專利名稱：用于選擇性預(yù)涂等離子處理室的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及基片制造技術(shù)，特別涉及用于選擇性
預(yù)涂等離子處理室的方法和裝置。
背景技術(shù)：
在基片(如半導(dǎo)體基片或諸如用于平板面板制造的玻璃 板)的處理過程中，經(jīng)常使用等離子。作為等離子室內(nèi)基片處理的 一部分，例如，該基片被分為多個(gè)模片(dies),或矩形區(qū)域，其中 每個(gè)將變?yōu)橐粋€(gè)集成電路。接著該基片進(jìn)行一系列步驟的處理，其 間材料^皮選擇性除去(蝕刻)和沉積(沉積)，以^更在其上形成電 氣元件。為了最優(yōu)化該等離子工藝，在該等離子室內(nèi)的多個(gè)表面 進(jìn)一步i殳置4元等離子才才泮牛(plasma resistant materials )(長口石圭、碳4b 硅、氮化硅、石英等)，其有助于使表面磨損最小而沒有大幅度增 加可能進(jìn)而影響該基片的污染物。然而，連續(xù)暴露在該等離子鞘層 (sheath)中往往會(huì)蝕刻掉并且最終去除該保護(hù)材料，經(jīng)常產(chǎn)生表 面粒子污染物并因此降低基片成品率。通常，該等離子鞘層往往會(huì)4吏來自該等離子邊^(qū)彖的帶電 粒子(如離子等)加速而激發(fā)該等離子室內(nèi)的表面。最終，該處理 室表面可能被腐蝕并因此需要被替換以確保該等離子處理的長期 穩(wěn)定。因此，在該基片制造工藝中，取決于該生成所述等離子的所
用的化學(xué)制劑、工藝壓力和能量，可能加入大量的運(yùn)行成本和檢修 4f工時(shí)間。鑒于前述，需要用于選4奪性預(yù)涂等離子處理室的方法和裝置。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種用于選擇性預(yù)涂包含 室壁的等離子處理室的裝置。該裝置包含第一RF電極組，該第一RF 電極組配置為激發(fā)(strike)第一預(yù)涂等離子，該第一RF電極組限 定第 一等離子室區(qū)域。該裝置還包含圍繞該第一RF電極組設(shè)置的第 一限制環(huán)組；以及i殳置在該第一限制環(huán)組和該室壁之間的第二限制 環(huán)組。該裝置進(jìn)一步包含氣體傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng)配置為當(dāng)傳輸?shù)谝?預(yù)涂氣體且施加能量于該第一RF電4及組時(shí)將第 一預(yù)涂層應(yīng)用到該 第一等離子區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種用于選擇性預(yù)涂包含 室壁的等離子處理室的裝置。該裝置包含第一RF電極組，該第一RF 電才及組配置為激發(fā)第一預(yù)涂等離子，該第一RF電才及組限定第一等離 子室區(qū)域。該裝置還包含第二RF電極組，該第二RF電極組配置為 激發(fā)第二預(yù)涂等離子，該第二RF電極組限定第二等離子室區(qū)域。該 裝置進(jìn)一步包含i殳置在該第一RF電4及組和該第二RF電纟及組之間的 第 一限制環(huán)組，以及i殳置在該第二RF電極組和該室壁之間的第二限 制環(huán)組。該裝置還包含氣體傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng)配置為當(dāng)傳輸該第一 預(yù)涂氣體且施加能量于該第一RF電才及組時(shí)預(yù)涂該第 一等離子區(qū)i或， 該氣體傳輸系統(tǒng)進(jìn)一步配置為當(dāng)傳輸該第二預(yù)涂氣體且施加能量 于該第二 RF電組時(shí)預(yù)涂該第二等離子區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種用于選^H"生預(yù)涂包含 室壁的等離子處理室的方法。該方法包4舌配置第一RF電才及組以5敫發(fā) 第一予貞》余等離子，該第一RF電才及組限定第一等離子室區(qū)Jt或。該方法 還包括圍繞該第一RF電極組配置第 一 限制環(huán)組；以及在該第 一 限制 環(huán)組和該室壁之間配置第二限制環(huán)組。該裝置進(jìn)一步包含配置氣體 傳豐餘系統(tǒng)以當(dāng)傳輸?shù)?一預(yù)涂氣體且該施加能量于第一RF電才及組時(shí) 將第 一預(yù)涂層應(yīng)用至該第一等離子區(qū)域。結(jié)合相關(guān)附圖，本發(fā)明的這些及其他特征將在下面本發(fā) 明的具體說明部分進(jìn)行詳細(xì)描述。


