專利名稱：：半導(dǎo)體發(fā)光元件、照明裝置和半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件、照明裝置和半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，特別涉及在支撐基板上接合有包括發(fā)光層的半導(dǎo)體元件層的半導(dǎo)體發(fā)光元件、照明裝置和半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)有技術(shù)中，己知有在支撐基板上接合有包括發(fā)光層的半導(dǎo)體元件層的半導(dǎo)體發(fā)光元件。這樣的半導(dǎo)體發(fā)光元件例如公開在日本特開2006—49871號公報和日本特開2004—235506號公報中。這些半導(dǎo)體發(fā)光元件是在生長基板上形成高品質(zhì)的半導(dǎo)體元件層之后，在與生長基板不同的支撐基板上接合半導(dǎo)體元件層而形成的。此外，在該接合之后，通過從半導(dǎo)體元件層除去生長基板，能夠?qū)ιL基板進(jìn)行再利用。圖16是用于說明現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的結(jié)構(gòu)的截面圖。參照圖16說明現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的結(jié)構(gòu)。在現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件中，如圖16所示，在由Si構(gòu)成的支撐基板101上隔著接合層102形成有GaN類的半導(dǎo)體元件層103。半導(dǎo)體元件層103由p型GaN類半導(dǎo)體層103a、活性層103d和n型GaN類半導(dǎo)體層103f構(gòu)成。作為具體的結(jié)構(gòu)，p型GaN類半導(dǎo)體層103a具有約200nm的厚度。在p型GaN類半導(dǎo)體層103a上形成有具有約50nm的厚度的活性層103d，該活性層103d具有交替形成有阱層和勢壘層的MQW(MultipleQuantumWell:多量子阱)結(jié)構(gòu)。在活性層103d上形成有具有約7Pm的厚度的n型GaN類半導(dǎo)體層103f。在p型GaN類半導(dǎo)體層103a的下表面上，形成有由具有約3nm的厚度的Pd層和具有約150nm厚度的Ag層的疊層膜構(gòu)成的p側(cè)電極105。此外，在p側(cè)電極105的下表面上形成有具有約50nm的厚度且由Mo構(gòu)成的阻擋層106。此外，在半導(dǎo)體元件層103的上表面上，從半導(dǎo)體元件層103側(cè)開始形成有由具有約15nm的厚度的Ti層和具有約150nm的厚度的Al層的疊層膜構(gòu)成的n側(cè)電極107。在支撐基板101的上表面上，形成有具有約15nm的厚度的Ti層和具有約150nm的厚度的Al層以該順序形成的歐姆層101a。在歐姆層101a和阻擋層106之間形成的接合層102由第一接合層102a、第二接合層102b和第三接合層102c構(gòu)成，其中，第一接合層102a在歐姆層101a上形成、具有約3Um厚度且由Au構(gòu)成，第二接合層102b在第一接合層102a上形成、具有3um的厚度且由Au-Sn合金(Sn含有量約20質(zhì)量％)構(gòu)成，第三接合層102c在第二接合層102b上形成、具有約100nm的厚度且由Au構(gòu)成的。圖17圖19是用于說明圖16所示的現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。接著，參照圖16圖19說明現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的制造工藝。首先，如圖17所示，使用MOCVD(MetalOrganicChemicalVapordeposition:金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)法，在由藍(lán)寶石構(gòu)成的生長基板108上形成具有約20nm的厚度且由GaN類半導(dǎo)體構(gòu)成的緩沖層109。接著，通過MOCVD法，在緩沖層109上，依次形成具有上述膜厚的n型GaN類半導(dǎo)體層103f、活性層103d和p型GaN類半導(dǎo)體層103a。接著，使用電子束蒸鍍(EB)法，在p型GaN類半導(dǎo)體層103a上依次形成分別具有上述膜厚的Pd層和Ag層，從而形成p側(cè)電極105。進(jìn)而，使用EB法，在p側(cè)電極105上形成具有約50nm厚度且由Mo構(gòu)成的阻擋層106。接著，如圖17所示，通過EB法，在阻擋層106上依次形成分別具有上述膜厚和組成的第三接合層102c和第二接合層102b。接著，如圖18所示，在支撐基板101上，使用EB法，依次形成分別具有上述膜厚的Ti層和Al層，由此形成歐姆層101a。此外，使用EB法在歐姆層101a上形成具有約3ym的厚度且由Au構(gòu)成的第一接合層102a。接著，如圖19所示，以第一接合層102a和第二接合層102b接觸的方式在支撐基板101上配置生長基板108。接著，將支撐基板101和生長基板108在約29(TC、約200N/cn^的條件下進(jìn)行加熱壓接，使第一接合層102a和第二接合層102b接合。之后，如圖中箭頭所示，從生長基板108側(cè)朝向緩沖層109照射YAG第三高頻激光(波長355nm)，由此使生長基板108、緩沖層109和n型GaN類半導(dǎo)體層103f的一部分熱分解，并除去生長基板108和緩沖層109。接著，如圖16所示，對n型GaN類半導(dǎo)體層103f的上表面進(jìn)行研磨，除去殘留在表面上的緩沖層109等之后，在n型GaN類半導(dǎo)體層103f上依次形成分別具有上述膜厚的Ti層和Al層，由此形成n側(cè)電極107。最后，在支撐基板101的下表面(未與半導(dǎo)體元件層103接合的面)側(cè)通過切割形成劃線，沿著該劃線，針對每個與支撐基板101接合的半導(dǎo)體元件層103分割支撐基板101。這樣，就能夠形成現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件。但是，在上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件中，支撐基板101和半導(dǎo)體元件層103的接合強(qiáng)度并不充分。因此，例如在除去生長基板108時，有在支撐基板101和接合層102之間、接合層102和半導(dǎo)體層103之間產(chǎn)生剝離的問題。此外，在現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件中，存在由于由接合時的加熱引起的負(fù)載導(dǎo)致在接近接合面的半導(dǎo)體元件層103、p側(cè)電極105等上產(chǎn)生裂紋、剝離的情況。在此情況下，存在發(fā)光二極管元件的動作電壓增加，或不流通動作電流從而不發(fā)光的情況，因此，存在發(fā)光二極管元件的可靠性降低的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，本發(fā)明的一個目的是提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件和照明裝置，其能夠抑制支撐基板和半導(dǎo)體元件層的剝離的產(chǎn)生，且可靠性較高。