專利名稱：：表面發(fā)射激光器陣列、光學(xué)掃描裝置及圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及表面發(fā)射激光器陣列、包括該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描裝置、以及包括該表面發(fā)射激光器陣列的圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
：在其中集成了表面發(fā)射激光器元件的表面發(fā)射激光器陣列中，在工作時每個表面發(fā)射激光器元件的輸出會由于通過從周圍表面發(fā)射激光器元件吸收熱的溫度上升而降低，且表面發(fā)射激光器陣列的壽命會縮短。為了克服該問題，需要改善熱散逸特性。例如，具有高熱導(dǎo)率的材料應(yīng)被用于半導(dǎo)體布拉格反射器，其置于主要熱散逸的側(cè)上。在可以用于GaAs基板上表面發(fā)射激光器元件的半導(dǎo)體布拉格反射器的材料中，AlAs為具有最高熱導(dǎo)率的合適材料之一。然而，存在這樣的情形，執(zhí)行蝕刻以形成臺(mesa)結(jié)構(gòu)的形狀從而將表面發(fā)射激光器元件與周圍部分電學(xué)或空間上分離。這種情況下，盡管不要求該蝕刻到達(dá)布置在基板側(cè)上的下半導(dǎo)體布拉格反射器，通過假設(shè)蝕刻底部到達(dá)下半導(dǎo)體布拉格反射器，考慮蝕刻可控制性的問題來實施設(shè)計。例如，對于氧化物表面發(fā)射激光器元件的情形，與選擇性氧化層(selectiveoxidationlayer)相比需要蝕刻更深以執(zhí)行選擇性氧化。出于防止電流分散的目的，通常將選擇性氧化層布置在p型半導(dǎo)體布拉格反射器的有源層(或者有源層上方的半導(dǎo)體布拉格反射器)附近的位置，或者在從有源層的第一至第五節(jié)點(激光束的場強(qiáng)度分布中的節(jié)點)的位置。然而，考慮到蝕刻深度的可控制性問題，難以控制蝕刻底部比選擇性氧化層深但又不到達(dá)下半導(dǎo)體布拉格反射器。為了控制整個晶片表面內(nèi)的蝕刻深度，要求不僅控制蝕刻時間，而且還要獲得晶片表面內(nèi)蝕刻的均勻性，以及結(jié)晶生長層厚度分布的均勻性。實際上，實施臺蝕刻以深于選擇性氧化層但又不到達(dá)下半導(dǎo)體布拉格反射器是很難的。為了解決該問題，特開2002-164621號公報披露了將下半導(dǎo)體布拉格反射器分離為兩層。在特開2002-164621號公報的激光器陣列中，兩個下半導(dǎo)體布拉格反射器層的基板側(cè)之一為主折射率層，其是由AlAs制成。AlAs熱導(dǎo)率遠(yuǎn)大于AlGaAs熱導(dǎo)率。另一方面，有源層側(cè)反射器層是由常用的AlGaAs制成。然而，對于表面發(fā)射激光器陣列的情形，出于其它附加原因，在晶片的表面內(nèi)實施均勻的臺蝕刻更為困難。如果表面發(fā)射激光器元件的元件間間隙變窄以實施具有高密度的陣列布置，則元件間間隙的蝕刻深度和表面發(fā)射激光器陣列外圍平坦部的蝕刻深度之間的差異Ad變大。再者，在蝕刻配置中產(chǎn)生下側(cè)緣(skirt)部分。期望選擇性氧化層部從該下側(cè)緣部分開始，從而嚴(yán)格控制氧化物變窄尺寸。然而，如果按照選擇性氧化層不從下側(cè)緣部分開始的方式來執(zhí)行蝕刻，則表面發(fā)射激光器陣列外圍中的平坦部中的蝕刻底部進(jìn)入下半導(dǎo)體布拉格反射器。由于下半導(dǎo)體布拉格反射器的低折射率層通常厚于選擇性氧化層，如果兩層具有相同成份，則低折射率層的氧化速率快于選擇性氧化層的氧化速率。如果下半導(dǎo)體布拉格反射器的低折射率層的氧化速率快于該選擇性氧化層，則整個低折射率層先被氧化，且執(zhí)行電流注入是不可能的。為了避免該問題，AlAs不能用做位于靠近下半導(dǎo)體布拉格反射器的有源層附近的低折射率層的材料。為此，為了減小半導(dǎo)體布拉格反射器的氧化速率，需要使用添加特定數(shù)量的Ga的AlGaAs(例如Al^Ga^As)。參考TechnicalReportCS-3-4(2004)fromtheInstituteofElectronics,InformationandCommunicationEngineers,ElectronicsSocietyConvention以及IEEEPHOTONICSTECHNOLOGYLETTERS,VOL.11，No,12,1999,pp.l539-1541。特開平09-018093號公報披露了上半導(dǎo)體布拉格反射器的蝕刻被停止直至GalnP蓋層(共振器區(qū)域)。圖37為根據(jù)相關(guān)技術(shù)的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。如圖37所示，雙虛擬元件布置在表面發(fā)射激光器元件所在的中心陣列部分的外圍。特開2000-114656號公報披露了中心陣列部分的柱(臺)和陣列部分外圍中的柱(臺)經(jīng)歷不同的環(huán)境且這些柱(臺)相應(yīng)地具有不同配置。且特開2000-114656號公報披露了一種表面發(fā)射激光器陣列，其中布置在中心陣列部分的外圍的雙虛擬元件實現(xiàn)了均勻特性。在常規(guī)氧化類型表面發(fā)射激光器陣列中，表面發(fā)射激光器陣列的外圍中平坦部內(nèi)的蝕刻底部面向下半導(dǎo)體布拉格反射器。如果通過蝕刻出現(xiàn)在表面上，則具有高熱導(dǎo)率材料例如AIAs容易被氧化。AlAs無法用于下半導(dǎo)體布拉格反射器(至少在有源層附近的區(qū)域內(nèi))。因此，熱量容易積累在有源層且有源層溫度上升。存在光學(xué)輸出下降以及表面發(fā)射激光器元件的壽命變短的問題。具體地，在表面發(fā)射激光器陣列工作時，由于熱干擾引起的不期望影響變得顯著。表面發(fā)射激光器陣列在高電流值的工作變得不可能且使用具有低光學(xué)輸出的表面發(fā)射激光器陣列變?yōu)椴豢杀苊狻４送?，由于熱干擾導(dǎo)致的溫度上升，表面發(fā)射激光器陣列的壽命變短。根據(jù)特開2000-114656號公報的教導(dǎo)，為了防止激光器陣列外圍中的平坦部內(nèi)的蝕刻底部到達(dá)下半導(dǎo)體布拉格反射器，虛擬元件可布置在整個晶片內(nèi)，以使得中心陣列部分內(nèi)的蝕刻深度和陣列部分外圍的平坦部內(nèi)的蝕刻深度之間的差異Ad變小。如果平坦部不消除，蝕刻底部到達(dá)下半導(dǎo)體布拉格反射器，使得AlAs被氧化。因此，需要將虛擬元件布置在整個晶片內(nèi)。然而，如果虛擬元件布置在整個晶片內(nèi)，則將被蝕刻的區(qū)域變小。這導(dǎo)致難以對氧化進(jìn)行監(jiān)測(等離子體發(fā)射譜、光學(xué)反射折射率分析等)。再者，如果虛擬元件布置在整個晶片內(nèi)，則在激光器陣列的表面上出現(xiàn)不平整，且引線切斷的可能性增大。另外，需要形成引線結(jié)合墊來實施。然而，如果在結(jié)合墊的底部下方存在不平整，則臺結(jié)構(gòu)在引線結(jié)合時會受損，這導(dǎo)致生產(chǎn)的表面發(fā)射激光器陣列不合格。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明，提供了一種改進(jìn)的表面發(fā)射激光器陣列，其中上述問題被消除。根據(jù)本發(fā)明一個方面，提供了一種表面發(fā)射激光器陣列，其未布置有虛擬元件，使得熱量不容易累積在有源層內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明一個方面，提供了一種光學(xué)掃描裝置，其包括未布置有虛擬元件的表面發(fā)射激光器陣列，使得熱量不容易累積在有源層內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明一方面，提供了一種圖像形成裝置，其包括未布置有虛擬元件的表面發(fā)射激光器陣列，使得熱量不容易累積在有源層內(nèi)。在解決了一個或多個上述問題的本發(fā)明實施例中，提供了一種表面發(fā)射激光器陣列，該表面發(fā)射激光器陣列包含多個表面發(fā)射激光器元件，該多個表面發(fā)射激光器元件的每一個包括第一反射層，形成于基板上以構(gòu)成半導(dǎo)體布拉格反射器；共振器，形成為接觸該第一反射層并包含有源層；以及第二反射層，形成于該第一反射層上方并接觸該共振器以構(gòu)成該半導(dǎo)體布拉格反射器，該第二反射層中含有選擇性氧化層，其中該第一反射層在該有源層側(cè)至少包含低折射率層，該低折射率層的氧化速率相當(dāng)于或高于包含在該第二反射層內(nèi)的選擇性氧化層的氧化速率，該共振器是由至少包含In的AlGalnPAs基材料制成，且每個表面發(fā)射激光器元件中的臺結(jié)構(gòu)的底部位于該選擇性氧化層下方和該第一反射層上方。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該共振器的蝕刻速率小于該第二反射層的蝕刻速率。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該第二反射層在該有源層側(cè)包含由至少包含In的AlGalnPAs基材料制成的層。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該臺結(jié)構(gòu)的底部位于該共振器內(nèi)部或者在該第二反射層和共振器之間的界面。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該第一反射層在該表面發(fā)射激光器元件的整個區(qū)域上方包含由AlAs制成的該低折射率層。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該第二反射層中包含的該選擇性氧化層構(gòu)成選擇性氧化類型電流狹窄部。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該多個表面發(fā)射激光器元件的元件間間隙內(nèi)的蝕刻深度和該多個表面發(fā)射激光器元件的外圍部分的蝕刻深度之間的差異等于或小于每個表面發(fā)射激光器元件的束發(fā)射波長的1/2。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該多個表面發(fā)射激光器元件的相鄰兩個之間的元件間間隙設(shè)置為下述間隙中的較小之一該多個表面發(fā)射激光器元件中兩個臺結(jié)構(gòu)的頂面位置之間的間隙以及該兩個臺結(jié)構(gòu)的底面位置之間的間隙，且該元件間間隙等于或小于20微米。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該第一反射層的側(cè)面被保護(hù)膜覆蓋。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得該保護(hù)膜是由Si02、SiN和SiON任意一種制成。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得布置在該第一反射層的共振器側(cè)的該低折射率層的鋁含量大于該選擇性氧化層的鋁含量。上述表面發(fā)射激光器陣列可以配置成使得布置在該第一反射層的共振器側(cè)的該低折射率層的鋁含量等于該選擇性氧化層的鋁含量，且布置在該第一反射層的共振器側(cè)的該低折射率層的厚度大于該選擇性氧化層的厚度。在解決了一個或多個上述問題的本發(fā)明實施例中，提供了一種光學(xué)掃描裝置，包括上述的表面發(fā)射激光器陣列；偏向單元，偏向由該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的多個激光束；以及掃描光學(xué)元件，將激光束從該偏向單元引導(dǎo)在感光體的掃描表面上。在解決了一個或多個上述問題的本發(fā)明實施例中，提供了一種圖像形成裝置，其中設(shè)置有上述的光學(xué)掃描裝置。在解決了一個或多個上述問題的本發(fā)明實施例中，提供了一種圖像形成裝置，其中上述的表面發(fā)射激光器陣列設(shè)置為發(fā)射多個激光束的光源。在解決了一個或多個上述問題的本發(fā)明實施例中，提供了一種表面發(fā)射激光器元件，具有發(fā)射激光束的臺結(jié)構(gòu)，該表面發(fā)射激光器元件包括基板；第一反射層，形成于該基板上以構(gòu)成半導(dǎo)體布拉格反射器；共振器，形成為接觸該第一反射層并包含有源層；第二反射層，形成為接觸該共振器以構(gòu)成該半導(dǎo)體布拉格反射器；以及吸收層，布置為在形成該臺結(jié)構(gòu)時吸收沿該基板的表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異，其中該臺結(jié)構(gòu)的底部沿與該基板垂直的方向位于該吸收層內(nèi)，且該吸收層沿該共振器的厚度方向形成于至少部分該共振器內(nèi)。上述表面發(fā)射激光器元件可以配置成使得該吸收層沿該共振器的厚度方向形成于該共振器的整個區(qū)域內(nèi)。上述表面發(fā)射激光器元件可以配置成使得該吸收層沿該共振器的厚度方向形成于該共振器的整個區(qū)域內(nèi)，并沿該第二反射層的厚度方向部分地形成。上述表面發(fā)射激光器元件可以配置成使得該吸收層至少包含In。