本發(fā)明結(jié)合相應(yīng)附圖作為舉例而非限定進(jìn)行說明，以及 其中類似的參考標(biāo)號(hào)是指相似的結(jié)構(gòu)元件，其中圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施例，具有雙限制環(huán)組的差 動(dòng)等離子處理室的簡(jiǎn)圖；圖2顯示依據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施例，差動(dòng)等離子處理室的 筒圖，其中位于ICP線圏下方的區(qū)域^皮,友氫化合物預(yù)涂；圖3顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖2的差動(dòng)等離子處 理室的簡(jiǎn)圖，其中噴頭被含硅材料預(yù)涂；圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖3的差動(dòng)等離子處 理室的簡(jiǎn)圖，其中基片被蝕刻；以及圖5顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，選擇性預(yù)涂包含室壁 的等離子處理室的 一組簡(jiǎn)化步驟。
具體實(shí)施例方式關(guān)于一些優(yōu)選實(shí)施例并結(jié)合附圖，現(xiàn)在將對(duì)本發(fā)明進(jìn)行 詳細(xì)描述。為了清楚理解本發(fā)明，在后續(xù)描述中提出了許多具體細(xì) 節(jié)。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道，缺少上述具體細(xì)節(jié)的某些或 全部，本發(fā)明也可以實(shí)施。在有的情況下，為了不對(duì)本發(fā)明造成不 必要的費(fèi)解，已知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)沒有詳細(xì)詳述。
然而，不希望^皮理:論所限制，此處本發(fā)明人相4言通過首先對(duì)一 組表面基本上隔離，然后用最佳預(yù)涂材料進(jìn)行選擇性預(yù)涂的方式， 可以減少等離子表面損傷以及等離子室內(nèi)的污染物。通常，最佳預(yù) 涂材料包含當(dāng)暴露于等離子時(shí)通常變得易揮發(fā)的材料(如硅、無定 形硅、氮化硅、二氧化石圭、 >碳化硅、碳?xì)浠衔餁怏w、C4F6、 C4F8、 CH3F等)。在一個(gè)實(shí)施例中，在連續(xù)基片的等離子處理之間可以加 入預(yù)、凃。在一個(gè)實(shí)施例中，在每一個(gè)區(qū)塊(region)或區(qū)域(zone) 的預(yù)沉積層的厚度應(yīng)當(dāng)足以 K受隨后的至少一個(gè)基片的蝕刻。在一 個(gè)實(shí)施例中，在每一個(gè)區(qū)塊或區(qū)域內(nèi)的預(yù)沉積層的厚度應(yīng)當(dāng)足以承 受隨后的幾個(gè)基片的蝕刻，例如當(dāng)處理基片卡匣(cassette)時(shí)。在 一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)預(yù)沉積層沉積在一個(gè)區(qū)塊或區(qū)域中。在一個(gè)實(shí) 施例中，完成一個(gè)蝕刻循環(huán)后，可在干洗步驟中除去所有預(yù)涂層以 <更可以重新開始預(yù)涂。例如，電容耦合源的上接地電極可已經(jīng)配置為具有珪保 護(hù)層，該層遮護(hù)下面的4妄;也表面(如單晶石圭或鋁等)免受該等離子處 理損害。因此，在蝕刻該基片之前，用與硅保護(hù)層(如硅、無定形 硅、碳化硅、氮化硅等)相容的材料預(yù)涂該接地電極將大大減少污染 以及延長該上接地電極的使用壽命。在另 一個(gè)例子中，電感耦合源的下接地電4及可已經(jīng)配置 為具有石英保護(hù)層，遮護(hù)下面的接地表面(如鋁等)免受該等離子