本發(fā)明的另一個目的是提供一種能夠抑制支撐基板和半導(dǎo)體元件層的剝離的產(chǎn)生、且可靠性較高的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括支撐基板；在支撐基板上形成的第一共晶合金層；在第一共晶合金層上形成的第二共晶合金層；在第二共晶合金層上形成的第三共晶合金層；和在第三共晶合金層上形成的包括發(fā)光層的半導(dǎo)體元件層，其中，第二共晶合金層的熔點低于第一和第三共晶合金層的熔點。而且，在本發(fā)明中，所謂"半導(dǎo)體發(fā)光元件"，例如是包括發(fā)光二極管元件、半導(dǎo)體激光元件等的廣泛的概念。此外，在本發(fā)明中，所謂"共晶合金"，是指例如焊料等多個金屬相互固溶的具有共晶組織的低熔點的合金。在本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，如上所述，通過利用低熔點的共晶合金接合半導(dǎo)體元件層和支撐基板，能夠在低溫下進(jìn)行接合。此外，在支撐基板一側(cè)和半導(dǎo)體元件層一側(cè)設(shè)置相對而言熔點較高的第一共晶合金層和第三共晶合金層，在第一共晶合金層和第三共晶合金層的之間設(shè)置相對而言熔點較低的第二共晶合金層，由此能夠在第二共晶合晶層熔融、且第一共晶合金層和第三共晶合金層不熔融而軟化的狀態(tài)下接合支撐基板和半導(dǎo)體元件層。由此，能夠緩和在支撐基板、半導(dǎo)體元件層、第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層之間產(chǎn)生的熱應(yīng)力。此外，在第一方面中，在支撐基板和半導(dǎo)體元件層之間存在凹凸形狀的間隙的情況下，軟化的第一共晶合金層和第三共晶合金層以及熔融的第二共晶合金層容易埋入該凹凸形狀部分，因此，能夠使接合面積變大。由此，因為能夠提高接合強(qiáng)度，所以能夠抑制支撐基板和半導(dǎo)體元件層的剝離的產(chǎn)生。此外，因為能夠使接合面積較大，所以能夠均勻且高效地進(jìn)行激光照射時的散熱。結(jié)果是，能夠抑制由熱應(yīng)力等造成的負(fù)載引起的在半導(dǎo)體元件層上的損傷的產(chǎn)生，因此能夠抑制由該損傷引起的動作電壓變高，或不流通電流從而不發(fā)光等問題的產(chǎn)生。由此能夠得到可靠性高的半導(dǎo)體發(fā)光元件。在上述第一方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，優(yōu)選在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面隔著絕緣層形成有第三共晶合金層。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠抑制流過半導(dǎo)體元件層的電流向形成在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面的第三共晶合金層泄漏而在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面形成第三共晶合金層。這樣，通過在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面也設(shè)置第三共晶合金層，與在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面一側(cè)不形成第三共晶合金層的情況不同，能夠?qū)Π雽?dǎo)體元件層的側(cè)面進(jìn)行散熱。由此，能夠有效地緩和在支撐基板、半導(dǎo)體元件層、第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層之間產(chǎn)生的熱應(yīng)力。在上述第一方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，優(yōu)選第二共晶合金層的熱膨脹系數(shù)大于第一共晶合金層和第三共晶合金層的熱膨脹系數(shù)。如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則能夠利用在第二共晶合金層的兩側(cè)設(shè)置的熱膨脹系數(shù)較小的第一共晶合金層和第三共晶合金層從兩側(cè)抑制熱膨脹系數(shù)較大的第二共晶合金層的變形。由此，能夠進(jìn)一步緩和在支撐基板、半導(dǎo)體元件層、第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層之間產(chǎn)生的熱應(yīng)力的影響。在上述第一方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，優(yōu)選第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層分別包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金的至少任一種。采用這樣的結(jié)構(gòu)，利用熔點低的Au-Sn合金、Au-Ge合金或Au-Si合金，加熱至較低的溫度就能夠使支撐基板和半導(dǎo)體元件層接合。在上述第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層分別包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金的至少任一種的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層由Au-Sn合金構(gòu)成，第二共晶合金層的Sn的含有率大于第一共晶合金層和第三共晶合金層的Sn含有率。采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠容易地使第二共晶合金層的熔點低于第一和第三共晶合金層的熔點。在上述第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層分別包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金的至少任一種的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選第一共晶合金層和第三共晶合金層由Au-Ge合金構(gòu)成，第二共晶合金層由Au-Sn合金構(gòu)成。采用這樣的結(jié)構(gòu)，與第一共晶合金層和第三共晶合金層由Au-Sn合金構(gòu)成的情況相比，能夠提高支撐基板和半導(dǎo)體元件層的接合強(qiáng)度。而且，該效果已經(jīng)通過后述的實驗得到驗證。本發(fā)明的第二方面的照明裝置具備半導(dǎo)體發(fā)光元件，該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括支撐基板；在支撐基板上形成的第一共晶合金層；在第一共晶合金層上形成的第二共晶合金層；在第二共晶合金層上形成的第三共晶合金層；和在第三共晶合金層上形成的包括發(fā)光層的半導(dǎo)體元件層，第二共晶合金層的熔點低于第一共晶合金層和第三共晶合金層的熔點。在本發(fā)明的第二方面的照明裝置中，如上所述，通過設(shè)置上述第一方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠通過使上述第一方面的動作電壓低的半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)光而進(jìn)行照明。由此，能夠得到消耗功率較小且能量效率較高的照明裝置。