在解決了一個或多個上述問題的本發(fā)明實施例中，提供了一種表面發(fā)射激光器陣列的制造方法，該表面發(fā)射激光器陣列包括元件布置部，設(shè)置在基板上并布置有多個表面發(fā)射激光器元件；以及平坦部，設(shè)置在該基板上并沿該基板的表面內(nèi)方向布置在該元件布置部的周圍，該多個表面發(fā)射激光器元件的每一個包括發(fā)射激光束的臺結(jié)構(gòu)，且該平坦部和該元件布置部包含吸收層，該吸收層布置為在形成該臺結(jié)構(gòu)時吸收沿該表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異，該制造方法包括如下步驟在該基板上形成多層半導(dǎo)體膜；以及蝕刻該多層半導(dǎo)體膜以使得該臺結(jié)構(gòu)的底部位于該吸收層內(nèi)，以便該元件布置部和平坦部形成。根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器陣列的實施例，可以。在構(gòu)成該表面發(fā)射激光器陣列的表面發(fā)射激光器元件的每一個中，共振器是由至少包含In的材料制成，臺結(jié)構(gòu)的底部布置成4吏得第二反射層與第一反射層相比更靠近臺結(jié)構(gòu)的底部，且第一反射層在有源層側(cè)至少包含低折射率層，該低折射率層的氧化速率相當(dāng)于或大于該選擇性氧化層的氧化速率。在形成該臺結(jié)構(gòu)的工藝中，布置有表面發(fā)射激光器元件的陣列區(qū)域內(nèi)的蝕刻深度與陣列區(qū)域的周圍的蝕刻深度之間的差異減小以防止第一反射層在該陣列區(qū)域的周圍露出，并防止該第一反射層的氧化。結(jié)果，在有源層內(nèi)產(chǎn)生的熱量通過第一反射層容易放射到基板側(cè)。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以不使用虛擬元件來布置該表面發(fā)射激光器陣列，使得熱量不容易累積在有源層內(nèi)。在參考附圖來閱讀下述詳細(xì)描述時，本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點將顯而易見。圖1為本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。圖2為圖1的表面發(fā)射激光器陣列中表面發(fā)射激光器元件的截面圖。圖3為示出圖2的表面發(fā)射激光器元件的有源層附近的截面圖。圖4A、圖4B和圖4C為解釋圖1的表面發(fā)射激光器陣列的制造方法的圖示。圖5A、圖5B和圖5C為解釋圖1的表面發(fā)射激光器陣列的制造方法的圖示。圖6A和圖6B為解釋圖1的表面發(fā)射激光器陣列的制造方法的圖示。圖7為解釋圖4B的工藝中的蝕刻的圖示。圖8為用于解釋在制作圖1的表面發(fā)射激光器陣列時，在蝕刻時的等離子體發(fā)射的時序圖。圖9為用于解釋在制作圖1的表面發(fā)射激光器陣列時，在蝕刻時的等離子體發(fā)射的時序圖。以及表面發(fā)射激光器元件的元件間間隙內(nèi)的蝕刻深度與平坦部內(nèi)蝕刻深度之間的差異與臺間隔的關(guān)系。圖11的圖示用于解釋在布置在基板側(cè)上的反射層內(nèi)停止蝕刻時平坦部內(nèi)蝕刻深度之間的差異與臺間隔的關(guān)系。圖12為圖1的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖和截面圖。圖13為本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。圖14為本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。圖15為圖14的表面發(fā)射激光器陣列中表面發(fā)射激光器元件的截面圖。圖16為示出圖15的表面發(fā)射激光器元件的有源層附近的截面圖。圖17為用于實驗的圖14的實施例中表面發(fā)射激光器元件的截面圖。圖18為用于實驗的比較例中的表面發(fā)射激光器元件的截面圖。圖19為用于解釋光學(xué)輸出和電流之間的關(guān)系的圖示，其示出了實驗結(jié)果。圖20為本發(fā)明實施例中表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。圖21A、圖21B、圖21C和圖21D為用于解釋本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的制造方法的圖示。圖22A、圖22B、圖22C和圖22D為用于解釋本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的制造方法的圖示。圖23為用于解釋本實施例的表面發(fā)射激光器陣列的制造方法的圖示。圖24為用于解釋本實施例的表面發(fā)射激光器陣列的圖示。圖25為示出使用圖13的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描裝置的組成的圖示。面圖面圖面圖面圖圖26為示出激光打印機(jī)的組成的圖示。圖27為示出圖像形成裝置的組成的圖示<圖28為光學(xué)傳送模塊的圖示。圖29為圖1的表面發(fā)射讀圖30為示出圖29的表面發(fā)射激光器元件的有源層附近的截面圖。圖31為圖1的表面發(fā)射激光器陣列中表面發(fā)射激光器元件的改進(jìn)的截圖32為示出圖31的表面發(fā)射激光器元件的有源層附近的截面圖。圖33為圖1的表面發(fā)射激光器陣列中表面發(fā)射激光器元件的改進(jìn)的截圖34為示出圖33的表面發(fā)射激光器元件的有源層附近的截面圖。圖35為圖1的表面發(fā)射激光器陣列中表面發(fā)射激光器元件的改進(jìn)的截圖36為示出圖35的表面發(fā)射激光器元件的有源層附近的截面圖。圖37為根據(jù)相關(guān)技術(shù)的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。具體實施例方式將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。圖1本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。如圖l所示，本實施例的表面發(fā)射激光器陣列100包括表面發(fā)射激光器元件1-32、焊墊51-82和引線W1-W32。表面發(fā)射激光器元件l-32布置成4行x8列的二維形式。每個表面發(fā)射激光器元件l-32具有矩形形狀，一條邊為16微米。四個表面發(fā)射激光器元件的列1,9,17,25/2,10,18,26/3,11，19,27/4,12,20，28/5,13,21,29/6,14，22,30〃，15,23,31/8，16,24,32沿子掃描方向布置。八個表面發(fā)射激光器元件的行1-8/9-16/17-24/25-32沿主掃描方向布置。沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件的行1-8/9-16/17-24/25-32沿子掃描方向按臺階方式平移，且布置成使得從32個表面發(fā)射激光器元件1-32發(fā)射的32個激光束不相互交疊。在沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件1-8/9-16/17-24/25-32中，兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隙設(shè)置為間隔X。在沿子掃描方向布置的四個表面發(fā)射激光器元件1，9，17,25/2,10,18，26/3,11,19，27/4,12,20，28/5,13,21，29/6,14，22，30/7，15,23,31/8,16,24，32中，兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隙設(shè)置為間隔d。間隔d小于間隔X。例如，間隔d等于24微米，間隔X等于30微米。從沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件1-8的中心取的與平行于子掃描方向的直線垂直的八條法線沿子掃描方向按相等間隔cl排列，間隔cl是由條件cl=d/8決定。也就是說，當(dāng)間隔d設(shè)置為24微米時，間隔cl等于24/8=3微米。從沿主掃描方向布置的其余八個表面發(fā)射激光器元件9-16/17-24/25-32的相應(yīng)中心取的與平行于子掃描方向的直線垂直的八條法線也沿子掃描方向按相等間隔cl排列。焊墊51-82圍繞表面發(fā)射激光器元件1-32外圍布置成二維形式。引線Wl-W32布置成將表面發(fā)射激光器元件1-32分別連接到焊墊51-82。每條引線W1-W32具有例如8微米的線寬。引線W1-W9、W16、W17、W24-W32將布置成二維形式的表面發(fā)射激光器元件1-32中布置在最外圍的表面發(fā)射激光器元件1-8、9、16、17、24-32分別連接到焊墊51-59、66、67、74、75-82，且引線W1-W9、W16、W17、W24-W32布置成不沿主掃描方向經(jīng)過兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間。引線W10-W15、W18-W23將布置成二維形式的表面發(fā)射激光器元件1-32中布置在內(nèi)部位置的表面發(fā)射激光器元件10-15、18-23分別連接到焊墊60-65、68-73,且引線W10-W15、W18-W23布置成沿主掃描方向經(jīng)過兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間。在沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件l-8/9-16/n-24/25-32中，兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隙設(shè)置為上述的間隔X(=30微米)。每個表面發(fā)射激光器元件l-32具有矩形形狀，一條邊長16微米。沿主掃描方向的兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件的間隔等于14(=30-16)微米。引線W10-W15、W18-W23的線寬為84鼓米，這些引線可以沿主掃描方向布置在兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間。圖2為圖1的表面發(fā)射激光器陣列中表面發(fā)射激光器元件1的截面圖。如圖2所示，表面發(fā)射激光器元件1包括基板101、反射層102,106、共振器阻擋層103,105、有源層104、選擇性氧化層107、接觸層108、SiC^層109、絕緣樹脂IIO、p型電才及l(fā)ll和n型電極112。表面發(fā)射激光器元件1為表面發(fā)射激光器，發(fā)射波長為780nm的激光束?；?01由n型砷化4家(n-GaAs)構(gòu)成。反射層102是由40.5個周期的n-AlAs/n-AlG.3GaQ.7As構(gòu)成且形成于基板101上，其中一個周期為一對n-AlAs層和n-Al0.3Gaa7As層。當(dāng)表面發(fā)射激光器元件1的發(fā)射波長設(shè)置為人時，每個n-AlAs和n-Al。.3Gao.7As的厚度設(shè)置為A74n(其中n為各半導(dǎo)體層的折射率)。共振器阻擋層103是由非摻雜(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P構(gòu)成并形成于反射層102上。有源層104具有量子阱結(jié)構(gòu)且形成于共振器阻擋層103上，其中該量子阱結(jié)構(gòu)包含由GalnPAs構(gòu)成的阱層和由Gaa6Ina4P構(gòu)成的壘層。共振器阻擋層105是由非摻雜(Alo.7Gaa3)o.5lna5P構(gòu)成并形成于有源層104上。假設(shè)一對p-Alo.9Gao.,As/Al(X3Gaa7As為一個周期，則反射層106是由24個周期的p-Alo.9Ga(uAs/Alo.3Gao.7As構(gòu)成，并形成于共振器阻擋層105上。每個p-AlQ.9GaaiAs和AlQ.3Gao.7As的厚度設(shè)置為X/4n(其中n為各半導(dǎo)體層的折射率)。選擇性氧化層107是由p-AlAs構(gòu)成并形成于反射層106內(nèi)。更具體而言，選擇性氧化層107形成于距離共振器阻擋層105的位置。選擇性氧化層107包括非氧化區(qū)域107a和氧化區(qū)域107b，且厚度為20nm。接觸層108是由p-GaAs構(gòu)成并形成于反射層106上。Si02層109形成為覆蓋共振器阻擋層103的一部分的一個主平面，以及有源層104、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108的端面。絕緣樹脂IIO形成為接觸SiCb層109。p型電極111形成于部分接觸層108以及絕緣樹脂110上。n型電極112形成于基板101的背面。各反射層102、106構(gòu)成半導(dǎo)體分布布拉格反射器，該半導(dǎo)體分布布拉格反射器通過布拉格多路徑反射來反射從有源層104發(fā)射的發(fā)射光，并包括有源層104內(nèi)的發(fā)射光。氧化區(qū)域107b的折射率小于非氧化區(qū)域107a的折射率。氧化區(qū)域1(T7b將有源層104振蕩的發(fā)射光限制在非氧化區(qū)域107a，并構(gòu)成電流狹窄部，該電流狹窄部將從p型電極111注入的電流流入有源層104的路徑限制到非氧化區(qū)域107a。這樣，獲得具有低閾值電流的表面發(fā)射激光器元件1的發(fā)射。如此，電流狹窄部是通過對選擇性氧化層107進(jìn)行選擇性氧化形成氧化區(qū)域107b而形成的。