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      測(cè)溫裝置的制作方法

      文檔序號(hào):6886836閱讀:106來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):測(cè)溫裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及測(cè)定配置在容器內(nèi)的被測(cè)溫體的溫度的測(cè)溫裝置。
      背景技術(shù)
      在半導(dǎo)體的制造過(guò)程中,在將半導(dǎo)體基板載置在處理容器內(nèi)的載 置臺(tái)上的狀態(tài)下,向處理容器內(nèi)供給處理氣體,并利用內(nèi)置在載置臺(tái) 中的加熱器等加熱機(jī)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行加熱,在半導(dǎo)體基板上實(shí)施 規(guī)定的處理。在這種處理中,由于加熱溫度對(duì)半導(dǎo)體基板的品質(zhì)有很 大影響,因此需要正確地測(cè)定載置臺(tái)(或加熱機(jī)構(gòu))的溫度。因此, 在測(cè)定載置臺(tái)的溫度時(shí),大多使用熱響應(yīng)性?xún)?yōu)異的熱電偶。其中,大 多使用具有由有耐熱性的金屬等構(gòu)成的護(hù)套和配置在該護(hù)套內(nèi)的熱電
      偶導(dǎo)線束的護(hù)套熱電偶(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)l、 2)。
      專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)平4-63281號(hào)公報(bào)
      專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本專(zhuān)利特開(kāi)平6-176855號(hào)公報(bào)
      通常,護(hù)套熱電偶以其前端部與載置臺(tái)接觸的方式氣密地安裝在 處理容器的壁部,但由于其為長(zhǎng)條形狀,在長(zhǎng)度方向容易產(chǎn)生安裝誤 差。另外,如果向處理容器內(nèi)供給處理氣體,由于處理容器內(nèi)的壓力 變化等,載置臺(tái)會(huì)稍稍移動(dòng),所以護(hù)套熱電偶的前端部容易變成不與 載置臺(tái)接觸的狀態(tài)。如果前端部變?yōu)椴慌c載置臺(tái)接觸的狀態(tài),則不能 正確地測(cè)定載置臺(tái)的溫度。因此,為了補(bǔ)償安裝誤差,并且跟隨載置 臺(tái)的運(yùn)動(dòng),考慮使用波紋管將護(hù)套熱電偶安裝在處理容器的壁部,使 得相對(duì)于載置臺(tái)進(jìn)退的方向、即長(zhǎng)度方向具有自由度。
      然而,在使用波紋管將護(hù)套熱電偶安裝在處理容器的壁部的情況 下,當(dāng)使處理容器內(nèi)減壓時(shí),波紋管內(nèi)也會(huì)減壓,護(hù)套熱電偶被壓在 載置臺(tái)一側(cè),有時(shí)會(huì)導(dǎo)致護(hù)套熱電偶損傷
      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題完成的,其目的在于提供一種測(cè)溫裝置, 其為使用護(hù)套熱電偶的測(cè)溫裝置,該測(cè)溫裝置能夠防止由于容器內(nèi)的 減壓引起的護(hù)套熱電偶或被測(cè)溫體的損傷,并能夠正確地測(cè)定被測(cè)溫 體的溫度。