本發(fā)明的第三方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法包括形成包括發(fā)光層的半導(dǎo)體元件層的工序；在支撐基板和半導(dǎo)體元件層之間，從支撐基板側(cè)開始依次配置第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層的工序；和通過加熱，隔著第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層對半導(dǎo)體元件層和上述支撐基板進(jìn)行接合的工序，第二共晶合金層的熔點低于第一共晶合金和第三共晶合金層的熔點，對半導(dǎo)體元件層和支撐基板進(jìn)行接合的工序的加熱溫度在第二共晶合金層的熔點以上，并且不到第一共晶合金層和第三共晶合金層的熔點。在本發(fā)明的第三方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，如上所述，通過加熱至第二共晶合金層的熔點以上且低于第一共晶合金層和第三共晶合金層的熔點的溫度，能夠在第二共晶合金層熔融且第一共晶合金層和第三共晶合金層未熔融而軟化的狀態(tài)下使支撐基板和半導(dǎo)體元件層接合。由此，因為能夠在較低的溫度下進(jìn)行接合，所以能夠緩和在支撐基板、半導(dǎo)體元件層、第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層之間產(chǎn)生的熱應(yīng)力。并且，即使在支撐基板和半導(dǎo)體元件層之間存在凹凸形狀的間隙的情況下，軟化的第一共晶合金層和第三共晶合金層以及熔融的第二共晶合金層容易埋入該凹凸形狀部分，因此，能夠使接合面積較大。由此，能夠提高接合強(qiáng)度，從而能夠抑制支撐基板和半導(dǎo)體元件層的剝離的產(chǎn)生。此外，因為接合面積變大，所以能夠均勻且高效地進(jìn)行激光照射時的散熱。結(jié)果，能夠抑制由熱應(yīng)力等造成的負(fù)載所引起的在半導(dǎo)體元件層上的損傷的產(chǎn)生，因此能夠抑制由該損傷引起的動作電壓變高，或不流通電流從而不發(fā)光等問題的產(chǎn)生。由此能夠得到可靠性高的半導(dǎo)體發(fā)光元件。在上述第三方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，優(yōu)選配置第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層的工序包括在半導(dǎo)體元件層上，依次形成第三共晶合金層、第二共晶合金層和第一共晶合金層的工序；和在第一共晶合金層上配置支撐基板的工序。采用這樣的結(jié)構(gòu)，在依次在半導(dǎo)體元件層上形成第三共晶合金層、第二共晶合金層、第一共晶合金層之后，在第一共晶合金層上配置有支撐基板的狀態(tài)下對支撐基板和半導(dǎo)體元件層進(jìn)行加熱，由此，能夠容易地接合支撐基板和半導(dǎo)體元件。在上述第三方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，優(yōu)選配置第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層的工序包括在半導(dǎo)體元件層上依次形成第三共晶合金層、第二共晶合金層和第一共晶合金層的一部分的工序；在支撐基板上形成第一共晶合金層的一部分的工序；和在形成在半導(dǎo)體元件層上的第一共晶合金層的一部分上配置形成在支撐基板上的第一共晶合金層的一部分的工序。采用這樣的結(jié)構(gòu)，依次在半導(dǎo)體元件層上形成第三共晶合金層、第二共晶合金層和第一共晶合金層的一部分，并在支撐基板上形成第一共晶合金層的一部分之后，在形成在半導(dǎo)體元件層上的第一共晶合金層的一部分上配置形成在支撐基板上的第一共晶合金層的一部分的狀態(tài)下，加熱支撐基板和半導(dǎo)體元件層，由此，能夠容易地接合支撐基板和半導(dǎo)體元件。在上述第三方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，優(yōu)選配置第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層的工序包括在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面隔著絕緣層形成第三共晶合金層的工序。采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使流向半導(dǎo)體元件層的電流不會向在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面形成的第三共晶合金層泄漏而在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面形成第三共晶合金層。這樣，通過在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面一側(cè)也設(shè)置第三共晶合金層，與不在半導(dǎo)體元件層的側(cè)面一側(cè)設(shè)置第三共晶合金層的情況不同，能夠?qū)Π雽?dǎo)體元件層的側(cè)面進(jìn)行散熱。由此，能夠有效地緩和在支撐基板、半導(dǎo)體元件層、第一共晶合金層、第二共晶合金層和第三共晶合金層之間產(chǎn)生的熱應(yīng)力。在上述第三方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，優(yōu)選形成半導(dǎo)體元件層的工序包括在生長基板上形成半導(dǎo)體元件層的工序，還包括將生長基板從半導(dǎo)體元件層除去的工序。采用這樣的結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行形成在生長基板上的半導(dǎo)體元件層和支撐基板的接合之后，將生長基板從半導(dǎo)體元件層除去，由此，能夠使半導(dǎo)體發(fā)光元件小型化、薄層化。此外，能夠?qū)ν簧L基板進(jìn)行再利用，形成半導(dǎo)體發(fā)光元件。圖1是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管元件的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是用于說明第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖3是用于說明第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖4是用于說明第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖5是用于說明第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖6是用于說明第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖7是用于說明第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖8是用于說明第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖9是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管元件的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖10是用于說明第二實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖11是用于說明第二實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖12是用于說明第二實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖13是表示本發(fā)明的第三實施方式的照明裝置的平面圖。