專利名稱：中繼基板、其制造方法及使用其的立體電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及連接搭載有IC芯片等的電子部件的多個(gè)電路M的中繼
基板、其制造方法及使用了該中繼141的立體電路裝置。
背景技術(shù)：
以往，作為連接搭載有IC芯片、芯片部件等的電子部件的模塊M
等電路M間的M接合部材(以下稱"中繼14^")，存在由插頭側(cè)和插
座側(cè)構(gòu)成的多極連接型連接器、將多個(gè)連接探針(pin)固定于樹脂制M 的探針連接器(pin connector)等。
近年來，隨著可移動(dòng)設(shè)備等的輕薄短小化、高性能化的發(fā)展，模塊基 板間的連接端子數(shù)有增加的趨勢。因此，正在努力使探針連接器的連接端 子間距(pitch)變小。但是，存在探針連接器的接合部，當(dāng)受到構(gòu)成該 接合部的部材間的溫度變化時(shí)的尺寸變動(dòng)的差、來自外部的沖擊力后，會(huì) 承受較大的力容易破損這一 問題。
另一方面，在便攜信息設(shè)備等中，伴隨著設(shè)備的高速、高頻化，對(duì)外 來電磁波所引起的誤工作、輻射電磁波對(duì)其他設(shè)備的干擾等EMC (電磁 兼容性Electromagnetic Compatibility)的要求更加嚴(yán)格。因此，對(duì)能夠 可靠地進(jìn)行電磁屏蔽(shield)的電路基板安裝技術(shù)的呼聲很高。此外，連 接搭載有控制IC芯片等的高頻部件的多個(gè)電路皿間的中繼1^，也必 須可靠地對(duì)來自外部的電磁波、由高頻部件等從內(nèi)部輻射的電磁波進(jìn)行電 磁屏蔽。
為了改善這些問題，公開了一種中繼M，該中繼基板以事先設(shè)定的 排列構(gòu)成，將多個(gè)由具有彈簧彈性的金屬薄板等形成的預(yù)定形狀的引線端子固定保持于絕緣性的殼體(housing)(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。
如專利文獻(xiàn)1所示的皿接合部材，引線端子的一部分埋設(shè)于殼體中， 由一端從殼體的下端面露出而形成的下端側(cè)接合部、和另一端從殼體壁露 出而立起的變形容易部構(gòu)成。而且，在殼體的外周壁面設(shè)置有屏蔽部材。
由此，能夠以細(xì)距(fine pitch )連接電路14^間，同時(shí)能夠大幅改善 耐沖擊性。另外，通過在中繼基板上設(shè)置屏蔽部材，能夠電磁屏蔽電子部 件使其遠(yuǎn)離干擾等。
此外，如圖ll所示，公開了一個(gè)例子，其中，在雙面安裝的印刷J^ 600的一方的主面上安裝需要電磁屏蔽的調(diào)諧部用電路部件610，在另 一個(gè) 主面上安裝VIF (Video Intermidiate Frequency)部用電路部件620,由 金屬殼體630對(duì)調(diào)諧部用電路部件610進(jìn)行電磁屏蔽(例如，參照專利文 獻(xiàn)2)。由此，可靠地屏蔽需要電磁屏蔽的電路部件，同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、 矮化和薄型化。
然而，根據(jù)專利文獻(xiàn)1的中繼M，構(gòu)成為，將有彈簧彈性且事先形 成為預(yù)定形狀的引線端子進(jìn)行排列并固定保持于絕緣性的殼體，同時(shí)在絕 緣性的殼體的外周壁面形成屏蔽部材。由此，能夠以細(xì)距進(jìn)行連接和改善 耐沖擊性，但是難以實(shí)現(xiàn)中繼基板的薄型化，還存在制造成本變高這一問 題。
此外，根據(jù)專利文獻(xiàn)2，能夠由金屬殼體將電路部件和印刷基板主面 一同電磁屏蔽。但是，金屬殼體是用于電磁屏蔽的附加部件，由此重量、 體積會(huì)增加，所以沒有順應(yīng)設(shè)備輕薄短小化的時(shí)代趨勢。而且，要想高密 度地安裝電子部件，就必須對(duì)金屬殼體實(shí)施絕緣處理并安裝電路部件，所 以存在生產(chǎn)性和制造成本變高這一 問題。
此外，在專利文獻(xiàn)2中，沒有公開通過中繼基板等連接多個(gè)電路^ 的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2005-333046號(hào)公才艮 專利文獻(xiàn)2:日本特開平5-29784號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的中繼^，其是至少連接第1電路141和第2電路M的中 繼基板，具備具有設(shè)置于外周的凹陷部和設(shè)置于內(nèi)周的孔的殼體；連接 殼體的上下面的多個(gè)連接端子電極；設(shè)置于凹陷部的屏蔽電極；和與屏蔽 電極連接的設(shè)置于殼體的上下面的局部上的接地電極。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠得到能夠連接多個(gè)電路M間的薄型的、由于 屏蔽電極而使耐干擾特性優(yōu)良的中繼基板。另外，還能夠?qū)崿F(xiàn)能夠通過與 屏蔽電極連接的接地電極而容易地與電路m連接的中繼M。
此外，本發(fā)明的中繼I^L的制造方法，包括在絕緣性母M的至少 預(yù)定的位置形成多個(gè)第l孔的第l步驟；在被第l孔包圍的區(qū)域中形成至 少一個(gè)第2孔的第2步驟；至少在第1孔的內(nèi)周側(cè)面形成屏蔽電極的第3 步驟；形成連接絕緣性母基板的上下面的多個(gè)連接端子電極的第4步驟；
第5步驟;^利用第1孑L，從絕緣性母^ll分S切割下包括至少一個(gè)第 2孔的區(qū)域的第6步驟。
由此，通過將連接端子電極、屏蔽電極及接地電極一次形成于絕緣性 母^S4反后分離的這種簡略的方法，能夠以低成本制作能夠連接多個(gè)電路基 板間的、具備屏蔽電極的中繼a。
此外，本發(fā)明的立體電路裝置，具有通過上述中繼基板至少連接第1 電路基板和第2電路M的構(gòu)成。由此，能夠得到連接多個(gè)電路m間并 能夠電磁屏蔽安裝于電路基敗的電路部件的立體電路裝置。


圖1A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼M的結(jié)構(gòu)的概念立體圖。
圖1B是圖1A的概念俯視圖。
圖1C是沿圖1B的1C -1C線的概念剖視圖。