      另外,本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種測(cè)溫裝置,其為使用護(hù) 套熱電偶的測(cè)溫裝置,該測(cè)溫裝置除了能夠防止由于容器內(nèi)的減壓引 起的護(hù)套熱電偶或被測(cè)溫體的損傷,并能夠正確地測(cè)定被測(cè)溫體的溫 度外,還能夠防止由于容器內(nèi)的腐蝕氣體引起的腐蝕。
      本發(fā)明的測(cè)溫裝置,其測(cè)定配置在處理容器內(nèi)的被測(cè)溫體的溫度, 其特征在于,包括護(hù)套熱電偶,其包括護(hù)套和配置在護(hù)套內(nèi)的熱電 偶導(dǎo)線束,并且具有前端部和緩沖部,上述前端部在處理容器內(nèi)延伸, 與被測(cè)溫體接觸,并跟隨該被測(cè)溫體在進(jìn)退方向移動(dòng),上述緩沖部在 處理容器外延伸,允許前端部的移動(dòng);密閉部件,其固定在處理容器 外表面,容納護(hù)套熱電偶的緩沖部;和彈簧部件,其配置在密閉部件
      內(nèi),使護(hù)套熱電偶的前端部向被測(cè)溫體一側(cè)施力,其中,護(hù)套熱電偶 的緩沖部終端部,從密閉部件通過(guò)焊接部或釬焊部進(jìn)一步向外延伸伸 出。
      本發(fā)明的測(cè)溫裝置的特征在于,處理容器內(nèi)為腐蝕氣體氣氛,護(hù) 套、密閉部件和彈簧部件均由對(duì)腐蝕氣體具有耐蝕性的材料制成。
      本發(fā)明的測(cè)溫裝置的特征在于,上述彈簧部件由螺旋彈簧構(gòu)成, 在上述密閉部件內(nèi)收容有活塞,該活塞隨著上述螺旋彈簧的伸縮,在 相對(duì)于上述被測(cè)溫體進(jìn)退的方向移動(dòng),且由對(duì)上述腐蝕氣體具有耐蝕 性的材料制成,上述護(hù)套熱電偶固定在上述活塞上。
      本發(fā)明的測(cè)溫裝置的特征在于,上述腐蝕氣體為含有鹵素的氣體,
      對(duì)上述腐蝕氣體具有耐蝕性的材料為鎳(Ni)或鎳合金。
      本發(fā)明的測(cè)溫裝置的特征在于,上述彈簧部件由因科鎳合金
      (inconel,注冊(cè)商標(biāo))構(gòu)成。
      本發(fā)明的測(cè)溫裝置的特征在于,上述緩沖部在相對(duì)于上述被測(cè)溫 體進(jìn)退的方向上能夠伸縮地彎曲。
      本發(fā)明的測(cè)溫裝置的特征在于,上述緩沖部呈螺旋狀彎曲。 本發(fā)明的測(cè)溫裝置的特征在于,上述緩沖部呈波形彎曲。采用本發(fā)明,由設(shè)置在容器內(nèi)且能夠跟隨被測(cè)溫體在進(jìn)退方向移 動(dòng)的前端部、和以向容器外延伸伸出的方式設(shè)置且允許前端部移動(dòng)的 緩沖部構(gòu)成護(hù)套熱電偶,并且設(shè)有在使護(hù)套熱電偶的前端部壓在被測(cè) 溫體上的方向上施力的彈簧部件,所以可以不使用受到容器內(nèi)外的壓 力差的很大影響的波紋管,而使護(hù)套熱電偶的前端部可靠地與被測(cè)溫 體接觸。因此,能夠防止由于容器內(nèi)的減壓引起的護(hù)套熱電偶或被測(cè) 溫體的損傷,并能夠正確地測(cè)定被測(cè)溫體的溫度。