圖14是表示第三實施方式的照明裝置的發(fā)光組件的平面圖。圖15是表示第三實施方式的照明裝置的單元的截面圖。圖16是用于說明實施例6的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖17是表示實施例6的發(fā)光二極管元件的截面圖。圖18是用于說明現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖19是用于說明現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖20是用于說明現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。圖21是用于說明現(xiàn)有的發(fā)光二極管元件的制造工藝的截面圖。具體實施例方式以下，根據(jù)本發(fā)明的實施方式。(第一實施方式)參照圖1，說明本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管元件的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，在本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管元件中，在具有約350um的厚度且由p型Ge構(gòu)成的支撐基板1上隔著接合層2形成有GaN類半導(dǎo)體元件層3。半導(dǎo)體元件層3由p型接觸層3a、p型包層3b、p型蓋層3c、活性層3d、n型包層3e和n型接觸層3f構(gòu)成。其中，活性層3d是本發(fā)明的"發(fā)光層"的一個例子。作為具體的結(jié)構(gòu)，p型接觸層3a由具有約5nm的厚度的摻雜有Mg的Ga。.95In。.。5N構(gòu)成。在p型接觸層3a上，形成有具有約100nm的厚度且由摻雜有Mg的AlaiGaQ.9N構(gòu)成的p型包層3b。在p型包層3b上形成有具有約20nm的厚度且由摻雜有Mg的Al^Ga^N構(gòu)成的p型蓋層3c。在p型蓋層3c上形成的活性層3d具有由三個阱層和四個勢壘層交替形成的MQW結(jié)構(gòu)，其中，該阱層具有約5nm的厚度且由未摻雜的GaQ9InaiN構(gòu)成，該勢壘層具有約10nm的厚度且由未摻雜的GaN構(gòu)成。在活性層3d上形成有具有約150nm的厚度且由摻雜有Si的AlaiGaQ.9N構(gòu)成的n型包層3e。在n型包層3e上形成有具有約4ym的厚度且由摻雜有Si的Gao.9sIn,N構(gòu)成的n型接觸層3f。在露出各層3a3f的半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面，形成有具有約500nm的厚度且由Si02構(gòu)成的絕緣層4。絕緣層4延伸至半導(dǎo)體元件層3的下表面，從絕緣層4的開口部4a露出p型接觸層3a。進(jìn)而，在半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面上和下表面上，以覆蓋絕緣層4的方式，依次形成有p側(cè)電極5和阻擋層6。在p側(cè)電極5中，從絕緣層4和p型接觸層3a側(cè)起依次疊層有具有約3nm的厚度的Pd層和具有約150nm的厚度的Ag層。并且，在阻擋層6中，從p側(cè)電極5側(cè)起依次疊層有具有約30nm的厚度的Ti層、具有約100nm的厚度的Pd層和具有約300nm的厚度的Au層。此外，在半導(dǎo)體元件層3的上表面上，形成有n側(cè)電極7，該n側(cè)電極7從半導(dǎo)體元件層3側(cè)起依次疊層有具有約6nm的厚度的Al層、具有約10nm的厚度的Pd層和具有約300nm的厚度的Au層。在支撐基板1的上表面上形成有歐姆層la，其中，該歐姆層la依次形成有具有約150nm的厚度的Ni層和具有約100nm的厚度的Au層。在歐姆層la和阻擋層6之間形成的接合層2包括在歐姆層la上形成的具有約lum的厚度且由Au-Sn合金(Sn含有量約20質(zhì)量%，熔點約278°C，熱膨脹系數(shù)約17.5X10—6/K)(以下表示為Au-Sn20)構(gòu)成的第一接合層2a;在第一接合層2a上形成的具有約3Pm的厚度且由Au-Sn合金(Sn含有量約90質(zhì)量％，熔點約217。C，熱膨脹系數(shù)約13.6X10—6/K)(以下表示為Au-Sn90)構(gòu)成的第二接合層2b;和在第二接合層2b上形成的具有約liim的厚度且由Au-Sn20構(gòu)成的第三接合層2c。其中，第一接合層2a、第二接合層2b、第三接合層2c分別是本發(fā)明的"第一共晶合金層"、"第二共晶合金層"和"第三共晶合金層"的一個例子。此外，第三接合層2c和第二接合層2b隔著絕緣層4、p側(cè)電極5和阻擋層6在半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面上依次疊層。接著，參照圖1圖8，說明本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝。首先，如圖2所示，通過MOCVD法，在具有約400Pm的厚度且由GaN構(gòu)成的生長基板8上，以下表l所示的條件，依次形成具有約50nm的厚度且由GaN構(gòu)成的緩沖層9和具有約200nm的厚度且由Gao.7In().3N構(gòu)成的剝離層10。接著，通過MOCVD法，以表1所示的條件在剝離層10上形成分別具有上述膜厚和組成的半導(dǎo)體元件層3的各層3a3f。而且，各層3a3f的形成以n型接觸層3f、n型包層3e、活性層3d、p型蓋層3c、p型包層3b和p層接觸層3a的順序進(jìn)行。(表1)<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>接著，如圖3所示，在成為發(fā)光二極管元件的區(qū)域的p型接觸層3a上形成具有約600nm的厚度且由Si02構(gòu)成的掩膜層11之后，對從掩膜層ll露出的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，直至n型接觸層3f。由此，使剝離層10從成為發(fā)光二極管元件的區(qū)域的周圍露出，并且使作為半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面的各層3a3f的側(cè)面露出。之后，除去掩膜層ll。接著，如圖4所示，在剝離層10的上表面上、半導(dǎo)體元件層3的上表面上和側(cè)面上，形成具有約500nm的厚度且由Si02構(gòu)成的絕緣層4。接著，如圖5所示，使用光刻技術(shù)，在位于p型接觸層3a的上表面中央的絕緣層4上形成開口部4a，由此，使p型接觸層3a露出。接著，使用真空蒸鍍法，在絕緣層4的上表面上、側(cè)面上和開口部4a內(nèi)的p型接觸層3a的上表面上依次形成分別具有上述膜厚的Pd層和Ag層，從而形成p側(cè)電極5。進(jìn)而，使用真空蒸鍍法，在p側(cè)電極5的上表面上和側(cè)面上，依次形成分別具有上述膜厚的Ti層、Pd層和Au層，由此形成阻擋層6。接著，如圖6所示，通過真空蒸鍍法，在阻擋層6的上表面上和側(cè)面上形成具有1um的厚度且由Au-Sn20構(gòu)成的第三接合層2c。并且，在第三接合層2c的上表面上和側(cè)面上形成具有約1.5um的厚度且由Au-Sn90構(gòu)成的第四接合層2bl。此處，利用開口部4a的階差，在第四接合部2bl的上表面上形成凹部12。