專利名稱：電子部件模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶有至少一個多層的電路支承體組件的電子部件模塊。
背景技術(shù)：
在部件技術(shù)中，總是努力使得這些部件模塊一方面應(yīng)當(dāng)效率越來越 高，而另一方面這些部件模塊應(yīng)當(dāng)越來越小。新材料、工藝技術(shù)以及裝配 技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)具有更快的開關(guān)循環(huán)和更為緊湊的構(gòu)型的電子元件。在 這種小型化中出現(xiàn)的一個問題是，將這種部件模塊工作時出現(xiàn)的廢熱散 發(fā)。這種部件模塊的緊湊性以不同的方式來實現(xiàn)，其中著重是多層的電路 支承體組件，因為通過將面積重新分布在第三維度中可以極大地減小通常
的二維電路板。通常，引出損耗熱的問題源自以下情況對于電路支承體 組件可用的電絕a料僅僅能夠?qū)崿F(xiàn)有限的熱傳導(dǎo)。
針對具有損耗的電器件的散熱的材料技術(shù)和工藝技術(shù)解決方案尤其 是在功率電子學(xué)中已公開。在WO 2004/045016 A2中公開了一種使用 LTCC (低溫共燒陶瓷)的多層陶瓷襯底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中在該陶資襯底 之下構(gòu)建了金屬支承體，并且功率部件安裝在該陶瓷襯底的上側(cè)上。通過 陶瓷襯底，構(gòu)建了金屬熱通孔，這些通孔引導(dǎo)至金屬支承體，以^更能夠在 垂直方向上將所產(chǎn)生的廢熱散發(fā)。
另 一熱耦合可以如下實現(xiàn)將功率部件直接安裝到電路支承體的開口 中的金屬支承體上。這種擴(kuò)展方案在US 2003/0062185 Al和US 2004/0222433 Al中被公開。
在陶瓷電路支承體和金屬冷卻體之間的連接在此例如可以通過粘合 連接、釬焊連接來建立或者在將陶瓷共燒(Cofiring)期間中建立。然而， 這些解決方案是對部件(例如發(fā)光二極管)的二維布置而設(shè)計的，并且所 產(chǎn)生的廢熱實際上^(5L僅垂直于金屬支承體的平面向下散良。
對于四層的、耐熱的電路支承體，也可以設(shè)計為，考慮LTCC技術(shù)，該技術(shù)實際上能夠?qū)崿F(xiàn)無限的層數(shù)，以及熱通孔和被沖壓的窗。此外，可 能的是，將機(jī)械和電復(fù)合結(jié)構(gòu)中的多個陶瓷電路支承體通過所謂的 陣
列(Ball-Grid-Array)彼此堆疊為三維的模塊。然而，在這些模塊中，并 不能夠容易地實現(xiàn)器件的冷卻。
此外，在已知的部件模塊中，由于熱在其中的垂直散發(fā)，所以多個電 路支承體組件彼此不可能堆疊。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的任務(wù)是，實現(xiàn)一種電子部件模塊，其可以被緊湊地構(gòu) 建，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更好的散熱。
該任務(wù)通過一種具有根據(jù)權(quán)利要求1所述的特征的電子部件模塊來 解決。
根據(jù)該解決方案的電子部件模塊包括至少一個多層的第一電路支承 體組件和冷卻裝置，其中冷卻裝置與電路支承體組件的上側(cè)接觸，特別是 盡可能大面積地接觸，并且被構(gòu)建為使得在電子部件模塊工作中產(chǎn)生的廢 熱可以在關(guān)于電路支承體組件的設(shè)置和取向的橫向方向上通過冷卻裝置 歉義。該擴(kuò)展方案一方面能夠?qū)崿F(xiàn)帶有多層的電路支承體組件的緊湊的部 件模塊，其中所產(chǎn)生的廢熱可以通過改進(jìn)的方案被散發(fā)。由此，不再進(jìn)行 熱的垂直歉t，而是進(jìn)行水平的歉義，其中必須構(gòu)建通孔來保持與金屬支 承體的接觸。廢熱散義的這種方案能夠?qū)崿F(xiàn)電路支承體組件的、關(guān)于電子 部件模塊的緊湊的類似立方體的構(gòu)型的改善的可堆疊性。在多層的電路支 承體組件側(cè)面將廢熱橫向向外引出也能夠?qū)崿F(xiàn)元件的更為有效和更為高 效的散熱。為了保持在電路支承體組件和散熱器之間的熱阻盡可能小，對 于冷卻裝置優(yōu)選的是使用一種具有盡可能大的熱傳導(dǎo)能力的材料。
優(yōu)選的是，冷卻裝置在橫向方向上至少在電路支承體組件的一個側(cè)面 上延伸超出電路支承體組件的范圍。由此，可以實現(xiàn)有效的M和與電子 部件模塊的殼體的簡單接觸。
冷卻裝置至少局部板狀地構(gòu)建。由此，可以實現(xiàn)與電子電路支承體組 件的比較大面積的接觸。
優(yōu)選的是，冷卻裝置至少局部構(gòu)建為電子部件模塊的殼體的側(cè)壁。由 此，可以實現(xiàn)非常緊湊的布置?？梢栽O(shè)計的是，至少一個多層的電路支承體組件具有至少一個隔離 層、 一個器件層和一個印制導(dǎo)線層。所提及的層可以關(guān)于它們的彼此的布 置而改變，以及可以關(guān)于它們的數(shù)量而改變?？梢栽O(shè)計的是，在層序列中， 器件層接在絕緣層之后，而印制導(dǎo)線層接在器件層之后。也可以設(shè)計的是， 印制導(dǎo)線層是最上層，隨后跟隨有器件層以及隨后是絕緣層。也可以設(shè)計 的是，在器件層和印制導(dǎo)線層之間構(gòu)建另一絕緣層。在印制導(dǎo)線層的與器 件層或者必要時存在的另外的絕緣層背離的側(cè)上可以優(yōu)選地設(shè)置冷卻裝 置。此外，另外的冷卻裝置也可以接在絕緣層之后，由此電路支承體組件 兩側(cè)地(上和下)分別設(shè)置有冷卻裝置用于橫向散熱。
優(yōu)選的是，在第一電路支承體組件和第二電路支承體組件之間構(gòu)建有 中間層，特別是絕緣的中間層，并且在電路支承體組件的與該中間層背離 的上側(cè)上分別設(shè)置冷卻裝置。印制導(dǎo)線層優(yōu)選地與中間層鄰接，并且冷卻 裝置有利地與絕緣層鄰接。