因此，該電流狹窄部為選擇性氧化類型。圖3為示出圖2的表面發(fā)射激光器元件1的有源層104的附近的截面圖。如圖3所示，反射層102包括低折射率層1021、高折射率層1022和組份傾斜層1023。低折射率層1021是由n-AlAs構(gòu)成，高折射率層1022是由n-Alo.3Gao.7As構(gòu)成。組份傾斜層1023是由n-AlGaAs組成，其中Al的含量從低折射率層1021或高折射率層1022朝另一側(cè)逐漸改變。低折射率層1021接觸共振器阻擋層103。反射層106包括低折射率層1061、高折射率層1062和組份傾斜層1063。低折射率層1061是由p-Alo.9Ga^As構(gòu)成，高折射率層062是由p-Al。.3Gao.7As構(gòu)成。組份傾斜層1063是由p-AlGaAs組成，其中Al的含量從低折射率層1061或高折射率層1062朝另一側(cè)逐漸改變。低折射率層1061接觸共振器阻擋層105。有源層104是由量子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中均由GalnPAs構(gòu)成的三層阱層1041和均由GaG.6Ina4P構(gòu)成的四層壘層1042在該量子阱結(jié)構(gòu)中交替層疊。壘層1042接觸共振器阻擋層103、105。構(gòu)成阱層1041的GalnPAs具有壓應(yīng)變，構(gòu)成壘層1042的Gao,6ln(uP具有張應(yīng)變。在表面發(fā)射激光器元件1中，共振器阻擋層103、105和有源層104構(gòu)成共振器，且共振器的沿與基板101垂直的方向的厚度設(shè)置為表面發(fā)射激光器元件1的一個波長(=0。也就是說，共振器阻擋層103、105和有源層104構(gòu)成單波長(one-wave)共振器。圖1所示表面發(fā)射激光器元件2-32的每一個構(gòu)造成具有與圖2和圖3的表面發(fā)射激光器元件1相同的組成。圖4A-4C、圖5A-5C以及圖6A和6B為解釋圖1的表面發(fā)射激光器陣列IOO的制造方法的圖示。在圖4A-6B中，將解釋制作圖1的表面發(fā)射激光器陣列100的32個表面發(fā)射激光器元件1-32中的四個表面發(fā)射激光器元件l、9、17和25的情況下的制造工藝，作為表面發(fā)射激光器陣列IOO的制造方法的示例。在圖4A，在制造工藝開始時，執(zhí)行金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝。反射層102、共振器阻擋層103、有源層104、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108逐一層疊在基板101上(見圖4A)。這種情況下，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、砷烷(AsH3)和硒化氫(H2Se)為原料，形成反射層102的n-AlAs和n-AlQ.3Ga。.7As。使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為原料，形成共振器阻擋層103的(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P。使用三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)、磷烷(PH3)和砷烷(AsH3)為原料，形成有源層104的GalnPAs。使用三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為原料，形成有源層104的Ga0.6In0.4P。使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為原料，形成共振器阻擋層105的(Alo.7Gao.3)o,5lno.5P。使用三曱基鋁(TMA)、三曱基4家(TMG)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為原料，形成反射層106的p-Al^GadAs/p-AlojGaojAs,可以使用二曱基鋅(DMZn)替代四澳化碳(CBr4)。通過使用三曱基鋁(TMA)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為原料，形成選擇性氧化層107的p-AlAs。通過使用三曱基鎵(TMG)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為原料，形成接觸層108的p-GaAs。同樣，在這種情況下，可以使用二曱基鋅(DMZn)替代四溴化碳(CBr4)。隨后，抗蝕劑施加到接觸層108,且通過光刻(photoengraving)工藝技術(shù)，抗蝕劑圖案120形成于接觸層108上(見圖4B)。如果抗蝕劑圖案120形成，則抗蝕劑圖案120用做掩模。實施對部分的共振器阻擋層103、有源層104、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108的干法蝕刻，且進(jìn)一步除去抗蝕劑圖案120。這種情況下，部分的共振器阻擋層103、有源層104、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108經(jīng)歷被引入其中的鹵素基氣體Cl2、BC13、SiCU、CCU或CF4。使用等離子體的干法蝕刻方法，例如反應(yīng)離子束蝕刻(RIBE)方法、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)蝕刻方法和反應(yīng)離子蝕刻(RIE)方法，由此進(jìn)行蝕刻。在蝕刻部分的共振器阻擋層103、有源層104、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108期間，從蝕刻系統(tǒng)的窗口執(zhí)行等離子體發(fā)射光譜分析，且In的451nm的發(fā)射強(qiáng)度隨時間變化被監(jiān)測。由于只有當(dāng)共振器區(qū)域被蝕刻時才能探測到In的發(fā)射，因此可以容易地將蝕刻停止于由AlGalnPAs基材料構(gòu)成的共振器區(qū)域內(nèi)。結(jié)果，形成表面發(fā)射激光器元件1、9、17和25中的臺結(jié)構(gòu)131-134(見圖4C)。每個臺結(jié)構(gòu)131-134是由部分的共振器阻擋層103、有源層104、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108。備選地，部分的共振器阻擋層103、有源層104、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108可以通過濕法蝕刻來蝕刻。當(dāng)通過濕法蝕刻來選擇性蝕刻反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108時，可以使用硫酸基蝕刻劑。接著，如圖5A-5C所示，在圖4C的工藝完成之后，在使用氮氣對被加熱在85攝氏度的水進(jìn)行鼓泡(bubbling)的氣氛中，樣品加熱到350攝氏度，且選擇性氧化層107的周圍沿從外圍部到中心部的方向被氧化，使得非氧化區(qū)域107a和氧化區(qū)域107b形成于選擇性氧化層107內(nèi)(見圖5A)。隨后，使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法在整個樣品上形成Si02層109,且使用電子照相(electrophotographic)工藝除去用估文發(fā)光部的區(qū)域及其相鄰區(qū)域內(nèi)的Si。2層109(見圖5B)。接著，絕緣樹脂110通過旋轉(zhuǎn)涂敷施加到整個樣品，且用做發(fā)光部的區(qū)域內(nèi)的絕緣樹脂110被除去(見圖5C)。接著，如圖6A和圖6B所示，在絕緣樹脂110形成之后，具有預(yù)定尺寸的抗蝕劑圖案形成于用做發(fā)光部的區(qū)域內(nèi)，p型電極材料通過氣相沉積方法形成于整個樣品上，抗蝕劑圖案上的p型電極材料通過剝離方法被除去，且p型電極111形成(見圖6A)?；?01的背面被研磨，n型電極112形成于基板101的背面上且被進(jìn)一步退火以形成p型電極111和n型電極112的歐姆傳導(dǎo)(見圖6B)。如此，完成了表面發(fā)射激光器陣列100。在圖4B和圖4C的工藝中，示出了用于形成四個表面發(fā)射激光器元件的干法蝕刻。然而，在實踐中，在圖4B和圖4C的工藝中同時進(jìn)行用于形成圖1的32個表面發(fā)射激光器元件1-32的干法蝕刻。這種情況下，使用光掩模形成用于同時形成32個表面發(fā)射激光器元件1-32的抗蝕劑圖案，該光掩模與圖1的32個表面發(fā)射激光器元件1-32相一致。也就是說，用于同時形成32個表面發(fā)射激光器元件l-32的抗蝕劑圖案按下述方式布置，即，間隔X和d設(shè)置為滿足條件cKX，且從沿主掃描方向排布的八個表面發(fā)射激光器元件1-8/9-16/17-24/25-32的八個中心的與沿子掃描方向布置的直線垂直的八條法線按相等間隔cl排列。在表面發(fā)射激光器陣列100中，沿子掃描方向布置的表面發(fā)射激光器元件的間隔d設(shè)置為小于沿主掃描方向布置的表面發(fā)射激光器元件的間隔X。由此，當(dāng)與間隔d大于間隔X的情形相比，間隔cl(=d/8)可變小且這對于高密度記錄是有益的。還可以使沿子掃描方向布置的表面發(fā)射激光器元件的間隔和沿主掃描方向布置的表面發(fā)射激光器元件的間隔均變窄。然而，需要擴(kuò)大至少一個間隔，以保證元件布線所需的空間以及減小元件之間的熱干擾的影響。因此，為了進(jìn)行高密度寫入，優(yōu)選地擴(kuò)大沿主掃描方向的間隔。圖7為解釋圖4B的工藝中的獨刻的圖示。圖7示出了當(dāng)不使用抗蝕劑圖案120來蝕刻由共振器阻擋層103、有源層l(M、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108的任何一種構(gòu)成的結(jié)晶層時，沿基板101的表面內(nèi)方向(in-surfacedirection)DR1的蝕刻深度分布。如圖7所示，在蝕刻接觸層108、選擇性氧化層107和反射層106(稱為區(qū)域REG1)時，沿基板101的表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度分布用曲線kl表示。另一方面，在共振器阻擋層105、有源層104、和共振器阻擋層l(B(稱為區(qū)域REG2)時，沿基板101的表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度分布用曲線k2表示。由于反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108如上所述是由AlGaAs基材料構(gòu)成，蝕刻速率較大且沿表面內(nèi)方向DR1的區(qū)域REG1的蝕刻深度分布較大(見曲線kl)。另一方面，由于共振器阻擋層103、105和有源層104包含In且In的反應(yīng)物的蒸氣壓低，因此共振器阻擋層103、105和有源層104的蝕刻速率小于反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108的蝕刻速率。因此，沿表面內(nèi)方向DR1的區(qū)域REG2的蝕刻深度分布小于沿表面內(nèi)方向DR1的區(qū)域REG1的蝕刻深度分布(見曲線k2)。也就是"i兌，沿表面內(nèi)方向DR1在區(qū)域REG1內(nèi)產(chǎn)生的蝕刻深度差異通過降低區(qū)域REG2內(nèi)的蝕刻速率而^C吸收。結(jié)果，沿表面內(nèi)方向DR1的區(qū)域REG2的蝕刻深度分布小于沿表面內(nèi)方向DR1的區(qū)域REG1的蝕刻深度分布。接著，將解釋實驗結(jié)果，該實驗結(jié)果表明包含In的區(qū)域REG2的蝕刻速率小于由AlGaAs基材料構(gòu)成的區(qū)域REGl的蝕刻速率。圖8和圖9為分別用于解釋在制作圖1的表面發(fā)射激光器陣列100時，在蝕刻時的等離子體發(fā)射的第一和第二時序圖。在圖8和圖9，垂直軸表示等離子體發(fā)射光的強(qiáng)度，水平軸表示時間。圖8示出蝕刻進(jìn)行到共振器區(qū)域的中間的情形，圖9示出蝕刻從共振器區(qū)域進(jìn)行到反射層102的第三周期的情形。在圖8，曲線k3示出鎵(Ga)的發(fā)射強(qiáng)度，曲線k4示出銦(In)的發(fā)射強(qiáng)度，且曲線k5示出鋁(Al)的發(fā)射強(qiáng)度。在圖9,曲線k6示出Ga的發(fā)射強(qiáng)度，曲線k7示出In的發(fā)射強(qiáng)度，且曲線k8示出Al的發(fā)射強(qiáng)度。在實驗中使用這樣的樣品，從表面到反射層106和共振器區(qū)域之間的界面的厚度為3.18微米，且包含In的共振器區(qū)域的厚度為0.23微米。從表面到反射層106和共振器區(qū)域之間的界面的區(qū)域內(nèi)的蝕刻速率為3.18微米/871秒-3.65x10-3微米/秒。另一方面，共振器區(qū)域內(nèi)的蝕刻速率為0.23微米/372秒=6.18x1()-4微米/秒(見圖9)。如上所述，在包含In的共振器區(qū)域中，蝕刻速率減小。盡管共振器區(qū)域的厚度(=0.23微米)小于共振器區(qū)域上方的區(qū)域的厚度(=3.18微米)，共振器區(qū)域需要更長的蝕刻時間。在共振器區(qū)域中，In的發(fā)射強(qiáng)度增大(見曲線k4和k7)。