圖2A是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼1^L的制造方法的概念圖。 圖2B是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼M的制造方法的概念圖。 圖2C是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼141的制造方法的概念圖。圖3A是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼皿的制造方法的概念圖。 圖3B是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼141的制造方法的概念圖。 圖3C是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼基板的制造方法的概念圖。 圖4A是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中繼14l的構(gòu)成的概念立體圖。 圖4B是圖4A的概念俯視圖。 圖4C是沿圖4B的4C -4C線的概念剖視圖。
圖5A是說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中繼基板的制造方法的概念圖。 圖5B是說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中繼I41的制造方法的概念圖。 圖5C是說明本發(fā)明的笫2實(shí)施方式的中繼I41的制造方法的概念圖。 圖6A是說明本發(fā)明的笫2實(shí)施方式的中繼皿的制造方法的概念圖。 圖6B是說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中繼基板的制造方法的概念圖。 圖6C是說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中繼J41的制造方法的概念圖。 圖7A是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼基板的構(gòu)成的概念立體圖。 圖7B是圖7A的概念俯視圖。 圖7C是沿圖7B的7C -7C線的概念剖視圖。
圖8A是說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼M的制造方法的概念圖。 圖8B是說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼J^的制造方法的概念圖。 圖8C是說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼M的制造方法的概念圖。 圖9A是說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼J41的制造方法的概念圖。 圖9B是說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼M的制造方法的概念圖。 圖9C是i兌明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼141的制造方法的概念圖。 圖IOA是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的立體電路裝置的結(jié)構(gòu)的概念立 體圖。
圖IOB是放大表示通過中繼M連接圖IOA的電路M間的部分的概
念剖視圖。
圖1l是說明現(xiàn)有的印刷14l的屏蔽結(jié)構(gòu)的剖視圖。 符號(hào)說明
1， 2， 3 中繼基板10， 40， 70 殼體
10a， 40a, 70a 凹陷部
10b， 21a， 51a， 70b， 81a 內(nèi)周側(cè)面
10c， 40c， 70c 突出部
10d 分離切割面
11， 41， 71 屏蔽電極
12 連接端子電極
12a 上面端子電極
12b 下面端子電極
12c 連接電極
13, 43， 73 接地電極
13a， 43a， 73a 上面接地電極
13b, 43b， 73b 下面接地電極
20， 50， 80 絕緣性母基板
21， 51， 81 第1孑L
21b， 51b， 81b 孔前端部分
22， 45， 85 第2孑L (孑L)
42， 72 導(dǎo)電過孔
52, 82 通孑L (via hole)
71a 第l屏蔽電極
71b 第2屏蔽電極
100 立體電路裝置
101 第1電路141
102 第2電路141
103 電路部件 104， 105 布線圖形 106， 107 接地布線圖形
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。 (第1實(shí)施方式)
圖1A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中繼M的構(gòu)成的概念立體圖， 圖1B是圖1A的概念俯視圖，圖1C是沿圖1B的1C -1C線的概念剖視圖。
如圖1A到圖1C所示，中繼基板l,具有有例如四角形狀的外周且由 例如玻璃環(huán)氧樹脂等形成的殼體10，該殼體10具有通過以下的制造方 法中所述的利用笫1孔進(jìn)行分離切割而形成的凹陷部10a和例如四角形狀 的孔(.以下記為"第2孑L")22。而且，在凹陷部10a的內(nèi)周側(cè)面整體設(shè)置 有屏蔽電極ll。此外，具有例如多個(gè)在第2孔22的內(nèi)周側(cè)面與殼體10的 上下面連續(xù)設(shè)置為一體的連接端子電極12。另外，還具有與形成于凹陷部 10a的屏蔽電極11連接的接地電極13被設(shè)置于中繼1411的例如四角的 預(yù)定的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
另外，殼體10的上下面，是指設(shè)置有以下所述的連接端子12的上面 端子電極12a和下面端子電極12b的面。另外，設(shè)置有接地電極13的四 角的預(yù)定的區(qū)域，是指以下的制造方法中所述的、利用第l孔分離切割的 殼體的四角附近的區(qū)域。