處理損害。因此，在蝕刻該基片之前，用與石英相容的材料(如碳 氫化合物等)預(yù)涂該石英保護(hù)層將大大減少污染以及延長該石英保 護(hù)層的4吏用壽命。在一個(gè)實(shí)施例中，該等離子室包含多個(gè)同軸限制環(huán)組， 每組具有不同的直徑。通過升高或降低特定的限制環(huán)組，可以將適 當(dāng)?shù)念A(yù)涂等離子隔離至該等離子室的特定區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，用于蝕刻該基片的等離子是差動(dòng) (differential)等離子。也就是說，用多個(gè)能量源維持的等離子。 例如，在介電蝕刻系統(tǒng)中，可以結(jié)合主要控制離子能量的電容耦合 等離子源以及主要控制等離子密度的電感耦合等離子源，以將基片 蝕刻為具有大體徑向等離子均勻性和徑向蝕刻均勻性。通常，該電容耦合等離子源可以配置為具有位于該基片 中心的上方和下方的電極板組(如通電電極、4妄地電極等)。通常， 該通電電才及也配置為靜電卡盤(卡盤)，在等離子處理過程中，該 基片位于該卡盤上面。同樣地，該接地電才及通常配置為噴頭。電感耦合等離子源可配置為具有位于該基片邊緣的上方 和下方的感應(yīng)線圏組和4妻J4環(huán)。在一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)部限制環(huán)組^f立 于該電容津禺合等離子和該電感專禺合等離子源之間，外部限制環(huán)可4立 于該電感耦合等離子源和等離子室壁之間?，F(xiàn)在參考圖1，顯示了依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，具有雙限 制環(huán)組的差動(dòng)等離子處理室的簡(jiǎn)圖。通常，為了維持該差動(dòng)等離子， 電容耦合等離子(CCP)源配置為用以控制離子能量，電感耦合等 離子(ICP)源配置為用以控制等離子密度。典型的CCP源的構(gòu)造一般由相隔一'J 、段距離的兩個(gè)金屬 電極組成，以大體上類似電路里的電容器的方式運(yùn)作。第一通電電 極102通常配置為卡盤。另外，第二接地電極108通常配置為噴頭組 件106的一部分，其通常也包含有孔的硅保護(hù)層，該有孔的硅保護(hù) 層允許來自氣體分配系統(tǒng)(未示)的等離子氣體通過而進(jìn)入該等離 子室。而且，基片104通常利用邊緣環(huán)120設(shè)置在卡盤/接地電極102 上。同樣地，典型的ICP源的構(gòu)造一4殳由感應(yīng)線圈組112和"t妄 ;也環(huán)116《且成。該感應(yīng)線圈組112通常配置為通過石英窗113發(fā)射RF 能量至該等離子氣體，該石英窗113可提供對(duì)所產(chǎn)生的等離子(未 示)的防護(hù)屏。同樣地，接地環(huán)116也配置有保護(hù)性石英層，且通 常位于基片102邊緣的下方。石英對(duì)產(chǎn)生的RF波基本上透明。另夕卜， 通常耦合至該CCP源與該ICP源兩者的是匹配網(wǎng)絡(luò)(未示)，該匹配 網(wǎng)絡(luò)試圖將每一個(gè)RF發(fā)生器的阻抗與部分由該等離子形成負(fù)載的 阻抗匹配。另夕卜，內(nèi)部限制環(huán)組118可位于該CCP源和該ICP源之間， 且可進(jìn)一步按要求升高和降低以隔離和/或引導(dǎo)該等離子至該等離 子室的特定區(qū)i成。例如，當(dāng)內(nèi)部限制環(huán)組118位于上部且該CCP源和 /或該ICP源施加能量于一組等離子氣體時(shí)，產(chǎn)生的等離子可朝向外 部限制環(huán)組114》從貫基片104延伸。相反，當(dāng)內(nèi)部限制環(huán)組118位于下部(未示)且該CCP源 施加能量于一組等離子氣體是，該等離子可被限制在由該內(nèi)部限制 環(huán)組的直徑限定的區(qū)域。然而，當(dāng)內(nèi)部和外部限制環(huán)組118和114位于下部(未示)，
且該ICP源施加能量于一組等離子氣體組時(shí)，該等離子可#1限制在
由該內(nèi)部限制環(huán)組118和該外部限制環(huán)組114共同限定的區(qū)域(如環(huán)
形室等)。或者，當(dāng)內(nèi)部和外部限制環(huán)組118和114位于下部(未示) 且該CCP和該ICP源兩者施加能量于一組等離子氣體組時(shí)，第一等 離子可,皮限制在由該內(nèi)部限制環(huán)組的直徑限定的區(qū)域，且第二等離 子可被限制在由該內(nèi)部限制環(huán)組118和該外部限制環(huán)組114共同限定