因此，通過探測In的發(fā)射強(qiáng)度的增大，蝕刻可以容易地停止于共振器區(qū)域內(nèi)。Ga的發(fā)射強(qiáng)度和Al的發(fā)射強(qiáng)度隨著蝕刻時間的推移而周期性改變，且發(fā)射強(qiáng)度的幅值隨著蝕刻時間的推移而逐漸減小(見曲線k3、k5、k6和k8)。如果沿表面內(nèi)方向DR1的晶片的蝕刻深度分布是均勻的，則Ga的發(fā)射強(qiáng)度和Al的發(fā)射強(qiáng)度以固定幅值而周期性改變。另一方面，如果沿表面內(nèi)方向DR1的晶片的蝕刻深度分布不均勻，則同時觀察到Al的發(fā)射和Ga的發(fā)射，使得Ga的發(fā)射強(qiáng)度的幅值和Al的發(fā)射強(qiáng)度的幅值變小。因此，Ga的發(fā)射強(qiáng)度的幅值和Al的發(fā)射強(qiáng)度的幅值隨著蝕刻時間的推移而逐漸減小意味著，隨著蝕刻時間的推移，晶片的沿表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度差異出現(xiàn)。在蝕刻進(jìn)行穿過共振器區(qū)域時，Ga的發(fā)射強(qiáng)度的幅值和Al的發(fā)射強(qiáng)度的幅值進(jìn)一步減小。當(dāng)蝕刻底部到達(dá)反射層102時，出現(xiàn)沿表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度的更大差異(見曲線k6和k8)。圖10的圖示用于解釋在共振器區(qū)域內(nèi)停止蝕刻時平坦部內(nèi)蝕刻深度，以及表面發(fā)射激光器元件的元件間間隙內(nèi)的蝕刻深度與平坦部內(nèi)蝕刻深度之間的差異與臺間隔的關(guān)系。圖11的圖示用于解釋在布置在基板101側(cè)上的反射層102內(nèi)停止蝕刻與平坦部內(nèi)蝕刻深度之間的差異與臺間隔的關(guān)系。在圖IO和圖11中，垂直軸表示元件間間隙內(nèi)的蝕刻深度和平坦部內(nèi)蝕刻深度之間的差異Ad，水平軸表示臺間隔。在圖10和圖11中，令表示平坦部蝕刻深度，B表示差異Ad。當(dāng)蝕刻停止于共振器區(qū)域的中間時，即使臺間隔為10^f鼓米以下，元件間間隙(inter-elementgap)內(nèi)的蝕刻深度和平坦部內(nèi)蝕刻深度之間的差異Ad為100nm以下(見圖10)。另一方面，當(dāng)蝕刻停止于布置在基板101側(cè)的反射層102內(nèi)且臺間隔約為23微米時，差異Ad設(shè)置為100nm。當(dāng)臺間隔設(shè)置為20微米以下時，差異Ad超過100nm。當(dāng)臺間隔為10微米以下時，差異Ad增大到約250nm(見圖11)。這樣，即使到蝕刻底部到達(dá)共振器區(qū)域的時間為止，在元件間部分和平坦部之間產(chǎn)生大的蝕刻深度差異，蝕刻仍停止于包含In的共振器區(qū)域，大的蝕刻深度差異被蝕刻速率小的共振器區(qū)域所吸收。即使臺間隔變小，元件間隙和平坦部之間的蝕刻深度差異Ad仍可以變小。也就是說，由于蝕刻停止于包含In的共振器區(qū)域，因此可以使晶片沿表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度相同，其中在該晶片內(nèi)，表面發(fā)射激光器元件1-32致密排布的元件間間隙和不形成表面發(fā)射激光器元件的平坦部共存。圖12為圖1的表面發(fā)射激光器陣列IOO的平面圖和截面圖。如圖12所示，布置有表面發(fā)射激光器元件1-32的區(qū)域為非蝕刻區(qū)域，且表面發(fā)射激光器元件l-32周圍為蝕刻區(qū)域。沿線A-A，截取的截面圖包括表面發(fā)射激光器元件25-27以及表面發(fā)射激光器元件25附近的平坦部的截面。表面發(fā)射激光器元件25和26之間以及表面發(fā)射激光器元件26和27之間的蝕刻深度設(shè)置為Dl,且表面發(fā)射激光器元件25附近的平坦部的蝕刻深度"&置為D2。蝕刻深度D1小于蝕刻深度D2。結(jié)果，蝕刻深度D1和蝕刻深度D2之間的差異設(shè)置為Ad。下側(cè)緣部141-145是通過蝕刻接觸層108、選擇性氧化層107、反射層106、共振器阻擋層105、有源層104和共振器阻擋層103而形成。如上所述，共振器阻擋層103、105和有源層104包含In且蝕刻速率較小。為此，在共振器阻擋層103、105和有源層104的蝕刻時，沿表面內(nèi)方向DR1的表面發(fā)射激光器陣列100的蝕刻也在進(jìn)行。結(jié)果，下側(cè)緣部141-145的尺寸小于現(xiàn)有表面發(fā)射激光器陣列。當(dāng)該蝕刻配置中的下側(cè)緣部具有與臺結(jié)構(gòu)的上部的側(cè)面不同的傾斜且氧化狹窄層包含在該蝕刻配置中的下側(cè)緣部內(nèi)時，選擇性氧化層的寬度大于臺結(jié)構(gòu)的上部的寬度，且難以正確地評估該選擇性氧化層的寬度。結(jié)果，氧化區(qū)域107b的評估變得不精確，且難以正確地控制氧化狹窄的直徑。因此，期望蝕刻底部進(jìn)入共振器區(qū)域穿過整個陣列芯片。當(dāng)共振器區(qū)域的厚度等于X(單波長共振器的厚度)時，期望按照下述方式進(jìn)行蝕刻，即，沿共振器區(qū)域的厚度方向的中心與蝕刻底部(平坦部)一致，從而獲得沿晶片表面的表面內(nèi)方向的蝕刻深度均勻性。這種情況下，期望Ad設(shè)置為X/2以下作為介質(zhì)內(nèi)的有效長度。由于該實施例中每個表面發(fā)射激光器元件1-32的發(fā)射波長為780nm,單波長共振器的厚度約為230nm。因此，期望差異Ad等于115nm以下。在現(xiàn)有表面發(fā)射激光器陣列中，差異Ad為115nm，臺間隔為20微米以下(見圖11)。在本發(fā)明的表面發(fā)射激光器陣列l(wèi)OO中，差異Ad小于100nm,即使臺間隔約為20微米。因此，當(dāng)臺間隔低于20微米時，本發(fā)明是有效的。如果波長短于780nm,則單波長共振器的厚度更小，且在臺間隔更大的區(qū)域內(nèi)，差異Ad超過X/2。如上所述，用于形成表面發(fā)射激光器陣列100中的臺結(jié)構(gòu)的臺蝕刻停止于包含In的共振器區(qū)域的中間(或者共振器阻檔層103的中間)。即使臺間隔變小，元件間間隙和平坦部之間的蝕刻深度差異Ad變小，且反射層102的低折射率層(=AlAs)在平坦部不露出。結(jié)果，即使選擇性氧化層107的選擇性氧化被執(zhí)行，反射層102的低折射率層(=AlAs)不被氧化。因此，根據(jù)本發(fā)明，在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量可以通過反射層102的AlAs(低折射率層)散逸到基板101,且可以防止熱量累積在有源層104內(nèi)而不使用虛擬元件。兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隔是指下述較窄之一在臺結(jié)構(gòu)表面發(fā)射激光器元件之間的間隙。在臺結(jié)構(gòu)的頂面位置的表面發(fā)射激光器元件之間的間隙較大還是在臺結(jié)構(gòu)的底面位置的表面發(fā)射激光器元件之間的間隙較大，這取決于形成該臺結(jié)構(gòu)的蝕刻方法。圖13為本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。如圖13所示，表面發(fā)射激光器陣列IOOA與圖1的表面發(fā)射激光器陣列IOO基本上相同，除了表面發(fā)射激光器元件33-40、焊墊83-90和引線W33-W40添加到圖1的表面發(fā)射激光器陣列100。在表面發(fā)射激光器陣列100A中，表面發(fā)射激光器元件1-40布置成4行x10列的二維形式每個表面發(fā)射激光器元件33-40具有矩形形狀，一條邊長16微米，這類似于每個表面發(fā)射激光器元件1-32。四個表面發(fā)射激光器元件1,11,21，31/2,12,22,32/3,13,23，33/4，14,24，34/5，15，25，35/6,16，26,36〃，17,27,37/8，18，28,38/9，19,29，39/10，20,30,40沿子掃描方向布置，而十個表面發(fā)射激光器元件1-10/11-20/21-30/31-40沿主掃描方向布置。沿主掃描方向布置的十個表面發(fā)射激光器元件的行1-10/11-20/21-30/31-40沿子掃描方向按臺階方式平移，且布置成使得從40個表面發(fā)射激光器元件1-40發(fā)射的40個激光束不相互交疊。在沿主掃描方向布置的十個表面發(fā)射激光器元件1-10/11-20/21-30/31-40中，兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隙設(shè)置為間隔"X"。在沿子掃描方向布置的四個表面發(fā)射激光器元件1,11,21,31/2,12,22,32/3，13，23，33/4，14,24,34/5,15，25,35/6,16,26,36〃，17，27,37/8,18,28,38/9,19,29,39/10，20,30,40中，兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隙設(shè)置為間隔d。從沿主掃描方向布置的十個表面發(fā)射激光器元件(例如元件31-40)的相應(yīng)中心的與平行于子掃描方向的直線垂直的十條法線沿子掃描方向按相等間隔c2排列，以滿足條件c2=d/8。當(dāng)間隔d設(shè)置為24微米時，間隔c2等于24/10=2.4微米。與上述相同，從沿主掃描方向布置的其余十個表面發(fā)射激光器元件1-10/11-20/21-30的相應(yīng)中心的與平行于子掃描方向的直線垂直的十條法線也沿子掃描方向按相等間隔c2排列。焊墊52-90圍繞表面發(fā)射激光器元件1-40外圍布置成二維形式。引線Wl-W40布置成將表面發(fā)射激光器元件l-40分別連接到焊墊51-卯。每條引線W33-W40具有例如8孩i米的線寬。引線Wl-Wll、W20、W21、W30-W40將布置成二維形式的表面發(fā)射激光器元件1-40中布置在最外圍的表面發(fā)射激光器元件1-11、20、21、30-40分別連接到焊墊51-61、70、71、80-90,且引線Wl-Wll、W20、W21、W30-W40布置成不經(jīng)過兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間。引線W12-W19、W22-W29將布置成二維形式的表面發(fā)射激光器元件1-40中布置在內(nèi)部位置的表面發(fā)射激光器元件12-19、22-29分別連接到焊墊62-69、72-79，且W12-W19、W22-W29布置成沿主掃描方向經(jīng)過兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間。如果如上所述每條引線Wl-W訓(xùn)的線寬為8微米，則每條引線W12-W19、W22-W29可以沿主掃描方向布置在兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間。在布置有焊墊51-90的區(qū)域，外延層保留，槽150形成為圍繞表面發(fā)射激光器元件1-40的周圍，且槽150嵌有聚酰亞胺。引線布置成經(jīng)過聚酰亞胺層的頂部。焊墊51-90通過接絕緣層結(jié)合到外延層。通過這種形式(而不是在聚酰亞胺上形成焊墊1-40),焊墊l-40和絕緣層的附著可以提高，且在引線結(jié)合時焊墊的分離可以完全得以防止。每個表面發(fā)射激光器元件33-40具有與圖2和圖3的表面發(fā)射激光器元件l相同的截面結(jié)構(gòu)。因此，用于形成表面發(fā)射激光器陣列100A中的臺結(jié)構(gòu)的臺蝕刻停止于包含In的共振器區(qū)域(共振器阻擋層103)的中間，且即使臺間隔變小，元件間間隙和平坦部之間的蝕刻深度差異Ad變小，反射層102的低折射率層(=AlAs)在平坦部不露出。結(jié)果，即使選擇性氧化層107的選擇性氧化被執(zhí)行，反射層102的低折射率層(=AlAs)不被氧化。因此，根據(jù)本實施例，在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量可以通過反射層102的AlAs(低折射率層)散逸到基板101，且可以防止熱量累積在有源層104內(nèi)而不使用虛擬元件。圖14為本發(fā)明實施例的表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。如圖14所示，在本實施例的表面發(fā)射激光器陣列200中，圖1的表面發(fā)射激光器陣列100的表面發(fā)射激光器元件l-32被表面發(fā)射激光器元件151-182取代，其余組成與表面發(fā)射激光器陣列100相同。在表面發(fā)射激光器陣列200中，引線W1-W32分別將表面發(fā)射激光器元件151-182連接到焊墊51-82。表面發(fā)射激光器元件151-182布置成4行x8列的二維形式。每個表面發(fā)射激光器元件151-182具有矩形形狀，一條邊為16微米。四個表面發(fā)射激光器元件的八列151，159,167,175/152,160,168,176/153,161,169，177/154,162,170,178/155,163，171,179/156,164,172,180/157,165,173,181/158，166，174，182沿子掃描方向布置，八個表面發(fā)射激光器元件151-158/159-166/167-174/175-182沿主掃描方向布置。沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件151-158/159-166/167-174/175-182沿子掃描方向按臺階方式平移和配置。結(jié)果，從32個表面發(fā)射激光器元件1-32發(fā)射的32個激光束不相互交疊。在沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件151-158/159-166/167-174/175-182中，兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隙設(shè)置為間隔X。在沿子掃描方向布置的四個表面發(fā)射激光器元件151，159,167,175/152，160,168，176/153,161，169，177/154,162,170,178/155,163，171，179/156,164，172,180/157,165,173，181/158,166,174,182中，兩個相鄰表面發(fā)射激光器元件之間的間隙設(shè)置為間隔d。從沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件151-158的八個中心取的與沿子掃描方向布置的直線垂直的八條法線的沿子掃描方向的間隙沿子掃描方向按相等間隔cl排列。從沿主掃描方向布置的八個表面發(fā)射激光器元件159-166/167-174/175-182的八個中心的與沿子掃描方向布置的直線垂直的八條法線的沿子掃描方向的間隙也沿按相等間隔cl排列。圖15為圖14的表面發(fā)射激光器陣列中表面發(fā)射激光器元件151的截面圖。如圖15所示，在表面發(fā)射激光器元件151中，圖2所示的表面發(fā)射激光器元件1的共振器阻擋層103、105和反射層106分別被共振器阻擋層103A、105A和反射層106A取代，其余組成與表面發(fā)射激光器元件1相同。共振器阻擋層103A是由非摻雜(Al(uGao.9)a5lno.5P構(gòu)成并形成于反射層102上。共振器阻擋層105A是由非摻雜(Alo.,Gao.9)o.5lno.5P構(gòu)成并形成于有源層104上。反射層106A是由p-(Al。.7Ga。.3)。.5ln。.5P構(gòu)成，以形成圖2所示反射層106中最靠近有源層104的4氐折射率層，且反射層106A形成于共振器阻擋層105A上。反射層106A構(gòu)成半導(dǎo)體分布布拉格反射器，該半導(dǎo)體分布布拉格反射器通過布拉格多路徑反射來反射由有源層104發(fā)射的發(fā)射光束，并包括有源層104內(nèi)的光束。圖16為示出圖15的表面發(fā)射激光器元件151的有源層104附近的截面圖。如圖16所示，反射層102的低折射率層1021接觸共振器阻擋層103A。共振器阻擋層103A接觸反射層102的低折射率層1021和有源層104的壘層1042。在反射層106A中，圖3所示的反射層106中最靠近有源層1(M的低折射率層1061被低折射率層1061A取代，其余組成與反射層106相同。低折射率層1061A是由p-(Alo.7Gaa3)o.5Ina5P構(gòu)成并接觸共振器阻擋層105A。共振器阻擋層105A接觸有源層104的壘層1042和反射層106A的低折射率層1061A。在表面發(fā)射激光器元件151中，共振器阻擋層103A、105A和有源層l(M構(gòu)成共振器，且該共振器沿與基板101垂直的方向的厚度設(shè)置為表面發(fā)射激光器元件151的一個波長(4)。也就是說，共振器阻擋層103A、105A和有源層104A構(gòu)成單波長共振器。圖14所示的表面發(fā)射激光器元件152-182的每一個具有與圖15和16所示的表面發(fā)射激光器元件151相同的組成。表面發(fā)射激光器陣列200按照圖4A-6B的制造工藝來制作。這種情況下，在圖4A的工藝中，通過MOCVD方法，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三甲基銦(TMI)和磷烷(PH3)為原料，形成共振器阻擋層103A和105A的(Alo.,Gao.9)o.5lno.5P。通過MOCVD方法，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)、磷烷(PH3)和二曱基鋅(DM2n)為原料，形成構(gòu)成反射層106A的低折射率層1061A的p-(Al。.7Gao.3)o.5In0.5P?？梢允褂盟匿寤?CBr4)替代二曱基鋅(DMZn)。在表面發(fā)射激光器陣列200的每個表面發(fā)射激光器元件151-182中，共振器(=共振器阻擋層103A、105A和有源層104)和部分反射層106A(低折射率層1061A)包含In,且包含In的層的厚度大于表面發(fā)射激光器元件l-32中的厚度。因此，與表面發(fā)射激光器陣列IOO相比，對表面發(fā)射激光器陣列200的蝕刻的控制變得更容易。在本實施例中，反射層106A中僅最靠近共振器的低折射率層1061A包含In。備選地，該實施例可以調(diào)整為，該共振器的較靠近共振器的反射層106A的低折射率層和高折射率層均包含In。這種情況下，低折射率層是由(Al0.7Gao.3)0.5Ino.5P構(gòu)成，高折射率層是由(Al(nGao.9)o.5lno.5P構(gòu)成。這種情況下，兩層以上包含In，且包含In的層的厚度總和可以更大。p-(Alo.7Gao.3)a5Ino.5P為寬帶隙，通過摻雜Zn或Mg可以用于許多場合。這些摻雜劑容易擴(kuò)散。如杲這些摻雜劑擴(kuò)散到有源層104，有源層104會受損，這導(dǎo)致發(fā)射光效率降低并導(dǎo)致可靠性下降。在表面發(fā)射激光器元件151-182中，p-(Ala7Gao.3)a5Ino.5P布置在與共振器阻擋層105A相比更遠(yuǎn)離有源層104的反射層106A內(nèi)，且共振器阻擋層103A和105A是由非摻雜(AlcuGao.9)。.5lno.5P構(gòu)成?？梢苑乐故艿诫s質(zhì)的不期望影響。因此，用于形成表面發(fā)射激光器陣列200的臺結(jié)構(gòu)的臺蝕刻停止于包含In的區(qū)域的中間(或者共振器阻擋層103A的中間)。即使臺間隔變小，元件間間隙和平坦部之間的蝕刻深度差異Ad變小，且反射層102的低折射率層1021(=AlAs)在平坦部不露出。結(jié)果，即使選擇性氧化層107的選擇性氧化被執(zhí)行，反射層102的低折射率層1021(=AlAs)不被氧化。因此，根據(jù)本實施例，在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量可以通過反射層102的AlAs(低折射率層)散逸到基板101,且可以防止熱量累積在有源層104內(nèi)而不使用虛擬元件。由于表面發(fā)射激光器陣列200設(shè)有表面發(fā)射激光器元件151-182,其包含In的層的厚度大于表面發(fā)射激光器元件1-32,因此與表面發(fā)射激光器陣列100相比，可以更有效地可控地將蝕刻停止于包含用于In的蝕刻底部的層內(nèi)。接著，解釋本實施例的表面發(fā)射激光器陣列200的輸出特性。圖17為用于實驗的圖14的實施例中表面發(fā)射激光器元件的截面圖。圖18為用于實驗的比較例中的表面發(fā)射激光器元件的截面圖。在圖17的實施例中，表面發(fā)射激光器元件151的反射層102中有源層104附近的三個周期的低折射率層1021(=AlAs)的厚度設(shè)置為3A74,且其余組成與表面發(fā)射激光器元件151相同。在圖18的比較例中，表面發(fā)射激光器元件151的反射層102被一反射層取代，該反射層是由30.5個周期的n-Alo.3Gao.7As/n-AlAs和10個周期的n-Al0.3Gao.7As/n-Al09Ga0.iAs構(gòu)成。n-Al03Ga07As、n-AlAs和n-Al09Gao!As的每一層的厚度為X/4。圖19為用于解釋光學(xué)輸出和電流之間的關(guān)系的圖示，其示出了實驗結(jié)果。在圖19，垂直軸表示光學(xué)輸出，水平軸表示電流。曲線k9示出本發(fā)明的表面發(fā)射激光器元件的光學(xué)輸出和電流之間的關(guān)系。通過觀察發(fā)光部的面積為16平方微米的表面發(fā)射激光器元件在20攝氏度的連續(xù)波(CW)來進(jìn)行該實驗。從圖19的實驗結(jié)果顯見，與比較例的表面發(fā)射激光器元件的光學(xué)輸出的飽和值相比，本發(fā)明的表面發(fā)射激光器元件的光學(xué)輸出的飽和值朝高電流值側(cè)偏移很多，獲得了高的輸出。在本發(fā)明的表面發(fā)射激光器元件中，由于基板101側(cè)上的反射層102的低折射率層1021是由具有高熱導(dǎo)率的AlAs構(gòu)成，基板101側(cè)的熱散逸良好且元件工作時元件的溫度上升得到控制。因此，通過使用具有高熱導(dǎo)率的AlAs構(gòu)成設(shè)于基板101內(nèi)的反射層102的低折射率層1021，且調(diào)適組成使得在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量發(fā)散到基板101,在實驗上證明該表面發(fā)射激光器元件的輸出特性，進(jìn)言之該表面發(fā)射激光器陣列的輸出特性改善。本實施例的表面發(fā)射激光器陣列可設(shè)有布置成4行x10列的40個表面發(fā)射激光器元件，類似于表面發(fā)射激光器陣列iOOA(見圖13)。本發(fā)明的表面發(fā)射激光器陣列可按下述方式設(shè)置，表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182的共振器阻擋層103、103A包括由Ga0.5InQ.5P構(gòu)成的表面發(fā)射激光器元件。本發(fā)明的表面發(fā)射激光器陣列可按下述方式設(shè)置，表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182的共振器阻擋層103、103A包括由(Al0.7Gao.3)o.5Ina5P/Gao.5Ina5P構(gòu)成的表面發(fā)射激光器元件。這種情況下，(Al0.7Gao.3)0.5In0.5P布置在有源層104側(cè)，且Ga0.5In0.5P布置在反射層102側(cè)。到(Alo.7Gao.3)Q.5lno.5P有源層104的載流子被鎖定且增加，在有源層04內(nèi)產(chǎn)生的熱量可以更多地發(fā)散到反射層102。Gao.5Ina5P的熱導(dǎo)率高于(Al0.7Gao.3)o.5ln0.5P。表1示出共振器阻擋層103、105;103A、105A/有源層104的阱層1041分別由AlGaAs/AlGaAs、AlGalnP/GalnPAs形成的情形下，共振器阻擋層103、105;103A、105A和阱層1041之間的帶隙差異以及壘層1042和阱層1041之間的帶隙差異。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>當(dāng)AlGaAs和AlGaAs分別用于共振器阻擋層103、105;103A、105A和有源層104的阱層1041時，發(fā)射波長為7S0nm的表面發(fā)射激光器元件中共振器阻擋層103、105;103A、105A和阱層1041之間的帶隙差異為465.9meV,且壘層1042和阱層1041之間的帶隙差異為228.8meV。當(dāng)AlGaAs和AlGaAs分別用于共振器阻擋層103、105;103A、105A和有源層104的阱層1041時，發(fā)射波長為850nm的表面發(fā)射激光器元件中共振器阻擋層103、105;103A、105A和阱層1041之間的帶隙差異為602.6meV,且壘層1042和阱層1041之間的帶隙差異為365.5meV。另一方面，當(dāng)AlGalnP和GalnPAs分別用于共振器阻擋層103、105;103A、105A和有源層104的阱層1041時，發(fā)射波長為780nm的表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182中共振器阻擋層103、105;103A、105A和阱層1041之間的帶隙差異為767.3meV,且壘層1042和阱層1041之間的帶隙差異為463.3meV。因此，分別使用AlGalnP和GalnPAs來構(gòu)造共振器阻擋層103、105;103A、105A和有源層104的阱層1041,共振器阻擋層103、105;103A、105A和阱層1041之間的帶隙差異以及壘層1042和阱層1041之間的帶隙差異與先前相比增大。結(jié)果，載流子鎖定到阱層1041的效果顯著改善且表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182可以發(fā)射更高輸出的發(fā)射光，同時以低閾值振蕩。由于有源層104包含具有壓應(yīng)變的GalnPAs,通過重空穴和輕空穴的能帶分離使得增益增力口變大。因此，可以低閾值地獲得高增益和高輸出發(fā)射光。使用由晶格常數(shù)幾乎與GaAs基板相同的AlGaAs體系制作的表面發(fā)射激光器元件(780nm或850nm),無法實現(xiàn)這個效果。隨著載流子鎖定的改善以及由畸變量子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成的有源層104的高增益，表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182的閾值電流可以降低，光學(xué)提取側(cè)的反射層106、106A反射率降低，可以獲得高的輸出發(fā)射。