在此，作為中繼1411的殼體IO，使用例如玻璃環(huán)氧樹脂、液晶聚合 物、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide, PPS )、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯 (polybutylene terephthalate， PBT)等的絕緣性樹脂。另外，在要求形狀 精度和高傳熱性等的情況下，可以使用陶瓷M等的絕緣性141。在這種 情況下，特別優(yōu)選，加工性優(yōu)良的陶資M。
此外，屏蔽電極ll，由例如銅(Cu)、銀(Ag)和鋁(Al)等金屬電 極材料形成在除了中繼M 1的殼體10的突出部10c的分離切割面10d 的部分之外的部分。
連接端子電極12，將與殼體10的上下面相對(duì)設(shè)置的上面端子電極12a 和下面端子電極12b，通過形成于第2孑L 22的內(nèi)周側(cè)面10b的連接電極 Uc連接為一體而設(shè)置。而且，它們通過與屏蔽電極ll同樣的金屬電極材料構(gòu)圖設(shè)置。
接地電極13，由與殼體10的例如四角的突出部10c的上下面相對(duì)設(shè) 置的上面接地電極13a及下面接地電極13b構(gòu)成，通過與屏蔽電極11同樣 的金屬電極材料構(gòu)圖而設(shè)置。而且，由上面接地電極13a和下面接地電極 13b構(gòu)成的接地電極13，與設(shè)置于殼體10凹陷部10a的屏蔽電極11電連 接。
另外，屏蔽電極ll、連接端子電極12和接地電極13,優(yōu)選，在其表 面設(shè)置例如鍍金等。由此，能夠防止連接的穩(wěn)定性和各電極的隨時(shí)間的劣 化，提高可靠性。
根據(jù)上述構(gòu)成，能夠得到通過屏蔽電極11而具備電磁屏蔽功能的中繼 基板l，該屏蔽電極ll形成于中繼Ml的凹陷部10a，將中繼ai夾 在中間、通過連接端子電極12和接地電極13能夠?qū)Χ鄠€(gè)電路基板(沒有 圖示)間進(jìn)行連接。
即，通過中繼基板l的屏蔽電極ll，在中繼1411的第2孔22內(nèi)， 能夠屏蔽安裝于例如電路J41的電路部件使其遠(yuǎn)離外部干擾，和屏蔽從電 路部件自身產(chǎn)生的內(nèi)部干擾從中繼1411向外部的輻射。
另外，中繼基板l的連接端子電極12、接地電極13和電路基板，由 例如軟釬料、各向異性導(dǎo)電片(sheet)、各向異性導(dǎo)電樹脂等連接。由此， 能夠高可靠性地連接電路基板間。
此外，電路^L 11,由于在其凹陷部10a設(shè)置屏蔽電極11的結(jié)構(gòu)， 而不需M屬殼體等的附加部件，所以能夠?qū)崿F(xiàn)輕量化和薄型化。
以下，使用圖2A到圖2C和圖3A到圖3C對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式 的中繼^的制造方法進(jìn)行說明。
圖2A到圖2C和圖3A到圖3C,是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的中 繼141的制造方法的概念圖。另夕卜，對(duì)與圖1A到圖1C相同的部件和相同 的部分，附加相同符號(hào)進(jìn)行說明。
首先，如圖2A所示，準(zhǔn)備例如由玻璃環(huán)氧樹脂形成的絕緣性母M20。接著，如圖2B所示，通過例如使用了沖壓機(jī)等的沖孔加工，形成多 個(gè)至少設(shè)置于預(yù)定的位置的切割用的例如長尺形狀的第1孔21。另外，通 過例如使用了沖壓機(jī)等的沖孔加工，形成由第1孔21圍繞其周圍的例如四 角形狀的第2孔22。此時(shí)，第1孔21和第2孔22可以同時(shí)形成，也可以 分先后形成。
接著，如圖2C所示，在第1孔21的內(nèi)周側(cè)面21a形成屏蔽電極11。 此外，在殼體IO的上下面和第2孔22的內(nèi)周側(cè)面形成多個(gè)由上面端子電 極、連接電極、下面端子電極構(gòu)成的連接端子電極12。另外，在絕緣性母 基板20的上下面的預(yù)定區(qū)域、例如第1孔21的孔前端部分21b相鄰的區(qū) 域，形成與屏蔽電極ll連接的、由上面接地電極和下面接地電極構(gòu)成的接 地電極13。
在此，屏蔽電極ll、連接端子電極12、接地電極13，通過以下方法 一次形成于絕緣性母基板20。
即，將上述各電極以預(yù)定的位置和預(yù)定的圖形形狀，通過例如銅等的 金屬電極材料，使用例如用照相平板印刷(Photolitho)法而形成于絕緣性 母基板20。
具體地講，沒有圖示，作為使銅圖形化的方法，利用以下的方法。 首先，粗化絕緣性母基板20的上下面、第1孔21和第2孔22的內(nèi)周
側(cè)面(端面)，整體涂敷例如鈀鹽等的電鍍催化劑。
接著，組合無電解銅電鍍、無電解電鍍和電解銅電鍍，形成預(yù)定的厚
度的銅鍍層。
接著，在形成的銅鍍層涂敷蝕刻用的抗蝕劑，照射紫外線，以預(yù)定的 圖形進(jìn)行啄光處理。
接著，依次執(zhí)行曝光了的抗蝕劑的顯影處理、銅鍍層的蝕刻處理、 抗蝕劑的剝離處理，從而形成銅的圖形。
以下對(duì)銅的構(gòu)圖方法進(jìn)行更加具體的說明。
首先，在形成有第1孔21和第2孔22的絕緣性母基板20的整個(gè)面上， 涂敷把鹽。接著，將絕緣性母基板20在以下所示的無電解銅電鍍液中浸漬七小 時(shí)，析出大約35nm厚的銅。作為無電解銅電鍍液，例如將五7jC硫酸銅/ 乙二胺四乙酸(EDTA) /聚乙二醇(polyethylene glycol) /2，2'-聯(lián)吡咬 (Dipyridyl) /甲醛混合液，通過氫氧化鈉調(diào)整為PH12.5，在液溫70。C下 使用。
接著，作為蝕刻用的抗蝕劑，使用例如電沉積抗蝕劑(例如，日本^ < y卜林式會(huì)社制的"7才卜ED P-1000")，使其在25。C下以50mA/dm2 電沉積三分鐘，涂敷為大約8nm的厚度。
接著，安裝遮光掩模，以大約400mj/cn^照射紫外線(散射光)，曝光 預(yù)定的圖形。然后，使用噴灑裝置噴灑32。C的1%的偏硅酸鈉120秒，顯 影抗蝕劑，以例如寬度150nm等的預(yù)定的圖形形狀而形成。
接著，將其在40。C的36%的氯化亞鐵溶液中浸漬2 3分鐘，來蝕刻銅。 然后，噴灑50。C的5。/。的偏硅酸鈉120秒鐘，來剝離抗蝕劑。