接著，如圖7所示，在支撐基板l上，使用真空蒸鍍法，依次形成分別具有上述膜厚的Ni層和Au層，由此形成歐姆層la。此外，使用真空蒸鍍法，在歐姆層la上，依次形成分別具有上述膜厚和組成的第一接合層2a和具有約1.5ym的厚度且由Au-Sn90構(gòu)成的第五接合層2b2。進(jìn)而，在第四接合層2b2上，為了防止氧化，形成具有約10nm的厚度的Au層(未圖示)。接著，如圖8所示，以使第四接合層2bl和第五接合層2b2相對的方式在支撐基板1上配置生長基板8。此時，由于第四接合層2bl的上表面的凹部12，在第四接合層2bl和第五接合層2b2之間產(chǎn)生間隙。接著，在約255t:、約100N/cn^的條件下對支撐基板1和生長基板8加熱壓接約15分鐘。由此，使第四接合層2bl和第五接合層2b2熔融而一體化，由此形成第二接合層2b，并且使生長基板8和支撐基板1接合。而且，在第四接合層2bl上形成的用于防止氧化的Au層(未圖示)，伴隨上述熔融而進(jìn)入第二接合層2b內(nèi)。并且，通過上述加熱壓接，第一接合層2a和第三接合層2c也軟化，產(chǎn)生變形，從而，由第一接合層2a、第二接合層2b和第三接合層2c構(gòu)成的接合層2填充至由凹部12產(chǎn)生的間隙內(nèi)。之后，如圖中箭頭所示，從生長基板8—側(cè)朝向剝離層IO照射YAG第二高頻激光(波長532nm)，由此促進(jìn)剝離層10的熱分解，除去生長基板8、緩沖層9和剝離層10。接著，如圖1所示，研磨n型接觸層3f的上表面，除去殘留在表面上的剝離層10等之后，在n型接觸層3f上依次形成分別具有上述膜厚的A1層、Pd層和Au層，由此形成n側(cè)電極7。最后，在支撐基板1的下表面(未與半導(dǎo)體元件層3接合的面)一側(cè)，通過切割形成劃線，沿著該劃線針對每個與支撐基板1接合的半導(dǎo)體元件層3分割支撐基板K這樣，形成本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光二極管元件。在第一實施方式中，如上所述，利用低熔點的共晶合金接合半導(dǎo)體元件層3和支撐基板1，因此能夠在較低的溫度下進(jìn)行接合。由此，能夠抑制p側(cè)電極5本身的合金化，并且能夠抑制p側(cè)電極5和半導(dǎo)體元件層3的合金化。由此，能夠抑制p側(cè)電極5和半導(dǎo)體元件層3之間的歐姆性的下降，因此能夠得到動作電壓低的發(fā)光二極管元件。并且，因為能夠抑制p側(cè)電極5的合金化，所以能夠抑制p側(cè)電極5的反射率的下降。由此，能夠提高發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率。此外，在第一實施方式中，如上所述，在支撐基板1一側(cè)和半導(dǎo)體元件層3—側(cè)設(shè)置有相對而言熔點較高的第一接合層2a和第三接合層2c，在第一接合層2a和第三接合層2c之間設(shè)置有相對而言熔點較低的第二接合層2b，因此，能夠在第二接合層2b熔融、且第一接合層2a和第三接合層2c未熔融而軟化的狀態(tài)下，接合支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3。由此，能夠緩和在支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3與第一接合層2a、第二接合層2b和第三接合層2c之間產(chǎn)生的熱應(yīng)力。此外，在第一實施方式中，如上所述，即使在支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3之間存在由凹部12引起的間隙的情況下，軟化的第一接合層2a和第三接合層2c以及熔融的第二接合層2b也會埋入凹部12，因此，能夠使接合面積變大。由此，因為能夠提高接合強(qiáng)度，所以能夠抑制支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3的剝離的產(chǎn)生，并且能夠提高將半導(dǎo)體元件層3從生長基板8轉(zhuǎn)貼至支撐基板1時的剝離層的分離成功率。并且，因為能夠使接合面積變大，所以與支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3之間存在間隙的情況不同，能夠提高熱傳導(dǎo)效率。由此，能夠均勻且高效地進(jìn)行分離生長基板8時的激光照射時的散熱。因此，能夠抑制當(dāng)支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3之間存在間隙時由于在該間隙中積蓄熱而導(dǎo)致在半導(dǎo)體元件層3、p側(cè)電極5等上產(chǎn)生裂紋的情況。由此，能夠提高發(fā)光二極管元件的成品率。并且，因為能夠高效地進(jìn)行散熱，所以能夠更密集地配置發(fā)光二極管元件。此外，在第一實施方式中，如上所述，在半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面隔著絕緣層4形成第三接合層2c，由此，能夠抑制流過半導(dǎo)體元件層3的電流向形成于半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面的第三接合層2c泄漏而在半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面形成第三接合層2c。這樣，通過在半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面一側(cè)也設(shè)置第三接合層2c，與在半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面一側(cè)不設(shè)置第三接合層2c的情況不同，能夠?qū)Π雽?dǎo)體元件層3的側(cè)面進(jìn)行散熱。由此，能夠有效地緩和在支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3與第一接合層2a、第二接合層2b和第三接合層2c之間產(chǎn)生的熱應(yīng)力。此外，在第一實施方式中，如上所述，令第一接合層2a、第二接合層2b和第三接合層2c分別為Au-Sn20合金、Au-Sn90合金和Au-Sn20合金，由于采用熔點低的Au-Sn90合金，通過進(jìn)行較低溫度的加熱就能夠使支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3接合。(第二實施方式)參照圖9，在第二實施方式中，對與上述第一實施方式不同，在半導(dǎo)體元件層3上形成第一接合層22a、第二接合層22b和第三接合層2c，并通過在半導(dǎo)體元件層3上形成的第一接合層22a、第二接合層22b和第三接合層2c接合半導(dǎo)體元件層3與支撐基板1的例子進(jìn)行說明。其中，對與圖1同樣的結(jié)構(gòu)附與相同的符號，省略說明。在本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管元件中，如圖9所示，在支撐基板1上隔著接合層22形成有GaN類的半導(dǎo)體元件層3。在歐姆層la和阻擋層6之間形成的接合層22由第一接合層22a、第二接合層22b和第三接合層2c構(gòu)成，其中，第一接合層22a在歐姆層la上形成、具有約1ym的厚度且由Au-Sn20構(gòu)成，第二接合層22b在第一接合層22a上形成、具有約3um的厚度且由Au-Sn卯構(gòu)成，第三接合層2c在第二接合層22b上形成、具有約lym的厚度且由Au-Sn20構(gòu)成。并且，這些第三接合層2c、第二接合層22b和第一接合層22a隔著絕緣層4、p側(cè)電極5和阻擋層6還依次疊層在半導(dǎo)體元件層3的側(cè)面上。