由于有源層104包含的材料不含有鋁，可以將其視為無鋁有源區(qū)(量子阱有源層和相鄰層)，當(dāng)這些區(qū)域包含的氧減少時，可以控制非輻射復(fù)合中心的形成，且可以實現(xiàn)長壽命工作。這使得光學(xué)寫入單元或光源單元可再利用。在上述實施例中，反射層102的低折射率層1021是由AlAs構(gòu)成。備選地，比有源層104布置成更靠近基板101側(cè)的反射層102的低折射率層1021應(yīng)僅包括氧化速率和選擇性氧化層107相當(dāng)或更高的半導(dǎo)體材料。由于選擇性氧化層107通常是由AlxGa,-xAs(x^).9)構(gòu)成，由AlAs構(gòu)成的低折射率層1021通常具有與選擇性氧化層107的氧化速率相當(dāng)或更高的氧化速率。對于包含鋁的層的情形，如果鋁含量不同，鋁含量高的層的氧化速率更高，且如果鋁含量相同，則厚度大的層的氧化速率更高。在上述實施例中，反射層102的所有低折射率層1021均由AlAs構(gòu)成。備選地，反射層102應(yīng)僅在有源層104側(cè)配備氧化速率高于選擇性氧化層107的低折射率層(AlxGa^As(x^0.9))。這是因為加熱源(=有源層104)附近部分的熱導(dǎo)率高，使得在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量發(fā)散到基板101的效果更好。在上述實施例中，臺蝕刻停止于共振器阻擋層103、103A的中間。備選地，在表面發(fā)射激光器陣列100、IOOA中，臺蝕刻停止于共振器(共振器阻擋層103、有源層104和共振器阻擋層105)的內(nèi)部或者共振器與反射層106的界面。在表面發(fā)射激光器陣列200中，臺蝕刻停止于共振器(共振器阻擋層103A、有源層104和共振器阻擋層105A)的內(nèi)部、或者反射層106A的低折射率層1061A的內(nèi)部、或者低折射率層1061A和高折射率層1062的界面。通常，臺蝕刻停止在反射層106側(cè)，而不是反射層102。圖20為本發(fā)明實施例中表面發(fā)射激光器陣列的平面圖。如圖20所示，本實施例的表面發(fā)射激光器陣列300包括基板310、表面發(fā)射激光器元件311-320和焊墊321-330。表面發(fā)射激光器元件311-320在基板310上布置成一維形式。表面發(fā)射激光器元件311-320是由上述的表面發(fā)射激光器元件l-40或表面發(fā)射激光器元件151-182構(gòu)成。焊墊321-330分別布置成圍繞表面發(fā)射激光器元件311-320并連接到p型電極lll。閾值上升被控制，且通過在同一基板310上聚集可實現(xiàn)高輸出工作的許多場發(fā)射激光器裝置311-320,由于例如同時可以實現(xiàn)通過束的大量數(shù)據(jù)傳輸，當(dāng)其用于光學(xué)通信時，可以實現(xiàn)高速通信。由于在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量的放熱特性良好且工作于低功耗，因此在用到設(shè)備且具體使用時，表面發(fā)射激光器元件311-320可以減小溫度上升。接著，參考圖21A-23描述本發(fā)明實施例中的表面發(fā)射激光器陣列的制造方法。(1)使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法的結(jié)晶生長，半導(dǎo)體層，包括反射層(下反射器)102、共振器阻擋層(下阻擋層)103、有源層104、共振器阻擋層(上阻擋層)105、選擇性氧化層107和反射層(上反射層)106逐一層疊在基板101上(見圖21A)。在下文中，層疊了這些層的半導(dǎo)體分層產(chǎn)物稱為多層半導(dǎo)體膜。(2)通過光刻方法，與發(fā)光部及陣列邊界部相對應(yīng)的光掩才莫PM圖案形成于該多層半導(dǎo)體膜的表面(該表面與基板101相對)上(見圖21B)。在該示例中，一個芯片具有九個發(fā)光部(3x3)。(3)使用光掩模PM作為蝕刻掩模，通過干法蝕刻來形成臺的形狀(見圖21C)。在下文中，為了方便將臺的形狀稱為"臺"。此時，也在用做陣列邊界部的部分內(nèi)進(jìn)行蝕刻。在該示例中，進(jìn)行蝕刻直至蝕刻底部到達(dá)下阻擋層103。(4)除去光掩模PM。(5)電流狹窄結(jié)構(gòu)形成于選擇性氧化層107內(nèi)(見圖21D)。(6)用于蝕刻陣列邊界部的蝕刻掩^^莫的圖案通過光刻方法來形成。(7)對陣列邊界部進(jìn)行蝕刻，直至蝕刻底部到達(dá)基板101(見圖22A)。每個陣列部分別與其它陣列部分離或分割。(8)形成由Si02、SiN和SiON任意一種制成的保護(hù)膜109作為鈍化膜(見圖22B)。(9)進(jìn)行蝕刻以除去在臺上部的接觸的分割部以及陣列邊界部的底部的鈍化膜(見圖22C)。此時，陣列邊界部的側(cè)面上的鈍化膜部分被掩蔽，以1更不祐j蟲刻。(10)通過剝離方法形成p型電極111(見圖22D)。除了電極之外的部分預(yù)先通過光致抗蝕劑被掩蔽，且在電極材料的氣相沉積之后，在例如丙酮的溶液中進(jìn)行超聲清洗，其中光致抗蝕劑溶解在該溶液內(nèi)。Cr/AuZn/Au多層膜或者Ti/Pt/Au多層膜用做p型電極材料。(11)基板IOI的背面被研磨到預(yù)定厚度(約100微米)之后，形成n型電極112(見圖23)。n型電極112是由AuGe/Ni/Au多層膜構(gòu)成。(12)形成引線，該引線用于建立電極焊墊(未示出)與和發(fā)光部相應(yīng)p型電極ill相對應(yīng)的電極焊墊之間的電學(xué)連接。開口形成于p型電極111的中心，且激光束從該開口發(fā)射。由此，每個臺用做發(fā)光部。(13)沿陣列邊界部的底部的分割部進(jìn)行切割，從而將晶片劃分為芯片。如此制作的本實施例的表面發(fā)射激光器陣列400示于圖24。由于表面發(fā)射激光器陣列400在制造時制作成被劃分的芯片，因此可以減小基板101的彎曲。因此，制造良率提高且可以實現(xiàn)低成本生產(chǎn)。由于表面發(fā)射激光器陣列350中下反射器102的側(cè)面被保護(hù)膜覆蓋，因此可以抑制下反射器102的低折射率層與大氣中的水氣反應(yīng)而被氧化，從而避免發(fā)生畸變以及出現(xiàn)破壞。也就是說，可以防止隨著時間推移出現(xiàn)的退化，且可以形成可靠的表面發(fā)射激光器陣列。[應(yīng)用例]圖25為示出使用圖13的表面發(fā)射激光器陣列100A的光學(xué)掃描裝置的組成的圖示。如圖25所示，光學(xué)掃描裝置400包括光源401、耦合透鏡402、光圈403、變形透鏡(anamorphiclens)404、多角鏡405、偏向器側(cè)掃描透鏡406、像面?zhèn)葤呙柰哥R407、防塵玻璃408、像面玻璃408、像面409、防聲玻璃410和虛擬透《竟(dummylens)411。光源401是由圖13所示的表面發(fā)射激光器陣列IOOA構(gòu)成。從光源401發(fā)射的40個光束進(jìn)入耦合透鏡402,耦合透鏡402將其轉(zhuǎn)換成弱發(fā)散光束并將其引導(dǎo)進(jìn)入變形透鏡404。入射到變形透鏡404的光束被變形透鏡404轉(zhuǎn)換，從而沿主掃描方向是平行的并沿子掃描方向會聚在多角鏡405附近。隨后，光束通過光圈403、虛擬透鏡411和防聲玻璃410進(jìn)入多角鏡405。光束被多角鏡405偏向，穿過防塵玻璃408,且圖像信息通過偏向器側(cè)掃描透鏡406和像面?zhèn)葤呙柰哥R407被成像到像面409上。光源401和耦合透鏡402通常固定到由鋁制成的部件。光源401是由包括40個表面發(fā)射激光器元件1-40的表面發(fā)射激光器陣列IOOA構(gòu)成，通過調(diào)整40個表面發(fā)射激光器元件l-40的發(fā)光時序，這些表面發(fā)射激光器元件按照下述方式布置，即，從十個表面發(fā)射激光器元件1-10/11-20/21-30/31-40的十個中心的沿子掃描方向布置的直線的十條法線沿子掃描方向的間隙按相等間隔c2布置，在感光體上可以視為與下述情形相同，即，光源沿子掃描方向按相等間隔位于一條直線上。通過調(diào)整表面發(fā)射激光器元件1-40的元件間間隙c2以及光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率，可以調(diào)整沿子掃描方向的光學(xué)寫入的間隔。也就是說，當(dāng)表面發(fā)射激光器陣列100A(40個通道)用做光源401時，由于元件間間隙c2如上所述設(shè)置為2.4微米，通過將光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率設(shè)置為約2.2倍，則可以進(jìn)行4800dpi的高密度寫入。通過增加沿主掃描方向的元件數(shù)目，使沿主掃描方向布置的相鄰表面發(fā)射元件之間的間隔c2更小，使沿子掃描方向布置的表面發(fā)射激光器元件之間的間隔d更小，或者減小光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率，則可以獲得具有高質(zhì)量印刷的高密度光學(xué)寫入。這種情況下，通過調(diào)整光源401的發(fā)光時序，主掃描方向的光學(xué)寫入間隔是容易可控制的。因此，在光學(xué)掃描裝置400中，可以同時寫入40點(dot)且可以進(jìn)刊-高速印刷。通過增加表面發(fā)射激光器陣列100A內(nèi)表面發(fā)射激光器元件的數(shù)目，更加可以進(jìn)行高速印刷。由于通過使用表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182用于表面發(fā)射激光器陣列100A，表面發(fā)射激光器陣列100A的壽命可以顯著提高，該光學(xué)寫入單元或光源可再利用。在光學(xué)掃描裝置400中，光源401可以由圖l的表面發(fā)射激光器陣列100或者圖14的表面發(fā)射激光器陣列200構(gòu)成。圖26為示出激光打印機(jī)的組成的圖示。如圖26所示，激光打印機(jī)500包括感光體鼓501、光學(xué)掃描裝置502、清洗單元503、充電單元504、顯影單元505、轉(zhuǎn)印單元506和定影單元507。光學(xué)掃描裝置502、清洗單元503、充電單元504、顯影單元505、轉(zhuǎn)印單元506和定影單元507布置在感光體鼓501外圍的周圍。光學(xué)掃描裝置502是由圖25所示的光學(xué)掃描裝置400構(gòu)成，并通過上述方法使用多個激光束在感光體鼓501上形成潛像。清洗單元503除去殘留在感光體鼓501上的調(diào)色劑(toner)。充電單元504對感光體鼓501的表面充電。顯影單元505供應(yīng)調(diào)色劑到感光體鼓501的表面，并對由光學(xué)掃描裝置502形成的潛像執(zhí)行調(diào)色劑顯影。轉(zhuǎn)印單元506將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)。定影單元507將轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像固定到記錄介質(zhì)。在激光打印才幾500中，在開始工作時，充電單元504對感光體鼓501表面充電，且光學(xué)掃描裝置502使用多個激光束在感光體鼓501上形成潛像。顯影單元505供應(yīng)調(diào)色劑到由光學(xué)掃描裝置502形成的潛像，以形成調(diào)色劑圖像。轉(zhuǎn)印單元506將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)，且定影單元507將轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像固定到記錄介質(zhì)。由此，調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印在記錄紙508上，之后調(diào)色劑圖像由定影單元507加熱定影，且電子照相圖像的形成完成。另一方面，電子放電單元(未示出)通過對感光體鼓表面放電而除去感光體鼓501表面上的潛像，且清洗單元503除去感光體鼓501表面上殘留的調(diào)色劑。由此，重復(fù)上述電子照相操作，使得一系列操作連續(xù)地高速輸出圖像。激光打印機(jī)500構(gòu)成本發(fā)明實施例中的圖像形成裝置。圖27為示出圖像形成裝置的組成的圖示。如圖27所示，圖像形成裝置600包括感光體1Y、1M、1C、1K，充電單元2Y、2M、2C、2K，顯影單元4Y、4M、4C、4K，清洗單元5Y、5M、5C、5K，轉(zhuǎn)印/充電單元6Y、6M、6C、6K,定影單元610，光學(xué)寫入單元620和傳輸帶630。在圖27,Y表示黃色，M表示洋紅色，C表示青色，K表示黑色。感光體1Y、1M、1C、1K沿箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)。充電單元2Y、2M、2C、2K,顯影單元4Y、4M、4C、4K,轉(zhuǎn)印/充電單元6Y、6M、6C、6K和清洗單元5Y、5M、5C、5K按照旋轉(zhuǎn)方向依序布置。充電單元2Y、2M、2C、2K為對感光體1Y、1M、1C、1K表面均勻充電的部件。充電單元2Y、2M、2C、2K和顯影單元4Y、4M、4C、4K之間的感光體1Y、1M、1C、1K的表面被來自光學(xué)寫入單元620(由光學(xué)掃描裝置400構(gòu)成)的光束照射，使得靜電圖像形成于感光體1Y、1M、1C、1K上。