根據(jù)上述方法，在絕緣性母基板20的第1孔21的內(nèi)周側(cè)面21a通過 鍍銅形成屏蔽電極11。而且，多個(gè)連接端子電極12，連接形成于第2孔 22的內(nèi)周側(cè)面10b和絕緣性母基板20的上下面的上面端子電極12a、連 接電極12c和下面端子電極12b而形成。此外，作為接地電極13,上面接 地電極13a和下面接地電極13b，在絕緣性母14120的上下面的、例如第 1孑L 21的孔前端部分21b相鄰的區(qū)域以相對(duì)地與屏蔽電極11連接的圖形 而形成。
另夕卜，本實(shí)施方式中，以同時(shí)一次形成連接端子電極12、屏蔽電極ll 和接地電極13的例子進(jìn)行了說明，不過不限于此，也可以分先后形成。
此外，在本實(shí)施方式中，也可以在絕緣性母基板的上下面、第l孔和 第2孔的內(nèi)周側(cè)面，形成組合了例如玻璃環(huán)氧樹脂、合成橡膠、交聯(lián)劑、 固化劑、填充劑的粘結(jié)促進(jìn)層，粗化其表面后，進(jìn)行電鍍處理。由此，能 夠提高鍍層對(duì)絕緣性母基板的表面的固著強(qiáng)度。
此外，也可以對(duì)圖形化了的屏蔽電極、連接端子電極、接地電極的表 面鍍金。由此，能夠提高連接的穩(wěn)定性和耐濕性等的可靠性。接著，如圖3A所示，使用在絕緣性母基板20上形成的第1孔21，例 如沿著圖中所示的點(diǎn)劃線，對(duì)包括至少一個(gè)第2孔22的區(qū)域進(jìn)行分離切割， 從而制作出中繼基板1。在此，作為分離切割的方法，可以使用沖孔和方 塊切割(dicing)等的方法。
而且，通過上述分離切割，如圖3B的概念俯視圖、圖3C的概念立體 圖所示，能夠一次制作多個(gè)中繼M 1，該中繼基板1能夠連接例如多個(gè) 電路141間、并在通過第1孔的分離切割所形成的凹陷部10a具有屏蔽電 極ll。
根據(jù)上述方法，能夠一次制作多個(gè)中繼M 1，該中繼Ml具備 設(shè)置于由玻璃環(huán)氧樹脂的絕緣性母141所形成的殼體10的凹陷部10a的屏 蔽電極11、設(shè)置于殼體10的多個(gè)連接端子電極12和與屏蔽電極11連接 的接地電極13。
另外，從能夠有效利用空間這一點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選，將接地電極13設(shè)置于 通過分離切割絕緣性母基板20而形成的突出部10c，不過對(duì)其位置沒有特 別限制。
根據(jù)本發(fā)明的第1實(shí)施方式，通過在絕緣性母基板上直接形成各電極 后進(jìn)行分離切割這種簡單的方法，能夠高生產(chǎn)性且低成本地制作能夠連接 多個(gè)電路基板間的、具備屏蔽電極的中繼基板。
另外，在本實(shí)施方式中，以第l孔的形狀為長尺形狀、第2孔的形狀 為正方形等的四角形狀進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，也可以多角形、 多角形的頂點(diǎn)帶有圓角的形狀、圓形狀或橢圓形狀的孔等適當(dāng)設(shè)計(jì)的形狀 的孔，也能夠獲得同樣的效果。
此外，在本實(shí)施方式中，作為各電極的形成方法，以組合無電解電鍍 法和電解電鍍法，使用照相平板印刷技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成的例子進(jìn)行了說 明，不過不限于此。例如只要是能夠以預(yù)定的膜厚構(gòu)圖的方法，則沒有特 別限制，都可以適用。另外，以連接端子電極由上面端子電極、連接電極 和下面端子電極構(gòu)成的例子進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，也可以僅 通過在第2孔的內(nèi)周側(cè)面形成的連接電極進(jìn)行連接。此外，可以使用端面電極形成法，通過例如在形成第2孔之前在設(shè)置連接端子電極的位置形成 多個(gè)貫通孔，用電鍍法在該貫通孔鍍銅后，切割貫通孔的中央部間而形成 第2孑L,從而形成連接端子電極。由此，能夠以更高的生產(chǎn)性得到中繼基 板。
此外，在本實(shí)施方式中，可以在中繼M的除了通過在殼體上形成的 上下面的連接端子電極和接地電極進(jìn)行電連接的部分之外的部分，設(shè)置例 如抗蝕劑等的絕緣性保護(hù)膜。由此，能夠防止例如移動(dòng)等所引起的短路、 安裝時(shí)和保管期間的各電極的損傷。 (第2實(shí)施方式)
圖4A是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中繼^L的結(jié)構(gòu)的概念立體圖， 圖4B是圖4A的概念俯視圖，圖4C是沿圖4B的4C -4C線的概念剖視圖。
如圖4A到圖4C所示，中繼^2，具有有例如四角形狀的外周、且 由例如玻璃環(huán)氧樹脂等形成的殼體40,該殼體40具有具備通過以下的 制造方法中所述的利用第1孔進(jìn)行分離切割而形成的凹陷部40a和例如四 角形狀的第2孔45。而且，在凹陷部40a的內(nèi)周側(cè)面整體設(shè)置有屏蔽電極 41。此外，在中繼基板2的、例如四角的預(yù)定的區(qū)域的突出部40c,設(shè)置 有接地電極43，該接地電極43與在凹陷部40a形成的屏蔽電極41連接并 包括上面接地電極43a和下面接地電極43b。另外，在殼體40中，具有在 預(yù)定的位置設(shè)有例如多個(gè)成為連接其上下面的連接端子電極的導(dǎo)電過孔 42的構(gòu)成。
另外，殼體40的上下面，是指設(shè)有以下所述的導(dǎo)電過孔42的面。
此外，中繼基敗2的殼體40、屏蔽電極41和接地電極43，通過與第 1實(shí)施方式相同的材料和相同的方法而形成。
在此，成為連接端子電極的導(dǎo)電過孔42,被設(shè)置為，通過在殼體40 的外周和設(shè)置于內(nèi)周的第2孔45之間所形成的多個(gè)通孔(沒有圖示)，電 連接殼體40的上下面。而且，導(dǎo)電過孔42，通過在在殼體40的上下面具 有焊盤(land)(沒有圖示)的通孔、例如使用電鍍法進(jìn)行鍍銅而形成。
根據(jù)上述說明，能夠得到通過屏蔽電極41而具備電磁屏蔽功能的中繼基板2，該屏蔽電極41形成于中繼^2的凹陷部40a，將中繼1^2夾 在中間、通過導(dǎo)電過孔42及接地電極43能夠?qū)Χ鄠€(gè)電路基板間進(jìn)行連接。
即，通過中繼1412的屏蔽電極41，在中繼基板2的第2孔45內(nèi)， 能夠屏蔽例如安裝于電路基板的電路部件(沒有圖示)使其遠(yuǎn)離外部干擾 和屏蔽從電路部件自身產(chǎn)生的內(nèi)部干擾從中繼J^2向外部的輻射。