在中間層的對置的側(cè)上可以分別設(shè)置電路支承體組件，電路支承體組 件針對層布置和層的數(shù)量可以相同地構(gòu)建，或者也可以不同地構(gòu)建。
冷卻裝置優(yōu)選在它們的邊緣區(qū)域上在電路支承體組件的側(cè)面彼此相 連，特別是通過導(dǎo)熱的間隔元件相連。該連接可以優(yōu)選通過垂直取向的間 隔元件來構(gòu)建，這些間隔元件特別是導(dǎo)熱地構(gòu)建。由此，可以實現(xiàn)一種電 子部件模塊，該電子部件模塊在中間層的對置的側(cè)上分別具有多層的電路 支承體，其中電路支承體組件在它們的暴露的上側(cè)、特別^本上水平的 上側(cè)上至少局部地分別與冷卻裝置相連。冷卻裝置直接地位于該上側(cè)上。 這種三明治狀的布置能夠?qū)崿F(xiàn)部件模塊的非常緊湊的實現(xiàn)形式，該部件模
塊保證了更好的散熱，其中所述三明治狀的布置在堆疊中具有冷卻裝置， 特別是冷卻層；接在其后的多層的笫一電路支承體組件；隨后的中間層； 隨后又是多層的第二電路支承體組件；以及最后又是冷卻裝置。此外，這 種三明治狀結(jié)構(gòu)可以任意多次皿此堆疊。
然而，冷卻裝置、電路支承體組件以及中間層的任意其他的堆疊順序 也是可能的。
冷卻層在電路支承體組件的露出的上側(cè)上的布置以及特別是其中水 平的冷卻裝置在垂直方向上通過間隔元件相連的實現(xiàn)形式，能夠?qū)崿F(xiàn)冷卻 裝置同時是電子部件模塊的殼體。
在此，也可以設(shè)計的是，中間層、特別是PCB襯底或者DCB (直接銅接合氮化鋁村底)襯底同樣被散熱地構(gòu)建。例如可以設(shè)計的是，中間層 具有金屬芯、特別是鋁芯或者銅芯。當(dāng)存在借助模制引線框架技術(shù)
(Molded-Lead-Frame-Technik)的連接時，所示的發(fā)明證明是特別有利 的。在此，可以以模制引線框架技術(shù)實施包括有中間層、電路支承體組件 以及冷卻裝置的單個的或者所有元件。在這種實施形式中，電路支承體組 件的所有層可以至少局部地也空間彎曲地構(gòu)建，由此不僅絕緣層而且器件 層以及印制導(dǎo)線層都可以空間彎曲。由此，任意器件都可以通過其基本上 所有的暴露的面來冷卻。于是，也可以設(shè)計的是，M的印制導(dǎo)線或者金 屬深沖件(例如鋁深沖件或者銅深沖件)可以被至少局部地以塑料來壓力 注塑包封，并且這些擴(kuò)展方案以及普遍化最后僅^f5l取決于在電子部件模塊
中的電流和熱負(fù)載的總和以及絕緣強(qiáng)度。由此，可以實現(xiàn)將電流引導(dǎo)和冷 卻集成。此外，電路支承體組件的外側(cè)形成了包括任意的冷卻肋的殼體， 并且具有嵌體模型(Inlay-Mold)用于絕緣，然而其中可以實現(xiàn)后面的層 的熱耦合。與澆鑄實施形式相比，在這種三明治狀擴(kuò)展方案中也可以實現(xiàn) 的是，不設(shè)置電路支承體組件與中間層的粘合。在冷卻裝置中優(yōu)選地可以 設(shè)置如下區(qū)段該區(qū)段同時構(gòu)建為插頭或者插座用于冷卻裝置的電接觸。
優(yōu)選的是，冷卻裝置中的至少一個和/或中間層中的至少一個和/或電 路支承體組件中的至少一個可以以模制引線框架技術(shù)來構(gòu)建。
優(yōu)選的是，冷卻裝置至少局部地由金屬構(gòu)建，并且有利地構(gòu)建為金屬板。
冷卻裝置優(yōu)選至少局部地作為中間層設(shè)置在第一電路支承體組件和 多層的第二電路支承體組件之間。由此，可以通過冷卻裝置實現(xiàn)兩個電路 支承體組件的橫向冷卻。此外，進(jìn)一步可以改善結(jié)構(gòu)的緊湊性。
可以設(shè)置至少一個第三電路支承體組件，其與另一冷卻裝置接觸，其 中與第 一和第二電路支承體組件接觸的冷卻裝置通過至少 一個間隔元件
與另一冷卻裝置相連。
優(yōu)選的是，在第三電路支承體組件和第一或第二電路支承體組件之間 構(gòu)建至少一個 陣列和/或至少一個彈性接觸部和/或至少一個可插接的 桿作為電接觸部。由此，在元件熱膨脹時也可以保證可靠的接觸。未設(shè)置 在共同的中間層或者冷卻裝置的對置側(cè)上的電路支承體組件的電接觸由 此可以以多種方式來實現(xiàn)。根據(jù)制造技術(shù)可以實現(xiàn)盡可能最好的電接觸。
優(yōu)選的是，在冷卻裝置中構(gòu)建穿通的電接觸部，特別是通孔，用于使兩個電路支承體組件彼此接觸，其中電接觸部與冷卻裝置絕緣。
優(yōu)選的是，至少一個電路支承體組件具有多個LTCC層，這些層優(yōu) 選具有集成的器件。由此，電子部件模塊的三維的堆疊形狀能夠以緊湊和 類似立方體的方式實現(xiàn)，并且以金屬-陶瓷-復(fù)合結(jié)構(gòu)的散熱方案來實 現(xiàn)。
優(yōu)選的是,將用于電子部件模塊的外部電接觸的插接連接部安裝到冷 卻裝置中。當(dāng)至少一個冷卻裝置是電子部件模塊的殼體壁時，這是特別有 利的。該殼體壁可以是主散熱器。
優(yōu)選的是，間隔元件電絕緣地構(gòu)建，并且通過這種間隔元件相連的冷 卻裝置優(yōu)選可以置于不同的電勢上。可以設(shè)計的是，電子部件模塊的電接 觸向外通過至少兩個位于不同的電勢的冷卻裝置來實現(xiàn)或者構(gòu)建。
優(yōu)選的是，至少在冷卻裝置的邊緣區(qū)域上構(gòu)建有冷卻肋。
優(yōu)選的是，冷卻裝置在橫向方向上延伸，并且由此在電路支承體組件 的側(cè)面延伸超出間隔元件的位置。這意味著，垂直取向的間隔元件從冷卻 裝置的邊緣區(qū)域朝向電路支承體組件的方向插入，使得在水平方向上構(gòu)建 有冷卻裝置的自由端部。在冷卻裝置的這些邊緣區(qū)域上可以優(yōu)選地構(gòu)建冷 卻肋。所產(chǎn)生的廢熱的散發(fā)由此可以被進(jìn)一步改進(jìn)。
其他的有利的實施形式由以下借助示意圖進(jìn)一步闡述的實施例中得到。