的區(qū)i或。通常，每一個(gè)限制環(huán)組配置為一系列圍繞基片水平邊緣 設(shè)置的石英環(huán)，且進(jìn)一步設(shè)置在(一般通過使用凸輪環(huán))沿縱軸在 該基片上方變化的距離。通常，每個(gè)限制環(huán)的厚度以及任何兩個(gè)環(huán) 之間的間隙的尺寸配置為使該特定等離子工藝最優(yōu)化和控制該等 離子內(nèi)的壓力。在一些構(gòu)造中，該限制環(huán)有不同的直徑和厚度。例 如，沿該^U由靠近基片處的限制環(huán)，其直徑可小于遠(yuǎn)離該基片處的 限制環(huán)的直徑?，F(xiàn)在請(qǐng)參考圖2，依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，顯示圖l中 差動(dòng)等離子處理室的簡(jiǎn)圖，其中在ICP線圏下面的區(qū)域被預(yù)涂碳?xì)?化合物組或二氧化石圭。如前所述，該感應(yīng)線圏組112和接「地環(huán)116通 常都一皮一組石英表面遮護(hù)以免受等離子損害。在一種有利的方式 中，在處理基片之前，這些石英表面的大部分可預(yù)涂碳?xì)杌衔飳?或者二氧化硅層，從而該碳?xì)寤衔飳踊蝾A(yù)沉積的二氧化硅層，而 非該下面的石英表面，在等離子處理期間會(huì)被蝕刻。在一個(gè)實(shí)施例 中，該碳?xì)浠衔镱A(yù)涂層或二氧化硅層的厚度約為1.5nm。碳?xì)浠衔锿ǔＪ穷愄胤](Teflon)的材料，其以化學(xué)方 式表示為CJIyFz，其.中x是大于O的整數(shù)，y和z是大于或等于O的整數(shù) (如CtF6、 C4F8、 CHsF等)。石英是石圭氧化物，以化學(xué)方式表示為
Si02。該類特氟綸或二氧化石圭的預(yù)涂層通過范德華力物理粘合到該 石英表面；在該涂層和該石英之間通常不需要發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在一種預(yù)涂該石英表面的方法中，內(nèi)部限制環(huán)組118和該 外部限制環(huán)組114均降^f氏，*接著-友氫化合物氣體通過噴頭106輸入該 差動(dòng)等離子室，且因此滲透進(jìn)由內(nèi)部限制環(huán)組118和外部限制環(huán)纟且 114限定的通道(channel )。在一個(gè)實(shí)施例中，該石灰氫化合物是氟化 碳?xì)浠衔?。接著?duì)該感應(yīng)線圏組112施力口能量，導(dǎo)致碳?xì)浠衔?預(yù)涂層沉積在該石英表面。通常，覆蓋或模型(dummy)基片124 放置在通電電極102上以便在該預(yù)涂工藝期間對(duì)其進(jìn)行遮護(hù)?，F(xiàn)在請(qǐng)參考圖3，依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，顯示圖2的 差動(dòng)等離子處理室的簡(jiǎn)圖，其中噴頭用含硅材料預(yù)涂。如前所述， 噴頭組件106利用有孔的硅保護(hù)層遮護(hù)接地電才及108，該有孔的硅保 護(hù)層允許來自氣體分配系統(tǒng)(未示)的等離子氣體通過而進(jìn)入該等 離子室。在一個(gè)實(shí)施例中，該硅預(yù)涂層的厚度約為4.0pm。在有利的方式中，在處理基片之前，該噴頭的大部分用 含硅材料(如硅、氮化硅、碳化硅等)預(yù)涂。在一個(gè)實(shí)施例中，該 含硅材料是無定形硅。 一般而言，無定形硅是通過放電由硅烷氣體 沉積而成。通常，由于每一層的原子之間的相當(dāng)4妄近的晶格匹配， 該沉積的無定形硅會(huì)^艮好地粘貼在下面的噴頭的單晶硅上。在一種預(yù)涂該噴頭的方法中，內(nèi)部限制環(huán)組118和該外部 限制環(huán)組114都降低。接著含硅氣體通過進(jìn)入等離子室的噴頭106輸 入該差動(dòng)等離子室。然后可施加能量于通電電才及102，導(dǎo)致石圭預(yù)涂 層沉積在該噴頭表面。通常，覆蓋或才莫型基片124被;改置在通電電 才及102上以《更在預(yù)》余工藝中乂十其進(jìn)4亍遮護(hù)?，F(xiàn)在參考圖4，依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖3的差動(dòng)等 離子處理室的簡(jiǎn)圖，其中基片正^皮蝕刻。例如，在Lam Research 2300 Exelan Flex等離子處理系統(tǒng)中，常見的蝕刻制法可為2000W (27MHz ) /3000W ( 2MHz )， 300 sccm Ar、 20 sccm C4F8、 20 sccm 02， 45毫托。