另外，中繼基板2的導(dǎo)電過孔42、接地電極13和電路基板，通過例 如軟釬料、各向異性導(dǎo)電片和各向異性導(dǎo)電樹脂等連接。由此，能夠高可 靠性連接電路J41間。
此外，中繼J412，由于在其凹陷部40a設(shè)置屏蔽電極41的結(jié)構(gòu)，而 不需要金屬殼體等的附加部件，所以能夠?qū)崿F(xiàn)輕量化和薄型化。
此外，在本實(shí)施方式中，以將多個(gè)具有焊盤的導(dǎo)電過孔配置為例如一 列的例子進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，可以將含有銀(Ag)等的導(dǎo) 電糊劑填充于通孔內(nèi)而形成未設(shè)置焊盤的導(dǎo)電過孔，還可以將導(dǎo)電過孔 "之"字形地(交錯(cuò))配置。由此，得到能夠以更細(xì)距進(jìn)行連接的中繼基 板。
以下，使用圖5A到圖5C和圖6A到圖6C對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式 的中繼M的制造方法進(jìn)行說明。
圖5A到圖5C和圖6A到圖6C，是說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中 繼M的制造方法的概念圖。另夕卜，對(duì)與圖4A到圖4C相同的部件和相同 的部分附加相同符號(hào)進(jìn)行說明。
首先，如圖5A所示，準(zhǔn)備例如由玻璃環(huán)氧樹脂形成的絕緣性母基板50。
接著，如圖5B所示，通過例如使用了沖壓機(jī)等的沖孔加工，形成多 個(gè)至少設(shè)置于預(yù)定位置的、例如長尺形狀的第1孔51。另外，在第l孔的 內(nèi)側(cè)的絕緣性母J4！ 50上，例如沿著第1孔21的各邊，通過例如使用了 沖壓機(jī)等的沖孔加工形成多個(gè)通孔52。此時(shí)，第1孔51和通孔52可以同 時(shí)形成，也可以分先后形成。
接著，如圖5C所示，在第l孔51的內(nèi)周側(cè)面51a形成屏蔽電極41。此外，通過對(duì)沿著第1孔51的各邊所形成的多個(gè)通孔52，例如使用電鍍 法鍍銅而形成導(dǎo)電過孔42。另外，在絕緣性母基板50的上下面的預(yù)定區(qū) 域、例如第1孔51的孔前端部分51b相鄰的區(qū)域，形成與屏蔽電極41連 接的、由上面接地電極43a和下面接地電極43b構(gòu)成的接地電極43。
在此，屏蔽電極41、導(dǎo)電過孔42及接地電極43，通過與實(shí)施方方式 1同樣的方法，例如使用電鍍法一次形成于絕緣性母基板50。另外，形成 屏蔽電極41、導(dǎo)電過孔42和接地電極43，可以一次形成，也可以分先后 按多個(gè)步驟形成。
根據(jù)上述方法，在絕緣性母基板50的第1孔51的內(nèi)周側(cè)面51a通過 鍍銅形成屏蔽電極41。然后，導(dǎo)電過孔42，通過在第1孔51的內(nèi)側(cè)的絕 緣性母基板50上、在沿著第1孔51的各邊設(shè)置的多個(gè)通孔52的內(nèi)周側(cè)面， 例如鍍銅而形成。在這種情況下，優(yōu)選，在絕緣性母M50的上下面的導(dǎo) 電過孔42中設(shè)置焊盤(沒有圖示)。此外，作為接地電極43，上面接地電 極"a和下面接地電極43b,在絕緣性母^4150的上下面的、例如第1孔 51的孔頂前端部分51b相鄰的區(qū)域以與屏蔽電極11連接的圖形而形成。
另外，在本實(shí)施方式中，可以在絕緣性母141的上下面、第l孔和的 內(nèi)周側(cè)面，形成組合有例如玻璃環(huán)氧樹脂、合成橡膠、交聯(lián)劑、固化劑、 填充劑的粘結(jié)促進(jìn)層，粗化其表面后，進(jìn)行電鍍處理。由此，能夠提高鍍 層對(duì)絕緣性母基板的表面的固著強(qiáng)度。
此外，也可以對(duì)圖形化了的屏蔽電極、連接端子電極、接地電極的表 面鍍金。由此，能夠提高連接的穩(wěn)定性和耐濕性等的可靠性。
接著，如圖6A所示，在形成于絕緣性母J4！ 50的多個(gè)導(dǎo)電過孔42 所包圍的區(qū)域，通過例如使用了沖壓機(jī)等的沖孔加工形成例如四角形狀的 第2孔45。
然后，利用形成于絕緣性母1^50的第1孔51，沿著圖中所示的點(diǎn) 劃線，對(duì)包括至少一個(gè)第2孔45的區(qū)域進(jìn)行分離切割，制作出中繼1412。 在此，作為分離切割的方法，可以使用沖孔和方塊切割等的方法進(jìn)行。
另夕卜，第2孔45的形成和上述分離切割步驟，可以同時(shí)、或分先后進(jìn)行。
然后，通過上述分離切割，如圖6B的概念俯視圖、圖6C的概念立體 圖所示， 一次制作多個(gè)中繼基板2，該中繼1412例如能夠連接多個(gè)電路 基板(沒有圖示)間、并在通過第l孔的分離切割所形成的凹陷部10a中 具有屏蔽電極ll。
根據(jù)上述方法，能夠一次制作中繼基板2，該中繼基板2具備設(shè)置 于從玻璃環(huán)氧樹脂的絕緣性母J41形成的殼體40的凹陷部40a的屏蔽電極 41、多個(gè)導(dǎo)電過孔42、和與屏蔽電極41連接的接地電極43。另外，優(yōu)選， 與第1實(shí)施方式同樣地，將接地電極43，設(shè)置于通過分離切割絕緣性母基 板50所形成的突出部40c。
根據(jù)本發(fā)明的笫2實(shí)施方式，能夠通過在絕緣性母基板直接形成各電 極后進(jìn)行分離切割這種簡單的方法，高生產(chǎn)性且低成本地制作出能夠通過
屏蔽電極和通電過孔連接不同電路I4l的中繼141。
另外，在本實(shí)施方式中，以第1孔的形狀為長尺形狀、第2孔的形狀 為正方形等的四角形狀進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，也可以是多角 形和多角形的頂點(diǎn)帶有圓角的形狀、圓形狀或橢圓形狀的孔等適當(dāng)設(shè)計(jì)的 形狀的孔，也能夠獲得同樣的效果。
此外，在本實(shí)施方式中，以成為連接端子電極的導(dǎo)電過孔在通孔的周 圍形成焊盤的例子進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，可以將由銀(Ag) 等形成的導(dǎo)電糊劑填充于通孔，使其熱固化而形成。由此，并非必需形成 焊盤，所以能夠以細(xì)距設(shè)置導(dǎo)電過孔。此外，由于能夠通過將導(dǎo)電糊劑填 充于通路孔并使其熱固化這樣的簡單的方法形成，所以能夠提高生成性。