      另外,采用本發(fā)明,由設(shè)置在容器內(nèi)且能夠跟隨被測(cè)溫體在進(jìn)退 方向移動(dòng)的前端部、和以向容器外延伸伸出的方式設(shè)置且允許前端部 移動(dòng)的緩沖部構(gòu)成護(hù)套熱電偶,并且設(shè)有在使護(hù)套熱電偶的前端部壓 在被測(cè)溫體上的方向上施力的彈簧部件,所以可以不使用受到容器內(nèi) 外的壓力差的很大影響的波紋管,不剝離成為降低耐蝕性的主要原因 的護(hù)套的一部分,而使護(hù)套熱電偶的前端部可靠地與被測(cè)溫體接觸。 并且,由于暴露在容器內(nèi)的腐蝕氣體氣氛中的護(hù)套、密閉部件和彈簧 部件均由對(duì)腐蝕氣體具有耐蝕性的材料制成,通過(guò)焊接或釬焊形成密 閉部件與護(hù)套的接合部,能夠防止由于腐蝕氣體引起的腐蝕。因此, 能夠防止由于容器內(nèi)的減壓引起的護(hù)套熱電偶或被測(cè)溫體的損傷以及 由容器內(nèi)的腐蝕氣體引起的腐蝕,并能夠正確地測(cè)定被測(cè)溫體的溫度。


      圖1為示意性地表示具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的測(cè)溫裝置的晶片 處理裝置的截面圖。
      圖2 (a)為測(cè)溫裝置的截面圖,圖2 (b)為表示護(hù)套熱電偶的截 面圖。
      圖3為表示設(shè)在測(cè)溫裝置中的緩沖部的變形例的圖。
      圖4為表示測(cè)溫裝置在處理容器中的另一安裝方式的圖。
      圖5為表示設(shè)在測(cè)溫裝置中的密閉部件的變形例的圖。
      圖6為表示作為比較例的護(hù)套熱電偶在處理容器中的安裝方式的圖。
      具體實(shí)施方式
      下面,參照附圖,具體地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。 圖1為示意性地表示具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的測(cè)溫裝置的晶片 處理裝置的截面圖。
      晶片處理裝置100包括能夠收容作為半導(dǎo)體基板的晶片W的作
      為處理容器的腔室l;基座4,其配置在該腔室l內(nèi),載置晶片W并 作為調(diào)整晶片W溫度的調(diào)溫部;測(cè)定該基座4 (被測(cè)溫體)溫度的測(cè) 溫裝置5;處理氣體供給機(jī)構(gòu)2,其向腔室1內(nèi)供給用于對(duì)晶片W進(jìn) 行規(guī)定處理的含有腐蝕氣體的處理氣體;和能夠使腔室1內(nèi)減壓的減 壓機(jī)構(gòu)3。
      腔室1形成為上部開(kāi)口的大致筒狀,在腔室1的側(cè)壁上形成有用 于搬入搬出晶片W的搬入搬出口 13。設(shè)有開(kāi)閉該搬入搬出口 13的閘 闊14?;?通過(guò)在高度方向延伸的支柱部件11設(shè)在腔室1的底壁 19上,其內(nèi)部埋設(shè)有加熱器40,該加熱器40與加熱器電源41連接。 根據(jù)測(cè)溫裝置5的測(cè)定溫度,由控制器90控制加熱器電源41,即加 熱器40,由此,能夠調(diào)整載置在基座4上的晶片W的溫度。
      在腔室1的上部,以閉塞開(kāi)口且與基座4相對(duì)的方式設(shè)有噴淋頭 15。噴淋頭15的內(nèi)部具有使來(lái)自處理氣體供給機(jī)構(gòu)2的處理氣體擴(kuò)散 的擴(kuò)散空間16,并且在與基座4相對(duì)的面上形有噴出來(lái)自處理氣體供 給機(jī)構(gòu)2的處理氣體的復(fù)數(shù)或多數(shù)的噴出孔17。
      在腔室1的側(cè)壁的下部形成有排氣口 18。減壓機(jī)構(gòu)3具有與排氣 口 18連接的排氣管31和通過(guò)排氣管31排出腔室1內(nèi)氣體的排氣裝置 32。