其他結(jié)構(gòu)與上述第一實施方式同樣。其中，第一接合層22a和第二接合層22b分別是本發(fā)明的"第一共晶合金層"和"第二共晶合金層"的一個例子。接著，參照圖9圖12，說明本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極管元件的制造工藝。而且，對于與上述第一實施方式的圖2圖8相同的結(jié)構(gòu)和相同的工藝，附與相同的符號，省略說明。首先，如圖10所示，通過與圖2圖5相同的工藝，在半導(dǎo)體元件層3的上表面上和側(cè)面上以及生長基板8上形成的阻擋層6的上表面上和側(cè)面上，依次形成有由Au-Sn20構(gòu)成的第三接合層2c、具有約3ym的厚度且由Au-Sn90構(gòu)成的第二接合層22b和第一接合層22a。此處，利用開口部4a的階差，在第一接合層22a的上表面形成凹部23。接著，如圖11所示，使用真空蒸鍍法，在支撐基板l上依次形成分別具有上述膜厚的Ni層和Au層，由此形成歐姆層la。接著，如圖12所示，以使第一接合層22a和歐姆層la相對的方式在支撐基板1上配置生長基板8。此時，由于第一接合層22a的上表面的凹部23，在第一接合層22a和歐姆層la之間產(chǎn)生間隙。接著，對支撐基板1和生長基板8以約255°C、約100N/cn^的條件加熱壓接約15分鐘。由此，使第一接合層22a和歐姆層la接合。此時，通過上述加熱壓接，第二接合層22b熔融，并且第一接合層22a和第三接合層2c也軟化，產(chǎn)生變形，從而，由第一接合層22a、第二接合層22b和第三接合層2c構(gòu)成的接合層22填充在由于凹部23而產(chǎn)生的間隙內(nèi)。之后，如圖中箭頭所示，從生長基板8—側(cè)朝向剝離層10照射YAG第二高頻激光(波長532nm)，由此，促進(jìn)剝離層10的熱分解，除去生長基板8、緩沖層9和剝離層10。接著，如圖9所示，研磨n型接觸層3f的上表面，除去殘留在表面上的剝離層10等之后，在n型接觸層3f上形成n側(cè)電極7。最后，在支撐基板1的下表面(未與半導(dǎo)體元件層3接合的面)一側(cè)，通過切割形成劃線，沿著該劃線，針對每個與支撐基板1接合的半導(dǎo)體元件層3分割支撐基板1。這樣，形成本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光二極在第二實施方式中，如上所述，依次在半導(dǎo)體元件層3上形成第三接合層2c、第二接合層22b和第一接合層22a，在支撐基板1上配置有第一接合層22a的狀態(tài)下加熱支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3，由此能夠容易地接合支撐基板1和半導(dǎo)體元件3。第二實施方式的其他效果與上述第一實施方式同樣。(第三實施方式)在該第三實施方式中，對在照明裝置的發(fā)光部分使用上述第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的例子進(jìn)行說明。如圖13所示，第三實施方式的照明裝置30包括多個面板狀的光源部31;向光源部31供給電力的電力供給部32;和連接多個光源部31的連接部件33。多個光源部31以電力供給部32為中心通過連接部件33被連接，并且安裝在頂部200。此外，光源部31包括多個發(fā)光組件31a和面板部件31b。面板部件31b由硬化性的樹脂形成。具體而言，面板部件31b由丙烯、甲基丙烯苯乙烯或ABS(丙烯腈丁二烯苯乙烯)等形成。并且，面板部件31b例如具有縱寬和橫長均約lm的尺寸。此外，發(fā)光組件31a遍及面板部件31b的整個面配置為矩陣狀。在圖13中，在一個光源部31上25個發(fā)光組件31a以等間隔配置為矩陣狀。此外，這些發(fā)光組件31a利用來自電力供給部32的電力而發(fā)光。此外，如圖14所示，發(fā)光組件31a包括四個封裝體40;以向各個封裝體40的下側(cè)延伸的方式形成的陽極配線41;和以沿著各個封裝體40的兩側(cè)延伸的方式形成的陰極配線42。此外，各個封裝體40上包括四個單元(cell)40a。并且，各個單元40a上組裝有四組上述第一實施方式的發(fā)光二極管元件。即，如圖15所示，單元40a包括一個支撐基板l;在支撐基板l上由上述第一實施方式的第一接合層2a、第二接合層2b和第三接合層3c構(gòu)成的接合層2;和通過接合層2接合在支撐基板1上的四個半導(dǎo)體元件層3。此外，在各個半導(dǎo)體元件層3的表面上形成的n側(cè)電極7和以沿單元40a的兩側(cè)延伸的方式形成的陰極配線42通過接合引線43電連接。此外，如圖15所示，各個單元40a的支撐基板1通過焊料44等與陽極配線41電連接。此外，在單元40a上，利用來自發(fā)光二極管元件的光發(fā)出白光的樹脂45以覆蓋發(fā)光二極管元件的方式設(shè)置。此外，發(fā)光組件31a內(nèi)的多個陰極配線42通過配線42a電連接。并且，發(fā)光組件31a內(nèi)的多個陽極配線41也通過配線41a電連接。此外，發(fā)光組件31a的陽極配線42與其他發(fā)光組件31a的陰極配線42通過未圖示的配線電連接。此外，同樣，發(fā)光組件31a的陽極配線41與其他的發(fā)光組件31a的陽極配線41通過未圖示的配線電連接。由此，照明裝置30的多個發(fā)光組件31a電連接。在第三實施方式中，如上所述，通過使用上述第一實施方式的發(fā)光二極管元件，能夠通過使上述第一實施方式的動作電壓低的發(fā)光二極管元件發(fā)光而進(jìn)行照明。由此，能夠得到消耗功率較小、能量效率較高的照明裝置30。接著，對為了確認(rèn)上述實施方式的效果而進(jìn)行的比較實驗進(jìn)行說明。在該比較實驗中，制作上述第一實施方式的發(fā)光二極管元件作為實施例1。并且，制作上述第二實施方式的發(fā)光二極管元件作為實施例2。此外，將除了使支撐基板1和生長基板8的接合溫度為295'C以外，與實施例2(第二實施方式)同樣地制作的發(fā)光二極管元件作為實施例3。在該實施例3的情況下，通過上述加熱壓接，不僅第二接合層22b，第一接合層22a和第三接合層2c也熔融。此外，作為比較例1，除了使用由Au-Sn20的單一層構(gòu)成的接合層以外，與實施例2(第二實施方式)同樣地制作發(fā)光二極管元件。此外，作為比較例2，除了在約295"C下進(jìn)行支撐基板1和生長基板8的接合之外，與比較例1同樣地制作發(fā)光二極管元件。(特性評價l)接著，對上述實施例13、比較例1和2的發(fā)光二極管元件進(jìn)行以下所示的評價。關(guān)于接合層的"附著力"，評價在從半導(dǎo)體元件層除去生長基板時，接合層不剝離而能夠在剝離層分離的情況的比例(分離成功率)。具體而言，令分離成功率為90%以上的為，不足90°/。但60%以上的為〇，不足60。/。但30。/。以上的為A，不足30。/。的為X。此外，關(guān)于p側(cè)電極的"裂紋"的有無，使用光學(xué)顯微鏡觀察通過如上所述在剝離層進(jìn)行分離而制作的發(fā)光二極管元件的p側(cè)電極。并且，在觀察到裂紋的情況下為X，在未觀察到的情況下為O。此外，關(guān)于"動作電壓"，評價在發(fā)光二極管元件中流過20mA的直流電流時的動作電壓。具體而言，令動作電壓在4.0V以下時為O，4.5V以下時為A，超過4.5V的情況下為X。結(jié)果表示在以下的表2中。(表2)<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>如表2所示，與比較例1和2的發(fā)光二極管元件進(jìn)行比較可知，實施例13的發(fā)光二極管元件中的支撐基板和半導(dǎo)體元件層的接合強(qiáng)度(附著力)較大。