以下將借助示意圖詳細(xì)地闡述本發(fā)明的實施例。其中 圖l示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第一實施例的截面圖 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第二實施例的截面圖 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第三實施例的截面圖 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第四實施例的截面圖 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第五實施例的截面圖 圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第六實施例的截面圖 圖7示出了電子部件模塊的第七實施例的截面圖；圖8示出了電子部件模塊的第八實施例的截面圖；以及 圖9示出了電子部件模塊的第九實施例的截面圖。
具體實施例方式
在附圖中，相同的或者功能相同的要素設(shè)置有相同的參考標(biāo)記。
在圖1中示出了部件模塊系統(tǒng)l的第一實施例的截面圖，該系統(tǒng)包括 三個電子部件模塊2、 3和4。第一電子部件模塊2包括多層的第一電路 支承體組件21和多層的第二電路支承體組件22。在兩個電路支承體組件 21和22之間是中間層或者設(shè)置有中間層23，該中間層在該實施例中構(gòu)建 為金屬板。該中間層23構(gòu)建為用于冷卻電子部件模塊2，并且以下被稱 為冷卻裝置23或者冷卻層。這種冷卻裝置23由此被構(gòu)建為與電路支承體 組件21和22的上側(cè)通過平面的區(qū)域直接彼此靠置。通過這種設(shè)置，特別 是在橫向方向(x方向)可以構(gòu)建冷卻裝置23與電路支承體組件21和22 之間的比較大的接觸區(qū)域，由此可以實現(xiàn)改進(jìn)的散熱。特別地，這種平面 的接觸區(qū)域在x-z平面(垂直于圖平面)的整個面積區(qū)域上延伸。
在該實施例中，多層的第一電路支承體組件21具有三個垂直^目疊 設(shè)置的LTCC層21a至21c。在LTCC層21a至21c中構(gòu)建有未被具體表 示的部件和印制導(dǎo)線。如可以看到的那樣，在層21c上設(shè)置了集成電路 21d,該集成電路定位在凹進(jìn)部分21e中，該凹進(jìn)部分構(gòu)建在層21a以及 層21b中。在所示的實施例中，設(shè)置在冷卻裝置23的對置的側(cè)上的多層 的第二電路支承體組件22同樣包括三個LTCC層22a至22c,這些層同 樣構(gòu)建為LTCC-玻璃陶瓷。在此，在層22c上也設(shè)置了集成電路22d， 該集成電路定位在層22a和22b的凹進(jìn)部分22e中。
如從圖1的視圖中可以看到的那樣，冷卻裝置23在x方向延伸，并 且由此在整個部件模塊系統(tǒng)1的橫向或者水平方向上延伸超出兩個電路 支承體組件21和22的范圍。為了使兩個電路支承體組件21和22電接觸， 在冷卻裝置23中構(gòu)建電接觸的通孔23a、 23b、 23c和23d。然而，這些 為了電接觸而設(shè)置的通孔23a至23d與冷卻裝置23電絕緣。在該實施例 中，冷卻裝置23也在垂直于圖平面走向的平面(X-z平面)中延伸超出 兩個電路支承體組件21和22的范圍。然而，也可以設(shè)計為，冷卻裝置僅 僅在所示的截面圖的右邊或者左邊在橫向方向(x方向)上延伸超出電路 支承體組件23和22的構(gòu)型。通過冷卻裝置23可以將電子部件模塊2工作時產(chǎn)生的廢熱側(cè)向(x 方向)地向外傳導(dǎo)，特別是在電路支承體組件21和22的側(cè)面在橫向方向 上散發(fā)。在三維的視圖中，這種橫向散熱于是在x-z平面中是可能的， 因為冷卻裝置23也優(yōu)選在z方向(垂直于圖平面)上相應(yīng)地延伸。
如圖1所示，部件模塊系統(tǒng)1具有設(shè)置在第一電子部件模塊2之下的 第二電子部件模塊3，該模塊類似于第一電子部件模塊2地構(gòu)建。該部件 模塊3也具有兩個多層的電路支承體組件31和32,它們在該實施例中分 別也包括三個LTCC層31a、 31b、 31c或者32a、 32b和32c，它們構(gòu)建 為LTCC玻璃陶瓷層。這里也設(shè)置冷卻裝置33作為支承體，其中電路支 承體組件31和32以上側(cè)在對置的側(cè)上與冷卻裝置33鄰接。
在LTCC層31c或者32c中分別設(shè)置有集成電路31d或者32d。這里 也為此分別在設(shè)置于其上的層中構(gòu)建有凹進(jìn)部分31e和32e。為了4吏在冷 卻裝置33的對置的側(cè)上設(shè)置的電路支承體組件31和32電接觸，在冷卻 裝置33中構(gòu)建有垂直通孔33a、 33b、 33c和33d形式的電接觸部。這些 通孔33a至33d也與金屬冷卻裝置33電絕緣地設(shè)置。
為了使第一電子部件模塊2與第二電子部件模塊3電連接，在所示的 實施形式中構(gòu)建有所謂的 陣列61和62，這些陣列與LTCC層22a或 31a的上側(cè)或者外側(cè)22f和31f接觸。
類似于電子部件模塊2和3地構(gòu)建了部件模塊系統(tǒng)1的第三電子部件 模塊4。第三電子部件模塊4在y方向上設(shè)置在第二電子部件模塊3之下， 使得通過部件模塊系統(tǒng)1構(gòu)建緊湊的類似立方體的造型的三維堆疊形狀， 該系統(tǒng)具有金屬—陶瓷復(fù)合結(jié)構(gòu)的散熱方案。
第三電子部件模塊4也包括中央的金屬的、板狀的冷卻裝置43，其 中在該冷卻裝置43的對置的側(cè)上構(gòu)建有多層的電路支承體組件41和42。 在此，電路支承體組件41和42也分別具有三個LTCC -玻璃陶瓷層41a、 41b、 41c或42a、 42b、 42c。集成電路41d或42d設(shè)置在LTCC層41c 和42c上。為此，凹進(jìn):部分41e或42e又構(gòu)建在位于其上的層41a、 41b 或42a、 42b中。在此，為了使兩個電路支承體組件41和42電接觸，也 在冷卻裝置43中構(gòu)建了通孔43a、 43b、 43c和43d形式的電接觸部，它 們是電絕緣的。