此外，在本實(shí)施方式中，可以在中繼基板的除了通過形成于殼體的導(dǎo) 電過孔和接地電極進(jìn)行電連接的部分以外的部分，設(shè)置例如抗蝕劑等的絕 緣性保護(hù)膜。由此，能夠防止例如移動(dòng)等引起的短路、安裝時(shí)和保管期間 的各電極的損傷。
(第3實(shí)施方式)
圖7A是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中繼M的結(jié)構(gòu)的概念立體圖，圖7B是圖7A的概念俯視圖，圖7C是沿圖7B的7C -7C線的概念剖視圖。
如圖7A到圖7C所示，中繼J413，具有有例如四角形狀的外周、由 例如玻璃環(huán)氧樹脂等形成的殼體70，該殼體70具有具備通過以下的制 造方法中所述的利用第1孔進(jìn)行的分離切割所形成的凹陷部70a和例如四 角形狀的第2孔85。而且，設(shè)置有屏蔽電極71，該屏蔽電極71由形成于 凹陷部70a的內(nèi)周側(cè)面整體的第1屏蔽電極71a和形成于第2孔85的內(nèi)周 側(cè)面70b的第2屏蔽電極71b構(gòu)成。此外，在中繼基敗3的、例如四角的 預(yù)定的區(qū)域的突出部70c設(shè)置有接地電極73，該接地電極73與由第l屏 蔽電極71a和第2屏蔽電極71b構(gòu)成的屏蔽電極71連接、由上面接地電 極73a和下面接地電極73b構(gòu)成。另外，殼體70，具有在預(yù)定的位置設(shè)置 例如多個(gè)成為連接其上下面的連接端子電極的導(dǎo)電過孔72的結(jié)構(gòu)。
即，本實(shí)施方式，在第2孔85的內(nèi)周側(cè)面70b設(shè)置第2屏蔽電極71b 這一點(diǎn)，與第2實(shí)施方式不同。而且，第l屏蔽電極71a，相當(dāng)于第1實(shí) 施方式的屏蔽電極ll。
另外，中繼基板3的殼體70、屏蔽電極71和接地電極73，通過與第 1實(shí)施方式同樣的材料和同樣的方法而形成。此外，導(dǎo)電過孔72,通過與 第2實(shí)施方式同樣的材料和同樣的方法而形成。
在此，成為連接端子電極的導(dǎo)電過孔72，被設(shè)置為，通過在殼體70 的外周和設(shè)置于內(nèi)周的第2孔85之間所形成的多個(gè)過孔的孔(沒有圖示)， 電連接殼體70的上下面。而且，導(dǎo)電過孔72，通過對(duì)在殼體70的上下面 具有焊盤的通孔，使用例如電鍍法鍍銅而形成。
根據(jù)上述說明，能夠得到通過屏蔽電極71而具有更高的電磁屏蔽功能 的中繼1413，該屏蔽電極71由在中繼基板3的凹陷部70a形成的第l屏 蔽電極71a和在第2孑L 85的內(nèi)周側(cè)面形成的第2屏蔽電極71b構(gòu)成，將 中繼1413夾在中間、通過導(dǎo)電過孔72及接地電極73能夠?qū)Χ鄠€(gè)電路基 板間進(jìn)行連接。
此外，通過中繼M3的由第l屏蔽電極71a和第2屏蔽電極71b所 構(gòu)成的屏蔽電極71，在形成于中繼^3的殼體70的導(dǎo)電過孔72和第2孑L85內(nèi)，能夠電磁屏蔽例如安裝于電路M的電路部件，所以能夠防止通 過導(dǎo)電過孔傳送的信號(hào)和來自于電路部件的干擾等的電磁波干擾。另外， 通過由第1屏蔽電極71a和第2屏蔽電極71b雙重屏蔽安裝于電路M的 電路部件，能夠獲得更高的屏蔽性能。
另外，中繼1413的導(dǎo)電過孔72、接地電極73和電路J41，通過例 如釬焊料、各向異性導(dǎo)電片和各向異性導(dǎo)電樹脂等連接。由此，能夠高可 靠性地連接電路基板間。
此外，在本實(shí)施方式中，以將多個(gè)具有焊盤的導(dǎo)電過孔配置為例如一 列的例子進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，也可以將含有銀(Ag)的導(dǎo) 電糊劑填充于通孔內(nèi)而形成未設(shè)置焊盤的導(dǎo)電過孔，還可以將導(dǎo)電過孔 "之"字形地配置。由此，可以得到能夠以更細(xì)距進(jìn)行連接的中繼基板。
此外，中繼基板3，由于在其凹陷部70a和第2孔85的內(nèi)周側(cè)面70b 設(shè)置屏蔽電極71的結(jié)構(gòu)，而不需M屬殼體等的附加部件，所以能夠?qū)崿F(xiàn) 輕量化和薄型化。
以下，使用圖8A到圖8C和圖9A到圖9C對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式 的中繼基板3的制造方法進(jìn)行說明。
圖8A到圖8C和圖9A到圖9C,是i兌明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中 繼141的制造方法的概念圖。另夕卜，對(duì)與圖7A到圖7C相同的部件和相同 的部分，附加相同符號(hào)，省略一部分。
首先，如圖8A所示，準(zhǔn)備例如由玻璃環(huán)氧樹脂形成的絕緣性母M80。
接著，如圖8B所示，通過例如使用了沖壓機(jī)等的沖孔加工，形成多 個(gè)至少設(shè)置于預(yù)定位置的、例如長尺形狀的第1孔81。此外，通過例如使 用了沖壓機(jī)等的沖孔加工，形成由第1孔81包圍其周圍的、例如四角形狀 的第2孔85。另夕卜，在由第1孔81和第2孔85所包圍的絕緣性母M80 上，通過例如使用了沖壓機(jī)等的沖孔加工，形成例如多個(gè)過孔的孔82。此 時(shí)，第1孔81、第2孔85和通孔82可以同時(shí)形成，也可以分先后形成。
接著，如圖8C所示，形成由第1孔81的內(nèi)周側(cè)面81a的第l屏蔽電極71a和第2孔85的內(nèi)周側(cè)面70b的第2屏蔽電極71b所構(gòu)成的屏蔽電 極71。此外，通過對(duì)在第1孔81和第2孔85之間所夾持的區(qū)域形成的多 個(gè)過孔的孔82，例如使用電鍍法鍍銅而形成導(dǎo)電過孔72。另外，在絕緣性 母基板80的上下面的預(yù)定區(qū)域、例如第1孔81的孔前端部分81b相鄰的 區(qū)域，形成與屏蔽電極71連接的、由上面接地電極73a和下面接地電極 73b構(gòu)成的接地電極73。