如前所述，該噴頭106的大部分、石英窗113和接地環(huán) IIO被預(yù)涂，從而在蝕刻過程中這些表面^皮保護(hù)起來。通常，內(nèi)部 限制環(huán)組118可在升高的位置以便允許差動(dòng)等離子124向外部限制 環(huán)114皇從貫基片104延伸。例如，基片可^皮蝕刻為雙4裏嵌工藝的一部 分，在該工藝中，多個(gè)介電層由填充通孔的導(dǎo)電塞電連接?，F(xiàn)在參考圖5，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，顯示選擇性預(yù)涂包 含室壁的等離子處理室的一組簡(jiǎn)化步^^。開始，在502,第一RF電 極組配置為激發(fā)第一預(yù)涂等離子，該第一RF電極組限定第一等離子 室區(qū)域。接著在504，第一限制環(huán)組配置為圍繞該第一RF電才及組。 然后在506,第二限制環(huán)纟且配置為介于該第一限制環(huán)纟且和該室壁之 間。在一個(gè)實(shí)施例中，第二RF電才及組也配置為介于該第 一限 制環(huán)組和該第二限制環(huán)組之間。在一個(gè)實(shí)施例中，該第二RF電才及組 配置為激發(fā)第二預(yù)涂等離子，該第二RF電極組限定第二等離子室區(qū)域。最后在步驟508,氣體傳輸系統(tǒng)配置為當(dāng)傳輸?shù)谝活A(yù)涂氣 體且施加能量于該第一RF電才及組時(shí)將第一預(yù)涂層應(yīng)用至該第一等 離子區(qū)域。例如，該第一預(yù)涂氣體可包括硅、無定形硅、氮化硅和 碳化硅之一。在一個(gè)實(shí)施例中，該氣體傳輸系統(tǒng)配置為當(dāng)傳輸?shù)诙?預(yù)涂氣體且施加能量于該第二RF電才及組時(shí)將第二預(yù)涂層應(yīng)用至該 第二等離子區(qū)域。例如，該第二預(yù)涂氣體可包括碳?xì)寤衔餁怏w。在一個(gè)實(shí)施例中，該第一RF電4及組是電容I禺合，且該第 二RF電4及組是電感井禺合。在一個(gè)實(shí)施例中，該第一RF電才及組是電 感耦合，且該第二RF電才及組是電容耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，該第一 RF電才及組和該第二RF電才及組都是電容耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，該 第一RF電才及組和第二RF電才及組都是電感耦合。在一個(gè)實(shí)施例中， 該第一限制環(huán)組和該第二限制環(huán)組中的至少一個(gè)配置為可移動(dòng)的。雖然本發(fā)明已經(jīng)就一些優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了描述，但仍存 在一些變化、置換及等同物，它們落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，盡 管本發(fā)明結(jié)合Lam Research Corp的等離子處理系統(tǒng)(如Exelan，、 ExelanTMHP、 ExelanTMHPT、 2300 Exelan Flex 、 Versys Star等) 進(jìn)4亍描述，j旦也可l吏用其他等離子處理系統(tǒng)。本發(fā)明還可以用于不 同直徑的基片(如200mm、 300mm等)。并且，也可以4吏用包含除 了氧氣以外的氣體的光刻膠等離子蝕刻劑。還應(yīng)當(dāng)注意還有很多 其他方式來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括用于選沖奪性預(yù)涂等離子處理室的方法 和裝置。其他優(yōu)點(diǎn)包括保護(hù)該等離子室內(nèi)的表面、使污染物最少、 簡(jiǎn)化制造工藝以及才是高基片成品率。上面已經(jīng)7〉開了示范性實(shí)施例及最佳方式， <旦仍可^j"7〉 開的實(shí)施例進(jìn)行修改和變化，而仍在如所附根據(jù)權(quán)利要求限定的本 發(fā)明的主題和主旨內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種用于選擇性預(yù)涂包含室壁的等離子處理室的裝置，包含第一RF電極組，所述第一RF電極組配置為激發(fā)第一預(yù)涂等離子，所述第一RF電極組限定第一等離子室區(qū)域；第一限制環(huán)組，其環(huán)繞所述第一RF電極組設(shè)置；第二限制環(huán)組，其設(shè)置在所述第一限制環(huán)組和所述室壁之間；和氣體傳輸系統(tǒng)，其配置為當(dāng)傳輸?shù)谝活A(yù)涂氣體且施加能量于所述第一RF電極組時(shí)將第一預(yù)涂層應(yīng)用至所述第一等離子區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，進(jìn)一步包含第二RF電才及組，其i殳置在所述第一限制環(huán)組和所述第二 