兩個冷卻裝置33和43被構(gòu)建為在它們的大小上相應(yīng)于冷卻裝置23。 在冷卻裝置23、33和43的邊緣區(qū)域上分別構(gòu)建有間隔元件51和52以建立冷卻裝置23和33或33和43之間的連接。每個間隔元件51和52 都具有芯區(qū)域51a或52a，該芯區(qū)域被護(hù)層元件51b或52b包圍。芯區(qū)域 51a、 52a可以構(gòu)建為孔。為了部件模塊系統(tǒng)1的元件的安裝和固定，可 以設(shè)置有螺旋連接，其中螺桿可以插入這些孔以及在冷卻裝置23、 33和 43的邊緣區(qū)域上同樣構(gòu)建以及示出的孔中。
然而也可以為，例如通過鉚釘連接來構(gòu)建連接。在芯區(qū)域51a和52a 中，于是插入鉚接元件或者螺栓。
間隔元件51和52被導(dǎo)熱地構(gòu)建，并且設(shè)置用于將部件模塊系統(tǒng)1 中產(chǎn)生的廢熱橫向im。如從圖1的視圖中可以看到的那樣，間隔元件 51和52在x方向上定位，使得它們基本上與冷卻層23、 33和43的側(cè)邊 緣齊平地i殳置。
第二電子部件模塊3也通過 陣列63和64與第三電子部件模塊4 電接觸，這些球柵陣列構(gòu)建在相應(yīng)的層32a和41a的上側(cè)32f和41f上。
此夕卜，電接觸部以J^陣列65和66的形式設(shè)置在層42a的外側(cè)或者 上側(cè)42f上，以便必要時能夠?qū)崿F(xiàn)與另一電子部件模塊接觸或者甚至與另 一部件模塊系統(tǒng)接觸。通過借助艱鼢陣列61至66的接觸，可以平衡由于 元件的熱失配而產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，也就;U兌，這些元件具有明顯不同的熱 膨脹系數(shù)。
通過使所產(chǎn)生的廢熱側(cè)向散發(fā)以及冷卻裝置23、 33和43超出電路支 承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的范圍的構(gòu)型，可以結(jié)合側(cè)面地設(shè)置 于這些電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的間隔元件51和52來 實現(xiàn)有效的散熱方案。然而，此外也可以實現(xiàn)整個部件模塊系統(tǒng)l的非常 緊湊的構(gòu)型。
相應(yīng)的電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的陶資LTCC層 的數(shù)目和設(shè)置可以以多種方式不同于圖1所示的實施例，并且也可以完全 不同地設(shè)置和構(gòu)思。重要的是，冷卻裝置23、 33和43定位和構(gòu)建為使得 可以實現(xiàn)橫向的冷卻方案。
陶乾LTCC層21a至21c、 22a至22c、 31a至31c、 32a至32c、 41a 至41c以及43a至43c實現(xiàn)為電路的支承體，其中該電路例如可以通過絲 網(wǎng)印刷的印制導(dǎo)線來制造。例如可以通過粘合連接或者釬焊連接或者通過 燒結(jié)工藝而將電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42施加到相應(yīng)的冷 卻裝置23、 33和43上。冷卻裝置23、 33和43的金屬材料被選擇或者作為合金或者復(fù)合材料制造，使得該材料一方面針對所需的溫度窗與所提及 的層的陶瓷熱匹配，并且另一方面具有盡可能高的導(dǎo)熱能力。這種相互的
匹配的例子可以在如下的實現(xiàn)方式中看到，其中電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的層如已經(jīng)闡述的那樣構(gòu)建為LTCC玻璃陶瓷層，并且 冷卻裝置23、 33和43由銅-鉬復(fù)合原料構(gòu)建。這種銅—鉬復(fù)合原料優(yōu)選 具有8ppm/K的膨脹系數(shù)以及200W/mK至300W/mK的導(dǎo)熱性。膨脹系 數(shù)在此選擇為非常接近所使用的LTCC陶乾的膨脹系數(shù)。
可以設(shè)計為，圖1中所示的電子部件模塊系統(tǒng)1設(shè)置在(未示出的) 殼體中。為了從該殼體中散熱，可以在殼體和至少一個冷卻裝置23、 33 和43和/或至少一個間隔元件51、 52之間構(gòu)建導(dǎo)熱的接觸部。于是可以 設(shè)計為，例如圖1中右邊的垂直邊緣區(qū)域靠置在殼體的內(nèi)壁上，其中該邊 緣區(qū)域由冷卻裝置23、33和43的邊緣以及間隔元件51和52的邊^(qū)J成。 部件模塊系統(tǒng)1可以擰緊在殼體上。在部件模塊系統(tǒng)1和殼體之間也可以 構(gòu)建多個接觸部用于散熱。
除了在根據(jù)圖1的實施例中實現(xiàn)的自陣列61至66之外，也可以通 過彈性接觸或者通過可插接的多管腳連接器(Stiftleisten)來設(shè)計電接觸， 如在所謂的雙列直插(Dual-In-Line,DIL)殼體中可以實現(xiàn)的那樣，這些 彈性接觸或者多管腳連接器捕獲可能存在的熱失配。此外，對于彈性接觸
或者多管腳連接器所需的在各個平面之間的較大的垂直距離(y方向)對 于在相鄰的平面之間有大的電勢差的情況也用于更好的電絕緣。替代^ 陣列61至66，例如也可以設(shè)置接合線。
如果在電路支承體組件之間的電壓距離(Spannungsabstand )進(jìn)一 步增大，則可以設(shè)計為，至少一個絕緣膜(例如由Kapton構(gòu)成)設(shè)置到 所產(chǎn)生的中間區(qū)域中。這例如在根據(jù)圖2的截面圖的部件模塊系統(tǒng)1的構(gòu) 型中示出。部件模塊系統(tǒng)l的該實施例對應(yīng)于才艮據(jù)圖1的構(gòu)型，并且因此 出于清楚的原因僅僅示出了上級元件的參考標(biāo)記，這些上級元件的詳細(xì)的 構(gòu)型已經(jīng)在針對圖1的闡述中詳細(xì)說明。