在此，屏蔽電極71、導(dǎo)電過孔72和接地電極73，通過與實(shí)施方式2 同樣的方法、例如使用電鍍法，總括形成于絕緣性母基板80。另外，形成 屏蔽電極71、導(dǎo)電過孔72和接地電極73的步驟，可以總括進(jìn)行，也可以 分先后按多個(gè)步驟進(jìn)行。
才艮據(jù)上述方法，通過在絕緣性母M 80的第1孔81的內(nèi)周側(cè)面81a 和第2孔85的內(nèi)周側(cè)面70b鍍銅形成屏蔽電極71。而且，導(dǎo)電過孔72, 通過對(duì)在第1孔51和第2孔85之間所夾持的區(qū)域形成的多個(gè)通路孔82 的內(nèi)周側(cè)面，施以例如鍍銅法而形成。在這種情況下，優(yōu)選，在絕緣性母 基板80的上下面的導(dǎo)電過孔72中設(shè)置焊盤(沒有圖示)。此外，作為接地 電極73，上面接地電極73a和下面接地電極73b，在絕緣性母141 80的 上下面的、例如第1孔81的長尺形狀的多個(gè)孔前端部分81b和第2孑L85 所包圍的區(qū)域以與屏蔽電極71連接的圖形而形成。
另外，在本實(shí)施方式中，可以在絕緣性母基板的上下面、第l孔和通 孔的內(nèi)周側(cè)面，形成組合了例如玻璃環(huán)氧樹脂、合成橡膠、交聯(lián)劑、固化 劑、填充劑的粘結(jié)促進(jìn)層，粗化其表面后，進(jìn)行電鍍處理。由此，能夠提 高鍍層對(duì)絕緣性母基板的表面的固著強(qiáng)度。
此外，也可以在圖形化了的屏蔽電極、連接端子電極、接地電極的表 面鍍金。由此，能夠提高連接的穩(wěn)定性和耐濕性等的可靠性。
接著，如圖9A所示，使用在絕緣性母1^80形成的第1孔81,例如 沿著圖中所示的點(diǎn)劃線，對(duì)包括至少 一個(gè)第2孔85的區(qū)域進(jìn)行分離切割， 制作出中繼M 3。在此，作為分離切割的方法，可以使用沖孔和方塊切 割等的方法進(jìn)行。然后，通過上述分離切割，如圖9B的概念俯視圖、圖9C的概念立體 圖所示， 一次制作多個(gè)中繼1413，該中繼M3能夠連接例如多個(gè)電路 基板間并具有由第l屏蔽電極71a和第2屏蔽電極71b構(gòu)成的屏蔽電極71。
根據(jù)上述方法，能夠一次制作中繼基板3，該中繼基板3具備由設(shè) 置于由玻璃環(huán)氧樹脂的絕緣性母141所形成的殼體70的凹陷部70a的第1 屏蔽電極71a和設(shè)置于第2屏蔽電極71b所構(gòu)成的屏蔽電極71、多個(gè)導(dǎo)電 過孔72和與屏蔽電極71連接的接地電極73。另外，優(yōu)選，與上述各實(shí)施 方式同樣地，將接地電極73，設(shè)置于通過分離切割絕緣性母基板80所形 成的突出部70c附近。
根據(jù)本發(fā)明的第3實(shí)施方式，通過在絕緣性母^41上直接形成各電極 后進(jìn)行分離切割這種簡單的方法，能夠高生產(chǎn)性且低成本地制作中繼基板， 該中繼141能夠由第1屏蔽電極和第2屏蔽電極構(gòu)成的屏蔽電極和通電過 孔連接不同電路I41
另外，在本實(shí)施方式中，以第1孔的形狀為長尺形狀、第2孔的形狀 為正方形等的四角形狀為例進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，也可以是 多角形和多角形的頂點(diǎn)帶有圓角的形狀、圓形狀或橢圓形狀的孔等適當(dāng)設(shè) 計(jì)的形狀的孔，也能夠獲得同樣的效果。
此外，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電過孔，以在通路孔的周圍形成焊盤的例 子進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如，可以將含有銀(Ag)等的導(dǎo)電糊劑 填充于通孔中，^使其熱固化而形成。由此，并非必需形成焊盤，所以能夠 以細(xì)距設(shè)置導(dǎo)電過孔。此外，能夠通過將導(dǎo)電糊劑填充于通孔中并使其熱 固化這樣簡單的方法來形成，所以能夠提高生成性。
此外，在本實(shí)施方式中，作為各電極的形成方法，以組合無電解電鍍 法和電解電鍍法，使用照相平板印刷技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成的例子進(jìn)行了說 明，不過不限于此。例如，只要是能夠以預(yù)定的膜厚構(gòu)圖的方法，沒有特 別限制，都能夠適用。
此外，在本實(shí)施方式中，可以在中繼a的除了通過形成于殼體的導(dǎo) 電過孔和接地電極進(jìn)行電連接的部分以外的部分，設(shè)置例如抗蝕劑等的絕緣性保護(hù)膜。由此，能夠防止例如移動(dòng)等引起的短路、安裝時(shí)和保管期間 各電極的損傷。
(第4實(shí)施方式)
圖IOA是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的立體電路裝置的結(jié)構(gòu)的概念立 體圖，圖IOB是放大表示該圖A的電路M間通過中繼J41連接的部分的 概念剖視圖。另外，以下，使用在第1實(shí)施方式中說明的中繼M 1，對(duì) 相同的部件和相同部分附加相同的符號(hào)進(jìn)行說明。此外，在圖10A中，為 了便于理解，部分省略電路基板的配線圖形、且透視被夾持在電路14l間 的中繼M進(jìn)行圖示。
如圖IOA和圖IOB所示，立體電路裝置IOO，具有中間夾持中繼M 1而相對(duì)地設(shè)置第1電路141101和第2電路a 102的結(jié)構(gòu)。
在此，在第1電路J41101中，以收置于中繼Ml的第2孔22中的 方式，例如由高頻電路等的IC芯片構(gòu)成的電路部件103，與在第1電路基 板101形成的配線圖形104的連接端子(沒有圖示)通過例如釬焊料連接， 被安裝于預(yù)定的位置。
而且，設(shè)置于中繼M 1的連接端子電極12與設(shè)置于第1電路^ 101和第2電路141102的預(yù)定的布線圖形104、 105的連接端子，通過例 如奸焊料而連接。此外，設(shè)置于中繼基板l的接地電極13、與設(shè)置于第l 電路基tl 101和第2電路基板102的接地布線圖形106、 107連接，接地成 為地電^f立。
另外，接地電極13，與設(shè)置于中繼基板l的屏蔽電極ll連接。由此， 能夠?qū)χ欣^基板1中包含的電路部件103和連接端子電極12有效地屏蔽來 自于外部的干擾和電路部件103所產(chǎn)生的內(nèi)部干擾的輻射等。
