ne、 He等的稀有氣體的光源 裝置70A。
圖7表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的基板處理裝置50B的結(jié)構(gòu)。但 是在圖中，對(duì)與先前說明過的部分相對(duì)應(yīng)的部分付與相同的參照符號(hào)， 省略說明。
參照?qǐng)D7，基板處理裝置50B與上述基板處理裝置50A具有同樣 的構(gòu)成，但是在處理容器51的外部，設(shè)置有連接上述等離子體形成空 間51A和處理空間51B的管路71，而且在上述管路71中設(shè)置有閥71A。 另外，在圖6的結(jié)構(gòu)中，上述排氣口 51D通過閥51d排氣，排氣口 51E 通過闊51e排氣。等離子體形成空間54A和處理空間51B的排氣，也 可以分別進(jìn)行。
上述閥71A，在將形成于上述等離子體形成空間51A的自由基導(dǎo) 入上述處理空間51B時(shí)被開放。
圖8A和圖8B表示圖7的基板處理裝置50B的2個(gè)運(yùn)行模式。
在圖8A的運(yùn)行模式中，上述閥71A被關(guān)閉，通過開放上述閥51d 和51e，包含有上述光學(xué)窗61B以及其上側(cè)的等離子體形成空間51A 的光源部，相對(duì)處于上述光學(xué)窗61B下方的基板處理部被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)， 上述基板保持臺(tái)52上的被處理基板W，被伴隨形成于上述等離子體形 成空間的等離子體的發(fā)光所照射。
與此相對(duì)，在圖8B的運(yùn)轉(zhuǎn)模式下，上述閥71A開放，另一個(gè)閥 51e關(guān)閉。
其結(jié)果，例如在氧氣或氮?dú)馀cAr氣體等的稀有氣體同時(shí)被導(dǎo)入上
述等離子體形成空間51A的情況下，在上述等離子體形成空間51A中 形成的氧自由基或氮自由基，通過上述排氣口 51D和閥51d的排氣作 用的結(jié)果，經(jīng)過上述管路71流入處理空間51B，對(duì)上述被處理基板W 的表面進(jìn)行氧自由基處理。在本實(shí)施方式中，可以用氧、氫，經(jīng)過紫 外線照射而活化，對(duì)處理容器51內(nèi)的有機(jī)物(C、 H等的碳化氫等) 進(jìn)行清洗。
圖8A的運(yùn)行模式和圖8B的運(yùn)行模式是獨(dú)立的，能夠分別執(zhí)行。 而且，即能夠在圖7B的運(yùn)行模式之后執(zhí)行圖8A的運(yùn)行模式，也能夠 在圖7A的運(yùn)行模式之后執(zhí)行圖8B的運(yùn)行模式。
以上，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)了行說明，但本發(fā)明并不限定于 這樣的特定的實(shí)施方式，在本專利權(quán)利要求的范圍內(nèi)所述的要點(diǎn)中可 以進(jìn)行各種變形、變更。
另外，本發(fā)明低損傷，因此也可以適用于Low—K(低介電常數(shù))膜 的熟化或光清洗等。
本發(fā)明包含成為優(yōu)先權(quán)主張的基礎(chǔ)的在2006年1月31日申請(qǐng)的 專利2006_023283的全部內(nèi)容。
根據(jù)本發(fā)明，通過與光學(xué)窗相對(duì)的微波透過窗，在等離子體形成 區(qū)域中，通過根據(jù)微波天線的無電極放電形成等離子體，將伴隨所形 成的等離子體的發(fā)光從光學(xué)窗進(jìn)行放射，由此實(shí)現(xiàn)覆蓋大面積的同樣 的發(fā)光，獲得長壽命大口徑的光源。通過使用該種光源，能夠?qū)崿F(xiàn)廉 價(jià)地進(jìn)行高品質(zhì)的基板處理。該種光源能夠與使用了等離子體的基板 處理裝置實(shí)現(xiàn)一體化。
權(quán)利要求
1.一種光源裝置，其特征在于，包括包含等離子體形成區(qū)域，在所述等離子體形成區(qū)域中，通過無電極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和劃分在所述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過所述發(fā)光的光學(xué)窗，在所述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成所述等離子體的微波的微波透過窗，并且在所述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與所述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入所述微波的微波天線。
2. 如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于 所述微波天線是形成有多個(gè)狹縫的平面天線。
3. 如權(quán)利要求l所述的光源裝置，其特征在于所述等離子體形成室通過排氣口排氣，并且在所述等離子體形成 室中形成有向所述等離子體形成區(qū)域供給氣體的氣體入口。
4. 如權(quán)利要求3所述的光源裝置，其特征在于在所述等離子體形成室內(nèi)，設(shè)置有連結(jié)所述等離子體形成區(qū)域和 所述光學(xué)窗的下側(cè)區(qū)域的連通路，所述排氣口設(shè)置在所述下側(cè)區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求3所述的光源裝置，其特征在于在所述等離子體形成室中，在所述等離子體形成區(qū)域形成有排氣□。
6. —種基板處理裝置，其特征在于，包括設(shè)置有劃分處理空間、在所述處理空間中保持被處理基板的基板 保持臺(tái)的處理容器；和在所述處理容器的上部，以與所述基板保持臺(tái)上的被處理基板相 對(duì)的方式設(shè)置的光源裝置，所述光源裝置包括包含等離子體形成區(qū)域，在所述等離子體形成區(qū)域中，通過無電 極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和劃分在所述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過 所述發(fā)光的光學(xué)窗，在所述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成所述等離子體的 微波的微波透過窗，在所述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與所述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入所述 微波的微波天線，所述基板處理裝置還具備向所述等離子體形成區(qū)域?qū)氲谝粴怏w的第一氣體導(dǎo)入口 ； 向所述處理空間導(dǎo)入第二氣體的第二氣體導(dǎo)入口 ； 對(duì)所述處理空間進(jìn)行排氣的排氣口；和設(shè)置在所述光學(xué)窗的一部分上，連接所述等離子體形成室和所述 處理空間的開口部。
7. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于 所述開口部與所述基板保持臺(tái)上的被處理基板的外側(cè)相對(duì)應(yīng)而形成。
8. —種基板處理裝置，其特征在于，包括設(shè)置有劃分處理空間、在所述處理空間中保持被處理基板的基板 保持臺(tái)的處理容器；和在所述處理容器的上部，以與所述基板保持臺(tái)上的被處理基板相 對(duì)的方式設(shè)置的光源裝置，所述光源裝置包括包含等離子體形成區(qū)域，在所述等離子體形成區(qū)域中，通過無電 極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和劃分在所述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過 所述發(fā)光的光學(xué)窗，在所述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成所述等離子體的微波的微波透過窗，在所述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與所述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入所述 微波的微波天線，所述基板處理裝置還具備向所述等離子體形成室導(dǎo)入第一氣體的第一氣體入口 ； 向所述處理空間導(dǎo)入第二氣體的第二氣體入口； 對(duì)所述等離子體形成室進(jìn)行排氣的第一排氣口；和 對(duì)所述處理空間進(jìn)行排氣的第二排氣口。
9. 如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括 設(shè)置在所述處理容器的外部的、連接所述等離子體形成室和所述處理空間的連通路；和設(shè)置于所述連通路的閥。
10. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于 所述微波天線是形成有多個(gè)狹縫的平面天線。
11. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于 在所述第一排氣口上設(shè)置有第一排氣閥，在所述第二排氣口上設(shè)置有第二排氣閥。
12. —種基板處理方法，其特征在于，是通過下述基板處理裝置進(jìn) 行的基板處理方法，該基板處理裝置具備設(shè)置有劃分處理空間、在所述處理空間中保持被處理基板的基板 保持臺(tái)的處理容器；和在所述處理容器的上部，以與所述基板保持臺(tái)上的被處理基板相 對(duì)的方式設(shè)置的光源裝置，所述光源裝置包括包含等離子體形成區(qū)域，在所述等離子體形成區(qū)域中，通過無電 極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和劃分在所述等離子體形成室中的等離子體形成區(qū)域的下端，透過 所述發(fā)光的光學(xué)窗，在所述等離子體形成室內(nèi)，形成有導(dǎo)入用于生成所述等離子體的 微波的微波透過窗，在所述微波透過窗的外側(cè)，設(shè)置有與所述微波窗結(jié)合，導(dǎo)入所述 微波的微波天線，所述基板處理裝置還具備向所述等離子體形成室導(dǎo)入第一氣體的第一氣體入口； 向所述處理空間導(dǎo)入第二氣體的第二氣體入口； 對(duì)所述等離子體形成室進(jìn)行排氣的第一排氣口 ； 對(duì)所述處理空間進(jìn)行排氣的第二排氣口； 設(shè)置于所述第一排氣口的第一閥； 設(shè)置于所述第二排氣口的第二閥；使所述等離子體形成室與所述處理空間結(jié)合的連通路；和設(shè)置于所述連通路的第三閥，所述基板處理方法包含下述工序中的至少一個(gè)在關(guān)閉所述第三閥、打開所述第一和第二閥的狀態(tài)下，在所述等 離子體形成區(qū)域中形成等離子體，使所述被處理基板表面相對(duì)于等離 子體發(fā)光而曝光的第一工序；和在打開所述第二和第三閥、關(guān)閉所述第一閥的狀態(tài)下，利用伴隨 所述等離子體產(chǎn)生的自由基，在所述處理空間中對(duì)所述被處理基板表 面進(jìn)行處理的第二工序。
13.如權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其特征在于 所述第一和第二工序，按照所述第二工序在所述第一工序之后進(jìn)行的第一順序和所述第一工序在所述第二工序之后進(jìn)行的第二順序中的任一順序執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光源裝置，該光源裝置由包含等離子體的形成區(qū)域，在上述等離子體的形成區(qū)域中，通過無電極放電形成等離子體而產(chǎn)生發(fā)光的等離子體形成室；和劃分在上述等離子體形成室中的等離子體的形成區(qū)域的下端，透過上述發(fā)光的光學(xué)窗構(gòu)成，在上述等離子體形成室內(nèi)，形成有用于導(dǎo)入生成上述等離子體的微波的微波透過窗，而且，在上述微波透過窗的外側(cè)設(shè)置有與上述微波窗結(jié)合、導(dǎo)入上述微波的微波天線。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101341582SQ200780000830
公開日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2007年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日
發(fā)明者大島康弘, 高橋伸明 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社