與根據(jù)圖l的構(gòu)型不同，圖2中的實施形式具有絕緣膜7，該膜設(shè)置 在第二電子部件模塊3和第三電子部件模塊4之間。在該實施例中構(gòu)建為 Kapton膜的該絕緣膜7特別是設(shè)置在多層的電路支承體組件32和多層的 電路支承體組件41之間。如在此可以看到的那樣，該絕緣膜7與電路支 承體組件32的LTCC層32a間隔地定位，并且也與電路支承體組件41 的LTCC層41a間隔地定位。此外，膜7具有沖裁部或者凹進(jìn)部分71和72，以便能夠使艱鼢陣列 63和64或者替代的電連接穿過。如可以看到的那樣，凹進(jìn)部分71和72 被設(shè)計為使得自陣列63和64與絕緣膜7間隔地設(shè)置。在水平方向(x 方向)上，絕緣膜7延伸超出電路支承體組件32和41的范圍。
然而，也可以設(shè)計為，絕緣膜7具有如下選擇的大小使得絕緣膜7 僅僅在水平方向上在艱鼢陣列63和64之間延伸。在這種構(gòu)型中，絕緣膜 7置于電路支承體組件32和4 1之間的間隙中。絕緣膜在此可以松散地 置于該間隙中。通過該絕緣膜7可以延長電路支承體組件32和41之間的 空氣隙，使得可以防止從電路支承體組件32的LTCC層至電路支承體組 件41的LTCC層的飛弧。附加地或者替代地，這種絕緣膜7也可以設(shè)置 在電路支承體組件22和31之間。絕緣膜7也可以固定在電路支承體組件 32或41之一上，例如粘合在其上。也可以設(shè)計為，絕緣膜7固定在間隔 元件52上。
在圖3中示出了帶有多個電子部件模塊2、 3和4，的部件模塊系統(tǒng)1 的另一實施例的截面圖。與相L據(jù)圖l和圖2的實施形式不同，在該實現(xiàn)形 式中，電子部件模塊4，構(gòu)建有只有唯一的多層電路支承體組件41，。該電 路支承體組件41，設(shè)置在冷卻裝置8上，該冷卻裝置8構(gòu)建為最下面的散 熱層。該冷卻裝置8實現(xiàn)為整個部件模塊系統(tǒng)1的主散熱器，并且不但在 水平方向而且在垂直方向都設(shè)計為比冷卻裝置23和33具有更大的尺寸。 在下側(cè)8a上未裝配冷卻片或者金屬的冷卻裝置8，并且由此沒有電子器 件或者元件或者電路支承體。特別地，冷卻裝置8在此可以用作整個部件 模塊系統(tǒng)l的殼體的殼體壁。
如從圖3的視圖中可以看到的那樣，在該冷卻裝置8中構(gòu)建了穿通的 凹進(jìn)部分81，插接連接裝置9安裝在該凹進(jìn)部分中。插接連接裝置9具 有固定地設(shè)置在凹進(jìn)部分81中的插接元件9a，該元件可以從外部到達(dá)， 并且插接元件9b可以引入其中。由此，可以實現(xiàn)外部的電接觸。在集成 到冷卻裝置8中的插接元件9a上安裝(特別是釬焊)有電接觸部91、 92 和93,這些接觸部與電路支承體組件41，的LTCC層41a，電連接。也可以 設(shè)計為，在冷卻裝置23和33中構(gòu)建有凹進(jìn)部分，于是較大的插接元件 9a可以延伸通過這些凹進(jìn)部分，并且至電子部件模塊2和3的相應(yīng)的電 路支承體組件的電接觸是可能的。
也可以i殳計為，在冷卻裝置8的下側(cè)8a未裝配的情況下，可以進(jìn)行 至另一冷卻體的全面的連接，或者進(jìn)行例如至部件模塊系統(tǒng)1的未被示出的殼體的殼體底部的完全的連接，該殼體底部于是用作另外的冷卻體。
各個平面或者各個電子部件模塊2至4或者2至4，可以以不同的功能 和功能性構(gòu)建。這樣，例如可以設(shè)計為，具有較高電壓和電流的功率電子 器件與控制功能(控制器)以及數(shù)字元件在空間上隔離，由此可以防止不 希望的或者破壞性的相互作用。例如，這在根據(jù)圖2的實施形式中被實現(xiàn)。
在才艮據(jù)圖4的截面圖中示出了電子部件模塊系統(tǒng)1的另一擴(kuò)展方案。 與才艮據(jù)圖3的實施形式不同，在此間隔元件51和52電絕緣地構(gòu)建，由此 能夠?qū)崿F(xiàn)的是，冷卻裝置23，和33，可以位于不同的電勢上。特別地，護(hù) 層元件51b和52b由電絕緣材料構(gòu)建。如果將導(dǎo)電零件設(shè)置為連接元件， 則在芯區(qū)域51a和52a中的連接也由電絕緣材料構(gòu)建，或者至少電絕緣。 通過4吏用這種電絕緣的間隔元件51和52以及必要時4吏用附加的殼體，冷 卻裝置23，、 33，和8，可以分別置于電珞技術(shù)上有利的電勢上。由此，這些 冷卻裝置附加地也可以用作至用電器的引導(dǎo)電流的連接，其中該用電器通 過例如焊接的或者硬釬焊的線纜10a和10b連接。此外，電連接可以通過 插接連接來實現(xiàn)。在此，冷卻裝置可以構(gòu)建為使得它承擔(dān)插座或者插頭的 功能。
為了能夠?qū)崿F(xiàn)線纜10a和10b的這種電接觸，在+艮據(jù)圖4的擴(kuò)展方案 中i更計為，將間隔元件51和52在x方向上朝著電子部件模塊2、 3和4， 的電路支承體組件方向推移。冷卻層23，、 33，和8，因此具有自由的邊緣區(qū) 域，因為間隔元件51和52在橫向方向上不再與冷卻裝置23，、 33，和8， 齊平地設(shè)置。
在圖5中以截面圖示出了帶有多個電子部件模塊2、 3和4，的部件模 塊系統(tǒng)的另 一實施例。在才艮據(jù)圖4的構(gòu)型中由于間隔元件的電絕緣而可能 出現(xiàn)的、間隔元件51和52的熱阻的劣化可以通過如才艮據(jù)圖5的擴(kuò)展方案 中所實現(xiàn)的對流冷卻來降低。為此，在根據(jù)圖5的擴(kuò)展方案中設(shè)計了，水 平取向的冷卻片或者冷卻裝置23"、 33"，和8"在7jC平方向(x方向)上進(jìn) 一步伸出間隔元件51和52的位置。此外，可以在冷卻裝置23"的延長的 邊緣區(qū)域23e和23g上構(gòu)建附加的冷卻凸起部23f和23h。類似地，這通 過在冷卻裝置33"的延長的邊緣區(qū)域33e和33g上構(gòu)建多個冷卻凸起部33f 和33h來實現(xiàn)。相應(yīng)地，這在冷卻裝置8，，中實現(xiàn)，其中冷卻凸起部82a 和83a構(gòu)建在水平延長的邊緣區(qū)域82和83上。在所示的實施例中，冷卻 凸起部23f、 23h、 33f、 33h、 82a和83a在垂直方向(y方向)上向上取 向。然而，這僅僅是示例性的，并且這些冷卻凸起部也可以垂直向下或者也可以在其他方向取向。
通過設(shè)置這些冷卻凸起部23f、 23h、 33f、 33h、 82a和83a，可以實 現(xiàn)冷卻裝置23"、 33，，和8"的表面增大，并由此可以改善在橫向或者水平 方向的散熱。