      處理氣體機(jī)構(gòu)2包括處理氣體存儲(chǔ)部21,其存儲(chǔ)含有卣素類(lèi)氣 體(含有鹵素的氣體)等腐蝕氣體的處理氣體;將來(lái)自處理氣體存儲(chǔ) 部21的處理氣體導(dǎo)入噴淋頭15的擴(kuò)散空間16內(nèi)的導(dǎo)管22;以及調(diào) 整在導(dǎo)管22內(nèi)流通的處理氣體流量的作為流量調(diào)整機(jī)構(gòu)的質(zhì)量流量 控制器23和閥24。其中,在向腔室1內(nèi)供給多種不同種類(lèi)的處理氣 體的情況下,例如可以設(shè)置多個(gè)處理氣體供給機(jī)構(gòu)2。
      接著,詳細(xì)說(shuō)明測(cè)溫裝置5。
      圖2 (a)為測(cè)溫裝置5的截面圖,圖2 (b)為護(hù)套熱電偶50的 截面圖。測(cè)溫裝置5包括具有前端部(軸方向一側(cè))50a和緩沖部(軸方 向另一側(cè))50b的護(hù)套熱電偶50、和固定在腔室1的外表面且容納護(hù) 套熱電偶50的緩沖部50b的密閉部件51。其中,前端部50a在腔室l 內(nèi)延伸,與基座4接觸,并且跟隨該基座4,在進(jìn)退方向移動(dòng)。緩沖 部50b在腔室1外延伸,允許前端部50a的移動(dòng)。并且,在密閉部件 51內(nèi)收容有安裝在護(hù)套熱電偶50上的活塞54、和壓縮螺旋彈簧53。 該壓縮螺旋彈簧53安裝在活塞54上,作為在使護(hù)套熱電偶50的前端 部50a壓在基座4上的方向施力的彈簧部件。收容有該活塞54、壓縮 螺旋彈簧53和緩沖部50b的密閉部件51,以其內(nèi)部與腔室1的內(nèi)部 連通的方式,與腔室1的壁部、例如底壁19氣密地密合。緩沖部50b 的終端部分向密閉部件51的外部延伸伸出,接合部55氣密地設(shè)置在 密閉部件51中緩沖部50b的終端部分在外部(腔室1外的氣氛一側(cè)) 延伸的部分上。
      如圖2 (b)所示,護(hù)套熱電偶50包括熱電偶導(dǎo)線束50c、包覆該 熱電偶導(dǎo)線束50c的中空護(hù)套50d、和填充在該護(hù)套50d內(nèi)的氧化鎂等 絕緣材料50e。護(hù)套熱電偶50的護(hù)套50d由對(duì)鹵素類(lèi)氣體具有耐蝕性 的材料,例如純鎳(Ni)或者鎳-鉻-鉬(NiCrMo)或哈斯特洛依耐蝕 耐熱鎳基合金(Hastelloy)等鎳合金形成。其中,護(hù)套50d和絕緣材 料50e可以不必設(shè)置在從密閉部件51向外部延伸伸出的部分上。
      護(hù)套熱電偶50的前端部50a,例如通過(guò)插入在基座4的下表面形 成的插入孔4a內(nèi)而與基座4接觸。護(hù)套熱電偶50的緩沖部50b以能 夠在相對(duì)于基座4進(jìn)退的方向伸縮的方式例如呈螺旋狀屈曲或彎曲。 護(hù)套熱電偶50的終端部與信號(hào)傳送部52連接。信號(hào)傳送部52將護(hù)套 熱電偶50的測(cè)定溫度信號(hào)傳送至后述的控制器90,控制器90根據(jù)該 測(cè)定溫度信號(hào)控制加熱器電源41,即控制加熱器40的溫度。
      密閉部件51由對(duì)鹵素類(lèi)氣體具有耐蝕性的材料,例如與護(hù)套熱電 偶50的護(hù)套50d同種金屬的純鎳或鎳合金構(gòu)成,并具有筒狀形狀。密 閉部件51按照從軸方向一側(cè)向另一側(cè)的順序,依次具有收容有壓縮螺 旋彈簧53和活塞54的氣缸部51b、以及收容有護(hù)套熱電偶50的緩沖 部50b的緩沖收容部51c。其中,活塞54能夠隨著壓縮螺旋彈簧53 的伸縮,在相對(duì)于基座4進(jìn)退的方向移動(dòng)。在密閉部件51的軸方向的一端部,形成有法蘭51a。密閉部件51通過(guò)法蘭51a的一端面氣密地 與腔室1的底壁19的外表面(底面)接觸而安裝。在密閉部件51的 軸方向另一側(cè)的壁部設(shè)有上述接合部55。接合部55通過(guò)悍接或釬焊 形成。這里,通過(guò)用與護(hù)套熱電偶50的護(hù)套50d同種的金屬制造密閉 部件51,兩者的焊接或釬焊良好,能夠利用接合部55可靠地將護(hù)套 50d固定在密閉部件51上。