限制環(huán)組之間，所述第二RF電極組配置為激發(fā)第二預(yù)涂等離 子，所述第二RF電極組限定第二等離子室區(qū)域；其中所述氣體傳輸系統(tǒng)進(jìn)一步配置為當(dāng)傳輸?shù)诙A(yù)涂氣 體且施加能量于所述第二RF電才及組時(shí)將第二預(yù)涂層應(yīng)用至所 述第二等離子區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的裝置，其中所述第一 RF電極組是電容耦合 RF電才及ia和電感津禹合RF電才及《且之一。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的裝置，其中所述電容耦合RF電極組包含通 電電纟及和4妄;l也電才及。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的裝置，其中所述接地電極由含硅材料構(gòu)成。
6. 才艮據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述第二 RF電才及組是電容耦合 RF電才及組和電感壽馬合RF電才及纟且之一。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中所述電容耦合RF電極組包含通 電電4及和4妄i也電才及。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中所述接地電極由含硅材料構(gòu)成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，其中所述電感耦合RF電極組被石英 屏障組遮護(hù)以免受所述第二預(yù)涂氣體損害。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的裝置，其中所述電感耦合RF組包含感應(yīng)線 圈和4妄i也電才及。
11. ^T艮據(jù)^L利要求2的裝置，其中所述第一限制環(huán)組和所述第二限 制環(huán)組至少 一個(gè)配置為可移動(dòng)的。
12. 才艮據(jù);K利要求11的裝置，其中所述第一限制環(huán)組和所述第二 限制環(huán)纟且至少 一 個(gè)包含石英。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的裝置，其中所述第一預(yù)涂氣體形成硅、無 定形石圭、氮4b石圭、石友化石圭和Si02之一 。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的裝置，其中所述第二預(yù)涂氣體包含氟化碳 氬4匕合物氣體、C4F6、 C4F8、 CH3F、 SiH4和02的至少一個(gè)。
15. —種用于選擇性預(yù)涂包含室壁的等離子處理室的裝置，包含第一RF電纟及組，所述第一RF電纟及組配置為激發(fā)第一預(yù) 涂等離子，所述第一RF電極組限定第一等離子室區(qū)域；第二RF電纟及組，所述第二RF電纟及組配置為激發(fā)第二預(yù) 涂等離子，所述第二RF電極組限定第二等離子室區(qū)域；第一限制環(huán)纟且，其i殳置在所述第一RF電才及纟且和所述第二 RF電4及《且之間；第二限制環(huán)組，其i殳置在所述第二RF電才及組和所述室壁 之間；和氣體傳輸系統(tǒng)，其配置為當(dāng)傳輸?shù)谝活A(yù)涂氣體且施加能 量于所述第一RF電極組時(shí)預(yù)涂所述第一等離子區(qū)域，所述氣 體傳輸系統(tǒng)進(jìn)一步被設(shè)置為當(dāng)傳輸?shù)诙A(yù)涂氣體且施加能量 于該所述RF電才及組時(shí)預(yù)涂所述第二等離子區(qū)域。