在圖6所示的截面圖中示出了部件模塊系統(tǒng)1的另一實施形式。在該 實施形式中，冷卻裝置23"，、 33"，和8"彼此間隔地i殳置。冷卻裝置23，"、 33"，盆狀地構(gòu)建，并且例如可以實現(xiàn)為鑄件。由此，在該擴(kuò)展方案中，間 隔元件集成到相應(yīng)的冷卻層23"，和33"，中。由此，可以在堆疊時構(gòu)建防 塵和防濺水的多層殼體。在銜接處設(shè)置有密封環(huán)12a和12b。這些密封環(huán) 12a和12b例如可以由鋁、銅、Viton、塑料等等構(gòu)成。此外，在組裝之 后，通過液相或者氣相涂層(例如聚對二甲苯(Parylene))的密封同樣 是可能的。冷卻肋23f和23h的構(gòu)建也可以延伸超出冷卻裝置23"，的整個 上側(cè)。在此，例如也可以設(shè)置螺旋連接用于安裝部件模塊，其中這里也可 以將螺旋元件旋入孔(例如圖1中的芯區(qū)域51、 52a)中，其中可以在冷 卻裝置8"中構(gòu)建相應(yīng)的螺紋。
通過將損耗熱從各單個平面在橫向方向上散&,實現(xiàn)了可堆疊性以及 緊湊的構(gòu)型。各平面在模塊的芯區(qū)域中電通孔敷鍍(durchkontaktieren )， 而熱接觸在空間分上離地在周邊區(qū)域中進(jìn)行。該周邊區(qū)域同時具有^^穩(wěn)、定 作用的機(jī)械功能，并且甚至形成了完整的殼體。自然，帶有間隔元件的結(jié) 構(gòu)也可以以相反的方式中央地設(shè)置并且被電路支承體包圍，然而部分功
能、如殼體的功能就不再被提供。導(dǎo)熱的間隔元件可以與水平的金屬支承 體(冷卻層)擰合，使得每個平面在模塊連接到一起之前可以被單個地測 試。此外，循環(huán)的冷卻劑可以流過間隔元件和平面，以使得溫度均勻，或 者主動地降低溫度。冷卻劑例如可以按照用于提高熱容量的"熱管"原理 來經(jīng)歷相變。
在圖7所示的截面圖中，示出了帶有電子部件模塊2"的部件模塊系 統(tǒng)1的另一實施形式。部件模塊2"具有多層的第一電路支承體組件21， 和多層的第二電路支承體組件22"。在此，在第一電路支承體組件21，和 第二電路支承體組件22"之間有絕緣的中間層24。在電路支承體組件21， 和22"的與該中間層24背離的上側(cè)上分別i殳置有冷卻裝置25和26。多層 的第一電路支承體組件21，在所示的實施形式中包括兩個絕緣層21a，和 21c，、嵌入其中的器件層21b，以及印制導(dǎo)線層21d，。印制導(dǎo)線層21d，與 中間層24鄰接。絕緣層21a，和21c，以及中間層24不包含所示的通孔敷鍍(所謂的通孔Via)用于使設(shè)置在兩側(cè)的層電接觸。這些通孔例如也能夠 實現(xiàn)冷卻裝置25的電接觸，以便能夠?qū)崿F(xiàn)外部的接觸，當(dāng)電流引導(dǎo)未能 由印制導(dǎo)線層21d，承擔(dān)或者不應(yīng)當(dāng)由其承擔(dān)時，同樣實現(xiàn)如通過冷卻裝 置25的電流引導(dǎo)。
類似于第一電路支承體組件21，地構(gòu)建了第二電路支承體組件22"。 第二電路支承體組件也具有兩個絕緣層22b，，和22d"，在它們之間構(gòu)建了 器件層22c"。在絕緣層22b"和中間層24之間構(gòu)建了印制導(dǎo)線層22a"，除 了絕緣層22b"和22d"以及器件層22c，，之外該印制導(dǎo)線層與第二電路支 承體組件22"關(guān)聯(lián)。與下部的絕緣層22d"鄰接地設(shè)置有另外的冷卻裝置 26。
這種構(gòu)造不僅可以以LTCC技術(shù)實現(xiàn)，而且也可以以傳統(tǒng)的技術(shù)實 現(xiàn)。器件層21b，和22c"于是由SMD部件或者接線的部件構(gòu)成。朝向冷 卻裝置25和26的絕緣層或者與這些冷卻裝置鄰接的絕緣層21a，和22d" 實施為具有高導(dǎo)熱性的電絕緣的隔離物。朝向印制導(dǎo)線層21d，和22a"的 絕緣層21c，或者22b"通過施加到印制導(dǎo)線層21d，和22a"上的釬焊停止漆 (Loetstopp-Lack)來實現(xiàn)。中間層24通過例如FR4或者FR5材料構(gòu)成 的印刷電路板來形成。印刷電路板也可以實施為柔性的電路板，其也稱為 柔性板。此外，可以設(shè)計為借助模制引線框架技術(shù)來實現(xiàn)中間層24、印 制導(dǎo)線層21d，和22a，，以及絕緣層21a，、 21c，或者22b"和22d"。
在所說明的實施形式中，除了冷卻裝置25和26之外，中間層24和/ 或一個或多個絕緣層21a，、 21c，、 22b，，和22d"可以以機(jī)械的方式支承， 或者有利于部件模塊系統(tǒng)1的機(jī)械堅固性。
冷卻裝置25和26優(yōu)選在其邊緣區(qū)域上在電路支承體組件21，和22" 側(cè)面彼此相連，特別是通過導(dǎo)熱的間隔元件彼此相連'該連M選可以通 過未示出的垂直取向的間隔元件來構(gòu)建，這些間隔元件特別是導(dǎo)熱地構(gòu) 建。通過所說明的構(gòu)型，可以實現(xiàn)如下的電子部件模塊2":該電子部件 模塊在中間層24的彼此對置的側(cè)上分別具有多層的電路支承體組件21， 和22",其中電路支承體組件21，和22"在其暴露的上側(cè)上、特別U本 上在水平的上側(cè)上至少局部地分別與冷卻裝置25和26相連。冷卻裝置 25和26直接位于這些上側(cè)上。
在圖8所示的截面圖中示出了部件模塊系統(tǒng)1的另一實施形式。該實 施形式對應(yīng)于圖7中所示的實施形式，然而具有間隔元件51，，該間隔元 件垂直取向，并且同時用作散熱器，并且由此能夠?qū)崿F(xiàn)兩個冷卻裝置25和26的散熱。在間隔元件51上構(gòu)建有多個冷卻肋51c，，這些冷卻肋基本 上水平取向，并且背離電路支承體組件21，和22"地延伸。