      壓縮螺旋彈簧53由對(duì)鹵素類(lèi)氣體具有耐蝕性,且能夠確保彈性力 和材料,例如因科鎳合金(注冊(cè)商標(biāo),inconel,因科鎳合金絲)或含 有鎳、鉬的SUS316L等制成?;钊?4由對(duì)鹵素類(lèi)氣體具有耐蝕性的 材料,例如與護(hù)套熱電偶50的護(hù)套同種金屬的純鎳或鎳合金制成。在 活塞54上設(shè)置有護(hù)套熱電偶50的護(hù)套貫通內(nèi)部的貫通口,這兩者通 過(guò)焊接或釬焊、或者鉚接等固定。這樣,護(hù)套熱電偶50的前端部50a 利用隔著活塞54的壓縮螺旋彈簧53的彈性力施力,使其壓在基座4 上(圖2 (a)的箭頭F方向)。其中,通過(guò)用與護(hù)套熱電偶50的護(hù)套 50d同種的金屬制造活塞54,兩者的焊接或釬焊良好,能夠可靠地固 定在護(hù)套50d上。
      晶片處理裝置100的各構(gòu)成部,與具有微處理器(計(jì)算機(jī))的控 制器卯(控制部)連接并受其控制。該控制器90與用戶(hù)接口和存儲(chǔ) 有方案的存儲(chǔ)部連接,其中,上述用戶(hù)接口由工序管理者用于管理晶 片處理裝置100的各構(gòu)成部而輸入指令的鍵盤(pán)、可視化顯示晶片處理 系統(tǒng)1的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的顯示器等構(gòu)成;上述方案包括用于在控制器90的 控制下實(shí)現(xiàn)在晶片處理裝置100中執(zhí)行的處理的控制程序和處理?xiàng)l件 數(shù)據(jù)。根據(jù)需要,按照來(lái)自用戶(hù)接口的指示等,從存儲(chǔ)部調(diào)出任意方 案,由控制器90執(zhí)行,在控制器90的控制下,在晶片處理裝置100
      中進(jìn)行希望的處理。
      在如此構(gòu)成的晶片處理裝置100中,如下所述進(jìn)行晶片W的處理。 首先,利用閘閥14打開(kāi)搬入搬出口 13,在該狀態(tài)下,將晶片W從搬 入搬出口 13搬入腔室1內(nèi),載置在基座4上,利用閘閥14關(guān)閉搬入 搬出口 13。
      然后,使減壓機(jī)構(gòu)3的排氣裝置32工作,將腔室1內(nèi)減壓至規(guī)定 壓力,例如真空壓力,并利用處理氣體供給機(jī)構(gòu)2,通過(guò)噴淋頭15,以規(guī)定流量向腔室1內(nèi)供給處理氣體,并利用加熱器40隔著基座4對(duì)
      晶片W進(jìn)行加熱。如上所述,當(dāng)利用加熱器40進(jìn)行加熱時(shí),護(hù)套熱 電偶50測(cè)定基座4的溫度,信號(hào)傳送部52將利用護(hù)套熱電偶50得到 的基座4的測(cè)定溫度信號(hào)傳送至控制器90??刂破?0根據(jù)該測(cè)定溫 度信號(hào)控制加熱器40的溫度,由此能夠?qū)⒒?上的晶片W調(diào)整至 規(guī)定的溫度。這樣,對(duì)晶片W進(jìn)行規(guī)定的處理。
      其中,當(dāng)利用處理氣體供給機(jī)構(gòu)2向腔室1內(nèi)供給處理氣體和/或 利用減壓機(jī)構(gòu)3使腔室1內(nèi)減壓時(shí),由于腔室1內(nèi)的壓力發(fā)生變化, 在基座4上多少產(chǎn)生搖擺等運(yùn)動(dòng)。然而,護(hù)套熱電偶50的緩沖部50b 在相對(duì)于基座4進(jìn)退的方向伸縮,而且護(hù)套熱電偶50的前端部50a被 壓縮螺旋彈簧53施力,使其壓在基座4上,所以護(hù)套熱電偶50的前 端部50a可以跟隨基座4的運(yùn)動(dòng)移動(dòng),保持與基座4的接觸。因此, 能夠正確地測(cè)定基座4的溫度,這樣,能夠高精度地控制加熱器40的 溫度,提高晶片W處理的品質(zhì)。