顯影單元4Y、4M、4C、4K基于該靜電圖像在感光體1Y、1M、1C、1K的表面上形成調(diào)色劑圖像。轉(zhuǎn)印/充電單元6Y、6M、6C、6K將每種顏色的調(diào)色劑圖像逐一轉(zhuǎn)印到記錄紙640。最后，定影單元610將轉(zhuǎn)印的圖像固定到記錄紙640。盡管由于機(jī)械精確性等因素會出現(xiàn)各種顏色的色隙(colorgap),圖像形成裝置600設(shè)計成用于高密度圖像信息，且可以通過調(diào)整光學(xué)寫入單元620中使用的表面發(fā)射激光器陣列的表面發(fā)射激光器元件的開啟時序來提高色隙的補(bǔ)償精確性。圖28為光學(xué)傳送模塊的圖示。如圖28所示，光學(xué)傳送模塊700包括表面發(fā)射激光器陣列701和光纖702。表面發(fā)射激光器陣列701按照下述方式來構(gòu)造，即，表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182布置成一維形式。光纖702是由多條塑料光纖(POF)構(gòu)成。該多條塑料光纖布置為對應(yīng)于表面發(fā)射激光器陣列701的多個表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182。在光學(xué)傳送模塊700中，從表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182發(fā)射的激光束分別發(fā)送到相應(yīng)塑料光纖。壓克力(acryl)基塑料光纖在650nm具有吸收損耗底部，且650nm表面發(fā)射激光器元件正在發(fā)展之中。然而，其具有不期望的高溫特性，且尚未^1入實用。LED(發(fā)光二極管)用作光源，但是難以實現(xiàn)高速調(diào)制。需要使用半導(dǎo)體激光器用于實現(xiàn)超過1Gbps的高速傳送。上述的表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182的發(fā)射波長為780nm。放射特性得到改善，提供了高的輸出，且高溫特性良好。光纖的吸收損耗大，光學(xué)傳送模塊700僅能用于短距離傳送。在光學(xué)通信領(lǐng)域，為了同時傳送大量數(shù)據(jù)，發(fā)展了使用激光器陣列的并行傳送，其中該激光器陣列內(nèi)集成了多個半導(dǎo)體激光器。采用這種技術(shù)，可以進(jìn)行高速并行傳送，且可以同時傳送大量數(shù)據(jù)。在光學(xué)傳送模塊700中，表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182分別與光纖相對應(yīng)。備選地，具有不同發(fā)射波長的若干表面發(fā)射激光器元件可以布置成一維或二維陣列形式，且傳送速率通過執(zhí)行波分復(fù)用傳送而可以增大。再者，光學(xué)傳送模塊700使得可以提供低成本光學(xué)傳送模塊以及使用其的光纖通信系統(tǒng)，其中光學(xué)傳送模塊700中組合了使用表面發(fā)射激光器元件1-40、151-182的表面發(fā)射激光器陣列以及廉價的POF。由于光纖通信系統(tǒng)成本低，其在用于家用、辦公室用、裝置內(nèi)使用等短距離數(shù)據(jù)通信方面是有效的。圖29為圖1的表面發(fā)射激光器元件l-32的改進(jìn)的截面圖。在該實施例中，圖1的每個表面發(fā)射激光器元件1-32是由圖29的表面發(fā)射激光器元件1B構(gòu)成。如圖29所示，在表面發(fā)射激光器元件1B中，圖3的表面發(fā)射激光器元件1的共振器阻擋層103被共振器阻擋層103B取代，其余組成與表面發(fā)射激光器元件1相同。共振器阻擋層103B是由非摻雜Gaa5Ina5P構(gòu)成且形成于反射層102上。Gao.5ln。.sP熱導(dǎo)率高于構(gòu)成共振器阻擋層103的(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P。圖30為示出圖29的表面發(fā)射激光器元件1B的有源層104附近的截面圖。如圖30所示，反射層102的低折射率層1021接觸共振器阻擋層103B。共振器阻擋層103B接觸反射層102的低折射率層1021和有源層104的壘層1042。在表面發(fā)射激光器元件1B中，共振器阻擋層103B、105和有源層104構(gòu)成共振器，且該共振器沿與基板101垂直的方向的厚度設(shè)置為表面發(fā)射激光器元件1B的一個波長(=;0。也就是說，共振器阻擋層103B、105和有源層104構(gòu)成單波長共振器。包括表面發(fā)射激光器元件1B的表面發(fā)射激光器陣列100按照圖4A-6B的制造工藝來制作。這種情況下，在圖4A的工藝中，使用三曱基鎵(TMG)、三甲基銦(TMI)和磷烷(PH3)為原料，通過MOCVD方法形成共振器阻擋層103B的GaQ.5Ino.5P。由于該共振器(=共振器阻擋層103B、105和有源層104)包含In,其構(gòu)成吸收層，在形成臺結(jié)構(gòu)時該吸收層吸收沿表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異。在使用表面發(fā)射激光器元件1B制作表面發(fā)射激光器陣列100時，用于形成臺結(jié)構(gòu)的蝕刻停止在共振器(共振器阻擋層103B)的中間，元件間部分120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad變小。因此，根據(jù)本發(fā)明，沿基板101的表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度差異可以減小而不4吏用虛擬元件。由于元件間部分120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad小，切斷引線W1-W32的可能性可以降低。由于焊墊51-82布置在平坦部130內(nèi)，因此在引線結(jié)合時可以防止該臺結(jié)構(gòu)被焊墊51-82損傷。與表面發(fā)射激光器元件1相反，表面發(fā)射激光器元件1B按照下述方式設(shè)置，即，共振器阻擋層103B是由熱導(dǎo)率大于(Alo.7Gaa3)o.5lno.5P的Gaa5In0.5P構(gòu)成，且在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量的大部分可以放射到基板101側(cè)。在上述實施例中，臺結(jié)構(gòu)的底部位于共振器阻擋層103B的中間。備選地，該臺結(jié)構(gòu)的底部可以位于沿包含In的共振器(=共振器阻擋層103B、105和有源層104)的厚度方向的任意位置。圖31為圖1的表面發(fā)射激光器元件1-32的改進(jìn)的截面圖。在本實施例中，圖1的表面發(fā)射激光器元件1-32的每一個是由圖31的表面發(fā)射激光器元件1C構(gòu)成。如圖31所示，在表面發(fā)射激光器元件1C中，圖3的表面發(fā)射激光器元件1的共振器阻擋層103被共振器阻擋層103C替代，且其余組成與表面發(fā)射激光器元件l相同。共振器阻擋層103C是由非摻雜(Ala7Gao.3)o.5lna5P/Gao.5lno.5P構(gòu)成且形成于反射層102上。圖32為示出圖31的表面發(fā)射激光器元件1C的有源層104附近的截面圖。如圖32所示，共振器阻擋層103C是由阻擋層1031和1032構(gòu)成。阻擋層1031形成為接觸反射層102的低折射率層1021,阻擋層1032形成為接觸有源層104的壘層1042。阻擋層1031是由Gao.5In0.5P構(gòu)成。阻擋層1032是由(AIo.7Gao.3)o.5lno.5P構(gòu)成。在表面發(fā)射激光器元件1C中，共振器阻擋層103C、105和有源層104構(gòu)成共振器，且該共振器沿與基板101垂直的方向的厚度設(shè)置為表面發(fā)射激光器元件1C的一個波長(-X)。也就是說，共振器阻擋層103C、105和有源層104構(gòu)成單波長共振器。包括表面發(fā)射激光器元件1C的表面發(fā)射激光器陣列100按照圖4A-6B的制造工藝來制作。這種情況下，在圖4A的工藝中，使用三甲基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為原料，通過MOCVD方法形成共振器阻擋層103C的(AlQ.7Gao.3)。.5lno.5P/Gaa5lno.5P。由于該共振器(-共振器阻擋層103C、105和有源層104)包含In,其構(gòu)成吸收層，在形成臺結(jié)構(gòu)時該吸收層吸收沿表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異。在使用表面發(fā)射激光器元件1C制作表面發(fā)射激光器陣列100時，用于形成臺結(jié)構(gòu)的蝕刻停止在共振器(共振器阻擋層103C)的中間，元件布置部120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad變小。因此，根據(jù)本發(fā)明，沿基板101的表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度差異可以減小而不4吏用虛擬元件。由于元件布置部120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad小，切斷引線W1-W32的可能性可以降低。由于焊墊51-82布置在平坦部130內(nèi)，因此在引線結(jié)合時可以防止該臺結(jié)構(gòu)被焊墊損傷。在表面發(fā)射激光器元件1C中，共振器阻擋層103C中接觸有源層104的阻擋層1032是由寬帶隙材料(Alo.7Gao.3)o.5ln。.5P構(gòu)成。接觸反射層102的低折射率層1021(=AlAs)的阻擋層1031是由Ga0.5In。.5P構(gòu)成。為此，與表面發(fā)射激光器元件1相反，在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量的大部分可以放射到基板101側(cè)，且可以提供與包含在表面發(fā)射激光器元件1中的載流子程度相同的載流子程度。在上述實施例中，臺結(jié)構(gòu)的底部位于共振器阻擋層103C的中間。備選地，該臺結(jié)構(gòu)的底部可以位于沿包含In的共振器(=共振器阻擋層103C、105和有源層104)的厚度方向的任意位置。圖33為圖1的表面發(fā)射激光器元件1-32的改進(jìn)的截面圖。在本實施例中，圖1的表面發(fā)射激光器元件1-32的每一個是由圖33的表面發(fā)射激光器元件1D構(gòu)成。如圖33所示，在表面發(fā)射激光器元件1D中，圖3的表面發(fā)射激光器元件1的共振器阻擋層103被共振器阻擋層103D替代，且其余組成與表面發(fā)射激光器元件1相同。共振器阻擋層103D是由非摻雜(AlQ.7Ga。.3)a5lno.5P/AlGaAs構(gòu)成且形成于反射層102上。圖34為示出圖33的表面發(fā)射激光器元件1D的有源層104附近的截面圖。如圖34所示，共振器阻擋層103D是由阻擋層1031A和1032A構(gòu)成。阻擋層1031A形成為接觸反射層102的低折射率層1021，阻擋層1032A形成為接觸有源層104的壘層1042。阻擋層1031A是由熱導(dǎo)率高f(Alo.7Gao.3)a5Ino.5P的AlGaAs構(gòu)成。阻擋層1032A是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P構(gòu)成。在表面發(fā)射激光器元件1D中，共振器阻擋層103D、105和有源層104構(gòu)成共振器，且該共振器沿與基板101垂直的方向的厚度設(shè)置為表面發(fā)射激光器元件1D的一個波長(=X)。也就是說，共振器阻擋層103D、105和有源層104構(gòu)成單波長共振器。包括表面發(fā)射激光器元件1D的表面發(fā)射激光器陣列100按照圖4A-6B的制造工藝來制作。這種情況下，在圖4A的工藝中，使用三甲基鋁(TMA)、三甲基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為原料，通過MOCVD方法形成共振器阻擋層103D的(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P,且使用三曱基鋁(TMA)、三甲基鎵(TMG)和砷烷(AsH3)為原料，形成共振器阻擋層103D的AlGaAs。由于共振器阻擋層103D的阻擋層1032A、有源層104和共振器阻擋層105包含In,其構(gòu)成吸收層，在形成臺結(jié)構(gòu)時該吸收層吸收沿表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異。在使用表面發(fā)射激光器元件1D制作表面發(fā)射激光器陣列100時，用于形成臺結(jié)構(gòu)的蝕刻停止在共振器阻擋層103D的阻擋層1032A的中間，元件布置部120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad變小。因此，根據(jù)本發(fā)明，沿基板101的表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度差異可以減小而不4吏用虛擬元件。由于元件布置部120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad小，切斷引線W1-W32的可能性可以降低。