根據(jù)本實(shí)施方式，通過具備屏蔽電極的中繼基板能夠?qū)Χ鄠€(gè)電路M
間進(jìn)行連接，從而能夠?qū)崿F(xiàn)薄型的、不會(huì)由于干擾而引起誤工作的可靠性 優(yōu)良的立體電路裝置。
此外，通過生產(chǎn)性優(yōu)良的低成本的中繼基板，能夠得到廉價(jià)的立體電 路裝置。另外，在本實(shí)施方式中，以將電路部件安裝于第1電路基板的例子進(jìn) 行了說明，不過不限于此。例如，可以將電路部件安裝于第1電路a、
第1電路J4l和第2電路141的兩方。由此，能夠安裝許多需要屏蔽的電
路部件。
此外，在本實(shí)施方式中，使用第1實(shí)施方式的中繼基板l進(jìn)行了說明， 不過使用上述各實(shí)施形態(tài)中所說明的中繼M，也都能夠獲得同樣的效果。
此外，在本實(shí)施方式中，以通過中繼基板連接兩枚電路基板的例子進(jìn) 行了說明，不過不限于此。例如，可以分別通過中繼基板多級(jí)連接三枚以 上的多枚電路141，也能夠獲得同樣的效果。
另外，在上述各實(shí)施方式中，以從絕緣性母基板上分離切割下包括一
個(gè)第2孔的區(qū)域而制作中繼基昧的例子進(jìn)行了說明，不過不限于此。例如， 也可以利用笫1孔分離切割下包括兩個(gè)以上的第2孔的區(qū)域。
由此，能夠獨(dú)立地對(duì)需要屏蔽的電路部件進(jìn)行屏蔽，所以能夠預(yù)防電 磁波干擾于未然。此外，能夠分別對(duì)多個(gè)電路M間進(jìn)行中繼，所以能夠 容易應(yīng)對(duì)復(fù)雜的電路M配置等。另外，還能夠設(shè)為中繼M的機(jī)械強(qiáng)度 提高、操作容易的結(jié)構(gòu)。
此外，在上述各實(shí)施方式中，以將連接端子電極和導(dǎo)電過孔以包圍第 2孔的周圍的方式^:置于全周的例子進(jìn)行了"i兌明，不過不限于此。例如， 在殼體形狀為四角形的情況下，可以在一邊、相對(duì)的邊或三邊等進(jìn)行局部 設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明中的中繼141和其制造方法以及使用了該中繼M的立體 電路裝置，能夠通過薄型的、耐干擾性優(yōu)良的中繼基板連接電路基板間， 所以在高速驅(qū)動(dòng)的、要求小型矮化化的便攜信息設(shè)備、小型的電子設(shè)備等 的技術(shù)領(lǐng)域有用處。
權(quán)利要求
1. 一種中繼基板，該中繼基板是至少連接第1電路基板和第2電路基板的中繼基板，其特征在于，具備具有設(shè)置于外周的凹陷部和設(shè)置于內(nèi)周的孔的殼體；連接所述殼體的上下面的多個(gè)連接端子電極；設(shè)置于所述凹陷部的屏蔽電極；和設(shè)置于所述殼體的上下面的局部的與所述屏蔽電極連接的接地電極。
2. 如權(quán)利要求l所述的中繼基板，其特征在于， 所述連接端子電極，被連續(xù)設(shè)置于所述孔的內(nèi)周側(cè)面和所述殼體的上下面。
3. 如權(quán)利要求1所述的中繼J4SL，其特征在于， 所述連接端子電極，包括貫通所述殼體的上下面的導(dǎo)電過孔。
4. 如權(quán)利要求l所述的中繼基板，其特征在于， 以所述屏蔽電極作為第1屏蔽電極， 在所述孔的內(nèi)周側(cè)面設(shè)置第2屏蔽電極。
5. —種中繼M的制造方法，其特征在于，包括 在絕緣性母141的至少預(yù)定的位置形成多個(gè)第1孔的第1步驟； 在被所述第1孔包圍的區(qū)域形成至少一個(gè)第2孔的第2步驟； 至少在所述第1孔的內(nèi)周側(cè)面形成屏蔽電極的第3步驟； 形成連接所述絕緣性母基板的上下面的多個(gè)連接端子電極的第4步驟；的接地電極的第5步驟；和利用所述第1孑L，從所述絕緣性母基板分離切割下包括至少一個(gè)所述 第2孔的區(qū)域的第6步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的中繼J41的制造方法，其特征在于，在所述第4步驟中，在所述絕緣性母M的上下面和所述第2孔的內(nèi)周側(cè)面上連續(xù)形成所述多個(gè)連接端子電極。
7. 如權(quán)利要求5所述的中繼基板的制造方法，其特征在于， 所述第4步驟，包括第4-1步驟，在由所述第1孔和第2孔包圍的所述絕緣性母基板上形 成多個(gè)通孔；和第4-2步驟，在所述通孔中形成導(dǎo)電過孔而形成所述多個(gè)連接端子電極。
8. 如權(quán)利要求5所述的中繼M的制造方法，其特征在于， 所述第3步驟，包括在所述第l孔的內(nèi)周側(cè)面形成第l屏蔽電極，在所述第2孔的內(nèi) 周側(cè)面形成第2屏蔽電極的步驟； 所述第5步驟，包括在所述絕緣性母J4l的上下面的預(yù)定的區(qū)域形成與所述第1屏蔽 電極和所述第2屏蔽電極連接的接地電極的步驟。
9. 一種立體電路裝置，其特征在于，通過如權(quán)利要求1所述的中繼皿，至少連接第1電路^和第2電 路絲。
10. 如權(quán)利要求9所述的立體電路裝置，其特征在于，在所述第1電路a及所述第2電路基板中的至少一方安裝電路部件。
全文摘要
一種中繼基板(1)，該中繼基板(1)是至少連接第1電路基板和第2電路基板的中繼基板，其具有如下結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具備具有設(shè)置于外周的凹陷部(10a)和設(shè)置于內(nèi)周的孔(22)的殼體(10)、連接殼體(10)的上下面的多個(gè)連接端子電極(12a、12c)、設(shè)置于凹陷部(10a)的屏蔽電極(11)和與屏蔽電極(11)連接的設(shè)置于殼體的上下面(10)的局部的接地電極(13)。
文檔編號(hào)H01R13/658GK101416567SQ20078001188
公開日2009年4月22日 申請(qǐng)日期2007年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月10日
發(fā)明者光明寺大道, 八木能彥, 森將人, 永井耕一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社