      另外,由于利用彈簧部件例如壓縮螺旋彈簧53施力,使護(hù)套熱電 偶50的前端部50a壓在基座4上,可以不需要如先前那樣,使用利用 大氣和真空的壓差作用非常大的壓緊力的波紋管,因此,能夠防止由 于腔室1內(nèi)的減壓,導(dǎo)致護(hù)套熱電偶50被強(qiáng)烈地壓在基座4上,由此 能夠防止護(hù)套熱電偶50和基座4的損傷,提高裝置的耐久性。
      另外,通過(guò)將護(hù)套熱電偶50同護(hù)套50d —起例如彎曲成螺旋狀, 形成緩沖部50b,不需要如先前那樣,剝離護(hù)套的一部分,使熱電偶 導(dǎo)線束露出,因此能夠確保耐熱性,這樣,即使在腔室1內(nèi)保持高溫 的情況下也能夠?qū)?yīng)。
      其中,緩沖部50b優(yōu)選具有極小的曲率,以減輕伸縮時(shí)的負(fù)荷, 此外優(yōu)選在相對(duì)于基座4進(jìn)退的方向上具有一定規(guī)則性的形狀,以分 散伸縮時(shí)的負(fù)荷。作為這種緩沖部52b的形狀,除了圖2 (a)所示的 螺旋狀以外,可以列舉出例如圖3所示的波形。
      此外,暴露在腔室1內(nèi)的處理氣體,例如鹵素類(lèi)氣體等腐蝕氣體 氣氛中的測(cè)溫裝置5的各部件,g卩,護(hù)套熱電偶50的護(hù)套50d、密閉 部件51、壓縮螺旋彈簧53和活塞54均由對(duì)處理氣體具有耐蝕性的材 料,例如鎳或鎳合金形成。另外,氣密地接合護(hù)套熱電偶50的護(hù)套50d和密閉部件51的接合部55通過(guò)焊接或釬焊形成。因此,不需要 全部使用樹(shù)脂等有機(jī)類(lèi)材料,能夠防止處理氣體對(duì)測(cè)溫裝置5的腐蝕, 能夠避免有機(jī)污染。
      接著,以規(guī)定時(shí)間進(jìn)行利用減壓機(jī)構(gòu)3對(duì)腔室1內(nèi)的減壓、利用 處理氣體供給機(jī)構(gòu)2向腔室1內(nèi)供給處理氣體、以及利用加熱器40對(duì) 晶片W的加熱。如果對(duì)晶片W實(shí)施規(guī)定的處理,則停止利用處理氣 體供給機(jī)構(gòu)2向腔室1內(nèi)供給處理氣體和利用加熱器40對(duì)晶片W的 加熱,利用閘閥14打開(kāi)搬入搬出口 13,將晶片W從搬入搬出口 13 搬出至腔室l外。
      下面,利用圖6說(shuō)明本發(fā)明的比較例。
      如圖6所示,將稍微伸縮這里為伸長(zhǎng)狀態(tài)的波紋管C的一端部和 另一端部分別氣密地安裝在護(hù)套熱電偶A和處理容器的壁部,例如底 壁D上,由此預(yù)先將護(hù)套熱電偶A輕微地壓在載置臺(tái)B上,利用波紋 管C的伸縮,使護(hù)套熱電偶A跟隨載置臺(tái)的運(yùn)動(dòng)。
      但是,通常在半導(dǎo)體的制造過(guò)程中,當(dāng)供給處理氣體時(shí),除了進(jìn) 行使處理容器內(nèi)減壓至例如真空的操作以外,通常波紋管根據(jù)制造過(guò) 程的情況會(huì)有一定的直徑R。因此,在安裝使用上述波紋管C的護(hù)套 熱電偶的情況下,使處理容器內(nèi)減壓至例如真空壓力,波紋管C上會(huì) 受到與其徑R相應(yīng)的大氣與真空的壓差,在護(hù)套熱電偶A上作用向載 置臺(tái)B的非常大的按壓力(參照?qǐng)D6的箭頭E)。結(jié)果,護(hù)套熱電偶A 被強(qiáng)烈地壓在載置臺(tái)B上,可能會(huì)導(dǎo)致護(hù)套熱電偶A或載置臺(tái)B損傷。