并且，在實施例13的發(fā)光二極管元件中，在p側(cè)電極內(nèi)未產(chǎn)生裂紋，由此可認(rèn)為熱應(yīng)力被充分緩和，并且激光照射時的散熱也是均勻進(jìn)行的。并且，實施例1和2的發(fā)光二極管元件的動作電壓小于實施例3、比較例1和2的動作電壓。并且，認(rèn)為在實施例3中，因為接合溫度較高，所以動作電壓增加。而且，認(rèn)為在比較例1中，因為接合強(qiáng)度(附著力)小所以動作電壓增加。而且可知，在比較例2中，雖然由于接合溫度的增加而附著力提高，但是在p側(cè)電極內(nèi)產(chǎn)生裂紋，并且動作電壓也增加。接著，對變更接合層的材料的情況下的比較實驗進(jìn)行說明。在此比較實驗中，作為實施例4，使用由Au-Ge合金(Ge含有量約12質(zhì)量％，熔點約356。C，熱膨脹系數(shù)約12.0X10—6/K)(以下表示為Au-Gel2)構(gòu)成的第一接合層2a和第三接合層2c，并且在約295。C進(jìn)行支撐基板1和生長基板8的接合，除此以外，與實施例1同樣地制作發(fā)光二極管元件。另外，在實施例5中，使用由Au-Gel2構(gòu)成的第一接合層22a和第三接合層2c，并且在約295。C下進(jìn)行支撐基板1和生長基板8的接合，除此以外，與實施例2同樣地制作發(fā)光二極管元件。此外，在實施例6中，如圖16所示，在實施例5(第二實施方式)的第二接合層22b(參照圖10)上以l.Oum的厚度形成接合后的第一接合層52a的一部分(由Au-Gel2構(gòu)成的第六接合層52al)，并且在支撐基板1上以0.5lim的厚度形成接合后的第一接合層52a的一部分(由Au-Gel2構(gòu)成的第七接合層52a2)，然后將第六接合層52al和第七接合層52a2粘貼在一起，除此之外，與實施例5同樣的制作發(fā)光二極管元件。由此，如圖17所示，實施例6的發(fā)光二極管元件中，支撐基板1和半導(dǎo)體元件層3通過接合層52接合，其中，該接合層52由第三接合層2c、第二接合層22b、和由第六接合層52al與第七接合層52a2熔融一體化而成的第一接合層52a構(gòu)成。在此實施例46中，第二接合層的熱膨脹系數(shù)大于第一接合層和第二接合層的熱膨脹系數(shù)。此外，作為比較例3，除了使用由Au-Gel2的單一層構(gòu)成的接合層以外，與實施例5同樣地制作發(fā)光二極管元件。并且，作為比較例4，除了在約375。C下進(jìn)行支撐基板1和生長基板8的接合以外，與比較例3同樣地制作發(fā)光二極管元件。(特性評價2)接著，對在實施例46、比較例3和比較例4中制作的發(fā)光二極管元件，進(jìn)行與特性評價1同樣的評價。結(jié)果表示在以下的表3中。(表3)<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>如表3所示，與比較例3和4的發(fā)光二極管元件相比較可知，實施例46的發(fā)光二極管元件中的支撐基板和半導(dǎo)體元件層的接合強(qiáng)度較大。此外，實施例6的發(fā)光二極管元件中的支撐基板和半導(dǎo)體元件層的接合強(qiáng)度，與實施例15的接合強(qiáng)度相比，為最良好。此外，在實施例46的發(fā)光二極管元件中，在p側(cè)電極內(nèi)未產(chǎn)生裂紋，由此可認(rèn)為熱應(yīng)力被充分緩和，并且激光照射時的散熱也被均勻進(jìn)行。并且可知，在實施例46的發(fā)光二極管元件中，與實施例1和2相比接合溫度較高，因此動作電壓增加，但是仍小于比較例4的動作電壓。此外，與實施例13的評價相比，在實施例46中附著力提高，作為第一接合層和第三接合層的材料，能夠認(rèn)為Au-Gel2相比于Au-Sn20更為優(yōu)選。而且，此次公開的實施方式和實施例的所有要點均是例示，不應(yīng)該認(rèn)為是限制。本發(fā)明的范圍不由上述實施方式和實施例的說明表示，而由權(quán)利要求的范圍表示，還包括在與權(quán)利要求的范圍相等的意思和范圍內(nèi)的所有變更。例如，在上述實施方式和實施例中，雖然對使用由Au-Sn90構(gòu)成的第二接合層的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，也可以使用由Au-Sn20構(gòu)成的第二接合層。在此情況下，例如，在第一接合層和第三接合層中能夠使用Au-Gel2。這樣，只要使構(gòu)成第二接合層的合金的熔點低于構(gòu)成第一接合層和第三接合層的合金的熔點，也可以在第一接合層、第二接合層和第三接合層中使用其他的材料，但優(yōu)選包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金中的至少任一種。此外，在上述實施方式和實施例中，雖然對在第一接合層和第三接合層中使用相同材料的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，也可以根據(jù)支撐基板和半導(dǎo)體元件層或p側(cè)電極等的組成、熱膨脹系數(shù)等熱特性，各自選擇為不同的材料。此外，在上述實施方式和實施例中，雖然對接合層由第一接合層、第二接合層和第三接合層這三層構(gòu)成的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，也可以包括更多的合金層。此外，在上述實施方式和實施例中，雖然對將成為第二接合層的第四接合層和第五接合層相對配置并加熱壓接、將成為第一接合層的第六接合層和第七接合層相對配置并加熱壓接、或?qū)⒌谝唤雍蠈雍椭位逑鄬ε渲玫睦舆M(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，能夠在構(gòu)成接合層的任何截面進(jìn)行分離，分別形成在半導(dǎo)體元件層一側(cè)和支撐基板一側(cè)。在此情況下，在該分離面彼此相對配置之后，通過加熱壓接，能夠接合支撐基板和半導(dǎo)體元件層。此外，在上述實施方式和實施例中，雖然對在支撐基板和半導(dǎo)體元件層的接合后除去生長基板的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，生長基板也可以殘留在半導(dǎo)體元件層上。此外，在上述實施方式和實施例中，雖然對形成GaN類半導(dǎo)體元件層的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，例如，也可以使用由AlGalnP等其他半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體元件層。此外，關(guān)于p側(cè)電極、阻擋層和n側(cè)電極等，也可以適當(dāng)選擇其他的材料和其他結(jié)構(gòu)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括支撐基板(1)；在所述支撐基板上形成的第一共晶合金層(2a)；在所述第一共晶合金層上形成的第二共晶合金層(2b)；在所述第二共晶合金層上形成的第三共晶合金層(2c)；和在所述第三共晶合金層上形成的包括發(fā)光層(3d)的半導(dǎo)體元件層(3)，所述第二共晶合金層的熔點低于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的熔點。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于-在所述半導(dǎo)體元件層的側(cè)面隔著絕緣層(4)形成有所述第三共晶厶會戶3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于-所述第二共晶合金層的熱膨脹系數(shù)大于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的熱膨脹系數(shù)。