16. —種用于選擇性預(yù)涂包含室壁的等離子處理室的方法，包括配置第一 RF電極組以激發(fā)第一預(yù)涂等離子，所述第一 RF電才及組限定第一等離子室區(qū)i或；配置第二 RF電^l組以激發(fā)第二預(yù)涂等離子，所述第二 RF電極組限定第二等離子室區(qū)域；將第一限制環(huán)組配置在所述第一 RF電4及組和所述第二 RF電4及^且之間；將第二限制環(huán)組配置在所述第二 RF電極組和所述室壁 之間；配置氣體傳IIT系統(tǒng)以當(dāng)傳輸?shù)诙A(yù)涂氣體且施加能量于 所述第一RF電極組時(shí)預(yù)涂所述第一等離子區(qū)域； 配置所述氣體傳輸系統(tǒng)以當(dāng)傳輸?shù)诙A(yù)涂氣體且施加能量于所述第二RF電才及組時(shí)預(yù)涂所述第二等離子區(qū)域。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述第一RF電極組是電容耦合 RF電才及ia禾口電感津禹合RF電才及癥且之一。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述電容耦合RF電極組包含 通電電纟及^^妄i也電才及。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述接地電極由含硅材料構(gòu)成。
20. 才艮據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述電感津禺合RF電才及組4皮石 英屏障遮護(hù)以免受所述第二預(yù)涂氣體損害。
21. 才艮據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述電感耦合RF電極組包含 感應(yīng)線圈和4妻i也電才及。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中所述第二RF電極組是電容耦 合RF電4及組和電感井馬合RF電4及組之一。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中所述電容耦合RF電極組包含 通電電纟及禾口4妄i也電才及。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中所述接地電極由含硅材料構(gòu)成。
25. 才艮據(jù)斥又利要求24的方法，其中所述電感井禺合RF電才及組一皮石 英屏障遮護(hù)以免受所述第二預(yù)涂氣體損害。
26. 才艮據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中所述電感耦合RF電極組包含 感應(yīng)線圏和4妄i也電才及。
27. 才艮據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述第一預(yù)涂氣體形成硅、無 定形硅、氮化硅、碳化硅和Si02之一。
28. 根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述第二預(yù)涂氣體包含氟化碳 氫4匕合物、C4F6、 C4F8、 CH3F、 SiH4和02的至少一個(gè)。
全文摘要
公開一種用于選擇性預(yù)涂包含室壁的等離子處理室的裝置。該裝置包含第一RF電極組，該第一RF電極組配置為激發(fā)第一預(yù)涂等離子，該第一RF電極組限定第一等離子室區(qū)域。該裝置還包含圍繞該第一RF電極組設(shè)置的第一限制環(huán)組；以及設(shè)置在該第一限制環(huán)組和該室壁之間的第二限制環(huán)組。該裝置進(jìn)一步包含氣體傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng)配置為當(dāng)傳輸?shù)谝活A(yù)涂氣體且施加能量于該第一RF電極時(shí)將第一預(yù)涂層應(yīng)用至該第一等離子區(qū)域。該裝置還包含該氣體傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng)配置為當(dāng)傳輸?shù)诙A(yù)涂氣體且施加能量于該第二RF電極組時(shí)將第二預(yù)涂層應(yīng)用至該第二等離子區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L21/302GK101395702SQ200780007661
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2007年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月3日
發(fā)明者安德烈亞斯·菲舍爾 申請(qǐng)人:朗姆研究公司