在圖9所示的截面圖中示出了部件模塊系統(tǒng)1的另一實施形式。如從 圖9的視圖中可以看到的那樣，冷卻裝置25，包含用于冷卻介質(zhì)的通道 25a，。隨后構(gòu)建有中間層24，其實現(xiàn)與位于其下的印制導(dǎo)線層21d，的電 絕緣。在器件層21b，的兩側(cè)上設(shè)置有絕緣層21a，和21c，，它們防止了不 希望的電連接。所提及的層21a，至21d，與電路支承體組件2"，關(guān)聯(lián)。與圖 7和8所示的部件模塊系統(tǒng)1的實施形式不同，現(xiàn)在器件層21b，的散熱通 過兩個設(shè)置在兩側(cè)的冷卻裝置25，和26，進(jìn)行。
在所有的實施形式中，冷卻裝置也可以在水平方向上不同地i殳計，并 且具有不同的構(gòu)型。特別是為了能夠?qū)⒘硗獾碾娮釉O(shè)置到部件模塊系 統(tǒng)中，在冷卻裝置中也可以設(shè)置一個或多個凹進(jìn)部分。于是，也可以設(shè)計 為，附加地在部件模塊系統(tǒng)l中設(shè)置有點火變壓器，使得部件模塊系統(tǒng)l 例如可以用于氣體放電燈驅(qū)動。電子鎮(zhèn)流器或者燈驅(qū)動設(shè)備也可以設(shè)置在 該系統(tǒng)中。然而也可以設(shè)計為，這種部件模塊系統(tǒng)l構(gòu)建用于汽車技術(shù)領(lǐng) 域，并且例如設(shè)計用于發(fā)動機(jī)控制。
在這些實施形式中示例性地將集成電路構(gòu)建在LTCC層上。附加地 或者替代集成電路，也可以設(shè)置其他部件，例如功率晶體管、電阻或者發(fā) 光二極管。將這些集成電游4殳置在靠置于冷卻裝置的LTCC層上的優(yōu)點 是，無需穿過位于其上的LTCC層的通孔敷鍍。此外，通過該構(gòu)型可以 實現(xiàn)至冷卻裝置的更好的散熱。就此而言，較大的橫向靠置的面可以實現(xiàn) 特別有效的水平散熱，而無需附加的通孔，因為電路支承體組件直接連接 至冷卻裝置。
權(quán)利要求
1. 一種電子部件模塊，具有至少一個多層的第一電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)和冷卻裝置(23，33，43)，其特征在于，冷卻裝置(23，33，43)與電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的上側(cè)接觸，其中冷卻裝置(23，33，43)被構(gòu)建為使得在電子部件模塊(2，3，4)工作中產(chǎn)生的廢熱能夠在關(guān)于電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的設(shè)置的橫向方向上通過冷卻裝置(23，33，43)散發(fā)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件模塊，其特征在于，冷卻裝置(23， 33， 43)在橫向方向上至少在電路支承體組件(21， 22; 31, 32; 41， 42) 的一個側(cè)面上延伸超出電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42)的范 圍。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其特征在于，冷卻裝 置(23， 33， 43)至少局部板狀地構(gòu)建。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電子部件模塊，其特征在于， 冷卻裝置(23， 33， 43; 8)至少局部構(gòu)建為電子部件模塊(2, 3， 4; 2，； 4，)的殼體的側(cè)壁。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電子部件模塊，其特征在于， 在第一電路支承體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42)和第二電路支承體組 件(21， 22; 31， 32; 41， 42)之間構(gòu)建中間層(23， 33， 43; 24)，特 別是絕緣的中間層，并且在電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42) 的與該中間層(23， 33， 43; 24 )背離的上側(cè)上分別設(shè)置有冷卻裝置(23, 33， 43)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子部件模塊，其特征在于，至少一個多 層的電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 21，； 22")具有至少一 個絕緣層(21a，， 21c，； 22b"， 22d")、至少一個器件層(21b，， 22c") 以及至少一個印制導(dǎo)線層(21d，， 22a")。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子部件模塊，其特征在于，印制導(dǎo)線層 (21d，， 22a")與中間層(24)鄰接，并且冷卻裝置(23， 33, 43; 25,26; 25，， 26，)與絕緣層(21a，， 21c，； 22b", 22d")鄰接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5至7中的任一項所述的電子部件模塊，其特征在 于，冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8，， 8")在邊緣區(qū)域上在電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 22，； 41，)的側(cè)面彼此 相連，特別是通過導(dǎo)熱的間隔元件(51， 51，； 52)相連。
9. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電子部件模塊，其特征在于， 冷卻裝置(23， 33， 43)至少局部地由金屬構(gòu)建。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電子部件模塊，其特征在 于，冷卻裝置(23， 33， 43)至少局部地作為中間層設(shè)置在第一電路支承 體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42 )和第二電路支承體組件(21, 22; 31, 32; 41, 42)之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件模塊，其特征在于，設(shè)置至少一 個第三電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42)，所述第三電路支承 體組件與另一冷卻裝置(23， 33， 43)接觸，其中與第一電路支承體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42)和第二電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42)接觸的冷卻裝置(23， 33, 43 )通過至少一個間隔元件(51， 52) 與另一冷卻裝置(23， 33， 43)相連。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子部件模塊，其特征在于，在第三電 路支承體組件(21， 22; 31, 32; 41， 42)和第一電路支承體組件(21， 22; 31, 32; 41， 42)或第二電路支承體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42) 之間構(gòu)建ttf車列(61至66)和/或彈性接觸部和/或可插接的桿作為電接 觸部。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中的任一項所述的電子部件模塊，其特征 在于，在冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")中構(gòu)建穿通 的電接觸部(23a至23d; 33a至33d; 43a至43d)，用于使彼此相疊設(shè) 置的電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 22，； 41，)接觸，其中 電接觸部(23a至23d; 33a至33d; 43a至43d)與冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23,，，； 8; 8")絕緣。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中的任一項所述的電子部件模塊，其特征 在于，至少一個電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 22，； 41，) 具有多個LTCC層(21a至21c; 22a至22c; 31a至31c; 32a至32c; 41a 至41c; 42a至42c; 22a，至22c，； 41a，至41c，)，這些層具有集成的器件。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子部件模塊，其特征在于，將插接連 接(9)引入冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")中，用于 電子部件模塊(2， 3， 4; 2，； 4，)的外部電接觸。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8或11所述的電子部件模塊，其特征在于，間隔 元件(51， 52)電絕緣地構(gòu)建，并且通過間隔元件(51， 52)相連的冷卻 裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")能夠置于不同的電勢上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子部件模塊，其特征在于，部件模塊 的電接觸向外通過至少兩個位于不同電勢的冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")來實現(xiàn)。
18. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電子部件模塊，其特征在 于，至少在冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23，"； 8; 8")的邊緣區(qū) 域上構(gòu)建有冷卻肋(23f, 23h; 33f, 33h; 82a， 83a)。
19. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電子部件模塊，其特征在 于，至少一個電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 21，， 22,; 22"; 41，)和/或至少一個中間層(24)和/或至少一個冷卻裝置(23; 33; 43; 23，; 23"; 23，，，； 25， 26; 25，， 26，; 8; 8")以模制引線框架技術(shù)來構(gòu)建。
全文摘要
一種電子部件模塊，具有至少一個多層的第一電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)和冷卻裝置(23，33，43)，其中冷卻裝置(23，33，43)與電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的上側(cè)接觸，其中冷卻裝置(23，33，43)被構(gòu)建為使得在電子部件模塊(2，3，4)工作中產(chǎn)生的廢熱能夠在關(guān)于電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的設(shè)置的橫向方向上通過冷卻裝置(23，33，43)散發(fā)。
文檔編號H01L25/07GK101427371SQ200780013789
公開日2009年5月6日 申請日期2007年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月19日
發(fā)明者伯恩哈德·西塞格, 斯特芬·沃爾特, 理查德·馬茨 申請人:奧斯蘭姆有限公司