      與此相對(duì),采用本申請(qǐng)的發(fā)明,由于不需要如上所述使用波紋管, 護(hù)套熱電偶50不會(huì)由于腔室1內(nèi)的減壓而強(qiáng)烈地壓在基座4上,能夠 防止護(hù)套熱電偶50和基座4的損傷。
      此外,本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式,可以進(jìn)行各種變形。在上述 實(shí)施方式中,以護(hù)套熱電偶50在腔室1內(nèi)露出的方式配置測(cè)溫裝置5。 但也可以如圖4所示,以護(hù)套熱電偶50收容在筒狀的支柱部件11內(nèi) 的方式配置測(cè)溫裝置5。
      另外,在上述實(shí)施方式中,使收容緩沖部50b的緩沖收容部51c、 收容壓縮螺旋彈簧53和活塞54的氣缸部51b、和從氣缸部51b的一 端部突出的法蘭51a形成一體,構(gòu)成密閉部件51,并且以法蘭51a的一個(gè)端面緊貼腔室1的底壁19的外表面的方式安裝該密閉部件51。
      但是,也可以例如圖5所示,密閉部件51具有安裝在腔室1的底壁 19的外表面(底面)上的外側(cè)部件51d和安裝在腔室1的底壁19的 內(nèi)表面(上面)上的內(nèi)側(cè)部件51e。在這種情況下,在外側(cè)部件51d 和內(nèi)側(cè)部件51e之間配置有緩沖部50b、壓縮螺旋彈簧53和活塞54。 在圖5中,外側(cè)部件51d形成為收容緩沖部50b的容器狀,內(nèi)側(cè)部件 51e形成為圍繞護(hù)套熱電偶50的圓環(huán)狀,壓縮螺旋彈簧53和活塞54 以?shī)A在外側(cè)部件51d與內(nèi)側(cè)部件51e之間的方式配置在腔室1的底壁 19內(nèi)。在這種情況下,腔室l的底壁19的圍繞壓縮螺旋彈簧53和活 塞54的部分也作為密閉部件51的一部分發(fā)揮作用。利用這種結(jié)構(gòu), 能夠?qū)崿F(xiàn)密閉部件51 (密閉部件51從腔室1的底壁19突出的部分) 的小型化。另外,也可以不使用內(nèi)側(cè)部件50e,以?shī)A在外側(cè)部件51d 和腔室1的底壁19之間的方式配置壓縮螺旋彈簧53和活塞54,或者 還可以不使用外側(cè)部件,使內(nèi)側(cè)部件50e形成為容器狀,將緩沖部50b、 壓縮螺旋彈簧53和活塞54收容在內(nèi)側(cè)部件50e內(nèi)。
      此外,在上述實(shí)施方式中,使用壓縮螺旋彈簧作為彈簧部件,但 不限于此,也可以使用拉伸螺旋彈簧等其他彈簧。
      另外,在上述實(shí)施方式中,對(duì)于利用加熱器的加熱調(diào)整半導(dǎo)體晶 片的溫度的情況的使用例進(jìn)行說(shuō)明,但不限于此,例如在利用冷卻板 的冷卻調(diào)整晶片溫度的情況下也適用。另外,被處理體不限于半導(dǎo)體 晶片,也可以為FPD用玻璃基板等。
      產(chǎn)業(yè)上的可利用性
      本發(fā)明普遍適用于對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行成膜處理的CVD (化學(xué)氣相 沉積Chemical Vapor Deposition)裝置或?qū)OR (化學(xué)氧化物除去 Chemical Oxide Removal)處理后的半導(dǎo)體基板進(jìn)行熱處理的后加熱裝 置等,對(duì)配置在腐蝕氣體氣氛的容器內(nèi)的基座等被測(cè)溫體的溫度進(jìn)行 測(cè)定的用途。
      權(quán)利要求