由于焊墊51-82布置在平坦部130內(nèi)，因此在引線結(jié)合時可以防止該臺結(jié)構(gòu)被焊墊51-82損傷。在表面發(fā)射激光器元件ID中，共振器阻擋層103D中接觸有源層104的阻擋層1032A是由寬帶隙材料(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P構(gòu)成。接觸反射層102的低折射率層1021(=AlAs)的阻擋層1031A是由AlGaAs構(gòu)成。因此，與表面發(fā)射激光器元件1相反，在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量的大部分可以放射到基板101側(cè)，且可以提供與包含在表面發(fā)射激光器元件1中的載流子程度相同的載流子程度。在上述實施例中，臺結(jié)構(gòu)的底部位于共振器阻擋層103D的中間。備選地，該臺結(jié)構(gòu)的底部可以位于沿包含In的阻擋層1032A、有源層104和共振器阻擋層105的厚度方向的任意位置。圖35為圖1的表面發(fā)射激光器元件1-32的改進(jìn)的截面圖。在本實施例中，圖1的表面發(fā)射激光器元件1-32的每一個是由圖33的表面發(fā)射激光器元件1E構(gòu)成。如圖35所示，在表面發(fā)射激光器元件1E中，圖3的表面發(fā)射激光器元件1的共振器阻擋層103和有源層104分別被共振器阻擋層103E和有源層104A替代，且其余組成與表面發(fā)射激光器元件1相同。共振器阻擋層103E是由非#^雜AlGaAs構(gòu)成且形成于反射層102上。有源層104A是由AlGaAs基材料構(gòu)成并設(shè)置為發(fā)射780nm激光束。在表面發(fā)射激光器元件1E中，臺結(jié)構(gòu)的底部位于共振器阻擋層105的中間。圖36為示出圖35的表面發(fā)射激光器元件1E的有源層104A附近的截面圖。如圖36所示，共振器阻擋層103E形成為接觸反射層102的低折射率層1021和有源層104A。共振器阻擋層103E是由Alo.6Gao.4As構(gòu)成。有源層104A是由量子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中三層阱層1041A和四層壘層1042A交替層疊。各阱層1041A是由Alo.12Gaa88As構(gòu)成。各壘層1042A是由Alo.3Ga0.7As構(gòu)成。在表面發(fā)射激光器元件1E中，共振器阻擋層103E、105和有源層104A構(gòu)成共振器，且該共振器沿與基板101垂直的方向的厚度設(shè)置為表面發(fā)射激光器元件1E的一個波長(=X)。也就是說，共振器阻擋層103E、105和有源層104A構(gòu)成單波長共振器。包括表面發(fā)射激光器元件1E的表面發(fā)射激光器陣列100按照圖4A-6B的制造工藝來制作。這種情況下，在圖4A的工藝中，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)和砷烷(AsH3)為原料，通過MOCVD方法形成共振器阻擋層103E的Al0.6Gaa4As、阱層1041A的Alai2Gao.88As以及壘層1042A的Alo.3Gao.7As。由于共振器阻擋層105包含In,其構(gòu)成吸收層，在形成臺結(jié)構(gòu)時該吸收層吸收沿表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異。用于形成臺結(jié)構(gòu)的蝕刻停止在共振器阻擋層105的中間，元件布置部120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad變小。因此，根據(jù)本發(fā)明，沿基板101的表面內(nèi)方向DR1的蝕刻深度差異可以減小而不^f吏用虛擬元件。由于元件布置部120和平坦部130之間的蝕刻深度差異Ad小，切斷引線W1-W32的可能性可以降低。由于焊墊51-82布置在平坦部130內(nèi)，因此在引線結(jié)合時可以防止該臺結(jié)構(gòu)被焊墊51-82損傷。在本實施例中，在構(gòu)成表面發(fā)射激光器元件1E的反射層102、共振器阻擋層103E、有源層104A、共振器阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108中，僅共振器阻擋層105包含In。備選地，該實施例可以配置成僅共振器阻擋層103E包含In，或者僅有源層104A包含In。當(dāng)僅共振器阻擋層103E包含In時，共振器阻擋層103E構(gòu)成吸收層，在形成臺結(jié)構(gòu)時該吸收層吸收沿表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異，且臺結(jié)構(gòu)的底部位于共振器阻擋層103E的中間。當(dāng)僅有源層104A包含In時，有源層104A構(gòu)成吸收層，在形成臺結(jié)構(gòu)時該吸收層吸收沿表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異，且臺結(jié)構(gòu)的底部位于有源層104A的中間。在上述實施例中，反射層102的低折射率層1021是由AlAs構(gòu)成。備選地，根據(jù)本發(fā)明，低折射率層1021可以由AlxGa,-xAs(0.9^^1)構(gòu)成。本發(fā)明的表面發(fā)射激光器陣列可以由多個表面發(fā)射激光器元件構(gòu)成，這些表面發(fā)射激光器元件可以布置成除了4行x8列形式以外的二維形式。本發(fā)明不限于上述實施例，且在不背離本發(fā)明的范圍的情況下可以進(jìn)行變型和調(diào)整。本發(fā)明是基于下述申請并主張下述申請的優(yōu)先權(quán)申請日為2006年8月23日的日本專利申請2006-226561、申請日為2006年8月23日的日本專利申請2006-226562以及申請日為2007年5月22日的日本專利申請2007-134856。權(quán)利要求1.一種表面發(fā)射激光器陣列，所述表面發(fā)射激光器陣列包含多個表面發(fā)射激光器元件，所述多個表面發(fā)射激光器元件的每一個包括第一反射層，形成于基板上以構(gòu)成半導(dǎo)體布拉格反射器；共振器，形成為接觸所述第一反射層并包含有源層；以及第二反射層，形成于所述第一反射層上方并接觸所述共振器以構(gòu)成所述半導(dǎo)體布拉格反射器，所述第二反射層中含有選擇性氧化層，其中所述第一反射層在所述有源層側(cè)至少包含低折射率層，所述低折射率層的氧化速率相當(dāng)于或高于包含在所述第二反射層內(nèi)的選擇性氧化層的氧化速率，所述共振器是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成，且每個表面發(fā)射激光器元件中的臺結(jié)構(gòu)的底部位于所述選擇性氧化層下方和所述第一反射層上方。2.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述共振器的蝕刻速率小于所述第二反射層的蝕刻速率。3.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述第二反射層在所述有源層側(cè)包含由至少包含In的AlGalnPAs基材料制成的層。4.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述臺結(jié)構(gòu)的底部位于所述共振器內(nèi)部或者在所述第二反射層和共振器之間的界面。5.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述第一反射層在所述表面發(fā)射激光器元件的整個區(qū)域上方包含由AlAs制成的所述低折射率層。6.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述第二反射層中包含的所述選擇性氧化層構(gòu)成選擇性氧化類型電流狹窄部。7.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述多個表面發(fā)射激光器元件的元件間間隙內(nèi)的蝕刻深度和所述多個表面發(fā)射激光器元件的外圍部分的蝕刻深度之間的差異等于或小于每個表面發(fā)射激光器元件的束發(fā)射波長的1/2。8.如權(quán)利要求7所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述多個表面發(fā)射激光器元件的相鄰兩個之間的元件間間隙設(shè)置為下述間隙中的較小之一所述多個表面發(fā)射激光器元件中兩個臺結(jié)構(gòu)的頂面位置之間的間隙以及所述兩個臺結(jié)構(gòu)的底面位置之間的間隙，且所述元件間間隙等于或小于20微米。9.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述第一反射層的側(cè)面被保護(hù)膜覆蓋。10.如權(quán)利要求9所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中所述保護(hù)膜是由Si02、SiN和SiON任意一種制成。11.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中布置在所述第一反射層的共振器側(cè)的所述低折射率層的鋁含量大于所述選擇性氧化層的鋁含量。12.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列，其中布置在所述第一反射層的共振器側(cè)的所述低折射率層的鋁含量等于所述選擇性氧化層的鋁含量，且布置在所述第一反射層的共振器側(cè)的所述低折射率層的厚度大于所述選擇性氧化層的厚度。13.—種光學(xué)掃描裝置，包括如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列；偏向單元，偏向由所述表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的多個激光束；以及掃描光學(xué)元件，將激光束從所述偏向單元引導(dǎo)在感光體的掃描表面上。14.一種圖像形成裝置，其中設(shè)置有如權(quán)利要求13所述的光學(xué)掃描裝置。15.—種圖像形成裝置，其中如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器陣列設(shè)置為發(fā)射多個激光束的光源。16.—種表面發(fā)射激光器元件，具有發(fā)射激光束的臺結(jié)構(gòu)，所述表面發(fā)射激光器元件包括基板；第一反射層，形成于所述基板上以構(gòu)成半導(dǎo)體布拉格反射器；共振器，形成為接觸所述第一反射層并包含有源層；第二反射層，形成為接觸所述共振器以構(gòu)成所述半導(dǎo)體布拉格反射器；以及吸收層，布置為在形成所述臺結(jié)構(gòu)時吸收沿所述基板的表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異，其中所述臺結(jié)構(gòu)的底部沿與所述基板垂直的方向位于所述吸收層內(nèi)，且所述吸收層沿所述共振器的厚度方向形成于至少部分所述共振器內(nèi)。17.如權(quán)利要求16所述的表面發(fā)射激光器元件，其中所述吸收層沿所述共振器的厚度方向形成于所述共振器的整個區(qū)域內(nèi)。18.如權(quán)利要求16所述的表面發(fā)射激光器元件，其中所述吸收層沿所述共振器的厚度方向形成于所述共振器的整個區(qū)域內(nèi)，并沿所述第二反射層的厚度方向部分地形成。19.如權(quán)利要求16所述的表面發(fā)射激光器元件，其中所述吸收層至少包含In。20.—種表面發(fā)射激光器陣列的制造方法，所述表面發(fā)射激光器陣列包括元件布置部，設(shè)置在基板上并布置有多個表面發(fā)射激光器元件；以及平坦部，設(shè)置在所述基板上并沿所述基板的表面內(nèi)方向布置在所述元件布置部的周圍，所述多個表面發(fā)射激光器元件的每一個包括發(fā)射激光束的臺結(jié)構(gòu)，且所述平坦部和所述元件布置部包含吸收層，所述吸收層布置為在形成所述臺結(jié)構(gòu)時吸收沿所述表面內(nèi)方向的蝕刻深度差異，所述制造方法包括如下步驟在所述基板上形成多層半導(dǎo)體膜；以及使得所述元件布置部和平坦部形成。全文摘要一種表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器元件(1)。每個表面發(fā)射激光器元件包括第一反射層(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成為接觸第一反射層并包含有源層(104)；以及第二反射層(106，107)，形成于第一反射層上方并接觸共振器腔。第二反射層包含選擇性氧化層(107)。第一反射層在有源層側(cè)至少包含低折射率層(1021)，該低折射率層由例如AlAs制成且氧化速率相當(dāng)于或高于包含在第二反射層內(nèi)的選擇性氧化層(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。臺結(jié)構(gòu)的底部位于選擇性氧化層下方和第一反射層上方。文檔編號H01S5/183GK101356702SQ20078000140公開日2009年1月28日申請日期2007年8月20日優(yōu)先權(quán)日2006年8月23日發(fā)明者伊藤彰浩,佐藤俊一,莊司浩義,菅原悟申請人:株式會社理光