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層分別包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金中的至少任一個。5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層由Au-Sn合金構(gòu)成，所述第二共晶合金層的Sn的含有率大于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的Sn含有率。6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述第一共晶合金層和第三共晶合金層由Au-Ge合金構(gòu)成，所述第二共晶合金層由Au-Sn合金構(gòu)成。7.—種照明裝置，其具備半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括支撐基板(1);在所述支撐基板上形成的第一共晶合金層(2a);在所述第一共晶合金層上形成的第二共晶合金層(2b);在所述第二共晶合金層上形成的第三共晶合金層(2C);和在所述第三共晶合金層上形成的包括發(fā)光層(3d)的半導(dǎo)體元件層(3)，所述第二共晶合金層的熔點低于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的熔點。8.如權(quán)利要求7所述的照明裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體元件層的側(cè)面隔著絕緣層(4)形成有所述第三共晶A會戸9.如權(quán)利要求7所述的照明裝置，其特征在于所述第二共晶合金層的熱膨脹系數(shù)大于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的熱膨脹系數(shù)。10.如權(quán)利要求7所述的照明裝置，其特征在于所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層分別包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金中的至少任一個。11.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包括形成包括發(fā)光層(3d)的半導(dǎo)體元件層(3)的工序；在支撐基板(1)和所述半導(dǎo)體元件層之間，從所述支撐基板一側(cè)開始依次配置第一共晶合金層(2a)、第二共晶合金層(2b)和第三共晶合金層(2c)的工序；和通過加熱，隔著所述電極與所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層，對所述半導(dǎo)體元件層和所述支撐基板進(jìn)行接合的工序，所述第二共晶合金層的熔點低于所述第一共晶合金和所述第三共晶合金層的熔點，對所述半導(dǎo)體元件層和所述支撐基板進(jìn)行接合的工序的加熱溫度在所述第二共晶合金層的熔點以上，并且不到所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的熔點。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于配置所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層的工序包括在所述半導(dǎo)體元件層上，依次形成所述第三共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第一共晶合金層的工序；和在所述第一共晶合金層上配置所述支撐基板的工序。13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于配置所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層的工序包括在所述半導(dǎo)體元件層上依次形成所述第三共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第一共晶合金層的一部分的工序；在所述支撐基板上形成所述第一共晶合金層的一部分的工序；和在形成在所述半導(dǎo)體元件層上的所述第一共晶合金層的一部分上配置形成在所述支撐基板上的所述第一共晶合金層的一部分的工序。14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于配置所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層的工序包括在所述半導(dǎo)體元件層的側(cè)面隔著絕緣層形成所述第三共晶合金層的工序。15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體元件層的工序包括在生長基板(8)上形成所述半導(dǎo)體元件層的工序，還包括將所述生長基板從所述半導(dǎo)體元件層除去的工序。16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于所述第二共晶合金層的熱膨脹系數(shù)大于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的熱膨脹系數(shù)。17.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層分別包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金中的至少任一個。18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于所述第一共晶合金層、所述第二共晶合金層和所述第三共晶合金層由Au-Sn合金構(gòu)成，所述第二共晶合金層的Sn的含有率大于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層的Sn含有率。19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于所述第一共晶合金層和所述第三共晶合金層由Au-Ge合金構(gòu)成，所述第二共晶合金層由Au-Sn合金構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供半導(dǎo)體發(fā)光元件、照明裝置和半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。能夠抑制支撐基板和半導(dǎo)體元件層的剝離的產(chǎn)生，并得到可靠性高的半導(dǎo)體發(fā)光元件。該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括支撐基板(1)；在支撐基板(1)上形成的第一接合層(2a)；在第一接合層(2a)上形成的第二接合層(2b)；在第二接合層(2b)上形成的第三接合層(2c)；和在第三接合層(2c)上形成的半導(dǎo)體元件層(3)。并且，第二接合層(2b)的熔點低于第一接合層(2a)和第三接合層(2c)的熔點。文檔編號H01L33/36GK101361203SQ200780001749公開日2009年2月4日申請日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日發(fā)明者久納康光,竹內(nèi)邦生申請人:三洋電機(jī)株式會社