      1. 一種測(cè)溫裝置,其測(cè)定配置在處理容器內(nèi)的被測(cè)溫體的溫度,其特征在于,包括護(hù)套熱電偶,其包括護(hù)套和配置在護(hù)套內(nèi)的熱電偶導(dǎo)線束,并且具有前端部和緩沖部,所述前端部在處理容器內(nèi)延伸,與被測(cè)溫體接觸,并跟隨該被測(cè)溫體在進(jìn)退方向移動(dòng),所述緩沖部在處理容器外延伸,允許前端部的移動(dòng);密閉部件,其固定在處理容器外表面,容納護(hù)套熱電偶的緩沖部;和彈簧部件,其配置在密閉部件內(nèi),使護(hù)套熱電偶的前端部向被測(cè)溫體一側(cè)施力,其中,護(hù)套熱電偶的緩沖部終端部,從密閉部件通過(guò)焊接部或釬焊部進(jìn)一步向外延伸伸出。
      2. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)溫裝置,其特征在于 處理容器內(nèi)為腐蝕氣體氣氛,護(hù)套、密閉部件和彈簧部件均由對(duì)腐蝕氣體具有耐蝕性的材料制成。
      3. 如權(quán)利要求2所述的測(cè)溫裝置,其特征在于 所述彈簧部件由螺旋彈簧構(gòu)成,在所述密閉部件內(nèi)收容有活塞,該活塞隨著所述螺旋彈簧的伸縮, 在相對(duì)于所述被測(cè)溫體進(jìn)退的方向移動(dòng),且由對(duì)所述腐蝕氣體具有耐 蝕性的材料制成,所述護(hù)套熱電偶固定在所述活塞上。
      4. 如權(quán)利要求2或3所述的測(cè)溫裝置,其特征在于所述腐蝕氣體為含有鹵素的氣體,對(duì)所述腐蝕氣體具有耐蝕性的材料由鎳(Ni)或鎳合金構(gòu)成。
      5. 如權(quán)利要求l所述的測(cè)溫裝置,其特征在于 所述彈簧部件由因科鎳合金(注冊(cè)商標(biāo))構(gòu)成。
      6. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)溫裝置,其特征在于所述緩沖部在相對(duì)于所述被測(cè)溫體進(jìn)退的方向上能夠伸縮地彎曲。
      7. 如權(quán)利要求6所述的測(cè)溫裝置,其特征在于 所述緩沖部呈螺旋狀彎曲。
      8. 如權(quán)利要求6所述的測(cè)溫裝置,其特征在于 所述緩沖部呈波形彎曲。
      全文摘要
      測(cè)溫裝置(5)包括具有前端部(50a)和緩沖部(50b)的護(hù)套熱電偶(50),上述前端部(50a)能夠跟隨基座(4)在進(jìn)退方向移動(dòng),上述緩沖部(50b)以在腔室(1)外延伸伸出的方式設(shè)置,允許前端部(50a)的移動(dòng);和在使前端部(50a)壓在基座(4)上的方向上施力的壓縮螺旋彈簧(53)。收容壓縮螺旋彈簧(53)和緩沖部(50b)的密閉部件(51)以其內(nèi)部與腔室(1)內(nèi)連通的方式與腔室(1)的底壁(19)密接。緩沖部(50b)的終端部分向密閉部件(51)的外部延伸伸出,利用焊接,在密閉部件(51)中緩沖部(50b)的終端部分向外部延伸伸出的部分上形成接合部(55)。
      文檔編號(hào)H01L21/205GK101421599SQ200780012739
      公開(kāi)日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2007年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月6日
      發(fā)明者朝倉(cāng)賢太朗 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
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